JPH04103780A - エッチング装置 - Google Patents

エッチング装置

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Publication number
JPH04103780A
JPH04103780A JP21942490A JP21942490A JPH04103780A JP H04103780 A JPH04103780 A JP H04103780A JP 21942490 A JP21942490 A JP 21942490A JP 21942490 A JP21942490 A JP 21942490A JP H04103780 A JPH04103780 A JP H04103780A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
chamber
conveyor
etching
etchant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21942490A
Other languages
English (en)
Inventor
Sunao Umezawa
梅澤 直
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP21942490A priority Critical patent/JPH04103780A/ja
Publication of JPH04103780A publication Critical patent/JPH04103780A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エツチング装置に関し、特に大型印刷配線板
(以下、基板と称す。)の回路形成を行うエツチング装
置に関する。
[従来の技術] 従来のエツチング装置は第2図に示すように、第1チャ
ンバー1と第2チャンバー8との間にパスラインCが形
成されている。
第1チャンバー1のパスラインCの上側と下側には各々
上スプレーノズル3aと下スプレーノズル3bとが複数
本配設され、同様に第2チャンバー8のパスラインCの
上側と下側に上スプレーノズル3Cと下スプレーノズル
3dとが複数本配設されている。また、パスラインCに
接して一連のコンベア2cが設置されている。
次に動作について説明する。コンベア2Cは基板(図示
省略)を第1チャンバー1から第2チャンバー8に送る
方向にモーター等(図示省略)により駆動される。上ス
プレー人ズル3aと下スプレーノズル3bとは、モータ
ーとクランク機構(図示省略)により各々基板の進行方
向と直交する方向に揺動する。また上スプレーノズル3
cと下スプレーノズル3dとは同様に揺動する。エツチ
ング液9aはポンプ等(図示省略)により上スプレーノ
ズル3aと下スプレーノズル3bとに送られ、パスライ
ンCに向って上下方向よりスプレーされる。同様にエツ
チング液9bも上スプレーノズル3cと下スプレーノズ
ル3dよりパスラインCに向って上下方向よりスプレー
される。従って、基板がコンベア2cにより送られると
、第1チャンバー1と第2チャンバー8とにおいて上下
方向よりエツチング液9a、 9bがスプレーされエツ
チングが行われる。
[発明が解決しようとする課題] 基板が400X400m+n以上と大型化してくると、
基板上に液溜まりができやすく、その部分のエツチング
速度が低下し、エツチングのバラツキが生じてしまう。
従来のエツチング装置では、スプレーノズルを揺動させ
ることにより、液溜まりができないようにしている。し
かし、さらに基板が500X500 mm以上と大型化
し、特に板厚が0.4tmm以下と薄くなってくると、
従来のエツチング装置においても、基板上に液溜まりか
できて、エツチングのバラツキを生じる。近年、基板の
パターンは細線化(回路幅]0011m以下、間隙]0
0pm以下)しており、エツチングのバラツキが大きな
問題となる。
本発明の目的は基板へのエツチング液の液溜りを防止し
たエツチング装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 前記目的を達成するため、本発明に係るエツチング装置
においては、第1チャンバー及び第2チャンバーと、対
をなすコンベアと、中継コンベアとを有するエツチング
装置であって、 第1チャンバー及び第2チャンバーは、搬入された基板
にエツチング液をスプレーしてエツチング処理を行うも
ので、隣接して配設されたものであり、 対をなすコンベアは、第1チャンバー、第2チャンバー
内に基板をそれぞれ搬送するもので、第1チャンバー内
と第2チャンバー内とに傾斜方向を異ならせて設置され
たものであり、 中継コンベアは、第1チャンバー内のコンベアからの基
板を受け取り、該基板の傾斜姿勢を転換して第2チャン
バー内のコンベアに受け渡すものである。
〔作用〕
基板を傾斜状態でエツチング液をスプレーすることによ
り、基板上でのエツチング液の液溜り現象を解消する。
C実施例〕 次に本発明の一実施例を図を用いて説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
まず、構造について説明する。
第1チャンバー1でのパスラインaは、送り方向に向っ
て上方に傾いており、(2〜4%登り勾配)、これに接
してコンベア2aが配設されている。
パスラインaと平行にコンベア2aの上側に上スプレー
ノズル3aが複数本配設され、下側に下スプレーノズル
3bが複数本配設されている。
一方、第2チャンバー8では、パスラインbが送り方向
に向って下方に傾いており(2〜4%下り勾配)、これ
に接してコンベア2bが配設されている。また、パスラ
インbと平行にコンベア2bの上側に上スプレーノズル
3cが複数本配設され、下側に下スプレーノズル3dが
複数本配設されている。
さらに、上傾したコンベア2aと下傾したコンベア2b
との間には、中継コンベア7が左右に傾斜可能に設置さ
れている。
中継コンベア7は、時計方向と反時計方向に正逆回転す
るプレート5と、プレート5の径方向両端と中継コンベ
ア7の両端とを連結するクランク4a、 4bとを有し
ており、プレート5を正逆回転することにより支点10
を中心として左右に傾斜するようになっている。また、
中継コンベア7の終端側には、基板を検出するセンサ6
が設けられ、プレート5は、センサ6の出力信号により
正逆転される。
次に、動作について説明する。
モータ等(図示省略)によりコンベア2aが駆動し、基
板が第1チャンバー1に傾斜状態で送られる。
第1チャンバー1ではモータ、ブラング機構等(図示省
略)により上スプレーノズル3aと下スプレーノズル3
bが基板の送り方向に直交する方向に揺動し、ポンプ等
(図示省略)により圧送されたエツチング液9aが上ス
プレーノズル3aと下スプレーノズル3bからパスライ
ンaに向ってスプレーされる。
基板は中継コンベア7まで送られ、基板の先端をセンサ
6が検知すると、プレート5が回転し、クランク4aと
クランク4bとにより中継コンベア7が支点10を中心
に傾き、中継コンベア7がコンベア2bと接続する。こ
れにより、基板は中継コンベア7からコンベア2bに移
し替えられる。第2チャンバー8では、基板が第1チャ
ンバー1と同様に傾斜状態で搬送され、エツチング液9
bが上スプレーノズル3cと下スプレーノズル3dより
パスラインbに向ってスプレーされる。以上の動作より
、第1チャンバーにおいては基板上のエツチング液9a
は停滞することなく、基板の送り方向とは反対方向に流
れていく。一方、第2千ヤンバー8においては、基板上
のエツチング液9bは基板の送り方向に向って流れてい
く。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によるエツチング装置では
、エツチング時に基板が傾斜しているため、基板上での
液留りを解消できる。さらに、第1チャンバーと第2チ
ャンバーでの基板の傾斜方向が反対となっているため、
基板上のエツチング液が流れる方向が反対になるため、
500 X 500mm以上の大型基板でも、基板上に
液留まりができず、絶えず新しいエツチング液がスプレ
ーされるので、エツチングのバラツキを防止できるとい
う効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示す縦断面図、第2図は
、従来のエツチング装置を示す縦断面図である。 1・・・第1チャンバー    2a、 2b、 2c
・・・コンベア3a、 3c・・・上スプレーノズル 3b、3cl・・・下スプレーノズル 4a、 4b・
・・クランク5・・・プレート        6・・
・センサ7・・・中継コンベア 9a、9b・・エツチング液 8・・・第2チャンバー

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1チャンバー及び第2チャンバーと、対をなす
    コンベアと、中継コンベアとを有するエッチング装置で
    あつて、 第1チャンバー及び第2チャンバーは、搬入された基板
    にエッチング液をスプレーしてエッチング処理を行うも
    ので、隣接して配設されたものであり、 対をなすコンベアは、第1チャンバー,第2チャンバー
    内に基板をそれぞれ搬送するもので、第1チャンバー内
    と第2チャンバー内とに傾斜方向を異ならせて設置され
    たものであり、 中継コンベアは、第1チャンバー内のコンベアからの基
    板を受け取り、該基板の傾斜姿勢を転換して第2チャン
    バー内のコンベアに受け渡すものであることを特徴とす
    るエッチング装置。
JP21942490A 1990-08-21 1990-08-21 エッチング装置 Pending JPH04103780A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21942490A JPH04103780A (ja) 1990-08-21 1990-08-21 エッチング装置

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JPH04103780A true JPH04103780A (ja) 1992-04-06

Family

ID=16735177

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JP21942490A Pending JPH04103780A (ja) 1990-08-21 1990-08-21 エッチング装置

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JP (1) JPH04103780A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6160309A (en) * 1999-03-25 2000-12-12 Le; Hiep Press-fit semiconductor package
KR100343044B1 (ko) * 1997-08-28 2002-10-25 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치및처리방법
WO2016044986A1 (zh) * 2014-09-23 2016-03-31 安徽省大富光电科技有限公司 蚀刻、显影、清洗以及褪膜设备、喷淋处理设备及方法

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US6160309A (en) * 1999-03-25 2000-12-12 Le; Hiep Press-fit semiconductor package
WO2016044986A1 (zh) * 2014-09-23 2016-03-31 安徽省大富光电科技有限公司 蚀刻、显影、清洗以及褪膜设备、喷淋处理设备及方法

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