JPH04101782A - スエード様研磨布 - Google Patents

スエード様研磨布

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JPH04101782A
JPH04101782A JP2220571A JP22057190A JPH04101782A JP H04101782 A JPH04101782 A JP H04101782A JP 2220571 A JP2220571 A JP 2220571A JP 22057190 A JP22057190 A JP 22057190A JP H04101782 A JPH04101782 A JP H04101782A
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polishing
suede
polyurethane elastomer
polyol component
substrate
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JP2220571A
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Koji Nakagawa
浩司 中川
Shigeki Morimoto
茂樹 森本
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Kanebo Ltd
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Kanebo Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はスェード様研磨布に係り、更に詳しくは耐薬品
性に優れ、耐久性のよい、特に集積回路素子用半導体基
板、例えば高純度シリコンや化合物半導体等からなるウ
ェハーの鏡面加工、あるいはガラス、金属、セラミック
等の仕上研磨に好適なスェード様研磨布に関する。
(従来の技術) 天然繊維、再生繊維または合成繊維からなる編織布又は
不織布、あるいはこれらにポリウレタンエラストマー等
の樹脂またはスチレンブタジェンゴム、ニトリルブタジ
ェンゴム等のゴム状物質を充填して得られる基体に、ポ
リウレタンエラストマーの溶液を塗布し、これを凝固液
で処理し湿式凝固して多孔質銀面層を形成せしめ、水洗
乾燥後、該銀面層表面を研削して得られるスェード様研
磨布は夙によく知られており、高純度シリコンや化合物
半導体からなるウェハーの鏡面加工工程、或いはガラス
製品、金属製品等の仕上工程に於て、酸化セリウム、酸
化アルミニウム、酸化ケイ素等の微細遊離砥粒を分散せ
しめた研磨液を供給しながら研磨する所謂精密研磨用と
して広く使用されている。
従来、スェード様研磨布を用いて研磨する場合には、供
給する研磨液中の砥粒の種類3粒度、濃度等、あるいは
研磨の際の温度、圧力1回転数等の加工条件を適宜設定
することで、所望する仕上精度のものを得ている。また
、仕上状態の向上を目的として、研磨液をpH9〜12
のアルカリ性に調整したり、研磨液に次亜塩素酸ナトリ
ウム等の薬品を混入して、被研磨物の表面をエツチング
しながら研磨する方法が一般的である。
しかしながら、従来使用されているスェード様研磨布は
、耐アルカリ性、耐薬品性が十分でなく、良好なる研磨
性能を長時間維持することができない。耐加水分解性(
耐アルカリ性)を向上させたスェード様シート状物がい
くつか提案されてはいるが、この場合も例えば次亜塩素
酸ナトリウム等に対する耐性に乏しいといった、耐薬品
性に問題がある。即ち、耐加水分解性(耐アルカリ性)
、耐薬品性に優れ研磨耐久性の良好なスェード様研磨布
は未だ満足すべきものが提案されていないのが現状であ
る。
(発明が解決しようとする課題) 本発明者等は上述の如き問題点に鑑み鋭意研究した結果
完成したものであって、本発明の目的は耐加水分解性、
耐薬品性に優れ、耐久性が良く研磨可使寿命の長いスェ
ード様研磨布を提供するにある。
(課題を解決するための手段) 上述の目的は、基体にポリウレタンエラストマーの水混
和性有機溶剤溶液を塗布し、水系凝固液で処理して基体
上に多孔質銀面層を形成せしめ、該銀面層表面を研削す
ることからなるスェード様研磨布であって、前記ポリウ
レタンエラストマーのポリオール成分としてポリヘキサ
カーボネートを30モル%以上含むことを特徴とするス
ェード様研磨布によって達成される。
本発明に用いられる基体としては、綿、レーヨン、ポリ
アミド、ポリエステル、ポリアクリロニトリル等の繊維
またはこれらの混合物からなる編織布や不織布、或はこ
れらにスチレンブタジェンゴム、ニトリルブタジェンゴ
ム等のゴム状物質またはポリウレタンエラストマー等の
樹脂を充填して得られるものが挙げられるが、特にこれ
らに限定されるものではない。
一般にポリウレタンエラストマーは、ポリイソシアネー
ト、ポリオール及び鎖伸長剤とから製造されるが、本発
明の銀面形成用に使用されるポリウレタンエラストマー
は、ポリオール成分としてポリへキサメチレンカーボネ
ートを30モル%以上、好ましくは50モル%以上含む
ものである。
ポリへキサメチレンカーボネートの割合が30モル%未
満の場合は、耐加水分解性(耐アルカリ性)及び耐薬品
性が不十分となる。
本発明において上記ポリオール成分としては、ポリへキ
サメチレンカーボネートのみを用いた場合が、耐加水分
解性、耐薬品性が良好であり好適であるが、他のポリオ
ールを併用し共重合させてもよい。併用されるポリオー
ルとしては、例えばポリエチレンアジペートグリコール
、ポリプロピレンアジペートグリコール、ポリエチレン
プロピレンアジペートグリコール、ポリブチレンアジペ
ートグリコール、ポリエチレンブチレンアジペートグリ
コール、ポリペンタメチレンアジペートグリコール等の
ポリエステルポリオール類、或はポリエチレンエーテル
グリコール、ポリプロピレンエーテルグリコール、ポリ
テトラメチL′・′エーテルグリコール、ポリへキサメ
チレンエーテルグリコール等のポリエーテルポリオール
類等、両末端に水酸基を有する分子量500〜8000
のポリオール類が挙げられる。共重合されるポリオ−2
ルとしてはポリエステル類よりもポリエーテル類の方が
耐加水分解性、耐薬品性が良く好ましい。
本発明の銀面ポリウレタンエラストマーに用いるポリイ
ソシアネートとしては、例えばジフェニルメタン−4,
4′−ジイソンアネート、トリレン2.4−ジイソシア
ネート、キンレンジイソンアネート、ジシクロヘキシル
メタン−4,4′ −ジイソシアネート、ヘキサメチレ
ンジイソシアネート等の有機ジイソシアネート、或いは
これらの混合物が挙げられる。また鎖伸長剤としては、
活性水素基を含んだ低分子化合物、例えばエチレングリ
コール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、
ジエチレングリコール等のグリコール類、例えばエチレ
ンジアミン、トリメチレンジアミン。
プロピレンジアミン、ブチレンジアミン等のジアミノ類
、あるいはアミノアルコール等を挙げることができる。
上述の如き組成からなる銀面ポリウレタンエラストマー
を溶解する溶剤としては、例えばジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、ジメチ
ルアセトアミド、エチルアセテート、ジオキサン等の水
混和性有Il溶剤を挙げることができるが、特にこれら
に限定されるものではない。ポリウレタンエラストマー
溶液のエラストマー固形分濃度は好ましくは10〜40
重量%、更に好ましくは20〜40重量%である。
エラストマー固形分濃度が低過ぎる場合、溶液粘度が低
遇ぎて、溶液が基体へ過度に浸み込み、良好なる多孔質
銀面層が形成されにくくなる。
本発明のスェード様研磨布を製造するには、例えば次の
様にすればよい。即ち、上述の如き組成に調整された銀
面形成用ポリウレタンエラストマー溶液を前記基体上に
ロールコータ−、ナイフコーター等の適宜な塗布手段を
用いて、好ましくは150〜1500g/cm”、更に
好ましくは300〜1.200g/m” の塗布量(溶
液として)になるように塗布し、次いで水或は水とポリ
ウレタンエラストマーの溶剤との混合液中に浸漬して湿
式凝固せしめた後、脱溶剤のための水洗、乾燥をするこ
とにより、基体面に垂直且つ均一な紡錘状気孔を有する
銀面層を具えたシート状物質が得られる。更に、サンド
ペーパー使用の表面研削機などにより該シート状物質の
銀面表面を研削することにより、表面孔形状も均一で且
つ断面孔形状が基体面に垂直で均一な紡錘状気孔である
スェード様研磨布が得られる。
(発明の効果) 本発明のスェード様研磨布は耐加水分解性(耐アルカリ
性)、耐薬品性に優れているため、これを用いて研磨す
れば被研磨体への加工傷(所謂スクラッチ)の発生が少
なく、且つ良好なる研磨状態が長時間にわたり維持され
、従来品に比べ耐久性に優れ且つ安定した研磨ができる
以下、実施例及び比較例により本発明を詳述する。なお
その前に本実施例及び比較例における研磨試験方法及び
その評価方法について記述す゛る。
また、実施例及び比較例中の「部」及び「%」は特に断
りのない限り、「重量部」及び「重量%」を意味する。
〈研磨試験I〉 平均粒径0.01μのコロイダルシリカを3%分散し、
且つ水酸化ナトリウムによりpH11に調整された研磨
液を用い、得られた研磨布を使用して、スピードファム
社製36SPAW研磨機にて、5インチシリコンウェハ
ーを1回の研磨時間30分間で研磨した。研磨は全部で
60回くり返し行った。その他の研磨条件は次の通りで
あった。
加工圧力    200g/cm” 定盤回転数   77rpm 加工温度    40℃ 研磨液供給量  100cc/分 く研磨試験■〉 平均粒径0.1μの酸化ケイ素を5%分散し且つ次亜塩
素酸ナトリウムを1%溶解した研磨液を用い、得られた
研磨布を使用して、スピードファム社製36SPAW研
磨機にて、3インチGaAsウェハーを研磨した。1回
の研磨時間を30分間とし、研磨は60回くり返し行っ
た。その他の研磨条件は研磨試験Iと同様とした。
〈研磨能率〉 30分間研磨における研削深度(μ)を測定した。
〈不良発生性〉 5万ルクスの照射光下にて、目視により加工傷(スクラ
ッチ)を確認したウェハーの割合を求め、下記基準に準
拠して評価した。
◎ 5%未満 05〜10% △ 10〜50% × 50%以上 (実施例1〜4.比較例1〜2) ポリエステル短繊維(繊度1.5 d 、長さ51m 
m )よりなるニードルバンチされた不織布(目付30
0 g/m”、厚み2.0m/m)に、スチレンブタジ
ェン共重合体のエマルジョン溶液を含浸させ、加熱架橋
反応後、Q、 9 m mの厚さにスライスして、繊維
比率46%、スチレンブタジェン共重合体比率54%の
基体を得た。
また、分子量が各2000のポリへキサメチレンカーボ
ネート(P)IMC)とポリテトラメチレンエーテルグ
リコール(PTMG)とを第1表に示す如きモル比率に
て計1モルをポリオール成分として用い、ジフェニルメ
タン−4,4′−ジイソシアネート3モル、エチレング
リコール2モルを、ジメチルホルムアミド中で溶液重合
させて濃度30%のポリウレタンエラストマー溶液を得
た。
このポリウレタンエラストマー溶液100部に、カーボ
ンブラック粉末5部、ステアリルアルコール3部、ジメ
チルホルムアミド100部を加え、粘度100ボイズ/
30℃の銀面ポリウレタンエラストマー塗布液を得た。
得られた塗布液を上記基体上にロールコータ−で800
8部m” 塗布した後、30℃の凝固浴(水ニジメチル
ホルムアミド=90:10重量比)の中に浸漬して凝固
させ、温水で充分に脱溶媒した後、120℃にて熱風乾
燥を行った。
次いで、それぞれの表面を#120のサンドペーパーに
て0.15mm研削し、スェード様研磨布を得た。結果
は第1表の通りであった。
(実施例5) 実施例1〜4で用いたポリオールに代えて、ポリへキサ
メチレンカーボネート(PHMC)とポリヘキサメチレ
ンアジペートグリコール(AD)とをモル比率50 :
 50で用いた他は、実施例1〜4と同様の方法でスェ
ード様研磨布を得た。結果は第1表の通りであった。
(比較例3) 実施例5で用いたP)(MCを用いずポリオールとして
ADのみを用いた他は、実施例5と同様の方法でスェー
ド様研磨布を得た。結果は第1表の手続補正書(自発) 1.事件の表示 平成 2年特許願第220571号 2、発明の名称 住所 東京都墨田区墨田五丁目17番4号4゜ 〒534  大阪市部島区友渕町1丁目5番90号鐘紡
株式会社 特許部 電話(06)921−1251 補正により増加する請求項の数  な し5、補正の対
象 明細書の「特許請求の範囲」の欄及び「発明の詳細な説
明」の欄 6、補正の内容 (1)明細書の「特許請求の範囲」の欄の記載を別紙の
通り補正します。
(2)明細書第4頁第9行に「ポリヘキサカーボネート
」とあるを、「ポリへキサメチレンカーボネート」と訂
正します。
(3)明細書第7頁第11行にr20〜40重量%」と
あるを、r15〜30重量%」と訂正します。
7、添付書類の目録 2゜ 〔別 紙〕 特許請求の範囲 (1)基体にポリウレタンエラストマーの水混和性有機
溶剤溶液を塗布し、水系凝固液で処理して基体上に多孔
質銀面層を形成せしめ、該銀面層表面を研削することか
らなるスェード様研磨布であって、前記ポリウレタンエ
ラストマーのポリオール成分としてポリへキサメチレン
カーボネートを30モル%以上含むことを特徴とするス
ェード様研磨布。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基体にポリウレタンエラストマーの水混和性有機
    溶剤溶液を塗布し、水系凝固液で処理して基体上に多孔
    質銀面層を形成せしめ、該銀面層表面を研削することか
    らなるスエード様研磨布であって、前記ポリウレタンエ
    ラストマーのポリオール成分としてポリヘキサカーボネ
    ートを30モル%以上含むことを特徴とするスエード様
    研磨布。
JP2220571A 1990-08-21 1990-08-21 スエード様研磨布 Expired - Fee Related JPH0661702B2 (ja)

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Cited By (3)

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US20080299350A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of Polishing Compound Semiconductor Substrate, Compound Semiconductor Substrate, Method of Manufacturing Compound Semiconductor Epitaxial Substrate, and Compound Semiconductor Epitaxial Substrate
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