JPH0399404A - 酸化亜鉛型バリスタの製造方法および製造装置 - Google Patents

酸化亜鉛型バリスタの製造方法および製造装置

Info

Publication number
JPH0399404A
JPH0399404A JP1236741A JP23674189A JPH0399404A JP H0399404 A JPH0399404 A JP H0399404A JP 1236741 A JP1236741 A JP 1236741A JP 23674189 A JP23674189 A JP 23674189A JP H0399404 A JPH0399404 A JP H0399404A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zinc oxide
oxide
base plate
bedding
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1236741A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Yuasa
貴之 湯浅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1236741A priority Critical patent/JPH0399404A/ja
Publication of JPH0399404A publication Critical patent/JPH0399404A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は酸化亜鉛型バリスタの製造方法および製造装置
に関する。
従来の技術 従来より、酸化亜鉛を主成分とし、これにビスマスマン
ガンなどの酸化物を添加物として加え、そして空気中、
で1100℃から1300℃程度の温度で焼成すること
により得られる電圧非直線性の高い抵抗体は、酸化亜鉛
型バリスタとして広く電子機器の保護のために使われて
いる。ところで、上記バリスタの焼成過程においては、
第3図に示すように、成形体21を、焼成容器22内に
敷板23を介して配置し、そして上から閉塞1124を
被せて焼成を行っていた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、このような方法により焼成した場合、焼
成温度が高温であるため、蒸発しやずい酸化ビスマスが
成形体21中から蒸発・飛散するとともに、空気より比
重の重い酸化ビスマス蒸気が焼成用容器22の下部に沈
降してしまい、したがって酸化ビスマス蒸気の分圧が焼
成用容器22の下部に向うほど高くなるという現象を起
こし、焼成後の焼結体すなわちバリスタの電圧特性の安
定性に問題が生じる場合があった。また、従来の方法に
よると、敷板23と、成形体21とが十分に接触して焼
成されるものもあり、焼成用容器22の下部に位置する
成形体21は、敷板fl!!123からの熱容量による
悪影響も受けやすく、上記同様にバリスタ電圧の安定性
に問題を与える要因となっていた。
ところで、近年、これらの改善策として、敷板に波状の
ものを使用する方法または凸状のものを使用する方法な
どが考えられているが、酸化ビスマスの分圧の問題と熱
容量の問題とを同時に改善できる方法ではなかった。
そこで、本発明は上記課題を解消し得る酸化亜鉛型バリ
スタの製造方法および製造装置を提供することを目的と
する。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するため、本発明の酸化亜鉛型バリスタ
の製造方法は、酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマスな
どの金属酸化物が混合された成形体を焼成用容器内で焼
成して酸化亜鉛型バ′リスタを得る際に、表面に沿って
複数の溝部が形成された第1敷板上に、多数の上下方向
の貫通穴が形成された第2敷板を載置し、この第2敷板
上に上記成形体を載置して焼成する方法である。
また、酸化亜鉛型バリスタの製造装置は、波形状の第1
敷板と、この第1敷板上に載置される多数の上下方向の
貫通穴が形成された第2敷板と、この第2敷板上に載置
される成形体の焼成容器とから構成したものである。
作用 上記の製造方法および製造装置によると、成形体を、溝
部が形成された波形状の第1敷板および貫通穴が形成さ
れた第2敷板上に載置して焼成を行うため、焼成用容器
内下部での酸化ビスマス蒸気の移動すなわち循環がスム
ースに行われて蒸気の均一化が図られ、また敷板側から
の熱容量による悪影響を軽減できる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第1図および第2図に基づき
説明する。
まず、酸化亜鉛粉末に酸化ビスマス、酸化コバルト、酸
化マンガン、酸化アンチモン、酸化クロムの金属酸化物
をそれぞれ0.5モル%〜1.0モル%添加し、十分混
合した後造粒し、焼成後の形状が直径10nm、厚さI
IW+の円板状になるように成形する。そして、第1図
に示すように、まず閉塞用としての平板1の上面に、所
定方向に多数の溝部2aを有する波形状の第1敷板2を
載置し、次にこの第1敷板2の上に多数の上下方向の貫
通穴3aを有する網目状の第2敷板3を載置する。そし
て、さらにこの第2敷板3の中央部上面に、上記成形体
4を30枚積み重ねて置いた後、上方から焼成用容器5
を被せ、1200℃の空気中で3時間焼成した。このよ
うにして得られた焼結体の両平面に、銀を主成分とする
ペースト状電極を塗布し、規定の温度で焼付けをほどこ
して酸化亜鉛型バリスタを得た。
ここで、上記の製造方法で得られた酸化亜鉛型バリスタ
と従来法で得られたものとの電圧特性(111位厚み当
りのバリスタ電圧V1mA/□)を比歓したグラフを第
2図に示す、第2図から、本実施例のもの(Aで示す)
の方が従来法によるもの(Bで示す)よりもバリスタ電
圧特性が安定しているのがよく判る。
このよう番ご安定した電圧特性が得られるのは、ビスマ
ス蒸気が貫通穴3aおよび溝部2aを介して焼成用容器
5内をスムースに循環してビスマス蒸気の分圧が高くな
るのが防止されることと、成形体4と第2敷板3との接
触面積が少なく、第2敷板3からの熱容量による悪影響
を受けにくいことによる。
発明の効呆 以上のように本発明の製造方法および製造装置によれば
、成形体を、溝部が形成された波形状の第1敷板および
貫通穴が形成された第2敷板上に載置して焼成を行うた
め、焼成用容器内下部での酸化ビスマス蒸気の移動すな
わち循環がスムースに行われて蒸気の均一化が図られ、
また敷板側からの熱容量による悪影響を軽減でき、した
がって電圧特性が安定したバリスタを得ることができる
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例を示すもので、
第1図は成形体の焼成状態を示す断面図、第2図は本実
施例に係るバリスタおよび従来法によるバリスタの電圧
特性図、第3図は従来法における焼成状態を示す断面図
である。 1・・・平板、2・・・第1敷板、2a・・・清部、3
・・・第2敷板、3a・・・貫通穴、4・・・成形体、
5・・・焼成用容器。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマスなどの金属酸
    化物が混合された成形体を焼成用容器内で焼成して酸化
    亜鉛型バリスタを得る際に、表面に沿って複数の溝部が
    形成された第1敷板上に、多数の上下方向の貫通穴が形
    成された第2敷板を載置し、この第2敷板上に上記成形
    体を載置して焼成する酸化亜鉛型バリスタの製造方法。
  2. 2.波形状の第1敷板と、この第1敷板上に載置される
    多数の上下方向の貫通穴が形成された第2敷板と、この
    第2敷板上に載置される成形体の焼成容器とから構成し
    た酸化亜鉛型バリスタの製造装置。
JP1236741A 1989-09-12 1989-09-12 酸化亜鉛型バリスタの製造方法および製造装置 Pending JPH0399404A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1236741A JPH0399404A (ja) 1989-09-12 1989-09-12 酸化亜鉛型バリスタの製造方法および製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1236741A JPH0399404A (ja) 1989-09-12 1989-09-12 酸化亜鉛型バリスタの製造方法および製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0399404A true JPH0399404A (ja) 1991-04-24

Family

ID=17005101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1236741A Pending JPH0399404A (ja) 1989-09-12 1989-09-12 酸化亜鉛型バリスタの製造方法および製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0399404A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005321161A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 焼成用窯道具
WO2014006649A1 (ja) 2012-07-03 2014-01-09 三菱電機株式会社 空気調和機の室内機、及びこの室内機を備えた空気調和機

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005321161A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 焼成用窯道具
WO2014006649A1 (ja) 2012-07-03 2014-01-09 三菱電機株式会社 空気調和機の室内機、及びこの室内機を備えた空気調和機

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0399404A (ja) 酸化亜鉛型バリスタの製造方法および製造装置
JPS58217471A (ja) セラミツク電子部品の焼結方法
JP3396973B2 (ja) 積層型バリスタの製造方法
JPS6045149B2 (ja) チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法
JP3000781B2 (ja) 高蒸気圧酸化物を含むセラミック成形体の焼成方法
JPS59103302A (ja) 非直線抵抗体の製造方法
JP3377372B2 (ja) 積層形電圧非直線抵抗器
JPH09129412A (ja) 電圧非直線抵抗体の製造方法
JPH029760A (ja) 高誘電率セラミックス組成物
JP2005097070A (ja) 酸化亜鉛系焼結体と酸化亜鉛バリスタ
JPH04154672A (ja) 電子部品用セラミック焼結体の製造方法
JPS63285908A (ja) 電圧非直線抵抗体の製造方法
JPH05152103A (ja) サーミスタ素子の製造方法
JPS58123714A (ja) 粒界層型磁器誘電体及びその製造方法
JPS6161245B2 (ja)
JPS6031097B2 (ja) コンデンサ用半導体磁器の焼成方法
JPH11292619A (ja) 非直線抵抗体の製造方法
JPH1116706A (ja) Ptcサーミスタ素子及びその製造方法
JPS6045150B2 (ja) チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法
JPH01186601A (ja) V↓2o↓3系セラミクス抵抗体素子
JP2984115B2 (ja) 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法
JPH09320813A (ja) 非直線抵抗体の製造方法
JPH0340921B2 (ja)
JPS60193302A (ja) 非直線抵抗体の製造方法
JPH0669067A (ja) セラミックコンデンサの製造方法