JPH0397850A - レーザーpvd装置用ターゲット - Google Patents
レーザーpvd装置用ターゲットInfo
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- JPH0397850A JPH0397850A JP23309989A JP23309989A JPH0397850A JP H0397850 A JPH0397850 A JP H0397850A JP 23309989 A JP23309989 A JP 23309989A JP 23309989 A JP23309989 A JP 23309989A JP H0397850 A JPH0397850 A JP H0397850A
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- laser beam
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野ゴ
この発明は、レーザーPVD装置用ターゲ,,ト、特に
、長時間の使用に耐えられるレーザーPV?装置用ター
ゲットに関するものである。
、長時間の使用に耐えられるレーザーPV?装置用ター
ゲットに関するものである。
例えば、S1の基板の表面に、AI2ozの薄膜を形戒
するための装置として、レーザーを利用した物理的蒸着
法(physical vapour deposit
ion)による装置、即ち、PVD装置がある。
するための装置として、レーザーを利用した物理的蒸着
法(physical vapour deposit
ion)による装置、即ち、PVD装置がある。
従来の、レーザーを利用したPVD装置(以下レーザー
PVD装置という)は、第1図に示すように、レーザー
ビーム用透過窓2を有する真空容器lと、真空容器1の
外部に設けられたレーザー光源3とからなっている。真
空容器1内は、10−’ T Orr程度の真空度に維
持され、真空容器lの内部には、A1■O,等のターゲ
ット4およびS+等の基板5が設けられている。基板5
は、ヒーター7が内蔵された基台6に取り付けられてい
る。
PVD装置という)は、第1図に示すように、レーザー
ビーム用透過窓2を有する真空容器lと、真空容器1の
外部に設けられたレーザー光源3とからなっている。真
空容器1内は、10−’ T Orr程度の真空度に維
持され、真空容器lの内部には、A1■O,等のターゲ
ット4およびS+等の基板5が設けられている。基板5
は、ヒーター7が内蔵された基台6に取り付けられてい
る。
レーザー光源3からのレーザービーム3Aは、透過窓2
を通ってターゲット4に当たる。これによって、ターゲ
ット4が蒸発し、この蒸発物4Aは、基板5の表面に付
着する。このようにして、基板5の表面にA +10
,等の薄膜が形成される。
を通ってターゲット4に当たる。これによって、ターゲ
ット4が蒸発し、この蒸発物4Aは、基板5の表面に付
着する。このようにして、基板5の表面にA +10
,等の薄膜が形成される。
しか1,なから、上述したレーザーPVD装蓋によー)
で、基板5に薄膜を形成する場合、問題になるのは、タ
ーゲット4の使用寿命である。
で、基板5に薄膜を形成する場合、問題になるのは、タ
ーゲット4の使用寿命である。
夕−ゲソト4の気孔率が小さいと、即ち、緻密であると
レーザービーム3^による熱衝撃によって、ターゲント
4が瞬時に割れ、一方、ターゲソト4の気孔率が大きい
と、即ち、ボーラスであると17ーザービーム3AJ{
短時間でターゲント4を貫通して、所望の厚みの薄膜を
形成することができない。
レーザービーム3^による熱衝撃によって、ターゲント
4が瞬時に割れ、一方、ターゲソト4の気孔率が大きい
と、即ち、ボーラスであると17ーザービーム3AJ{
短時間でターゲント4を貫通して、所望の厚みの薄膜を
形成することができない。
従って、長時間の使用に耐えられるターゲットの開発が
望まれているが、かかるターゲットはまだ開発されてい
ない。
望まれているが、かかるターゲットはまだ開発されてい
ない。
そこで、本発明者等は、長時間の使用に耐えられるター
ゲノトを得べく、鋭意研究を重ねた結果、ターゲットの
気孔率を特定の範囲内に限定すれば、長時間の使用に耐
えられるターゲットを得ることできるといった知見を得
た。
ゲノトを得べく、鋭意研究を重ねた結果、ターゲットの
気孔率を特定の範囲内に限定すれば、長時間の使用に耐
えられるターゲットを得ることできるといった知見を得
た。
この発明は、上述した知見に基づいてなされたものであ
る。
る。
「課題を解決するための手段〕
この発明は、レーザー光源から真空客2g内のターゲッ
トにレーザービームを当てて、前記ターゲットを蒸発さ
せ、これによって、前記真空容器内に設けられた基板の
表面に、前記ターゲットの蒸発物からなる薄膜を形或す
るレーザーPVD装IWの前記ターゲットであって、前
記ターゲットは、その気孔率が10から50%の範囲内
であることに特徴を有するものである。
トにレーザービームを当てて、前記ターゲットを蒸発さ
せ、これによって、前記真空容器内に設けられた基板の
表面に、前記ターゲットの蒸発物からなる薄膜を形或す
るレーザーPVD装IWの前記ターゲットであって、前
記ターゲットは、その気孔率が10から50%の範囲内
であることに特徴を有するものである。
この発明において、ターゲットの気孔率を10から50
%の範囲内に限定[7た理由について、以下に説明する
。
%の範囲内に限定[7た理由について、以下に説明する
。
ターゲットの気孔率が109イ未満では、レーザービー
ムによる熱衝撃によって、ターゲットが瞬時に割れ、一
方、ターゲットの気孔率が50%を超えると、レーザー
ビームが短時間でターゲットを貫通して、所望の厚みの
薄膜を形成することができない。
ムによる熱衝撃によって、ターゲットが瞬時に割れ、一
方、ターゲットの気孔率が50%を超えると、レーザー
ビームが短時間でターゲットを貫通して、所望の厚みの
薄膜を形成することができない。
従って、この発明においては、ターゲットの気孔率を1
0から50%の範囲内に限定した。
0から50%の範囲内に限定した。
このような気孔率を有するターゲットを製造するには、
石n型にA I t O z等のターゲント材料をキャ
スティングし、このときのターゲット材料の冷却速度を
調整することによって行入る。
石n型にA I t O z等のターゲント材料をキャ
スティングし、このときのターゲット材料の冷却速度を
調整することによって行入る。
次に、この発明の実施例について説明する。
第3図に示ずPVD装置によって、Stの基板に、厚さ
10μ唯のA ho ,の薄膜を、異なる気孔率のター
ゲントを使用して形成した。そして、成膜時間と、ター
ゲットの気孔率との関係について調べた。このときのM
t1条件は、次の通りである。
10μ唯のA ho ,の薄膜を、異なる気孔率のター
ゲントを使用して形成した。そして、成膜時間と、ター
ゲットの気孔率との関係について調べた。このときのM
t1条件は、次の通りである。
夕−ゲット材料+AI,O,、
レー・ザー出力 :1.5Kw、
真空度 : 10″′Torr ,この結果を第
2図に示す。第2図から明らかなように、ターゲソトの
気孔率が10から50%の範囲内であると、成膜時間が
大幅に延びることが分かる。
2図に示す。第2図から明らかなように、ターゲソトの
気孔率が10から50%の範囲内であると、成膜時間が
大幅に延びることが分かる。
次に、ターゲットの材質を3iLに変えた以外?、上記
第2図の場合と同一条件にしたがって、S1の基板に、
厚さ10μmのSiO■の薄膜を、異なる気孔率のター
ゲットを使用して形成した.,この結果を第3図に示す
。第3図から明らかi:ように、ターゲットの気孔率が
10から5 0 riの範囲内であると、成膜時間が大
幅に延びることが分かる。
第2図の場合と同一条件にしたがって、S1の基板に、
厚さ10μmのSiO■の薄膜を、異なる気孔率のター
ゲットを使用して形成した.,この結果を第3図に示す
。第3図から明らかi:ように、ターゲットの気孔率が
10から5 0 riの範囲内であると、成膜時間が大
幅に延びることが分かる。
以上説明したように、この発明によれば、夕一ゲソトの
気孔率を10から50%の範囲内に限定することによっ
て、ターゲットの使用寿命が大幅Iこ延びるといった有
用な効果がもたらされる。
気孔率を10から50%の範囲内に限定することによっ
て、ターゲットの使用寿命が大幅Iこ延びるといった有
用な効果がもたらされる。
第1図は、PVD装置の概略断面図、第2図および第3
図は、或膜時間とターゲットの気孔率との関係を示すグ
ラフである。図面において、l 真空容器、 2
透過窓、 3−レーザー光源、4−ターゲット、 5 基板、 6 基台、 7 ヒーター
図は、或膜時間とターゲットの気孔率との関係を示すグ
ラフである。図面において、l 真空容器、 2
透過窓、 3−レーザー光源、4−ターゲット、 5 基板、 6 基台、 7 ヒーター
Claims (1)
- 1 レーザー光源から真空容器内のターゲットにレーザ
ービームを当てて、前記ターゲットを蒸発させ、これに
よって、前記真空容器内に設けられた基板の表面に、前
記ターゲットの蒸発物からなる薄膜を形成するレーザー
PVD装置の前記ターゲットであって、前記ターゲット
は、その気孔率が10から50%の範囲内であることを
特徴とするレーザーPVD装置用ターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23309989A JPH0397850A (ja) | 1989-09-09 | 1989-09-09 | レーザーpvd装置用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23309989A JPH0397850A (ja) | 1989-09-09 | 1989-09-09 | レーザーpvd装置用ターゲット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0397850A true JPH0397850A (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=16949766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23309989A Pending JPH0397850A (ja) | 1989-09-09 | 1989-09-09 | レーザーpvd装置用ターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0397850A (ja) |
-
1989
- 1989-09-09 JP JP23309989A patent/JPH0397850A/ja active Pending
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