JPH038871B2 - - Google Patents
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- JPH038871B2 JPH038871B2 JP56129774A JP12977481A JPH038871B2 JP H038871 B2 JPH038871 B2 JP H038871B2 JP 56129774 A JP56129774 A JP 56129774A JP 12977481 A JP12977481 A JP 12977481A JP H038871 B2 JPH038871 B2 JP H038871B2
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- shielding gas
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 56
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/20—Stud welding
- B23K9/201—Stud welding of the extremity of a small piece on a great or large basis
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Arc Welding In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スタツド溶接機、とくに不活性ガス
等のシールドガスで被溶接部材であるスタツドを
覆つて溶接を行う、シールドガスを用いるスタツ
ド溶接機に関する。
等のシールドガスで被溶接部材であるスタツドを
覆つて溶接を行う、シールドガスを用いるスタツ
ド溶接機に関する。
スタツド等の被溶接部材を母材に溶接する場
合、その溶接部をアルゴンガス等の不活性ガスで
覆つて作業を行なうことは、特開昭54−150343号
公報等により知られている。このようにシールド
ガス雰囲気中で溶接を行なうと、溶接スパツタが
減少し、溶接フイレツト部が均一化するので好ま
しいものである。
合、その溶接部をアルゴンガス等の不活性ガスで
覆つて作業を行なうことは、特開昭54−150343号
公報等により知られている。このようにシールド
ガス雰囲気中で溶接を行なうと、溶接スパツタが
減少し、溶接フイレツト部が均一化するので好ま
しいものである。
しかしながら、この従来の方法では、ガスを封
じ込めるフラツシユシールドと母材との接触面に
おいて、ここからのシールドガスの漏れが大きく
このため該部分での母材への溶接スパツタの付着
を避けることができなかつた。そこでシールドガ
スを多くして接触面にも十分なシールドガス雰囲
気を作ることが行なわれたが、ガス流が強く溶接
時のアーク炎が乱れて溶接が不安定になつたり、
更に溶接ができない場合もあつた。
じ込めるフラツシユシールドと母材との接触面に
おいて、ここからのシールドガスの漏れが大きく
このため該部分での母材への溶接スパツタの付着
を避けることができなかつた。そこでシールドガ
スを多くして接触面にも十分なシールドガス雰囲
気を作ることが行なわれたが、ガス流が強く溶接
時のアーク炎が乱れて溶接が不安定になつたり、
更に溶接ができない場合もあつた。
従つて、本発明の目的は、フラツシユシールド
と母材との接触面における溶接スパツタの付着の
ないしかも安定した良好な溶接を得る、シールド
ガスを用いるスタツド溶接機を得ることにある。
と母材との接触面における溶接スパツタの付着の
ないしかも安定した良好な溶接を得る、シールド
ガスを用いるスタツド溶接機を得ることにある。
かかる目的を達成するため、本発明は、溶接部
を囲むフラツシユシールドを内側と外側の二重構
造として第１空間と第２空間を形成するとともに
それぞれ各別のシールドガス供給通路を設け、第
１空間にシールドガスを充満させた後、第２空間
にシールドガスを供給し、この間に溶接を行なう
制御手段を備えた構成する。すなわち、本発明に
よるシールドガスを用いるスタツド溶接機は、被
溶接部材であるスタツドを保持するスタツド保持
手段と、該スタツド保持手段を囲みスタツド保持
手段のまわりに第１空間を形成する内側フラツシ
ユシールドと、この内側フラツシユシールドの全
周を囲み該内側フラツシユシールドのまわりに第
２空間を形成する外側フラツシユシールドと、第
１空間にシールドガスを供給するための第１シー
ルドガス供給手段と、第２空間にシールドガスを
供給するための第２シールドガス供給手段とから
なる。さらに、溶接機には制御手段が設けられ、
この制御手段は、第１シールドガス供給手段を作
動させて第１空間にシールドガスを供給し、第１
シールドガス供給手段の作動を停止した状態で第
２シールドガス供給手段を作動させて第２空間に
シールドガスを供給しながら溶接電流の供給を行
うように作用する。本発明の溶接機のこの構成に
より、外側の第２空間に供給されたシールドガス
が、内側の第１空間におけるシールドガスの漏れ
を減少させ、内側のフラツシユシールドと母材と
の接触面もシールドガス雰囲気中にあるのでこの
部分でのスパツタの付着がなくなり、金属スパツ
タの酸化もないので良好で確実な溶接が行なわれ
る。勿論溶接時におけるシールドガスの漏れが少
ないことからガス流によるアーク炎の乱れも少な
いので溶接不良が減少する。また、本発明によれ
ば、少ないシールドガスで確実に酸化を防止で
き、安定した良好な溶接を得ることができる。
を囲むフラツシユシールドを内側と外側の二重構
造として第１空間と第２空間を形成するとともに
それぞれ各別のシールドガス供給通路を設け、第
１空間にシールドガスを充満させた後、第２空間
にシールドガスを供給し、この間に溶接を行なう
制御手段を備えた構成する。すなわち、本発明に
よるシールドガスを用いるスタツド溶接機は、被
溶接部材であるスタツドを保持するスタツド保持
手段と、該スタツド保持手段を囲みスタツド保持
手段のまわりに第１空間を形成する内側フラツシ
ユシールドと、この内側フラツシユシールドの全
周を囲み該内側フラツシユシールドのまわりに第
２空間を形成する外側フラツシユシールドと、第
１空間にシールドガスを供給するための第１シー
ルドガス供給手段と、第２空間にシールドガスを
供給するための第２シールドガス供給手段とから
なる。さらに、溶接機には制御手段が設けられ、
この制御手段は、第１シールドガス供給手段を作
動させて第１空間にシールドガスを供給し、第１
シールドガス供給手段の作動を停止した状態で第
２シールドガス供給手段を作動させて第２空間に
シールドガスを供給しながら溶接電流の供給を行
うように作用する。本発明の溶接機のこの構成に
より、外側の第２空間に供給されたシールドガス
が、内側の第１空間におけるシールドガスの漏れ
を減少させ、内側のフラツシユシールドと母材と
の接触面もシールドガス雰囲気中にあるのでこの
部分でのスパツタの付着がなくなり、金属スパツ
タの酸化もないので良好で確実な溶接が行なわれ
る。勿論溶接時におけるシールドガスの漏れが少
ないことからガス流によるアーク炎の乱れも少な
いので溶接不良が減少する。また、本発明によれ
ば、少ないシールドガスで確実に酸化を防止で
き、安定した良好な溶接を得ることができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。溶接機のコレツト１にはその先端
に被溶接部材となるＴ形スタツド２が保持され、
スタツド２の先端がストツプピン３の助力の下で
母材４に押しつけられている。コレツト１の先端
の周囲には、フラツシユシールド５がコレツト１
を囲むように設けられている。
がら説明する。溶接機のコレツト１にはその先端
に被溶接部材となるＴ形スタツド２が保持され、
スタツド２の先端がストツプピン３の助力の下で
母材４に押しつけられている。コレツト１の先端
の周囲には、フラツシユシールド５がコレツト１
を囲むように設けられている。
このフラツシユシールド５は内側と外側の二重
構造にされている。内側フラツシユシールド６
は、コレツト１の先端部分にスタツド２を囲み母
材４の溶接部を囲んでその先端が母材４に接触し
ており、その内側に第１空間７を形成している。
この内側フラツシユシールド６の上方にはシール
ドガス供給通路としてのニツプル８が設けられて
いる。このニツプル８は制御手段２０に接続され
ており、制御弁V1を介して高圧ガス源GS1に接続
されて第１空間７内にシールドガスが供給され
る。このシールドガスはアルゴンガスが代表的な
ものであるが、炭酸ガス（CO2）であつてもよ
く、またアルゴンガスと炭酸ガスの混合体であつ
てもよい。内側フラツシユシールド６の上部とコ
レツト１との間にはシール９が設けられており、
シールドガスの上方への漏れを防いでいる。また
フラツシユシールド６の母材４と接する先端には
切込み１０が数個（図では４個）設けられ、過剰
のシールドガスを放出するようになつている。
構造にされている。内側フラツシユシールド６
は、コレツト１の先端部分にスタツド２を囲み母
材４の溶接部を囲んでその先端が母材４に接触し
ており、その内側に第１空間７を形成している。
この内側フラツシユシールド６の上方にはシール
ドガス供給通路としてのニツプル８が設けられて
いる。このニツプル８は制御手段２０に接続され
ており、制御弁V1を介して高圧ガス源GS1に接続
されて第１空間７内にシールドガスが供給され
る。このシールドガスはアルゴンガスが代表的な
ものであるが、炭酸ガス（CO2）であつてもよ
く、またアルゴンガスと炭酸ガスの混合体であつ
てもよい。内側フラツシユシールド６の上部とコ
レツト１との間にはシール９が設けられており、
シールドガスの上方への漏れを防いでいる。また
フラツシユシールド６の母材４と接する先端には
切込み１０が数個（図では４個）設けられ、過剰
のシールドガスを放出するようになつている。
内側フラツシユシールド６の周囲には別の外側
フラツシユシールド１２が、内側フラツシユシー
ルド６の先端部を囲むように設けられており、内
側フラツシユシールド６との間に第２空間１３を
形成している。この外側フラツシユシールド１２
にはその上方にシールドガス供給通路としてのニ
ツプル１４が設けられている。このニツプル１４
は制御手段２０に接続されており、制御弁V2を
介して高圧ガス源GS2が接続され、第２空間１３
には通路１５を介してニツプル１４からのシール
ドガスが導入される。このシールドガスは第１空
間７に供給された不活性ガスと同じでよく、従つ
てニツプル８へ接続されるガス源GS1とニツプル
１４へ接続されるガス源GS2とを共通にしてもよ
い。しかし、制御弁V1とV2とはそれぞれ独立に
制御される。外側フラツシユシールド１２の下端
には、シールドガスの流出のための間隙１６が形
成されている。
フラツシユシールド１２が、内側フラツシユシー
ルド６の先端部を囲むように設けられており、内
側フラツシユシールド６との間に第２空間１３を
形成している。この外側フラツシユシールド１２
にはその上方にシールドガス供給通路としてのニ
ツプル１４が設けられている。このニツプル１４
は制御手段２０に接続されており、制御弁V2を
介して高圧ガス源GS2が接続され、第２空間１３
には通路１５を介してニツプル１４からのシール
ドガスが導入される。このシールドガスは第１空
間７に供給された不活性ガスと同じでよく、従つ
てニツプル８へ接続されるガス源GS1とニツプル
１４へ接続されるガス源GS2とを共通にしてもよ
い。しかし、制御弁V1とV2とはそれぞれ独立に
制御される。外側フラツシユシールド１２の下端
には、シールドガスの流出のための間隙１６が形
成されている。
本発明においては、第１空間７へのシールドガ
スの導入と外側の第２空間１３へのシールドガス
への導入とを制御する手段２０が設けられてい
る。この手段は、制御弁V1及びV2を制御する回
路として実現され得る。この制御回路の動作につ
いて、第３図を参照しながら説明する。コレツト
１の先端にＴ形スタツド２を保持してこれを母材
４に押し付けた後、先ず制御弁V1を開いて第１
空間７へシールドガスが供給される。この供給は
0.2〜0.3秒間続けられ、その供給の遮断直後、制
御弁V2を開放して外側の第２空間１３へシール
ドガスが供給される。この供給は0.1〜0.2秒間維
持し、その間に溶接電流が流れ、溶接が行なわれ
る。第４図に、上記した制御回路の１例を示す。
スの導入と外側の第２空間１３へのシールドガス
への導入とを制御する手段２０が設けられてい
る。この手段は、制御弁V1及びV2を制御する回
路として実現され得る。この制御回路の動作につ
いて、第３図を参照しながら説明する。コレツト
１の先端にＴ形スタツド２を保持してこれを母材
４に押し付けた後、先ず制御弁V1を開いて第１
空間７へシールドガスが供給される。この供給は
0.2〜0.3秒間続けられ、その供給の遮断直後、制
御弁V2を開放して外側の第２空間１３へシール
ドガスが供給される。この供給は0.1〜0.2秒間維
持し、その間に溶接電流が流れ、溶接が行なわれ
る。第４図に、上記した制御回路の１例を示す。
溶接信号を受けたタイミング制御器TCは、モ
ノマルチMM1にパルスを送り、所定時間幅（0.2
〜0.3秒）を有するパルスを作りドライバD1を介
して電磁制御弁V1を所定時間だけ開放する。そ
のパルスの後縁をタイミング制御器TCが検知し
てモノマルチMM2にパルスを送り、0.1〜0.2秒間
程度の幅を有するパルスを作つてドライバD1を
介して電磁制御弁V2を所定時間開放する。これ
と同時にタイミング制御器TCはモノマルチMM3
へパルスを送り、所定時間幅のパルスを作り、こ
のパルス溶接電流供給回路を作動させ、溶接を行
なう。
ノマルチMM1にパルスを送り、所定時間幅（0.2
〜0.3秒）を有するパルスを作りドライバD1を介
して電磁制御弁V1を所定時間だけ開放する。そ
のパルスの後縁をタイミング制御器TCが検知し
てモノマルチMM2にパルスを送り、0.1〜0.2秒間
程度の幅を有するパルスを作つてドライバD1を
介して電磁制御弁V2を所定時間開放する。これ
と同時にタイミング制御器TCはモノマルチMM3
へパルスを送り、所定時間幅のパルスを作り、こ
のパルス溶接電流供給回路を作動させ、溶接を行
なう。
本実施例では、被溶接部材としてＴ形スタツド
が用いられたが、他のスタツドでもよい。
が用いられたが、他のスタツドでもよい。
本発明によれば、被溶接部材周囲の第１空間の
外周に第２空間が設けられ、各空間にはそれぞれ
独立にシールドガスが導入されることから、外側
の第２シールドガスが内側の溶接空間のシールド
ガスの多量の漏れを防止しており、このためフラ
ツシユシールドと母材との接触面におけるスパツ
タの付着がなくなり、またこのスパツタ金属の酸
化が防止される。また溶接中において、第１空間
へのシールドガスの導入を停止することができ、
これによればアーク炎の乱れがなく、このため確
実で良好な溶接が得られる。
外周に第２空間が設けられ、各空間にはそれぞれ
独立にシールドガスが導入されることから、外側
の第２シールドガスが内側の溶接空間のシールド
ガスの多量の漏れを防止しており、このためフラ
ツシユシールドと母材との接触面におけるスパツ
タの付着がなくなり、またこのスパツタ金属の酸
化が防止される。また溶接中において、第１空間
へのシールドガスの導入を停止することができ、
これによればアーク炎の乱れがなく、このため確
実で良好な溶接が得られる。
第１図は本発明による溶接機の先端部を示す側
断面図、第２図は第１図の溶接機の先端の正面
図、第３図は制御回路のタイミングチヤート、第
４図は制御手段となる制御回路の１例を示す回路
図である。 １……コレツト、２……スタツド、４……母
材、５……フラツシユシールド、６……内側フラ
ツシユシールド、７……第１空間、８，１４……
シールドガス供給通路（ニツプル）、９……シー
ル、１２……外側フラツシユシールド、１３……
外側の第２空間、２０……制御手段、V1，V2…
…制御弁、GS1，GS2……ガス源、TC……タイ
ミング制御器、MM1，MM2，MM3……モノマ
ルチ、D1，D2……ドライバ。
断面図、第２図は第１図の溶接機の先端の正面
図、第３図は制御回路のタイミングチヤート、第
４図は制御手段となる制御回路の１例を示す回路
図である。 １……コレツト、２……スタツド、４……母
材、５……フラツシユシールド、６……内側フラ
ツシユシールド、７……第１空間、８，１４……
シールドガス供給通路（ニツプル）、９……シー
ル、１２……外側フラツシユシールド、１３……
外側の第２空間、２０……制御手段、V1，V2…
…制御弁、GS1，GS2……ガス源、TC……タイ
ミング制御器、MM1，MM2，MM3……モノマ
ルチ、D1，D2……ドライバ。
Claims (1)
- １ 被溶接部材であるスタツドを保持するスタツ
ド保持手段と、前記スタツド保持手段を囲み前記
スタツド保持手段のまわりに第１空間を形成する
内側フラツシユシールドと、前記内側フラツシユ
シールドの全周を囲み前記内側フラツシユシール
ドのまわりに第２空間を形成する外側フラツシユ
シールドと、前記第１空間にシールドガスを供給
するための第１シールドガス供給手段と、前記第
２空間にシールドガスを供給するための第２シー
ルドガス供給手段と、前記第１シールドガス供給
手段を作動させて前記第１空間にシールドガスを
供給し、前記第１シールドガス供給手段の作動を
停止した状態で前記第２シールドガス供給手段を
作動させて前記第２空間にシールドガスを供給し
ながら溶接電流の供給を行う制御手段とからな
る、シールドガスを用いるスタツド溶接機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12977481A JPS5832581A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | シ−ルドガスを用いる溶接機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12977481A JPS5832581A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | シ−ルドガスを用いる溶接機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832581A JPS5832581A (ja) | 1983-02-25 |
| JPH038871B2 true JPH038871B2 (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=15017872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12977481A Granted JPS5832581A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | シ−ルドガスを用いる溶接機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832581A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60174279A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-07 | Nippon Doraibuitsuto Kk | ア−クスタツド溶接用不活性ガスシ−ルド装置 |
| JPS60174280A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-07 | Nippon Doraibuitsuto Kk | ア−クスタツド溶接用不活性ガスシ−ルド装置 |
| JPS60174281A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-07 | Nippon Doraibuitsuto Kk | ア−クスタツド溶接用不活性ガス供給制御装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5150838A (ja) * | 1974-10-31 | 1976-05-04 | Kobe Steel Ltd | Gasushiirudoyosetsuhoho oyobi sonosochi |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP12977481A patent/JPS5832581A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5150838A (ja) * | 1974-10-31 | 1976-05-04 | Kobe Steel Ltd | Gasushiirudoyosetsuhoho oyobi sonosochi |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5832581A (ja) | 1983-02-25 |
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