JPS5832581A - シ−ルドガスを用いる溶接機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ス雰囲気で覆って被溶接部材を母材に溶接する、シール
ドガスを用いる溶接機に関する。

スタツド等の被溶接部材を母材に溶接する場合、その溶
接部をフルがンガス等の不活性ガスて覆って作業を行な
う一とは、巷開昭ｓｌＩ−ｉｓθ３Ｉ１．１号公報等に
よ）知られている，このようにシールドガス雰囲気中で
溶接を行なうと、溶接スノ臂ツタが減少し、溶接フイレ
ツシ部が均一化するので好ましいものである。

しかしながら、この従来の方法では、ガスを封じ込める
７ラツシユシールドと母材との接触面において、ζζか
らのシールドガスの漏れが大きくこのため該部分での母
材への溶接スノ脅ツタの付着を避けることができなかつ
え．そζでシールドガスを多くして接触面にも十分なシ
ールドガス雰囲気を作ることが行なわれ九が、ガス流が
強く溶接時のアーク炎が乱れて溶接が不安定になったシ
、更に溶ｍができない場合もあった。

従って、本発明の目的は、フラッシュシールドと母材と
の接触面における溶接スパッタの付着のないしかも安定
した良好な溶接を得る、シールドガスを用いる溶接機を
得ることＫある。

かかる目的を達成するため、本発明は、溶接部を囲むフ
ラッシュシールドを内側と外側の二重構造として第１空
間と第コ空間を形成するとともＫそれぞれ各別のシール
ドガス供給通路を設け、第１空間にシールドガスを充満
させた後、第コ空間にシールドガスを供給し、この間に
溶接を行なう制御手段を備えた構成とすることにょ）、
外側の第２空間に供給されたシールドガスが、内側の第
１空間におけるシールドガスの漏れを減少させ、内側の
７ラツシユシールドと母材との接触面もシールドガス雰
囲気中にあるのでこの部分でのスパッタの付着がなくな
シ、金属ス／皆ツタの酸化もないので良好で確実な溶！
！が行なわれる。勿論溶接時におけるシールドガスの漏
れ一少ない仁とからガス流によるアーク炎の乱れも少な
いので溶接不良が減少する。

以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。溶接機のコレット１にはその先端に被溶接部材と
なるＴ形スタッド２が保持され、スタッド２の先端がス
トップピン３の助力の下テ母材４に押しつけられている
。フレット１の先端の周囲には、フラッシュシールド５
がコレラ）１を囲むように設けられている。

この７テツシユシールド５は内側と外側の二重構造にさ
れている。内側フラッシュシールド６＃′ｉ、コレラ）
１の先端部分にスタッド２を囲み母材４の溶接部を囲ん
でその先端が母材４に接触しており、その内側に第１空
間７を形成している。この内側フラッシュシールド６の
上方にはシールドガス供給通路としてのニップル８が設
けられている。

このニラグル８＃ｉ制御手段２０に接続されておシ、制
御弁■１　を介して高圧ガス源ＧＳ１に接続されて第１
空間７内にシールドガスが供給される。このッーヤ）、
、１アルレ、□、□い。７あるが、炭酸ガス（ＣＯ２）
であってもよく、またアルがンガスと炭酸ガスの混合体
であってもよい、内側フラッシュシールド６の上部とコ
レットｌとの間にはシール９が設けられており１シール
ドｆスの上方への漏れを防いで％ＡＩｓ　＠’　ｔ　ｆ
ｃフラッシュシールド６の母材４と接する先端には切込
＋１０が数４１（図ではダ個）□設けられ、゛過−のシ
ールドガスを放出するようになっている。

内側フラッシュシールド６の周囲には別め外側フラッシ
ュシールド１２が、丙（ＩＩフラッシュシールド６の先
端部を囲むように設けられそおシ、内部フラッシュシー
ルドロとの間に第２空間１３を形成している。この外側
フラッシュシールド１２にｉその上方にシールドース供
給通路としてのニラプール１４が設ｉられている。この
ニップルｉ４は制−手投！ＯＫ接続されておｈ１制御弁
ｖ２　を介して高圧ガス源Ｑ３２が接続され、第２′ｇ
！間１３には通路１５を介してニップル１４−１）＝ら
のシールドガスが一人される。このシールドガスは第１
空間７に供給された不活性ガスと同じでよく、岸ってニ
ップル８へ接続されるガス源Ｇ８１　ト二ｙｆｙｖ１４
へ接続されるガス源Ｇｓ２′とを共通にしてもよい、し
かし、制御弁ｖ１とｖ２とはそれぞれ独立に制御さ−れ
る門外側フラッシュシールド１２のＴ［には、シールド
ガスの流出のためめ間１１１１６が形成されている。′
一 本発明においては、第１空間７へのシールドガスの導入
と外側の第コ空間１３べのシールドガスへの導入とを制
御する手段２０が・設け□られている。

この手段は、制御弁■１及びｖ２ヲ制御する回路として
実現さ゛れ得る。この制ｍ回路の動作について、第３図
を参照しながら説明する。コレット１の先端にＴ形スタ
ッド２を保持してこれを母材４に押し付けた後、先ず制
御弁ｖ１　　を開いて第１空間７ヘシールドガスが供給
される。この供給は０２〜０３秒間続けられ、その供給
の遮断直後、制御弁ｖ２　を開放して外側の第コ空間１
３ヘシールドがスが供給される。この供給は０７〜０２
秒間維持し、その間に溶接電流が流れ、溶接が行なわれ
る。

第ダ図に、上記した１ｇ御回路の１例を示す。

溶接信号を受けたタイミング制御器ＴＣは、モノマルチ
ＭＭＩ　Ｋパルスを送シ、所定時間幅（θコ〜ａ３秒）
を有するパルスを作シドライバＤ１　　を介して電磁制
御弁ｖ１　　を所定時間だけ開放する。

その・母ルスの後縁をタイ攬ング制御器ＴＣが検知して
モノマルチＭＭ２に／母ルスを送Ｆ）、０．ＩＮｏ、２
秒間程度の幅を有するノ々ルスを作ってドライバ０１を
介して電磁制御弁ｖ２　　を所定時間開放する。これと
同時にタイミング制御器ＴＣはモノマルチＭＭ５ヘノ母
ルスを送シ、所定時間幅のパルスを作り、この・ヤルス
溶接電流供給回路を作動させ、溶接を行なう。

本実施例では、被溶接部材としてＴ形スタッドが用いら
れ九が、他のスタッドでもよく、更にスタッド以外のも
のであってもよい６例えばＭＩＧ溶接、ＴＩＧ溶接の自
動溶接機等に応用する場合には、第１空間、第コ空間へ
のシールドガスの供給は、溶接作業中行なう必要がある
が、アークの状態を安定させることができ、また、溶接
部の酸化をより確実に防止できることがら溶着効率を向
上させることができる。

本発明によれば、被溶接部材周囲の第１空間の外周に第
コ空間が設けられ、各空間にはそれぞれ独立にシールド
ガスが導入されることから、外側の第コシールドガスが
内側の溶接空間のシールドガスの多量の漏れを防止して
おり、このためフラッシュシールドと母材との接触面に
おけるスノ母ツタの付着がなくなり、またこのスフ９ツ
タ金属の酸化が防止される。また溶接中において、第１
空間へのシールドガスの導入を停止することができ、こ
れによればアーク炎の乱れがなく、このため確実で良好
な溶接が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による溶接機の先端部を示す側断面図、
第一図は□第７図の溶接機の先端の正面図、第３図は制
御回路のタイミングチャージ、第を図は制御手段となる
制御回路の７例を示す回路図である。 １°−１コレツト、２　＊　＊　ａ　ａスタッド、４　
、、、、母材、５・・・・フラッシュシールド％６＠１
１６１１内側フラッシュシールド、７．、、、第１空間
、８．１４　、、、、シールドガス供給通路にツプル）
、９．−、シール、１２、、、、外側フラッシュシール
ド、１３．、、、外側Ｃ）第２空間、！　Ｏ、、、、制
’ｌ１手段、Ｖｉ　、Ｖ２　、、、、、。 制御弁、ＧＳｌ、Ｇａ４　、　、　、　、　、　、ガス
源、ＴＣ、、、、タイミング制御器、ＭＭｌ、ＭＭ２　
、ＭＭ５　、、、、モノマルチ、Ｄｌ、Ｄ２．、、、、
ドライバ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 溶ＩＮ！部を７ラツシユシールドで囲み第７空間を形成
   するとと４にこの７ラツシユシールドの外周を別のフラ
   ッシュシールドで囲んで第コ空間を形成し、両空間の各
   々に対しシールドガス供給をそれぞれ独立して制御しう
   るシーｌ＆ｌＰｆス供給遍路を設は良ことを特徴とする
   シールドガスな用いるＳ＊機。