JPH0385749A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPH0385749A
JPH0385749A JP1221775A JP22177589A JPH0385749A JP H0385749 A JPH0385749 A JP H0385749A JP 1221775 A JP1221775 A JP 1221775A JP 22177589 A JP22177589 A JP 22177589A JP H0385749 A JPH0385749 A JP H0385749A
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JP
Japan
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case
semiconductor chip
plate glass
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filled
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JP1221775A
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English (en)
Inventor
Yoji Kawakami
洋司 川上
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New Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
New Japan Radio Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光半導体装置、特に、その・ぐッヶージの構造
に関する。
〔従来の技術〕
第4図は従来のこの種の光半導体装置の一例の構造を示
す。
図にkいて1はケース、2g 、 2bはそれぞれ発光
半導体チ、7′、受光半導体チップ、4は透明樹脂であ
る。
ケースlの内部底面部のヘッダ表面に半導体チップ2a
、2bがマウントされ、該半導体チップ2a、2bの電
極・ぐラドとヘッダのリード(図示されてない)が金線
3で接続され、ケース1の内部に透明樹脂4が充填され
て構成されている。
図は従来のとの種光半導体装置の基本的な構造の例を示
したが、用途に応じフィルタ機能を(111°Jえたも
のやレンズ機能を備えたものなどがある。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のこの種の光半導体装置では、ケース1の内部に樹
脂4が充填され、この樹脂4によって半導体チップ2a
 、2bや金線3が外気の湿気などから保護される構造
が採られているが、樹脂4の膨張、収縮により半導体チ
ップ2a、2bや金線3に加わる負荷が大きく、樹脂4
の耐熱性が低いため、リフロー時などのように高温にさ
らされた場合、半導体チラノ2a、2bや壁面と樹脂4
との間に境界剥離ができ、出力変動が発生すると−3は
金線、 う問題があった。
筐た、樹脂4の量を制御することが難しく、樹脂4の量
がばらつき、出力が変動するという問題があった。
本発明は上記の問題を解消するためになされたもので、
半導体チップや金線に負荷がかかることがなく、出力が
変動することのない光半導体装置を提供することを目的
とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の光半導体装置は、上記目的を達成するため、内
部底面部のヘッダ表面に半導体チップをマウントしたケ
ースの内部を空洞状態に保った11か、あるいはケース
の内部に膨張、収縮の小さいワニスなどを充填した状態
でケースの上面に所定の板ガラスあるいはレンズなどを
装着したものである。
〔実施例〕
第1図(a) 、 (b) 、 (C)は本発明の一実
施例の構造及び製作法を示す。
図において、1.2a、2b、3は第4図の同一符号と
同−筐たは相当するものを示し、5は板ガラス、6は接
着剤、7は再成型部分である。
ケース1の内部底面部のヘッダ表面に半導体チップ2a
 、2bがマウントされ、該半導体テソノ2a、2b・
の電極パッドと−\ッダのリードが金線3で接続され、
ケース1の内部が空洞状態に保たれた1ま、上面に板ガ
ラス5が一旦仮接着された後、ケースl全体が再成型部
7を付加して再成型されて、板ガラス5が固着されたも
のである。
半導体チップ2a、2bと金線3の回りが空洞状態にな
っているために、半導体チツf2a、2bや金線3にス
トレスが加わることがなく、したがって、強度の低いチ
ップを使用することができる。
なお、再成型にお−いて板ガラス5とケース1上面の間
の密着性が充分確保されておれば、半導体チップ2a 
、2bや金線3の外気の湿気などからの保護が万全であ
るが、ケース1の内部に膨張、収縮の小さいワニスなど
を充填すれば、半導体チッ:7’2a、2bや金線3に
殆んどストレスが加わることなく、外気の湿気などから
の保護の一層の万全を期すことができる。
第2図、第3図はそれぞれ本発明の他の実施例の構造を
示す。
図において1.2a、2b、3,6.7は第1図の同一
符号は同一または相当するものを示し、8はレンズであ
る。
第2図はレンズ8を備えたもの、第3図は単一チップ型
のものを示す。
上記構造のものでは、リフローが可能であり、成型品の
板ガラス5、レンズ8を使用するため、特性の均一なも
のが得られ、また、板がラス5、レンズ8を変更するこ
とで、容易に、種々の特性のものを得ることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したとおシ、本発明によれば、半導体チップや
金線に負荷がかかることがなく、従来のもののように、
半導体チップと樹脂の間の境界剥離による出力の変動や
、樹脂の量のばらつきによる出力のばらつきが発生する
ことがなくなるという効果がある。
(5)
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)、(c)は本発明の一実施例の構
造及び製作法を示す説明図、第2図、第3図はそれぞれ
本発明の他の実施例の構造を示す説明図、第4図は従来
のこの種の光半導体装置の一例の構造を示す説明図であ
る。 1・・・ケース、2a・・・発光半導体チップ、2b・
・受光半導体チップ、3・・・金線、5・・・板ガラス
、6・・・接着剤、7・・・再生型部分、8・・・レン
ズな卦図中同−符号は同一または相当するものを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ケースの内部底面部のヘッダ表面に半導体チップがマウ
    ントされ該半導体チップの電極パッドと該ヘッダのリー
    ドが金線で接続され、該ケースの内部が空洞状態に保た
    れたままか、あるいは、該ケースの内部に膨張、収縮の
    小さいワニスなどが充填された状態で該ケースの上面に
    所定の板ガラスあるいはレンズなどが装着されてなる光
    半導体装置。
JP1221775A 1989-08-30 1989-08-30 光半導体装置 Pending JPH0385749A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007036193A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauelements
DE102011113483A1 (de) * 2011-09-13 2013-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektroischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement

Cited By (6)

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