KR20140069123A - 복수의 광전자 구성요소의 제조 방법 및 광전자 구성요소 - Google Patents

복수의 광전자 구성요소의 제조 방법 및 광전자 구성요소 Download PDF

Info

Publication number
KR20140069123A
KR20140069123A KR1020147009439A KR20147009439A KR20140069123A KR 20140069123 A KR20140069123 A KR 20140069123A KR 1020147009439 A KR1020147009439 A KR 1020147009439A KR 20147009439 A KR20147009439 A KR 20147009439A KR 20140069123 A KR20140069123 A KR 20140069123A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical
frame
optical element
semiconductor chip
optoelectronic
Prior art date
Application number
KR1020147009439A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102040995B1 (ko
Inventor
후베르트 할브리터
하인츠 하스
클라우스 예거
베른하르트 스토제츠
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20140069123A publication Critical patent/KR20140069123A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102040995B1 publication Critical patent/KR102040995B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V5/00—Refractors for light sources
    • F21V5/007—Array of lenses or refractors for a cluster of light sources, e.g. for arrangement of multiple light sources in one plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

a) 겸용 단자 지지체(20)를 제공하는 단계와; b) 겸용 단자 지지체(20)에 복수의 반도체칩(3, 31)을 배열하는 단계와; c) 각각의 반도체칩(3, 31)이 개구(41) 중 하나에 배열되도록 복수의 개구(41)를 구비한 겸용 프레임(40)을 겸용 단자 지지체(20)에 대해 배치하는 단계와; d) 광학 요소가 개구를 덮도록 복수의 광학 요소(5)를 겸용 프레임에(40)에 대해 배치하는 단계와; e) 각각의 광전자 구성요소가 적어도 하나의 광전자 반도체칩을 구비한 하나의 단자 지지체(2)와, 적어도 하나의 개구를 구비한 프레임(4)과, 적어도 하나의 광학 요소를 가지도록, 겸용 프레임 및 광학 요소와 함께 겸용 단자 지지체를 복수의 광전자 구성요소로 분리하는 단계를 포함하는 복수의 광전자 구성요소(1) 제조 방법이 제시된다. 또한, 광전자 구성요소가 제시된다.

Description

복수의 광전자 구성요소의 제조 방법 및 광전자 구성요소{METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTO-ELECTRONIC COMPONENTS AND OPTO-ELECTRONIC COMPONENT}
본 출원은 복수의 광전자 구성요소를 제조하는 방법 및 광전자 구성요소에 관한 것이다.
예컨대, 렌즈와 같은 광학 요소와, 예컨대 반도체칩과 같은 광전자 구성요소의 조합은 대개 비교적 복잡한 제조 공정을 필요로 한다. 한 가지 목적은 각각 적어도 하나의 광학 요소를 구비한 복수의 광전자 구성요소를 간단하고 신뢰성 있게 제조할 수 있는 제조 방법을 제공하는 것이다. 또 다른 목적은 비교적 간단하고 신뢰성 있게 제조되며 우수한 광전자적 특성을 특징으로 하는 광전자 구성요소를 제공하는 것이다.
이들 목적은 독립 청구항의 요지에 의해 달성된다. 구성과 추가적인 개발 사항은 종속 청구항의 요지를 구성한다.
일 실시예에서, 복수의 광전자 구성요소의 제조 방법에 있어, 접속부 캐리어 조립체가 제공된다. 복수의 반도체칩이 접속부 캐리어 조립체에 배열된다. 반도체칩이 개구 중 하나에 각각 배열되도록 복수의 개구를 갖는 프레임 조립체가 접속부 캐리어 조립체에 대해 배치된다. 광학 요소가 개구를 덮도록 복수의 광학 요소가 프레임 조립체에 대해 배치된다. 각각의 광전자 구성요소가 적어도 하나의 광전자 반도체칩을 구비한 하나의 접속부 캐리어와, 적어도 하나의 개구를 구비한 하나의 프레임과, 적어도 하나의 광학 요소를 포함하도록 프레임 조립체 및 광학부 조립체와 함께 접속부 캐리어 조립체가 복수의 광전자 구성요소로 분할된다.
광학 요소는 바람직하게는 광학부 조립체 내에 제공된다. 광학 요소는 특히 연속 광학부 조립체로서 배치될 수 있으며, 그 결과 광학 요소가 복수의 반도체칩에 동시에 할당될 수 있다.
본 방법은 반드시 위에 열거된 순서대로 진행될 필요는 없다. 예컨대 특히 광학부 조립체 형태의 광학 요소는 프레임 조립체가 접속부 캐리어 조립체에 대해 배치되기 전에 프레임 조립체에 대해 배치되어 부착될 수 있다. 또한 접속부 캐리어 조립체에 대한 프레임 조립체의 배치는 복수의 반도체칩이 접속부 캐리어 조립체에 배열되기 전에 수행될 수 있다.
광학부 조립체는 광전자 구성요소로 분할시 분할될 수 있다. 복수의 광전자 구성요소로 접속부 캐리어 조립체를 분할할 때, 광학부 조립체, 접속부 캐리어 조립체 및 프레임 조립체는 바람직하게는 공통 분할 단계에서 절단될 수 있다. 절단은, 예컨대 기계적으로, 예컨대 소잉(sawing)에 의해 진행될 수 있다.
본 방법은 하나 이상의 반도체칩을 구비한 광전자 구성요소를 제조하는 데 적합하다. 구성요소는 또한 하나 이상의 개구를 포함한다. 정확히 하나의 반도체칩이 각각의 개구에 할당될 수 있다. 그러나 둘 이상의 반도체칩이 개구에 배열될 수도 있다.
바람직한 구성에 있어서, 적어도 2개의 광학 요소가 웹에 의해 광학부 조립체 내에서 서로 연결된다. 일반적으로 웹은 실질적으로 광학 요소를 기계적으로 연결하는 역할을 하고 특히 그 자체는 어떤 광학 기능도 수행하지 않는 2개의 광학 요소 사이의 연결 요소를 의미한다. 특히, 광학부 조립체의 평면도에서 웹은 적어도 측방향으로, 즉 광학부 조립체의 연장부의 주면에서 연장되는 방향으로 광학 요소 중 하나보다 작은 길이(extent)를 가질 수 있다.
웹은 바람직하게는 광학부 조립체의 분할시 절단된다. 따라서 완성된 구성요소에서 웹은 측방향으로 광전자 구성요소를 한정하는 측면과 동일 평면으로 종단된다.
추가적인 바람직한 구성에 있어서, 광전자 구성요소는 각각 적어도 2개의 광학 요소를 포함하되, 광학부 조립체는 바람직하게는 구성요소의 광학 요소가 각각 서로 완전히 분리되도록 절단된다. 본 발명의 맥락에서, 서로 완전히 분리된다는 것은 한 구성요소의 광학 요소가 바람직하게는 서로 측방으로도 분리되는 별개 요소로서 형성된다는 것을 의미한다. 이렇게 하여, 구성요소의 2개의 인접한 광학 요소 사이의 연속된 연결에 의해 초래되는 광학적 혼선(crosstalk)이 방지되거나 적어도 저감될 수 있다.
바람직한 구성에 있어서, 광학 요소는 광학부 조립체의 배치시 프레임 조립체의 개구 내로 돌출된다. 바람직하게는, 프레임 조립체에 대면하는 측의 광학 요소와 프레임 조립체의 개구는 상기 개구 내로 도입시 광학 요소가 개구에 대해 소정의 방식으로 스스로 자리 잡도록, 특히 스스로 중심에 자리 잡도록 서로 적합화된다. 따라서 광학 요소는 프레임 조립체의 개구에 대해 자동 조절된다. 이 경우, 광학 요소의 광축은 구성요소의 평면도에서 바람직하게는 개구의 중점을 통해 또는 실질적으로 개구의 중점을 통해 연장된다.
따라서 광학 요소가 프레임 조립체에 대해 정확히 지정된 위치에 신뢰성 있게 배열된 후에 부착될 수 있는 것이 간단히 보장된다.
또한, 개구 내로 돌출되는 광학 요소의 부분의 단면은 접속부 캐리어의 방향으로 감소할 수 있다. 이렇게 하여 프레임에 대한 광학 요소의 배향이 간단한 방식으로 자동 조절될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 광전자 구성요소는 적어도 하나의 광전자 반도체칩이 부착되는 접속부 캐리어를 포함한다. 프레임이 접속부 캐리어에 배열된다. 프레임은 접속부 캐리어에서 멀리 떨어진 주면으로부터 접속부 캐리어를 향해 연장되고 반도체칩이 배열되는 개구를 포함한다. 광학 요소가 프레임에 배열되는데, 특히 해당 요소는 개구를 완전히 덮는다.
광학 요소는 바람직하게는 접속부 캐리어에서 멀리 떨어진 프레임 측의 구성요소를 한정한다. 따라서 광학 요소는 빔의 안내에 기여하는 동시에, 예컨대 기계적 응력으로부터 반도체칩을 보호하는 역할을 할 수 있다.
바람직한 구성에 있어서, 광학 요소는 측방향으로 광전자 구성요소를 한정하는 측면까지 적어도 곳곳에서 연장된다. 따라서 광학 요소는 광전자 구성요소의 측면과 동일 평면으로 종단된다. 따라서, 제조시, 복수의 연속 광학 요소를 구비한 광학부 조립체로부터 광전자 구성요소를 분할할 때 간단한 방식으로 광학 요소가 취득될 수 있다.
바람직하게는, 접속부 캐리어와 프레임도 적어도 측방향으로, 바람직하게는 전체 원주 둘레에서 서로 동일 평면으로 종단된다.
광전자 구성요소는 바람직하게는 표면 장착 구성요소(표면 장착 장치(SMD))로도 구성된다. 접속부 캐리어는 바람직하게는 광학 요소 대향측의 광전자 구성요소를 한정한다. 따라서 프레임은 접속부 캐리어의 일측에만 제공된다. 외부와의 전기적 접촉은 반도체칩에서 멀리 떨어진 접속부 캐리어 측에서 이루어질 수 있다.
접속부 캐리어는, 예컨대 회로기판, 예컨대 인쇄회로기판(PCB)의 형태를 취할 수 있다.
추가적인 바람직한 구성에 있어서, 광학 요소와 반도체칩 사이의 빔 경로는 반도체칩을 둘러싸는 외장(enclosure)을 갖지 않도록 구성된다. 따라서 빔 경로는 광학 요소와 반도체칩 사이의 광학적 자유 공간 영역을 포함한다. 광전자 구성요소의 평면도에서, 광학 요소는 반도체칩을 덮고, 따라서 기계적 응력, 수분, 먼지와 같은 외부의 영향으로부터 반도체칩을 보호한다. 그러므로, 봉입 역할을 하는 반도체칩 외장을 생략하는 것이 가능하다.
추가적인 바람직한 구성에 있어서, 개구는 프레임의 주면으로부터 접속부 캐리어를 향해 적어도 곳곳에서 테이퍼 가공된다. 이로써, 광전자 구성요소의 제조 중에 프레임의 개구에 대한 광학 요소의 센터링이 간단해진다.
추가적인 바람직한 구성에 있어서, 개구는 언더컷을 포함한다. 따라서 동일한 개구부를 유지하면서 반도체칩의 장착에 이용 가능한 개구의 공간이 증가할 수 있다.
추가적인 바람직한 구성에 있어서, 반도체칩은 방사선을 생성하기 위해 제공된다. 또한 구성요소는 바람직하게는 방사선을 수광하도록 의도된 추가 반도체 칩을 포함한다. 반도체칩은 프레임의 하나의 개구에 각각 배열된다. 따라서 반도체칩은 프레임에 의해 광학적으로 서로 분리된다. 광전자 구성요소는, 예컨대 반도체칩에 의해 생성되어 구성요소 외부의 표적 물체에 되반사되는 방사선을 추가 반도체칩에 의해 검출하는 근접 센서의 형태를 취할 수 있다.
추가적인 바람직한 개발 사항에서는, 광학 디커플링 요소가 개구 사이의 프레임의 주면에 제공된다. 광학 디커플링 요소는 반도체칩과 추가 반도체 칩 사이의 광학적 혼선을 저감하도록 의도되어 있다. 광학 디커플링 요소는 접속부 캐리어에서 멀리 떨어진 프레임의 주면으로부터 수직으로 연장되는 분리 웹의 형태를 취할 수 있다. 분리 웹은 특히 프레임과 일체일 수 있다. 측방향으로, 웹의 주 연장 방향은 바람직하게는 반도체칩과 추가 반도체칩 사이의 연결 라인의 횡방향으로 또는 해당 연결 라인에 수직하게 연장된다.
추가 또는 대안으로서, 프레임의 주면은 흡수재로 덮일 수 있다. 특히, 흡수재는 프레임의 주면의 노출부, 즉 광학 요소 또는 광학 요소들로 덮이지 않은 주면의 부분을 덮을 수 있다.
바람직하게는, 광학 요소는 개구 내로 돌출된다. 이로써, 구성요소의 수직 길이를 증가시키지 않고서 두께, 즉 광축을 따라 연장되는 광학 요소의 길이가 증가할 수 있다.
추가적인 바람직한 구성에 있어서, 광학 요소는 반도체칩에 대면하는 측이 볼록하게 만곡된다.
추가적인 바람직한 개발 사항에서, 광학 요소의 최대 높이는 개구의 최대 단면 길이의 적어도 0.2배, 바람직하게는 개구의 최대 단면 길이의 적어도 0.5배이다. 특히, 개구 내로 돌출되는 광학 구성요소의 부분은 적어도 곳곳에서 구형 기본 형상을 가질 수 있다.
상술된 방법은 상술한 광전자 구성요소를 제조하는 데 특히 적합하다. 따라서, 본 방법과 관련하여 열거된 특징은 역으로 광전자 구성요소에도 적용될 수 있다.
추가적인 특징, 구성 및 편리한 양태는 도면과 함께 제시되는 예시적인 실시예의 이하의 설명을 통해 드러날 것이다.
도 1a 내지 도 1i는 단면도(도 1a, 도 1b, 도 1d, 도 1f, 도 1g)와 평면도(도 1c, 도 1e, 도 1h, 도 1i)로 나타낸 것으로, 개략적으로 도시된 중간 단계에 의해 복수의 광전자 구성요소를 제조하는 방법의 예시적인 실시예를 도시한다.
도 2 내지 도 4는 각각 광전자 구성요소의 예시적인 실시예를 개략적인 단면도로 도시한다.
동일하거나, 유사하거나, 동일하게 작용하는 요소에는 도면에서 동일한 참조번호가 부여된다.
도면과, 도면에 도시된 요소의 상대적인 크기 비는 일정 비례인 것으로 간주해서는 안 된다. 오히려 개개의 구성요소는 묘사의 편의성 및/또는 보다 나은 이해를 위해 과장되게 확대되어 도시될 수 있다.
도 1a 내지 도 1i는 복수의 광전자 구성요소를 제조하는 방법의 예시적인 실시예를 개략적으로 도시한다. 각각 하나의 반도체칩(3)과 하나의 추가 반도체칩(31)을 포함하는 광전자 구성요소의 제조를 참조하여, 예로서 본 방법을 설명한다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 반도체칩(3, 31)은 접속부 캐리어 조립체(20)에 배열되어 부착된다. 반도체칩과 접속부 캐리어 조립체 사이의 기계적, 전기적 연결을 창출하는 것과 관련한 세부사항은 간결성을 위해 도 1a에 도시되어 있지 않으며 이에 대해서는 도 2에서 보다 상세히 설명한다.
접속부 캐리어 조립체(20)는, 예컨대 회로기판, 특히 인쇄회로기판(PCB) 또는 금속 코어를 구비한 인쇄회로기판(금속 코어 인쇄회로기판(MCPCB))의 형태를 취할 수 있다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 복수의 개구(41)를 구비한 프레임 조립체(40)가, 예컨대 부착층(도 1b에는 명확히 도시 안 됨)에 의해 접속부 캐리어 조립체(20)에 배열되어 부착된다. 개구는 전적으로 프레임 조립체(40)를 통해 수직으로 연장된다.
프레임 조립체(40)는, 예컨대 플라스틱체의 형태를 취할 수 있다. 프레임 조립체는, 예컨대 사출 성형법이나 전사 성형법에 의해 제조될 수 있다. 프레임 조립체는 사전제조된 연속 요소를 구성한다.
프레임 조립체(40)의 일부가 도 1c에 개략 평면도로 도시되어 있고, 도 1b는 선 A-A'를 따라 취한 관련 단면도를 도시한다. 뒤이은 개별 구성요소로의 분할시, 4개의 구성요소(1)를 위한 4개의 프레임(4)이 도 1c에 도시된 프레임 조립체(40)로부터 취득된다.
광학부 조립체(50)의 일부가 도 1e에 개략 평면도로 도시되어 있고, 도 1d에는 선 B-B'를 따라 취한 관련 단면도가 도시되어 있다. 광학부 조립체(50)는 복수의 광학 요소(5)를 포함한다. 광학 요소를 간단히 동시에 배치하기 위해, 광학부 조립체(50)는 바람직하게는 연속 조립체의 형태를 취한다. 따라서, 광학 요소는 사전제조된 형태로 제공된다. 그 결과, 포팅재(potting material)를 사용하여 개구(41)에 광학 요소를 형성하는 단계가 불필요하다.
광학 요소(5)는 바람직하게는 투명하거나 적어도 반투명한 플라스틱재를 함유하거나 이런 재료로 구성된다. 도시된 예시적인 실시예에서, 반도체칩(3)과 결부된 광학 요소는 추가 반도체칩(31)과 결부된 광학 요소와 상이하다. 따라서, 반도체칩(3, 31)에 대한 빔 성형이 서로 독립적으로 조절될 수 있다. 한편, 광학 요소는 서로 동일할 수도 있다.
도 1e에 도시된 예시적인 실시예에서, 광학 요소(5)는 웹(51)에 의해 서로 부분적으로 연결된다. 광학 요소(50)는 바람직하게는 웹(51) 및 광학 요소(5)와 일체로 형성된다. 광학 요소(5)와 달리, 완성된 구성요소의 웹(51)은 어떤 광학적 기능도 수행할 필요가 없으며, 특히 제조 중에 반도체칩(3, 31)에 대한 복수의 광학 요소의 동시 배치를 단순화하는 역할을 한다.
광학부 조립체는 광학 요소(5)가 각각의 개구(41)에 할당되도록 프레임 조립체(40)에 대해 배치된다(도 1f). 광학 요소는 개구(41) 내로 부분적으로 돌출되도록 구현된다. 또한, 광학 요소(5)는 프레임 조립체(40)에 대면하는 측이 테이퍼 가공된다.
프레임 조립체(40)는 접속부 캐리어 조립체(20)에서 멀리 떨어진 주면(42)을 포함한다. 개구(41)는 주면(42)으로부터 접속부 캐리어 조립체(20)를 향해 테이퍼 가공된다. 이는 특히 광학 요소의 테이퍼 구성과 연계하여, 광학부 조립체(50)와 프레임 조립체(40)의 연결시 광학 요소(5)의 광축(9)이 각각 개구(41)에 대해 중심에서 연장되는 방식으로 상기 광학 요소가 보다 간단히 배치되도록 한다. 또한, 광축(9)은 바람직하게는 각각 반도체칩(3) 또는 추가 반도체칩(31)을 통해 연장된다.
설명한 예시적인 실시예와 달리, 프레임 조립체가 접속부 캐리어 조립체(20)에 부착되기 전에 광학부 조립체(50)가 프레임 조립체(40)에 배치되어 부착될 수도 있다.
또한, 반도체칩(3, 31)이 접속부 캐리어 조립체에 부착되기 전에 접속부 캐리어 조립체(20)에 프레임 조립체(40)를 배열하는 것도 실현 가능하다.
접속부 캐리어 조립체(20), 프레임 조립체(40) 및 광학부 조립체(50)가 서로 연결되고 나면, 이들은 복수의 광전자 구성요소로 분할된다.
분할된 구성요소가 도 1h에 개략 평면도로 도시되어 있고, 도 1g에는 선 C-C'를 따라 취한 관련 단면도가 도시되어 있다.
완성된 구성요소는 접속부 캐리어 조립체(20)의 부분인 접속부 캐리어(2)와 프레임 조립체(40)의 부분인 프레임(4)을 포함한다. 측방향으로, 구성요소(1)는 분할시 생기는 측면(11)에 의해 한정된다. 분할은, 예컨대 기계적 방법에 의해,예컨대 소잉 또는 레이저 분리법에 의해 진행될 수 있다.
접속부 캐리어(2)와 프레임(4)은 구성요소(1)의 전체 원주에 걸쳐 측면(11)에서 서로 동일 평면으로 종단된다. 또한 광학부 조립체(50)의 적어도 일부, 도시된 실시예에서는 광학 요소(5)와 웹(51)은 측면(11)까지 연장된다.
따라서 완성된 구성요소는 2개의 광학 요소를 포함하는데, 광학 요소 중 적어도 하나는 측방향으로 광전자 구성요소를 한정하는 측면과 동일 평면으로 종단되는 웹(51)에 연결된다.
구성요소(1)의 광학 요소(5)는 완성된 구성요소의 별개 구성요소로서 구성된다. 따라서, 이들 광학 요소는 직접 연결되지 않는다. 이에 따라 반도체칩(3, 31) 사이의 광학적 혼선 위험이 저감된다.
상기 방법을 사용하여, 복수의 광전자 구성요소를 간단하고 신뢰성 있게 동시에 제조할 수 있으며, 구성요소는 조립체부터 분할시 이미 적어도 하나의 광학 요소를 가지게 된다.
특히, 접속부 캐리어(2), 프레임(4) 및 광학 요소(5)가 조립체로서 사전제조된 형태로 각각 제공되고 공통 단계에서 분할될 수 있도록 제조가 진행된다.
또한, 본 방법은 복수의 구성요소의 동시 제조를 위한 간편한 확장성(scalability)을 특징으로 하며, 따라서 대량 생산을 단순화한다. 도 1i에는, 예컨대 64개의 광학 요소(5)가 매트릭스형으로 배열된 광학부 조립체(50)가 평면도로 도시되어 있다. 격자형 분할선(6, 32)을 따라 구성요소로 분할시, 각각 2개의 광학 요소(5)를 포함하는 구성요소가 이로부터 취득된다.
프레임 조립체(40)에 대한 광학부 조립체(50)의 간단하고 신뢰성 있는 배치를 위해, 바람직하게는 위치결정 요소(65)가 제공된다. 위치결정 요소는 각각 예컨대 핀이 결합되는 홀의 형태를 취할 수 있다.
물론 단 하나의 광학 요소(5) 및/또는 단 하나의 반도체칩(3)을 포함하는 구성요소가 상술한 제조 방법으로 제조될 수도 있다. 또한 둘 이상의 반도체칩이 하나의 개구(41)에 배열될 수도 있다.
광학 구성요소의 예시적인 실시예가 도 2에 개략 단면도로 도시되어 있다.
도 2는 도 1g에 도시된 구성요소를 보다 상세히 표현한 것이다. 따라서 도 1a 내지 도 1i와 연계하여 이미 설명한 특징은 이 예시적인 실시예에도 적용 가능하며 여기서는 명시적으로 기술하지 않는다.
이 예시적인 실시예에서, 도시된 광전자 구성요소(1)는 근접 센서의 형태를 취한다. 구성요소는 방사선 생성용 활성 영역(30)을 구비한 반도체칩(3)을 포함한다. 또한, 구성요소는 반도체칩(3)에 의해 생성되고 구성요소 외부의 표적 물체에 반사되는 방사선을 검출하도록 의도된 추가 활성 영역(310)을 구비한 추가 반도체칩(31)을 포함한다. 반도체칩(3, 31)은 각각 접속부 캐리어(2)의 랜드(land)(21)에 배열되고 랜드와 전기 도전적으로 연결된다.
반도체칩(3, 31)은 각각 접합층(35), 예컨대 솔더 또는 전기 도전성 접착제를 통해 랜드(21)와 연결된다.
또한, 접속부 캐리어는 예시적인 실시예에서는 연결 리드(36), 예컨대 본딩 와이어를 통해 반도체칩(3, 31)에 전기 도전적으로 각각 연결되는 추가 랜드(22)를 각각 포함한다.
접속부 캐리어(2)는 또한 구성요소(1)의 장착면(12)에 배열되는 제1 외부 접점(26)과 제2 외부 접점(27)에 랜드(21, 22)를 전기 도전적으로 연결하는 비아(via)(25)를 포함한다. 따라서 광전자 구성요소(1)는 후면, 즉 구성요소의 측방향으로 연장되는 장착면(12) 측에 접촉 가능한 표면 장착가능 구성요소의 형태를 취한다.
반도체칩(3, 31)의 접촉과 랜드(21, 22)의 구성은 단지 예로서 설명한 것이다. 대안으로서, 플립 칩 기하구조로 구성되어 2개의 저면 접점을 포함하는 반도체칩이 사용될 수도 있다. 반도체칩은 또한 외부 전기 접점과 연결되지 않은 접속부 캐리어(2)의 면에 배열될 수도 있다. 또한 외부 접점(26, 27) 중 적어도 하나는 반도체칩(3)과 추가 반도체칩(31)을 위한 공통 접점, 예컨대 공통 접지 역할을 할 수도 있다.
프레임(4)은 부착층(8), 예컨대 접착제층에 의해 접속부 캐리어(2)에 부착된다. 광전자 구성요소(1)의 방출(emission) 관련 요건이나 검출 특성에 따라, 프레임, 특히 개구(41)의 내면(410)은 흡수재, 예컨대 흑색 재료로 덮일 수 있다. 따라서 근접 센서의 경우에는, 예컨대 광전자 구성요소의 하류측에 배열되는 커버, 예컨대 유리판의 반사로 인한 바람직하지 않은 표류(stray) 방사선의 검출 위험을 저감할 수 있다.
추가 또는 대안으로서, 프레임(4)은 흡수재, 예컨대 흑색 플라스틱 재료로 제조될 수도 있다.
접속부 캐리어(2)로부터 수직으로 이격되는 각각의 개구(41)에는 원주방향 개구부(45)가 형성된다. 개구부(45)는 방사선 원추(cone)를 한정하는데, 해당 원추 내에서 반도체칩(3)에 의해 발산되는 방사선이 곧바로, 즉 개구(41)의 내면(411)에 반사되지 않고 구성요소(1)로부터 방출되며, 또는 해당 원추를 통해 구성요소 외부로부터 진입하는 방사선이 곧바로 추가 반도체칩(31)에 충돌하게 된다.
개구(41)는 주면(42)과 개구부(45) 사이에서 접속부 캐리어(2)를 향해 테이퍼 가공된다. 개구부의 경사 구성으로 인해, 제조 중에 광학 요소(5)를 프레임(4)에 대해 정확히 배치하는 것이 단순화된다. 따라서 프레임(4)은 한편으론 반도체칩의 개구부를 한정하고, 이와 동시에 광학 요소의 간단한 배치를 지원한다.
개구부(45)와 접속부 캐리어(2) 사이에서 개구(41)는 언더컷(411)을 포함한다. 상기 언더컷은 반도체칩(3, 31)의 장착에 이용 가능한 표면이 개구부(45)의 단면적과 상관없이 조절될 수 있도록 한다.
광학 요소(5)는 추가 부착층(85), 예컨대 접착제층에 의해 접속부 캐리어(2)에서 멀리 떨어진 프레임(4) 측에 부착된다. 광학 요소(5)는 반도체칩(3, 31)에 대면하는 측과 반도체칩에서 멀리 떨어진 측이 볼록하게 만곡된다. 광학 요소(5)의 최대 높이, 특히 광축(9)을 따라 연장되는 광학 요소의 두께는 바람직하게는 개구(41)의 최대 단면 길이의 적어도 0.2배, 특히 바람직하게는 적어도 0.5배에 달한다. 특히, 광학 요소(5)는 곳곳에서, 특히 광축의 영역에서 구형 기본 형상을 가질 수 있다. 광학 요소의 구성은 원하는 빔 성형에 따라 광범위하게 변경될 수 있다. 광학 요소는, 예컨대 프레넬 렌즈의 형태를 취할 수도 있다.
반도체칩(3, 31)은 어떤 반도체칩 주변 외장도 갖지 않는다. 반도체칩은 접속부 캐리어(2)에서 멀리 떨어진 측이 광학 요소(5)에 의해 보호되며, 외장을 형성하기 위한 추가적인 제조 단계가 생략될 수 있다. 또한 이렇게 하여, 외장이 반도체칩(3, 31)과 접속부 캐리어(2) 사이의 연결부에 기계적 응력을 가하거나 외장이 구성요소의 광학적 특성을 손상할 위험성을 방지할 수 있다.
그러나, 반도체칩을 봉입하기 위해 외장이 제공되는 적용예도 적용 가능하다.
도 3에 도시된 추가적인 예시적 실시예는 도 2와 관련하여 설명한 예시적인 실시예에 실질적으로 대응한다. 도 2와 달리, 흡수재(7) 형태의 광학 디커플링 요소가 프레임(4)의 주면(42)에 형성된다. 흡수재(7)는 바람직하게는 입사 방사선의 적어도 80%, 특히 바람직하게는 적어도 90%를 흡수한다. 이로써 구성요소(1) 내의 반도체칩(3, 31) 사이의 광학적 혼선을 상당 부분 방지할 수 있다. 흡수재는 바람직하게는 광학 요소(5)로 덮이지 않는 주면(42)의 영역에 도포된다.
도 3에 도시된 예시적인 실시예와 달리, 도 4에 도시된 예시적인 실시예에서 광학 디커플링 요소는 분리 웹(75)의 형태를 취한다. 분리 웹(75)은 바람직하게는 프레임(4)에서 멀리 떨어진 주면(42)으로부터 연장되는 프레임(4)의 연장부 형태를 취한다. 측방향으로, 분리 웹(75)의 주 연장 방향은 반도체칩(3)과 추가 반도체칩(31) 사이의 연결 라인에 수직하게 연장된다. 분리 웹은 바람직하게는 프레임(4)과 일체이다. 그러나 이와 달리 분리 웹은 프레임(4)에 부착되는 별개 요소, 특히 사전제조된 요소의 형태를 취할 수도 있다.
방사선의 생성을 위해 제공되는 반도체칩(3), 특히 활성 영역(30)은 바람직하게는 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 재료 계열이다. 바람직하게는 반도체칩은 예컨대 700 nm와 1.5 ㎛ 사이 범위의 피크 파장을 갖는 근적외선을 생성하기 위해 제공된다.
추가 반도체칩(31)은 특히 실리콘 계열일 수 있다. 추가 반도체칩(31)은 예컨대 포토다이오드, 포토트랜지스터 또는 광감성 영역을 갖는 주문형 집적 회로(ASIC)의 형태를 취할 수 있다.
구성요소(1)는 또한 둘 이상의 방사선 수광기도 포함하며, 방사선 수광기는 바람직하게는 상이한 스펙트럼 범위의 방사선을 수광하기 위해 제공된다. 추가 방사선 수광기는 예컨대 주변 광센서의 형태를 취할 수 있다. 추가 방사선 수광기는 추가 반도체칩(31)에 합체되거나 별도의 반도체칩 형태를 취할 수 있다.
광학 요소의 합체로 인해, 상기 광전자 구성요소는 우수한 광전자적 특성을 가지는 동시에 조밀한 구조를 가지는 것을 특징으로 한다. 제조 중에 광학 요소의 배치가 특히 자동 조절에 의해, 복수의 구성요소를 대상으로 높은 조절 정확도로 동시에 진행될 수 있고, 이에 따라 제조비가 저감된다.
본 특허출원은 그 개시 내용이 본 명세서에 포함되는 독일특허출원 10 2011 113 483.6호의 우선권을 주장한다.
본 발명은 예시적인 실시예를 참조하여 제시되는 설명에 의해 제한을 받지 않는다. 오히려 본 발명은 특히 특허청구범위에 기재된 특징의 임의의 조합을 포함하여 일체의 신규한 특징 및 일체의 특징 조합을 망라하는데, 이는 이런 특징이나 특징의 조합이 특허청구범위나 예시적인 실시예에 직접 명시적으로 제시되지 않을 경우에도 적용된다.

Claims (15)

  1. 복수의 광전자 구성요소(1)의 제조 방법이며,
    a) 접속부 캐리어 조립체(20)를 제공하는 단계와,
    b) 상기 접속부 캐리어 조립체(20)에 복수의 반도체칩(3, 31)을 배열하는 단계와,
    c) 상기 반도체칩(3, 31)이 개구(41)들 중 하나에 각각 배열되도록, 복수의 개구(41)를 구비한 프레임 조립체(40)를 상기 접속부 캐리어 조립체(20)에 대해 배치하는 단계와,
    d) 광학 요소가 개구를 덮도록, 복수의 광학 요소(5)를 상기 프레임 조립체(40)에 대해 배치하는 단계와,
    e) 각각의 광전자 구성요소가, 적어도 하나의 광전자 반도체칩을 구비한 하나의 접속부 캐리어(2)와, 적어도 하나의 개구를 구비한 하나의 프레임(4)과, 적어도 하나의 광학 요소를 포함하도록, 상기 프레임 조립체 및 상기 광학 요소와 함께 상기 접속부 캐리어 조립체를 복수의 광전자 구성요소로 분할하는 단계를 포함하는, 복수의 광전자 구성요소의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단계 d)에서 상기 광학 요소는 광학부 조립체 내에 제공되고, 상기 단계 e)에서는 상기 광학부 조립체, 상기 접속부 캐리어 조립체 및 상기 프레임 조립체가 공통 분할 단계에서 절단되는, 복수의 광전자 구성요소의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    적어도 2개의 광학 요소가 웹(51)에 의해 상기 광학부 조립체 내에서 서로 연결되는, 복수의 광전자 구성요소의 제조 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 광전자 구성요소 각각은 2개의 광학 요소(5)를 포함하고, 상기 광학부 조립체는 구성요소의 광학 요소가 각각 서로 완전히 분리되도록 절단되는, 복수의 광전자 구성요소의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 d)에서 상기 광학 요소가 상기 개구 내로 돌출되는, 복수의 광전자 구성요소의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 e)에서 분할이 소잉(sawing)에 의해 진행되는, 복수의 광전자 구성요소의 제조 방법.
  7. 적어도 하나의 광전자 반도체칩(3, 31)이 부착되는 접속부 캐리어(2)를 구비한 광전자 구성요소이며,
    - 상기 접속부 캐리어(2)에 프레임(4)이 배열되고,
    - 상기 프레임(4)은, 상기 접속부 캐리어(2)에서 멀리 떨어진 주면(42)으로부터 상기 접속부 캐리어(2)를 향해 연장되고 상기 반도체칩(3, 31)이 배열되는 개구(41)를 포함하고,
    - 상기 개구(41)를 덮는 광학 요소(5)가 상기 프레임에 배열되는, 광전자 구성요소.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 광학 요소(5)는 측방향으로 상기 광전자 구성요소(1)를 한정하는 측면(11)까지 적어도 부분적으로 연장되는, 광전자 구성요소.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 광학 요소는 상기 개구 내로 돌출되는, 광전자 구성요소.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학 요소(5)와 상기 반도체칩(3, 31) 사이의 빔 경로는 상기 반도체칩을 둘러싸는 외장을 갖지 않도록 구성되는, 광전자 구성요소.
  11. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개구는 상기 프레임의 주면으로부터 상기 접속부 캐리어를 향해 적어도 부분적으로 테이퍼 가공되는, 광전자 구성요소.
  12. 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    - 상기 반도체칩(3)은 방사선을 생성하기 위해 제공되고,
    - 상기 구성요소는 방사선을 수광하기 위해 제공되는 추가적인 반도체칩(31)을 포함하고,
    - 상기 반도체칩(3, 31)은 상기 프레임의 개구에 각각 배열되는, 광전자 구성요소.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 개구 사이의 프레임의 주면에 광학 디커플링 요소(7, 75)가 형성되는, 광전자 구성요소.
  14. 제7항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학 요소는 상기 반도체칩에 대면하는 측이 볼록하게 만곡되는, 광전자 구성요소.
  15. 제12항에 있어서,
    2개의 광학 요소를 더 포함하고,
    상기 광학 요소들 중 적어도 하나는 측방향으로 상기 광전자 구성요소를 한정하는 측면과 동일 평면으로 종단되는 웹(51)과 연결되는, 광전자 구성요소.
KR1020147009439A 2011-09-13 2012-07-30 복수의 광전자 구성요소의 제조 방법 및 광전자 구성요소 KR102040995B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011113483.6A DE102011113483B4 (de) 2011-09-13 2011-09-13 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement
DE102011113483.6 2011-09-13
PCT/EP2012/064886 WO2013037556A1 (de) 2011-09-13 2012-07-30 Verfahren zum herstellen einer mehrzahl von optoelektronischen bauelementen und optoelektronisches bauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140069123A true KR20140069123A (ko) 2014-06-09
KR102040995B1 KR102040995B1 (ko) 2019-11-05

Family

ID=46598522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147009439A KR102040995B1 (ko) 2011-09-13 2012-07-30 복수의 광전자 구성요소의 제조 방법 및 광전자 구성요소

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9466769B2 (ko)
KR (1) KR102040995B1 (ko)
CN (1) CN103797580B (ko)
DE (1) DE102011113483B4 (ko)
WO (1) WO2013037556A1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012109905B4 (de) * 2012-10-17 2021-11-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
US9797571B2 (en) * 2013-08-02 2017-10-24 JST Performance, LLC Method and apparatus for a light collection and projection system
US9496247B2 (en) * 2013-08-26 2016-11-15 Optiz, Inc. Integrated camera module and method of making same
KR102221599B1 (ko) * 2014-06-18 2021-03-02 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN105789196B (zh) 2014-12-22 2019-10-08 日月光半导体制造股份有限公司 光学模块及其制造方法
EP3275021B1 (en) * 2015-03-26 2020-05-06 Lumileds Holding B.V. Light source
US20160307881A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical sensor module and method for manufacturing the same
DE102016118996A1 (de) * 2016-10-06 2018-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung von sensoren
DE102017130779A1 (de) * 2017-08-11 2019-02-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und biometrischer Sensor
DE102018104778A1 (de) * 2018-03-02 2019-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteilverbund aus optischen Bauteilen, Verfahren zur Herstellung eines Bauteilverbunds und Bauelement mit einem optischen Bauteil
DE102018125127A1 (de) * 2018-10-11 2020-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102020101038A1 (de) * 2020-01-17 2021-07-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierendes Bauelement

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0385749A (ja) * 1989-08-30 1991-04-10 New Japan Radio Co Ltd 光半導体装置
US20100207140A1 (en) * 2009-02-19 2010-08-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Compact molded led module

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD160263A1 (de) 1981-06-30 1983-05-18 Guenter Heymann Mikro-reflexkoppler und verfahren zu seiner herstellung
US6612889B1 (en) * 2000-10-27 2003-09-02 Science Applications International Corporation Method for making a light-emitting panel
JP4334258B2 (ja) 2003-03-28 2009-09-30 三洋電機株式会社 表示装置
CN101740560B (zh) * 2003-04-01 2012-11-21 夏普株式会社 发光装置、背侧光照射装置、显示装置
JP4106003B2 (ja) 2003-09-03 2008-06-25 松下電器産業株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP4572312B2 (ja) * 2004-02-23 2010-11-04 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
CN100421268C (zh) * 2004-02-23 2008-09-24 斯坦雷电气株式会社 Led及其制造方法
EP1569276A1 (en) * 2004-02-27 2005-08-31 Heptagon OY Micro-optics on optoelectronics
JP2006038572A (ja) 2004-07-26 2006-02-09 Sharp Corp 反射型エンコーダおよびこの反射型エンコーダを用いた電子機器
JP5128047B2 (ja) 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
US7842957B2 (en) * 2007-03-08 2010-11-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte, Ltd. Optical transceiver with reduced height
JP2008300553A (ja) 2007-05-30 2008-12-11 I-Chiun Precision Industry Co Ltd 表面実装型発光ダイオードのフレーム組合せ部材の製造方法及びその構造
KR101360732B1 (ko) * 2007-06-27 2014-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
US8053800B2 (en) 2008-11-04 2011-11-08 Rohm Co., Ltd. Reflection-type photointerrupter
JP5327601B2 (ja) * 2008-12-12 2013-10-30 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
US20110024627A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Avago Technologies Ecbu (Singapore) Pte. Ltd. Proximity Sensor with Ceramic Housing and Light Barrier
TW201126114A (en) 2009-08-20 2011-08-01 Illumitex Inc System and method for a phosphor coated lens
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) * 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
DE102009042479A1 (de) * 2009-09-24 2011-03-31 Msg Lithoglas Ag Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem Bauelement auf einem Trägersubstrat und Anordnung sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbzeuges und Halbzeug
WO2011109442A2 (en) * 2010-03-02 2011-09-09 Oliver Steven D Led packaging with integrated optics and methods of manufacturing the same
US8742350B2 (en) * 2010-06-08 2014-06-03 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Proximity sensor
DE112011105155A5 (de) * 2011-04-15 2014-01-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung
WO2012155984A1 (de) * 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung von optoelektronischen vorrichtungen
US8497519B2 (en) * 2011-05-24 2013-07-30 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Batwing LED with remote phosphor configuration
SG191817A1 (en) * 2011-07-19 2013-08-30 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Opto -electronic modules and methods of manufacturing the same
JP6247633B2 (ja) * 2011-08-10 2017-12-13 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドＨｅｐｔａｇｏｎ Ｍｉｃｒｏ Ｏｐｔｉｃｓ Ｐｔｅ． Ｌｔｄ． 光電子モジュールおよびその製造方法
EP2795674B1 (en) * 2011-12-22 2021-12-15 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Opto-electronic modules, in particular flash modules, and method for manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0385749A (ja) * 1989-08-30 1991-04-10 New Japan Radio Co Ltd 光半導体装置
US20100207140A1 (en) * 2009-02-19 2010-08-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Compact molded led module

Also Published As

Publication number Publication date
KR102040995B1 (ko) 2019-11-05
US20140225147A1 (en) 2014-08-14
US9466769B2 (en) 2016-10-11
DE102011113483B4 (de) 2023-10-19
CN103797580B (zh) 2016-12-14
WO2013037556A1 (de) 2013-03-21
CN103797580A (zh) 2014-05-14
DE102011113483A1 (de) 2013-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102040995B1 (ko) 복수의 광전자 구성요소의 제조 방법 및 광전자 구성요소
US9671490B2 (en) Reduced stray radiation optoelectronic device
CN113167863B (zh) 光学传感器装置、设备和光学传感器装置的制造方法
KR101410569B1 (ko) 광전자 장치용 하우징 및 하우징 내의 광전자 장치의 배치
JP6347051B2 (ja) デバイス
KR101457069B1 (ko) 광학 근조도 센서
KR20120101374A (ko) 적층 리드리스 캐리어 패키지 및 그 제조방법
US9250123B2 (en) Method for assembling a circuit carrier with a housing component, and optical unit
US9679784B2 (en) Wafer-level packaged optical subassembly and transceiver module having same
JP2011523508A (ja) 半導体デバイス、反射型フォトインタラプタおよび反射型フォトインタラプタ用のハウジングを製造する方法
JP6046243B2 (ja) オプトエレクトロニクスデバイスおよびそのようなデバイスを有する装置
CN211045430U (zh) 器件
US20230341121A1 (en) Optical barrier using side fill and light source module including the same
KR20070113651A (ko) 수동 정렬된 광결합 장치 및 그 제작방법
KR102459822B1 (ko) 반도체 장치
CN110556368B (zh) 光电传感器及其制备方法
WO2010113912A1 (ja) 光通信モジュール
WO2023206974A1 (zh) 封装结构及其封装方法、光电装置、接收单元、激光雷达
JPH04252082A (ja) 光結合装置
US11616176B2 (en) Optoelectronic component with a housing body and an optical element both including a reflector
WO2024023225A1 (en) Sensor device, optoelectronic device and method for fabricating a sensor device
CN116299329A (zh) Tof传感器以及终端设备
JP2005051163A (ja) 光学ユニット
JP2016523415A (ja) 光検出モジュール及びその製造方法
JPH0917U (ja) 反射型フォトインタラプタ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant