JPH038137A - 光記憶体 - Google Patents
光記憶体Info
- Publication number
- JPH038137A JPH038137A JP1141009A JP14100989A JPH038137A JP H038137 A JPH038137 A JP H038137A JP 1141009 A JP1141009 A JP 1141009A JP 14100989 A JP14100989 A JP 14100989A JP H038137 A JPH038137 A JP H038137A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tempered glass
- glass substrate
- film
- optical memory
- corrosion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 15
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract 2
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 2
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- NBJBFKVCPBJQMR-APKOLTMOSA-N nff 1 Chemical compound C([C@H](NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@@H]1CCCN1C(=O)[C@H](CCCCN)NC(=O)[C@@H]1CCCN1C(=O)CC=1C2=CC=C(C=C2OC(=O)C=1)OC)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCCCNC=1C(=CC(=CC=1)[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)C(=O)NCC(O)=O)C1=CC=CC=C1 NBJBFKVCPBJQMR-APKOLTMOSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、音響機器または情報機器などに用いられる光
記憶体に関し、ざらに詳しくは強化ガラス基板を用いた
光記憶体に関する。
記憶体に関し、ざらに詳しくは強化ガラス基板を用いた
光記憶体に関する。
［従来の技術］
一般に、読み出し専用光ディスク（以下、光ＲＯＭと略
す）は高密度記録か可能であり、ＣＤ−ＲＯＭとしてコ
ンピュータシステムの読み出し専用外部メモリとして使
用されつつある。また、ＣＤ（コンパクトディスク）と
呼ばれる光記憶体は、低・高音部の再現性やＳＮ比が極
めて良好であることから、現在オーディオ用の記録媒体
の主流を占めている。
す）は高密度記録か可能であり、ＣＤ−ＲＯＭとしてコ
ンピュータシステムの読み出し専用外部メモリとして使
用されつつある。また、ＣＤ（コンパクトディスク）と
呼ばれる光記憶体は、低・高音部の再現性やＳＮ比が極
めて良好であることから、現在オーディオ用の記録媒体
の主流を占めている。
現在市販されている光ＲＯＭの基本的な構造は、ハード
コート層／ポリカーボネート樹脂基板／反則膜／保護樹
脂膜である。ポリカーボネート樹脂棋仮を用いた光ＲＯ
Ｍは、樹脂基板の水蒸気吸収による膨１司ヤ、吸収した
水分による反射膜の１次食の問題が指摘されている。
コート層／ポリカーボネート樹脂基板／反則膜／保護樹
脂膜である。ポリカーボネート樹脂棋仮を用いた光ＲＯ
Ｍは、樹脂基板の水蒸気吸収による膨１司ヤ、吸収した
水分による反射膜の１次食の問題が指摘されている。
最近では、ガラスの優れた耐食性を利用し、高信頼性・
高寿命を意図した強化ガラスを基板材料に採用した光Ｒ
ＯＭが公知例として報告されている（例えば、峠、松田
、南；窯業協会誌、第９５巻。
高寿命を意図した強化ガラスを基板材料に採用した光Ｒ
ＯＭが公知例として報告されている（例えば、峠、松田
、南；窯業協会誌、第９５巻。
１９８７年、第１８２）。強化ガラス基板の優位性は、
■樹脂基板に匹敵する耐衝撃性を有すること、■樹脂基
板に比較すると水蒸気の吸収量や拡散は無視できるほど
小さく、水分による劣化を防止できること、が挙げられ
る。
■樹脂基板に匹敵する耐衝撃性を有すること、■樹脂基
板に比較すると水蒸気の吸収量や拡散は無視できるほど
小さく、水分による劣化を防止できること、が挙げられ
る。
［発明か解決しようとする課題］
強化ガラスには全体で１０〜２０〜ｖｔ％ものアルカリ
金属やアルカリ土類金属か含まれている。アルカリ金属
やアルカリ土類金属は、−１般１こそのイオン半径か小
さいために、ガラス内の移動度か高く、ガラス中を容易
に拡散することか翔られている。また、大気中の酸素、
炭酸カス、水蒸気なとどの反応性も悼めで高く、耐食性
の而で信・預斗を損なう添加成分であると考えられる。
金属やアルカリ土類金属か含まれている。アルカリ金属
やアルカリ土類金属は、−１般１こそのイオン半径か小
さいために、ガラス内の移動度か高く、ガラス中を容易
に拡散することか翔られている。また、大気中の酸素、
炭酸カス、水蒸気なとどの反応性も悼めで高く、耐食性
の而で信・預斗を損なう添加成分であると考えられる。
実際に、酸化ナトリウム（Ｎａ２０）、酸化カリウム＜
３２０） 、ｕ化カルシウム（ＣａＯ）等は、その高い
拡散係数や雰囲気九ス分子との高い反応性に起因して、
炭酸ナトリウム（Ｎａ２Ｃ０３）や炭酸カリウム（Ｋ２
ＣＯ３）や炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）が強化ガラ
ス基板上に生成されることか観察されている。
３２０） 、ｕ化カルシウム（ＣａＯ）等は、その高い
拡散係数や雰囲気九ス分子との高い反応性に起因して、
炭酸ナトリウム（Ｎａ２Ｃ０３）や炭酸カリウム（Ｋ２
ＣＯ３）や炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）が強化ガラ
ス基板上に生成されることか観察されている。
このような炭酸塩の形成は、■基板の屈折率を変化させ
る、■体積膨張を伴うために、その部分で反射膜の剥離
を促す、などいくつかの相乗効果によって、光記憶体に
エラーを発生させる。従って強化ガラス基板を用いるこ
とによっで回持した耐食性あよひ信頼性の向上は達成さ
れていないというのか現状である。
る、■体積膨張を伴うために、その部分で反射膜の剥離
を促す、などいくつかの相乗効果によって、光記憶体に
エラーを発生させる。従って強化ガラス基板を用いるこ
とによっで回持した耐食性あよひ信頼性の向上は達成さ
れていないというのか現状である。
本発明の目的は、強化ガラス基板上に複数の薄膜からな
る多層構造を（ＩＲｌえた完配掠２体において、高信頼
性を有し、かつ長々♀の完配・巨体を提供することであ
る。
る多層構造を（ＩＲｌえた完配掠２体において、高信頼
性を有し、かつ長々♀の完配・巨体を提供することであ
る。
［課題を解決するための手段］
本発明は、強化ガラス基板上に扱ｌりの薄膜からなる多
層構造を備えた完配１、へ体において、強化ガラス基板
はｓ：、ｒ：、ｚｒ、 ［−＋ｆ、△？１５よＵＴａか
ら３Ｈばれる少なくとも１種類以下の元素を含む酸窒化
物（オキシナイトライ］〜物）よりなる防食層で被覆さ
れてなることを特徴とする完配′１．α体である。
層構造を備えた完配１、へ体において、強化ガラス基板
はｓ：、ｒ：、ｚｒ、 ［−＋ｆ、△？１５よＵＴａか
ら３Ｈばれる少なくとも１種類以下の元素を含む酸窒化
物（オキシナイトライ］〜物）よりなる防食層で被覆さ
れてなることを特徴とする完配′１．α体である。
［作用１
ＳｉＯＮ 、ＳｉＴ＋ｘＯ，Ｎ７，５１７ｒｘｙ
Ｏ，Ｎ２，５ｉＨｆｘＯｙＮ２，５ｉＡＮ、ＯｙＮ
、５ｉＴａｘＯ，ｙＮ２等の酸窒化物は、Ｓｉ Ｏ２と比較して耐アルカリ性、耐酸［生、耐水性が向上
することがすでに知られているか、強化ガラス基板の腐
食を防止する防食層として有効かどうかは知られていな
かった。本発明者は、防食性に関し鋭意・検討を加えた
結果、これらの酸窒化物か強化ガラスからのアルカリ金
属またはアルカリ土類金属の拡散を抑！ＩＪ Ｌ、ざら
に外部からの水蒸気の進入を抑制する作用を有し、強化
ガラス基板の耐食性を向上させる保護膜の１シバ］を果
たすことを見い出した。従って、強化ガラス基板をこの
酸窒化物で被覆すると、耐食性に優れた完配′慮体がｊ
ｑられる。
、５ｉＴａｘＯ，ｙＮ２等の酸窒化物は、Ｓｉ Ｏ２と比較して耐アルカリ性、耐酸［生、耐水性が向上
することがすでに知られているか、強化ガラス基板の腐
食を防止する防食層として有効かどうかは知られていな
かった。本発明者は、防食性に関し鋭意・検討を加えた
結果、これらの酸窒化物か強化ガラスからのアルカリ金
属またはアルカリ土類金属の拡散を抑！ＩＪ Ｌ、ざら
に外部からの水蒸気の進入を抑制する作用を有し、強化
ガラス基板の耐食性を向上させる保護膜の１シバ］を果
たすことを見い出した。従って、強化ガラス基板をこの
酸窒化物で被覆すると、耐食性に優れた完配′慮体がｊ
ｑられる。
［実施例１
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例１〜６
第１図は本発明の一実施例の部分断面図である。
強化ガラス基板１の両面には本発明の成分よりなる防食
層２ａ、 ２ｂが設けられ、該防食層２ａ上には、案内
溝と情報を書き込んだビットを設けたグループ層３が設
けられ、ざらに反射膜４、保護膜５およびラベル層６が
順次積層されている。
層２ａ、 ２ｂが設けられ、該防食層２ａ上には、案内
溝と情報を書き込んだビットを設けたグループ層３が設
けられ、ざらに反射膜４、保護膜５およびラベル層６が
順次積層されている。
以下に、上記の如く構成された完配・１急体の）す遣方
法を説明する。
法を説明する。
強化ガラス基板１の化学組成は、小串比で、Ｓ ｉ ０
２−１５ＮａＯ２−５ＣａＯ−１Ａｊ２０３−３．５〜
１ｇＯである。防食層２ａ上に設けたグルブ苦３には、
反応性スパッタによって成膜した５ｉ０２膜に直接ドラ
イエツチング法により溝を作製したドライエツチング５
ｉ０２１４１を用いた。
２−１５ＮａＯ２−５ＣａＯ−１Ａｊ２０３−３．５〜
１ｇＯである。防食層２ａ上に設けたグルブ苦３には、
反応性スパッタによって成膜した５ｉ０２膜に直接ドラ
イエツチング法により溝を作製したドライエツチング５
ｉ０２１４１を用いた。
トライエツチングＳｉＯ２膜３の膜厚は２００ ｎｍで
ある。反射膜４は、スパッタ法により成膜したＡｐ、
−ＣＵ−３ｉ合金膜（膜厚１５０ ｎｍ ）を使用した
。本発明の実施例では、比較的耐食性に劣るＡｌ −Ｃ
ｕ−３ｉ合金膜を用いたが、△ｕ、Ｐｔ。
ある。反射膜４は、スパッタ法により成膜したＡｐ、
−ＣＵ−３ｉ合金膜（膜厚１５０ ｎｍ ）を使用した
。本発明の実施例では、比較的耐食性に劣るＡｌ −Ｃ
ｕ−３ｉ合金膜を用いたが、△ｕ、Ｐｔ。
Ｐｄ等の貴金属膜も用いることかできる。反則摸側から
の腐食を抑えるための保護膜５は、反応性スパッタ法に
よって作製したＳｉ３Ｎ４膜（膜厚３００ ｎｍ ＞と
した。ラベル＠６は、紫外線硬化樹脂を用いており、そ
の厚さは２０珈である。以上述べてきた製造方法および
成膜条件は、後述する本発明による光ＲＯＭの実施例お
よび比較試料のすべでにおいて同一である。
の腐食を抑えるための保護膜５は、反応性スパッタ法に
よって作製したＳｉ３Ｎ４膜（膜厚３００ ｎｍ ＞と
した。ラベル＠６は、紫外線硬化樹脂を用いており、そ
の厚さは２０珈である。以上述べてきた製造方法および
成膜条件は、後述する本発明による光ＲＯＭの実施例お
よび比較試料のすべでにおいて同一である。
実施例］で１よ、強１ヒガラス基板］上に防食）ＨＹＨ
２ａ。
２ａ。
２１）として反［、と、斗スパツウ法によりＳ ： Ｏ
ｘ＼、１漠を各２００ ｎｆｆ１成膜した。酸素と窒素
の組成比は、０：Ｎ＝３：１とした。ターゲットは、５
１０２を用い、スパッタカスとしてＡｒ＋Ｎ２ （５０
％）を用いた。スパッタパワーは３００ Ｗ、カス圧は
１０ ｍｒｏｒｒの条件で行った。
ｘ＼、１漠を各２００ ｎｆｆ１成膜した。酸素と窒素
の組成比は、０：Ｎ＝３：１とした。ターゲットは、５
１０２を用い、スパッタカスとしてＡｒ＋Ｎ２ （５０
％）を用いた。スパッタパワーは３００ Ｗ、カス圧は
１０ ｍｒｏｒｒの条件で行った。
実施例２では、強化ガラス基板］上に防食ｆｆ１２ａ。
２ｂとして反応性スパッタ法により５ｉＺｒｘＯｙＮ７
膜を各２００ ｎｍ成膜した。酸素と窒素の組成比は、
Ｏ： Ｎ＝３ ： １とした。ターゲットは、７ｒＯ２
（Ｙ２０３ ：３ ｍｏ１％）上に５１０２の扇形のチ
ップをおいたものを用い、スパッタカスとしてＡｒ＋Ｎ
２ （５０％）を用いた。Ｚｒと３ｉの組成比ｃ、ｔ７
ｒ：５ｉ＝１：５とし、り〜ゲラ１〜の面積比で刊伶口
した。スパッタパワーは３００〜Ｖ、カス圧は１０…ｒ
ｏｒｒの条件で行った。
膜を各２００ ｎｍ成膜した。酸素と窒素の組成比は、
Ｏ： Ｎ＝３ ： １とした。ターゲットは、７ｒＯ２
（Ｙ２０３ ：３ ｍｏ１％）上に５１０２の扇形のチ
ップをおいたものを用い、スパッタカスとしてＡｒ＋Ｎ
２ （５０％）を用いた。Ｚｒと３ｉの組成比ｃ、ｔ７
ｒ：５ｉ＝１：５とし、り〜ゲラ１〜の面積比で刊伶口
した。スパッタパワーは３００〜Ｖ、カス圧は１０…ｒ
ｏｒｒの条件で行った。
実施例３では、強化ガラス基板１上に防食層２ａ。
２ｂとして反応性スパッタ法によりＳ ｉ Ａｆ！、
Ｏ。
Ｏ。
＼７模を各２００ ｎｍ成膜した。酸素と窒素の組成比
は、○：１＼−３：１とした。ターゲットは、ＡＲ２０
３上にＳｉＯ２の扇形のチップをあ゛いたものを用い、
スパッタカスとして△ｒ＋Ｎ２（５０％）を用いた。八
でと８１の組成比はＡ４２：５ｉ＝１ ：４とし、ター
ゲラ１〜の面積比で制１ｌｉ１１ｊシた。スパッタパワ
ーは３００Ｗ、カスｆ王は１０ ｍ７ｏｒｒの条１１で
行った。
は、○：１＼−３：１とした。ターゲットは、ＡＲ２０
３上にＳｉＯ２の扇形のチップをあ゛いたものを用い、
スパッタカスとして△ｒ＋Ｎ２（５０％）を用いた。八
でと８１の組成比はＡ４２：５ｉ＝１ ：４とし、ター
ゲラ１〜の面積比で制１ｌｉ１１ｊシた。スパッタパワ
ーは３００Ｗ、カスｆ王は１０ ｍ７ｏｒｒの条１１で
行った。
実施例４ては、強化ガラス基板１上に防食層２ ａ 。
２ｂとして反応性スパッタ法により３ｉｌａ工０７Ｎｚ
ＶＡを各２００ ｎｍ成膜した。酸素と窒素の組成比は
、０：Ｎ＝３：１とした。ターゲットは、Ｔａ２０５上
に３ｉ０２の扇形のチップをあいたものを用い、スパッ
タカスとしてＡｒ＋Ｎ２（５０％）を用いた。Ｔａと３
ｉの組成比はＴａ：５ｉ＝１：４とし、ターゲットの面
積比で制御した。スパッタパワーは３００〜■、ノｊス
圧はｉｏ ｍｒｏｒｒの条件で行った。
ＶＡを各２００ ｎｍ成膜した。酸素と窒素の組成比は
、０：Ｎ＝３：１とした。ターゲットは、Ｔａ２０５上
に３ｉ０２の扇形のチップをあいたものを用い、スパッ
タカスとしてＡｒ＋Ｎ２（５０％）を用いた。Ｔａと３
ｉの組成比はＴａ：５ｉ＝１：４とし、ターゲットの面
積比で制御した。スパッタパワーは３００〜■、ノｊス
圧はｉｏ ｍｒｏｒｒの条件で行った。
実施例５では、強化ガラス基板１上に防食層２ａ。
２ｂとして反応性スパッタ法により５ｉＴｉ、０ｙＮ７
膜を各２００ ｎｍ成膜した。酸素と窒素の組成比は、
Ｏ：Ｎ＝３：１とした。ターゲットは、Ｔ”ｉｏ２七に
５ｉ０２の扇形のチップをおいたものを用い、スパッタ
カスとしてＡｒ十Ｎ２ （５０９も）８用いた。ｌｉ
と３ｉの組成比は工１；Ｓ−１：４とし、ターゲットの
面積比て制ｄ口した。
膜を各２００ ｎｍ成膜した。酸素と窒素の組成比は、
Ｏ：Ｎ＝３：１とした。ターゲットは、Ｔ”ｉｏ２七に
５ｉ０２の扇形のチップをおいたものを用い、スパッタ
カスとしてＡｒ十Ｎ２ （５０９も）８用いた。ｌｉ
と３ｉの組成比は工１；Ｓ−１：４とし、ターゲットの
面積比て制ｄ口した。
スパッタパワーは３００Ｗ、カス圧は１０ ｍｒｏｒｒ
の条件で行った。
の条件で行った。
実施例６では、強化ガラス基板１上に防食層２ａ。
２ｂとして反応性スパッタ法により５ＩＨｆｘＯｙ・＼
７膜を各２００ ｎｍ成膜した。酸素と窒素の組成比は
、０：Ｎ＝３：１とした。ターゲットは、ＨｆＯ２上に
Ｓ ｉ ０２の扇形のチップをあいたものを用い、スパ
ッタカスとしてＡｒ＋Ｎ２ （５０％）を用いた。１−
１ｆと３ｉの組成比はＨｆ：Ｓ−１：４とし、ターゲッ
トの面積比で制御した。
７膜を各２００ ｎｍ成膜した。酸素と窒素の組成比は
、０：Ｎ＝３：１とした。ターゲットは、ＨｆＯ２上に
Ｓ ｉ ０２の扇形のチップをあいたものを用い、スパ
ッタカスとしてＡｒ＋Ｎ２ （５０％）を用いた。１−
１ｆと３ｉの組成比はＨｆ：Ｓ−１：４とし、ターゲッ
トの面積比で制御した。
スパッタパワーは３００Ｗ 、ガス圧は１０ ｍＴｏｒ
ｒの条件で行った。
ｒの条件で行った。
なお、上記の各実施例では、成膜法としてスパッタ法を
採用したが、蒸着法、イオンブレーティング法、クラス
ターイオンヒーム法、プラズマ化学気相法（ＰＣＶＤ＞
、ゾル−グル法なとの成膜方法を適用することもできる
。
採用したが、蒸着法、イオンブレーティング法、クラス
ターイオンヒーム法、プラズマ化学気相法（ＰＣＶＤ＞
、ゾル−グル法なとの成膜方法を適用することもできる
。
比較のために作製した試料は防食層２ａ、２ｂを設けな
い点を除けば、実施例の光ＲＯＭと全く同様にして作製
した。
い点を除けば、実施例の光ＲＯＭと全く同様にして作製
した。
各実施例で作製した光記憶体および比較試料の光記憶体
を温度１２０°Ｃ１相対湿喰９０９’ｃのプレッシャー
クツカー耐候性試験装置内に１９２時間保持した後に、
干渉顕微鏡による腐食や剥離の欣察とエラーテスターに
よるブロックエラーレート測定を行った。
を温度１２０°Ｃ１相対湿喰９０９’ｃのプレッシャー
クツカー耐候性試験装置内に１９２時間保持した後に、
干渉顕微鏡による腐食や剥離の欣察とエラーテスターに
よるブロックエラーレート測定を行った。
その結果、比較試料は強化ガラス基板とグループ層の界
面に剥離が発生し、剥離部を起点として反ｌ１１１＝Ｊ
膜の腐食が進行していたのに対し、本発明による各実施
例では、干渉顕微鏡で観察できるレベルの剥離や腐食の
発生は全く認められなかった。
面に剥離が発生し、剥離部を起点として反ｌ１１１＝Ｊ
膜の腐食が進行していたのに対し、本発明による各実施
例では、干渉顕微鏡で観察できるレベルの剥離や腐食の
発生は全く認められなかった。
またブロックエラーレート測定では、プレッシャクツカ
ー耐候性試験前はＯ〜１０飼／秒であったのに対し、試
験後は比較試料では２００〜８００個７７′秒で必り、
用字値以上にヒツトエラー教か増１ｊ１１しているのに
対し、各実施例ではピットエラーレートの増ｈ口は認め
られなかった。
ー耐候性試験前はＯ〜１０飼／秒であったのに対し、試
験後は比較試料では２００〜８００個７７′秒で必り、
用字値以上にヒツトエラー教か増１ｊ１１しているのに
対し、各実施例ではピットエラーレートの増ｈ口は認め
られなかった。
なお本発明の防食層は、強化ガラス基板を用いた追ｈＯ
書き込み可能光ディスク（ＤＲＡＷ）、または出き換え
可１ヒ光磁気ディスクおよび相変化型光ディスクにも有
効なことは明らかである。
書き込み可能光ディスク（ＤＲＡＷ）、または出き換え
可１ヒ光磁気ディスクおよび相変化型光ディスクにも有
効なことは明らかである。
［発明の効果１
以上説明したように、本発明によれば強化ガラス基板を
用いた完配１意体の耐候［生か向上し、高信頼性、かつ
長寿命の光記憶体か提供される。
用いた完配１意体の耐候［生か向上し、高信頼性、かつ
長寿命の光記憶体か提供される。
第１図は本発明の一実施例の部分断面図て必る。
Claims (1)
- （１）強化ガラス基板上に複数の薄膜からなる多層構造
を備えた光記憶体において、強化ガラス基板はＳｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、ＡｌおよびＴａから選ばれる少なくと
も１種類以上の元素を含む酸窒化物よりなる防食層で被
覆されてなることを特徴とする光記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141009A JP2707726B2 (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 光記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141009A JP2707726B2 (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 光記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038137A true JPH038137A (ja) | 1991-01-16 |
| JP2707726B2 JP2707726B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=15282069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1141009A Expired - Lifetime JP2707726B2 (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 光記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2707726B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5464683A (en) * | 1991-12-13 | 1995-11-07 | Balzers Aktiengesellschaft | Coated transparent substrate |
| US7494700B2 (en) | 2004-03-03 | 2009-02-24 | Nec Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
| CN106007393A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-10-12 | 济南大学 | 一种液态自清洁玻璃膜、自清洁玻璃的制备方法及所得产品 |
| CN106082608A (zh) * | 2016-08-17 | 2016-11-09 | 四川科伦药业股份有限公司 | 焊环机 |
| CN106116143A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-11-16 | 成都光明光电股份有限公司 | 光学玻璃 |
| CN106145671A (zh) * | 2016-08-08 | 2016-11-23 | 太仓市双凤镇薄彩工艺品厂 | 一种材质细腻琉璃的制备方法 |
| CN106277773A (zh) * | 2016-08-23 | 2017-01-04 | 太仓市双凤镇薄彩工艺品厂 | 钢化平面琉璃及其制作方法 |
| CN106277775A (zh) * | 2016-08-23 | 2017-01-04 | 太仓市双凤镇薄彩工艺品厂 | 一种含有三氧化二铋的低熔点琉璃及其制造方法 |
| CN107188424A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-09-22 | 太仓市双凤镇薄彩工艺品厂 | 一种脆性低的琉璃 |
| CN107216033A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-09-29 | 太仓市双凤镇薄彩工艺品厂 | 一种鲜红色的琉璃 |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP1141009A patent/JP2707726B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5464683A (en) * | 1991-12-13 | 1995-11-07 | Balzers Aktiengesellschaft | Coated transparent substrate |
| US5473468A (en) * | 1991-12-13 | 1995-12-05 | Balzers Aktiengesellschaft | Coated transparent substrate |
| US7494700B2 (en) | 2004-03-03 | 2009-02-24 | Nec Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
| CN106007393A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-10-12 | 济南大学 | 一种液态自清洁玻璃膜、自清洁玻璃的制备方法及所得产品 |
| CN106116143A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-11-16 | 成都光明光电股份有限公司 | 光学玻璃 |
| CN106145671A (zh) * | 2016-08-08 | 2016-11-23 | 太仓市双凤镇薄彩工艺品厂 | 一种材质细腻琉璃的制备方法 |
| CN106082608A (zh) * | 2016-08-17 | 2016-11-09 | 四川科伦药业股份有限公司 | 焊环机 |
| CN106277773A (zh) * | 2016-08-23 | 2017-01-04 | 太仓市双凤镇薄彩工艺品厂 | 钢化平面琉璃及其制作方法 |
| CN106277775A (zh) * | 2016-08-23 | 2017-01-04 | 太仓市双凤镇薄彩工艺品厂 | 一种含有三氧化二铋的低熔点琉璃及其制造方法 |
| CN107188424A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-09-22 | 太仓市双凤镇薄彩工艺品厂 | 一种脆性低的琉璃 |
| CN107216033A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-09-29 | 太仓市双凤镇薄彩工艺品厂 | 一种鲜红色的琉璃 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2707726B2 (ja) | 1998-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5328813A (en) | Method for the preparation of optical recording media containing overcoat | |
| JPH038137A (ja) | 光記憶体 | |
| US5796708A (en) | Optical recording medium and recording system | |
| JPH03183037A (ja) | 光記憶体 | |
| JP2707725B2 (ja) | 光記憶体 | |
| US6649241B2 (en) | Phase-change optical disk | |
| JPH0233741A (ja) | 光記憶体およびその製造方法 | |
| JP2002542563A (ja) | 光記録媒体及びその使用方法 | |
| US8133565B2 (en) | Recording medium | |
| JPH03104038A (ja) | 光ディスク用保護層の形成方法 | |
| JP2000067466A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2509561B2 (ja) | 光ディスク | |
| JP2765077B2 (ja) | 光記憶体 | |
| JP2559432B2 (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPH04332938A (ja) | 光磁気ディスク | |
| JP2699690B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP2951335B2 (ja) | 光ディスクおよびその製造方法 | |
| JP2520799B2 (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2597630B2 (ja) | 光メモリ媒体 | |
| JP2000215513A (ja) | 光記録媒体及び光記録装置 | |
| JPH0191337A (ja) | 光記録材料 | |
| JPH02310834A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH02294955A (ja) | 光磁気ディスク | |
| JPH05159367A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2886883B2 (ja) | 光デイスク |