JPH04332938A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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- JPH04332938A JPH04332938A JP10137791A JP10137791A JPH04332938A JP H04332938 A JPH04332938 A JP H04332938A JP 10137791 A JP10137791 A JP 10137791A JP 10137791 A JP10137791 A JP 10137791A JP H04332938 A JPH04332938 A JP H04332938A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐擦傷性及び耐候性を
有し、かつ、埃の付着等によるノイズの発生がない光磁
気ディスクに関する。
有し、かつ、埃の付着等によるノイズの発生がない光磁
気ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大容量で書き換え可能な光磁気デ
ィスクが、情報処理システムを中心に実用化されている
。光磁気ディスクの構造例を第１図に示した。透明性樹
脂基板２のグル−ブ面側に誘電体層３、光磁気記録層４
、誘電体層５、反射膜層６がスパッタ法等により形成さ
れ、保護層７はスピンコート等により形成される。
ィスクが、情報処理システムを中心に実用化されている
。光磁気ディスクの構造例を第１図に示した。透明性樹
脂基板２のグル−ブ面側に誘電体層３、光磁気記録層４
、誘電体層５、反射膜層６がスパッタ法等により形成さ
れ、保護層７はスピンコート等により形成される。
【０００３】透明性樹脂基板２としては、一般にポリカ
−ボネイト基板（略してＰＣ基板）が多く用いられてい
るが、湿気や酸素の透過性が高くまた軟らかく傷つき易
いなどの欠点があるため、通常第１図に示したようにレ
ーザー光入射面側へハ−ドコ−トと呼ばれる保護層１が
設けられるようになってきている。
−ボネイト基板（略してＰＣ基板）が多く用いられてい
るが、湿気や酸素の透過性が高くまた軟らかく傷つき易
いなどの欠点があるため、通常第１図に示したようにレ
ーザー光入射面側へハ−ドコ−トと呼ばれる保護層１が
設けられるようになってきている。
【０００４】ハ−ドコ−トの形成法としては、有機系樹
脂をスピンコ−ト法等で設けるのが一般的であるが、一
部スパッタ法等による無機系材料も検討されている。し
かしながら、最近、エラ−率をより低くする為に、ハ−
ドコ−ト層の帯電による埃の付着により起こるノイズが
問題視され、ハ−ドコ−ト層の導電性が大きな問題点と
なっている。
脂をスピンコ−ト法等で設けるのが一般的であるが、一
部スパッタ法等による無機系材料も検討されている。し
かしながら、最近、エラ−率をより低くする為に、ハ−
ドコ−ト層の帯電による埃の付着により起こるノイズが
問題視され、ハ−ドコ−ト層の導電性が大きな問題点と
なっている。
【０００５】この問題点を解決するために、特開平１−
１５８６４３号公報には、導電性に優れた樹脂や無機物
を形成させる方法が開示されている。
１５８６４３号公報には、導電性に優れた樹脂や無機物
を形成させる方法が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
開された技術では以下の点で不十分である。 ■導電性樹脂は、有機物であるために、硬さが不十分で
あって、耐擦傷性に難点がある。 ■導電性に優れた無機物として例示されているＳｎＯ２
、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｃｄ２
ＳｎＯ４は、変質しやすく、膜が緻密でないことから、
耐擦傷性・耐候性に難点がある。
開された技術では以下の点で不十分である。 ■導電性樹脂は、有機物であるために、硬さが不十分で
あって、耐擦傷性に難点がある。 ■導電性に優れた無機物として例示されているＳｎＯ２
、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｃｄ２
ＳｎＯ４は、変質しやすく、膜が緻密でないことから、
耐擦傷性・耐候性に難点がある。
【０００７】本発明が解決しようとする課題は、このよ
うな従来技術の問題点を解消し、耐擦傷性及び耐候性を
有し、かつ、導電性にも優れた光磁気ディスクを提供す
ることにある。
うな従来技術の問題点を解消し、耐擦傷性及び耐候性を
有し、かつ、導電性にも優れた光磁気ディスクを提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、レ−ザ−光入射面に透明で、かつ表面抵抗
が１０１１Ω／□以下の無機系酸化物保護膜を有するこ
とを特徴とする光磁気ディスクを提供する。
するために、レ−ザ−光入射面に透明で、かつ表面抵抗
が１０１１Ω／□以下の無機系酸化物保護膜を有するこ
とを特徴とする光磁気ディスクを提供する。
【０００９】本発明の光磁気ディスクは、例えば、次の
方法によって製造できる。
方法によって製造できる。
【００１０】即ち、透明性樹脂基板２のグル−ブ面側に
、周知の方法により、誘電体層３、光磁気記録層４、誘
電体層５、反射膜層６を順次スパッタ法により形成し、
保護層７を、スピンコートにより形成された透明性樹脂
基板のレーザー光入射面側に、（１）非化学量論組成無
機系酸化物膜、又は（２）ドーパントとして周期律表の
ＩＩＩ族及びＶ族から成る群から選ばれる元素を含有す
る非化学量論組成無機系酸化物膜をスパッタ法等の物理
成膜法により設けることにより、導電性があり、かつ耐
擦傷性に優れた光磁気ディスクを製造できる。
、周知の方法により、誘電体層３、光磁気記録層４、誘
電体層５、反射膜層６を順次スパッタ法により形成し、
保護層７を、スピンコートにより形成された透明性樹脂
基板のレーザー光入射面側に、（１）非化学量論組成無
機系酸化物膜、又は（２）ドーパントとして周期律表の
ＩＩＩ族及びＶ族から成る群から選ばれる元素を含有す
る非化学量論組成無機系酸化物膜をスパッタ法等の物理
成膜法により設けることにより、導電性があり、かつ耐
擦傷性に優れた光磁気ディスクを製造できる。
【００１１】非化学量論組成無機系酸化物膜を構成する
無機系酸化物としては、例えば、ＳｉＯｘ、ＴｉＯｘ、
ＡｌＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｒＯｘ（ｘは非整数値）などが
挙げられる。ド−パント含有非化学量論組成無機系酸化
物膜は、上記膜中に、更にド−パントとして、周期律表
のＩＩＩ族（例えば、ホウ素）及びＶ族（例えば、リン
）から成る群から選ばれる元素を、１，０００ｐｐｍ以
下含有させたものであり、膜の機械特性を保ったまま導
電性を向上させたものである。
無機系酸化物としては、例えば、ＳｉＯｘ、ＴｉＯｘ、
ＡｌＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｒＯｘ（ｘは非整数値）などが
挙げられる。ド−パント含有非化学量論組成無機系酸化
物膜は、上記膜中に、更にド−パントとして、周期律表
のＩＩＩ族（例えば、ホウ素）及びＶ族（例えば、リン
）から成る群から選ばれる元素を、１，０００ｐｐｍ以
下含有させたものであり、膜の機械特性を保ったまま導
電性を向上させたものである。
【００１２】ＳｉＯｘ、ＴｉＯｘ等から成る非化学量論
組成無機系酸化物膜又はこれらの無機系酸化物膜にＩＩ
Ｉ族及びＶ族から成る群から選ばれる元素をド−プして
得られた無機系酸化物膜は、膜質が緻密なものができ易
く、また、化学的な安定性にも優れるので、耐擦傷性、
耐候性にも優れる。
組成無機系酸化物膜又はこれらの無機系酸化物膜にＩＩ
Ｉ族及びＶ族から成る群から選ばれる元素をド−プして
得られた無機系酸化物膜は、膜質が緻密なものができ易
く、また、化学的な安定性にも優れるので、耐擦傷性、
耐候性にも優れる。
【００１３】また、ＳｉＯｘ、ＴｉＯｘ等から成る非化
学量論組成無機系酸化物膜は、非化学量論組成であるの
で、それ自体でも導電性に優れるが、ＩＩＩ族、Ｖ族の
ド−パントを加えることによりさらに導電性を上げるこ
とが可能である。
学量論組成無機系酸化物膜は、非化学量論組成であるの
で、それ自体でも導電性に優れるが、ＩＩＩ族、Ｖ族の
ド−パントを加えることによりさらに導電性を上げるこ
とが可能である。
【００１４】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
【００１５】（実施例１）Ｓｉターゲットを用い、Ａｒ
＋Ｏ２ガス中で、高周波反応スパッタ法によりＳｉＯｘ
の膜をＰＣ基板のレ−ザ−光入射面に１００ｎｍの厚さ
に形成した。
＋Ｏ２ガス中で、高周波反応スパッタ法によりＳｉＯｘ
の膜をＰＣ基板のレ−ザ−光入射面に１００ｎｍの厚さ
に形成した。
【００１６】次に、得られたＳｉＯｘ膜を有する基板を
８０℃、８０％ＲＨの恒温恒湿器に２，０００時間保存
した後、表面抵抗率及び膜の安定性を調べ、その結果を
第１表に示した。
８０℃、８０％ＲＨの恒温恒湿器に２，０００時間保存
した後、表面抵抗率及び膜の安定性を調べ、その結果を
第１表に示した。
【００１７】（実施例２）実施例１において、Ｓｉター
ゲットに代えて、ＢドープＳｉターゲットを用いた以外
は、実施例１と同様にして膜を作製し、実施例１と同一
の試験を行ない、その結果を第１表に示した。
ゲットに代えて、ＢドープＳｉターゲットを用いた以外
は、実施例１と同様にして膜を作製し、実施例１と同一
の試験を行ない、その結果を第１表に示した。
【００１８】（比較例１）Ａｒ＋Ｏ２ガス中で、高周波
スパッタ法によりＳｎＯｘの膜をＰＣ基板のレ−ザ−光
入射面に１００ｎｍの厚さに形成した。
スパッタ法によりＳｎＯｘの膜をＰＣ基板のレ−ザ−光
入射面に１００ｎｍの厚さに形成した。
【００１９】次に、得られたＳｎＯｘ膜を有する基板に
ついて、実施例１と同一の試験を行ない、その結果を第
１表に示した。
ついて、実施例１と同一の試験を行ない、その結果を第
１表に示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】（実施例３）ＰＣ基板のグル−ブ面に、周
知の方法により、ＳｉＮ、ＴｂＦｅＣｏ、ＳｉＮ、Ａｌ
の膜を順次形成した後、Ｔｉターゲット用い、Ａｒ＋Ｏ
２ガス中で高周波反応スパッタ法によりＴｉＯｘ膜をレ
−ザ−光入射面に、１００ｎｍの厚さに形成した。
知の方法により、ＳｉＮ、ＴｂＦｅＣｏ、ＳｉＮ、Ａｌ
の膜を順次形成した後、Ｔｉターゲット用い、Ａｒ＋Ｏ
２ガス中で高周波反応スパッタ法によりＴｉＯｘ膜をレ
−ザ−光入射面に、１００ｎｍの厚さに形成した。
【００２２】次に、得られたＴｉＯｘ膜を有する基板を
用い、サーティファイヤーで全面にわたりエラー率を調
べた後、取り出す操作を繰り返す試験を行い、その回数
とエラー率の相関を調べ、その結果を第２図に示した。
用い、サーティファイヤーで全面にわたりエラー率を調
べた後、取り出す操作を繰り返す試験を行い、その回数
とエラー率の相関を調べ、その結果を第２図に示した。
【００２３】（実施例４）実施例３において、Ｔｉター
ゲットに代えて、ＢドープＴｉターゲットを用いた以外
は、実施例３と同様にして膜を作製し、実施例３と同一
の試験を行ない、その結果を第２図に示した。
ゲットに代えて、ＢドープＴｉターゲットを用いた以外
は、実施例３と同様にして膜を作製し、実施例３と同一
の試験を行ない、その結果を第２図に示した。
【００２４】（比較例２）ＰＣ基板のグル−ブ面に、周
知の方法により、ＳｉＮ、ＴｂＦｅＣｏ、ＳｉＮ、Ａｌ
の膜を順次形成した後、レ−ザ−光入射面に、市販の帯
電防止剤（大八化学社製「ＳｉコートＴ２」）をスピン
コ−タ−により乾燥塗膜厚が４μｍと成るように塗布・
乾燥させ手保護膜を形成した。
知の方法により、ＳｉＮ、ＴｂＦｅＣｏ、ＳｉＮ、Ａｌ
の膜を順次形成した後、レ−ザ−光入射面に、市販の帯
電防止剤（大八化学社製「ＳｉコートＴ２」）をスピン
コ−タ−により乾燥塗膜厚が４μｍと成るように塗布・
乾燥させ手保護膜を形成した。
【００２５】次に、得られた帯電防止剤層を有する基板
について、実施例３と同一の試験を行ない、その結果を
第２図に示した。
について、実施例３と同一の試験を行ない、その結果を
第２図に示した。
【００２６】
【発明の効果】本発明の光磁気ディスクは、基板のレ−
ザ−光入射面に透明性導電膜を有するので、基板の耐擦
傷性及び耐候性を向上させ、かつ基板の帯電による埃の
付着を防止し、エラ−率の劣化を防ぎ、長期に安定に使
用することができる。
ザ−光入射面に透明性導電膜を有するので、基板の耐擦
傷性及び耐候性を向上させ、かつ基板の帯電による埃の
付着を防止し、エラ−率の劣化を防ぎ、長期に安定に使
用することができる。
【図１】第１図は、光磁気ディスクの層構成の例を示し
た断面図である。
た断面図である。
【図２】第２図は、実施例３、４及び比較例２で得た光
磁気ディスクのエラ−率の経時変化を示す図表である。
磁気ディスクのエラ−率の経時変化を示す図表である。
１ 保護層
２ 透明性樹脂基板
３ 誘電体層
４ 光磁気記録層
５ 誘電体層
６ 反射膜層
７ 保護層
□ 実施例３で得た光磁気ディスク
○ 実施例４で得た光磁気ディスク
△ 比較例２で得た光磁気ディスク
Claims (2)
- 【請求項１】 レ−ザ−光入射面に透明で、かつ表面
抵抗が１０１１Ω／□以下の無機系酸化物保護膜を有す
ることを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項２】 無機系酸化物保護膜がド−パントとし
て周期律表のＩＩＩ族及びＶ族から成る群から選ばれる
元素を１，０００ｐｐｍ以下含有することを特徴とする
請求項１記載の光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10137791A JPH04332938A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10137791A JPH04332938A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04332938A true JPH04332938A (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=14299112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10137791A Pending JPH04332938A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04332938A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496727B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2005-06-22 | 제이엠아이 주식회사 | 대전방지 및 보호기능을 갖는 광디스크 |
| JP2011232569A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
| JP2012032690A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-05-07 JP JP10137791A patent/JPH04332938A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496727B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2005-06-22 | 제이엠아이 주식회사 | 대전방지 및 보호기능을 갖는 광디스크 |
| JP2011232569A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
| JP2012032690A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
| US8789944B2 (en) | 2010-08-02 | 2014-07-29 | Hoya Lens Manufacturing Philippines Inc. | Optical article and optical article production method |
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