JP2811743B2 - 光記憶体 - Google Patents

光記憶体

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JP2811743B2
JP2811743B2 JP1115413A JP11541389A JP2811743B2 JP 2811743 B2 JP2811743 B2 JP 2811743B2 JP 1115413 A JP1115413 A JP 1115413A JP 11541389 A JP11541389 A JP 11541389A JP 2811743 B2 JP2811743 B2 JP 2811743B2
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optical memory
film
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reflective film
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弘高 山口
均 横田
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は音響機器やコンピュータの周辺機器などに用
いられる光記憶体に関する。
（従来の技術） 近年、光記憶体の一つであるコンパクトディスク（以
下、CDと略す。）が広く普及している。このCDの応用技
術として、CDにコンピュータデータを記録したCD−ROM
が普及し始めており、これらの記憶体に対して従来にも
増して、高温・高湿下での保存性の高いものが望まれて
いる。
（発明が解決しようとする課題） 従来、光記憶体は、ガラスやポリカーボネート樹脂等
からなる下地体上に、アルミニウムや金等からなる反射
膜が形成され、その反射膜上に樹脂等の保護膜が被覆さ
れた物で構成されている。このような従来の光記憶体を
高温・高湿の環境下においた場合、反射膜材料がアルミ
ニウムの場合は腐食が生じ、また金の場合は下地体から
剥離する。反射膜がこのように変化すると、信号読み取
りの指標とされるエラーレートが増加し、上記に記した
ニーズに適応できないとう問題があった。
本発明は以上述べたような従来の事情に対処してなさ
れたもので、金の反射膜の優れた耐腐食性を保つと同時
に金の反射膜の下地体への密着性を向上させることによ
り、耐候性を高めた光記憶体を提供することを目的とす
る。
（課題を解決するための手段） 本発明は、反射率が70％以上の再生専用光記憶体にお
いて、下地体と、前記下地体上に被覆された金と少なく
ともタンタルを０原子％を超えて25原子％以内含み、か
つレニウムを含まない反射膜とからなることを特徴とす
る光記憶体。タンタルの含有量が限定されるのは、この
範囲内においてCDの規格である70％の反射率が確保され
るためである。
本発明の光記憶体は、例えば次のように作製される。
まず、この下地体としては、例えば強化ガラスに酸化
珪素や酸化チタンや窒化珪素などを被覆したもの、石英
ガラス、ゾルゲル膜被覆ガラス、ポリオレフィン樹脂、
アクリル樹脂、弗素樹脂、ポリカーボネート樹脂などが
用いられる。
次に、上記下地体の上に、反射膜として、金と少なく
ともタンタルを０原子％を越えて25原子％以内含む材料
を高周波マグネトロンスパッタ法、イオンプレーティン
グ法、プラズマCVD法、真空蒸着法等により10〜500nmの
膜厚で被覆する。
さらに、必要に応じて上記反射膜上に各種酸化物や窒
化物や樹脂等からなる保護膜を形成することにより、本
発明の光記憶体が得られる。
（作用） 金と少なくともタンタルを０原子％を越えて25原子％
以内含む反射膜は、下地体及び保護膜に対して強い密着
力を有すると共に、耐腐食性にも優れている。このた
め、下地体から反射膜が剥離することや反射膜から保護
膜が剥離することがなく、高い信頼性を有する光記憶体
が得られる。
（実施例） 以下に表及び図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
第１表に示す材質の下地体上に、第１表に示す組成の
反射膜を、スパッタリング法でそれぞれ第１表に示す膜
厚で形成した。次いで、その反射膜上に第１表に示す材
質の保護膜を形成して５個の光記憶体を作製した。
第１図は以上のようにして作製した光記憶体の一実施
例を示す部分断面図である。図中、１は下地体、２は反
射膜、３は保護膜である。
次に、これらの試料、アルミニウムを反射膜とする従
来品Ａ、金を反射膜とする従来品Ｂについて、温度80
℃、相対湿度90％の耐環境性試験を１ヶ月間行い、信号
の良否の指標となるエラーレートを測定した。その結果
を第２表に示す。
第２表に示すように、初期においてはいずれの試料も
エラーレートは５×10-5であるが、１ヶ月間の耐環境性
試験後、本発明の試料のエラーレートは多少の劣化がみ
れるものの従来品とは比較にならないほど良好であっ
た。
（発明の効果） 以上、詳細に述べたように、本発明の光記憶体は、金
に少なくともタンタルを０原子％を越えて25原子％以内
含む材料を反射膜として形成するによって、その反射膜
と下地体との密着性及びその反射膜と保護膜との密着性
が高められると共に、耐腐食性にも優れており、従来品
よりはるかに高い信頼性を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光記憶体の一実施例を示す部分断面図
である。 １……下地体、２……反射膜、３……保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24 C23C 24/00 - 30/00 C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/00 - 16/56

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】反射率が70％以上の再生専用光記憶体にお
    いて、下地体と、前記下地体上に被覆された金と少なく
    ともタンタルを０原子％を超えて25原子％以内含み、か
    つレニウムを含まない反射膜とからなることを特徴とす
    る光記憶体。
JP1115413A 1989-05-08 1989-05-08 光記憶体 Expired - Lifetime JP2811743B2 (ja)

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JPH02294953A JPH02294953A (ja) 1990-12-05
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2507592B2 (ja) * 1989-04-26 1996-06-12 帝人株式会社 光記録媒体

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JPH02294953A (ja) 1990-12-05

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