JPH0298836A - 光記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は音響機器等に用いられる光記憶体に関する。

［従来の技術］ 近年、光記憶体の１つであるコンパクトディスク（以下
、ＣＤと略す〉が広く治及し、また、このＣＤの応用技
術として、ＣＤにコンピュータデータを記録したＣＤ−
ＲＯＭが普及し始めており、これらの記憶体に対し、従
来にも増して、高温・高湿下での保存性の高いものが望
まれている。

［発明が解決しようとする課題］ 従来、光記憶体は、ガラス、ポリカーボネート樹脂等か
らなる下地体上に、アルミニウムや金等からなる反射膜
が直接形成されたもので構成されているが、かかる光記
憶体を高温・高湿の環境下においた場合、反射膜材料が
アルミニウムの場合は腐食が生じ、また金の場合は下地
体から剥離して信号読み取りの指標とされるエラーレ−
１・が増加し、上記に記したニーズに適応できないとい
う問題があった。

本発明は、以上述べたような従来の事情に対処してなさ
れたもので、金の反射膜の下地体への密着性を向上させ
ることにより、光記憶体の耐候性を高めた光記憶体を提
供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、下地体上に、少なくとも密着層と金からなる
反射膜とが順次形成されており、前記密着層は、タンタ
ルを一構成成分として形成されてなることを特徴とする
光記憶体である。

本発明の光記憶体は、例えば次のようにして作製される
。まず、この下地体の材質としては、例えば強化ガラス
、石英ガラス、ポリカーボネート樹脂等が用いられる。

次に、上記下地体の上に、密着層として、少なくともタ
ンタルを含む材料を高周波マグネトロンスパッタ法、イ
オンブレーティング法、クラスタイオンど−ム法、ＣＶ
Ｄ法等により２〜２０ｎｍの膜厚で被覆する。

次に、上記密着層の上に、反射膜として、金を高周波マ
グネトロンスパッタ法、イオンブレーティング法、クラ
スターイオンビーム法、ＣＶＤ法等により１０〜２００
ｎｍの膜厚で被覆する。

さらに、必要に応じて上記反射膜上に各種樹脂等からな
る保護膜を形成することにより、本発明の光記憶体が得
られる。

［作用］ 密＠層に含ませるタンタルは、金および下地体の双方に
対して大きな密着性を有すると共に、耐腐食性にも優れ
ている。このため、下地体から金反射膜が剥離すること
がなく、高い信頼性をイｊする光記憶体が１ワられる。

［実施例］ 以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

実施例１〜６ 第１表に示す材質の下地体上に、タンタルからなる密＠
層および金反射膜をそれぞれ第１表に示す膜厚で形成し
た。次いで、金反射膜上に第１表に示ず材質の保護膜を
形成して６個の光記憶体を作製した。

第１図は以上のようにして作製した光記憶体の一例の部
分断面図で、図中、１は下地体、２は密着層、３は反射
膜、４は保護膜である。

次に、これらの試料と、アルミニウムおよび金を反射膜
とする従来品について、温度８０°Ｃ１相対湿度９０％
の耐食性試験を１ケ月間行い、信号の良否の指標となる
エラーレートを測定した。その結果を第２表に示す。

第１表 第２表 第２表に示すように、初期においてはいずれの試料もエ
ラーレートは５Ｘ１０−５であるが、１ケ月間の耐食性
試験後、本発明の試料のエラーレートは多少の劣下がみ
られるものの、従来品とは比較にならないほど良好であ
った。

［発明の効果］ 以上、詳細に述べたように、本発明の光記憶体は、密着
層としてタンタルを使用することによって、金反射膜と
下地体との密着性が高められていると共に、耐食性にも
優れており、従来技術による場合と比へ、高い信頼性を
有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記憶体の一実施例を示す部分断面図
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）下地体上に、少なくとも密着層と金からなる反射
   膜とが順次形成されており、前記密着層は、タンタルを
   一構成成分として形成されてなることを特徴とする光記
   憶体。