JPH0298840A - 光記憶体 - Google Patents
光記憶体Info
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- JPH0298840A JPH0298840A JP63250969A JP25096988A JPH0298840A JP H0298840 A JPH0298840 A JP H0298840A JP 63250969 A JP63250969 A JP 63250969A JP 25096988 A JP25096988 A JP 25096988A JP H0298840 A JPH0298840 A JP H0298840A
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- gold
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- calcium fluoride
- optical memory
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Links
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は音響機器等に用いられる光記憶体に関する。
［従来の技術］
近年、光記憶体の１つであるコンパクトディスク（以下
、ＣＤと略Ｖ）が広く普及し、また、このＣＤの応用技
術として、ＣＤにコンピュータデータを記録したＣＤ−
ＲＯＭが普及し始めており、これらの記憶体に対し、従
来にも増して、高温・高湿下での保存性の高いものが望
まれている。
、ＣＤと略Ｖ）が広く普及し、また、このＣＤの応用技
術として、ＣＤにコンピュータデータを記録したＣＤ−
ＲＯＭが普及し始めており、これらの記憶体に対し、従
来にも増して、高温・高湿下での保存性の高いものが望
まれている。
［発明が解決しようとする課題］
従来、光記憶体は、ガラス、ポリカーボネート樹脂等か
らなる下地体上に、アルミニウムや金等からなる反射膜
が直接形成されたもので構成されているが、かかる光記
憶体を高温・高湿の環境下においた場合、反射膜材料が
アルミニウムの場合は腐食が生じ、また金の場合は下地
体から剥離して信＠読み取りの指標とされるエラーレー
トが増加し、上記に記したニーズに適応できないという
問題があった。
らなる下地体上に、アルミニウムや金等からなる反射膜
が直接形成されたもので構成されているが、かかる光記
憶体を高温・高湿の環境下においた場合、反射膜材料が
アルミニウムの場合は腐食が生じ、また金の場合は下地
体から剥離して信＠読み取りの指標とされるエラーレー
トが増加し、上記に記したニーズに適応できないという
問題があった。
本発明は、以上述べたような従来の事情に対処してなさ
れたもので、金の反射膜の下地体への密着性を向上させ
ることにより、光記憶体の耐候性を高めた光記憶体を提
供することを目的とする。
れたもので、金の反射膜の下地体への密着性を向上させ
ることにより、光記憶体の耐候性を高めた光記憶体を提
供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、下地体上に、少なくとも密着層と金からなる
反射膜とが順次形成されており、前記密＠層は、フッ化
カルシウムを一構成成分として形成されてなることを特
徴とする光記憶体である。
反射膜とが順次形成されており、前記密＠層は、フッ化
カルシウムを一構成成分として形成されてなることを特
徴とする光記憶体である。
本発明の光記憶体は、例えば次のようにして作製される
。まず、この−Ｆ地体の材質としては、例えば強化ガラ
ス、石英ガラス、ポリカーボネート樹脂等が用いられる
。
。まず、この−Ｆ地体の材質としては、例えば強化ガラ
ス、石英ガラス、ポリカーボネート樹脂等が用いられる
。
次に、上記下地体の上に、密着層として、少なくともフ
ッ化カルシウムを含む材料を高周波マグネトロンスパッ
タ法、イオンブレーティング法、クラスターイオンビー
ム法、プラズマＣＶＤ法等により５〜２００ｎｍの膜厚
で被覆する。
ッ化カルシウムを含む材料を高周波マグネトロンスパッ
タ法、イオンブレーティング法、クラスターイオンビー
ム法、プラズマＣＶＤ法等により５〜２００ｎｍの膜厚
で被覆する。
次に、上記密着層の上に、反則膜として、金を高周波マ
グネ［・ロンスパッタ法、イオンブレーティング法、ク
ラスターイオンビーム法、ＣＶＤ法等により１０〜２０
０ｎａ＋の膜厚で被覆する。
グネ［・ロンスパッタ法、イオンブレーティング法、ク
ラスターイオンビーム法、ＣＶＤ法等により１０〜２０
０ｎａ＋の膜厚で被覆する。
さらに、必要に応じて上記反射膜上に各種樹脂等からな
る保護膜を形成することにより、本発明の光記憶体が（
ｑられる。
る保護膜を形成することにより、本発明の光記憶体が（
ｑられる。
［作用］
密着層に含ませるフッ化カルシウムは、金および下地体
の双方に対して大きな密着性を有すると共に、耐腐食性
にも優れている。このため、下地体から金反射膜が剥離
することがなく、高い信頼性を有する光記憶体が得られ
る。
の双方に対して大きな密着性を有すると共に、耐腐食性
にも優れている。このため、下地体から金反射膜が剥離
することがなく、高い信頼性を有する光記憶体が得られ
る。
［実施例１
以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
実施例１〜６
第１表に示′ｇ祠貿の下地体上に、フッ化カルシウムか
らなる密着層および金反射膜をそれぞれ第１表に示す膜
厚で形成した。次いで、金反射膜−［に第１表に示す材
質の保護膜を形成して６個の光記憶体を作製した。
らなる密着層および金反射膜をそれぞれ第１表に示す膜
厚で形成した。次いで、金反射膜−［に第１表に示す材
質の保護膜を形成して６個の光記憶体を作製した。
第１図は以上のようにして作製した光記憶体の一例の部
分断面図で、図中、１は下地体、２は密着層、３は反則
膜、４は保護膜である。
分断面図で、図中、１は下地体、２は密着層、３は反則
膜、４は保護膜である。
次に、これらの試料と、アルミニウムおよび金を反Ｑ−
ｊ膜とする従来品について、湿度８０°０、相対湿度９
０％の耐食性試験を１ケ月間行い、信号の良否の指標と
なるエラーレートを測定した。その結果を第２表に示す
。
ｊ膜とする従来品について、湿度８０°０、相対湿度９
０％の耐食性試験を１ケ月間行い、信号の良否の指標と
なるエラーレートを測定した。その結果を第２表に示す
。
第１表
第２表
第２表に示すように、初期においてはいずれの試料もエ
ラーレートは５×１叶５であるが、１ケ月間の耐食性試
験後、本発明の試料のエラーレー１〜は多少の劣下がみ
られるものの、従来品とは比較にならないほど良好であ
った。
ラーレートは５×１叶５であるが、１ケ月間の耐食性試
験後、本発明の試料のエラーレー１〜は多少の劣下がみ
られるものの、従来品とは比較にならないほど良好であ
った。
［発明の効果］
以上、詳細にＪべたように、本発明の光記憶体は、密着
層としてフッ化カルシウムを使用することによって、金
反射膜と下地体との密着性が高められていると共に、耐
食性にも優れており、従来技術による場合と比べ、高い
信頼性を有するものである。
層としてフッ化カルシウムを使用することによって、金
反射膜と下地体との密着性が高められていると共に、耐
食性にも優れており、従来技術による場合と比べ、高い
信頼性を有するものである。
第１図は本発明の光記憶体の一実施例を示す部分断面図
である。
である。
Claims (1)
- （１）下地体上に、少なくとも密着層と金からなる反射
膜とが順次形成されており、前記密着層は、フッ化カル
シウムを一構成成分として形成されてなることを特徴と
する光記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63250969A JPH0298840A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 光記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63250969A JPH0298840A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 光記憶体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298840A true JPH0298840A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17215718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63250969A Pending JPH0298840A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 光記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298840A (ja) |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP63250969A patent/JPH0298840A/ja active Pending
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