JPH0298835A - 光記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明は音響機器等に用いられる光記憶体に関する。

［従来の技術］ 近年、光記憶体の１つであるコンパクトディスク（以下
、ＣＤと略す）か広く普及し、また、このＣＤの応用技
術として、ＣＤにコンピュータブタを記録したＣＤ−Ｒ
ＯＭが普及し始めており、これらの記憶体に対し、従来
にも増して、高温・高湿下での保存性の高いものが望ま
れている。

［発明が解決しようとする課題］ 従来、光記憶体は、ガラス、ポリカーボネート樹脂等か
らなる下地体上に、アルミニウムや金等からなる反射膜
が直接形成されたもので構成されているが、かかる光記
憶体を高温・高湿の環境下においた場合、反射膜材料が
アルミニウムの場合は腐食が生じ、また金の場合は下地
体から剥離して信号読み取りの指標とされるエラーレー
トか増加し、上記に記したニーズに適応できないという
問題があった。

本発明は、以上述べたような従来の事情に対処してなさ
れたもので、金の反射膜の下地体への密着性を向上させ
ることにより、光記憶体の耐候性を高めた光記憶体を提
供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、下地体上に、少なくとも密着層と金からなる
反射膜とが順次形成されており、前記密着層は、チタン
を一構成成分として形成されてなることを特徴とする光
記憶体である。

本発明の光記憶体は、例えば次のようにして作製される
。まず、この下地体の材質としては、例えば強化ガラス
、石英ガラス、ポリカーボネート樹脂等が用いられる。

次に、上記下地体の上に、密着層として、少なくともチ
タンを含む材料を高周波マグネトロンスパッタ法、イオ
ンブレーティング法、クラスターイオンビーム法、ＣＶ
Ｄ法等により２〜２０ｎｍの膜厚で被覆する。

次に、上記密着層の上に、反射膜として、金を高周波マ
グネトロンスパッタ法、イオンブレーティング法、クラ
スターイオンビーム法、ＣＶＤ法等により１０〜２００
ｎｍの膜厚で被覆する。

ざらに、必要に応じて上記反射股上に各種樹脂等からな
る保護膜を形成することにより、本発明の光記憶体か得
られる。

［作用］ 密着層に含ませるチタンは、金および下地体の双方に対
して大きな密着性を有すると共に、＃４腐食性にも優れ
ている。このため、下地体から金反射膜が剥離すること
がなく、高い信頼性を有する光記憶体が得られる。

［実施例］ 以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

実施例１〜６ 第１表に示す材質の下地体上に、チタンからなる密着層
および金反射膜をそれぞれ第１表に示す膜厚で形成した
。次いで、金反射膜上に第１表に示す材質の保護膜を形
成して６個の光記憶体を作製した。

第１図は以上のようにして作製した光記憶体の一例の部
分断面図で、図中、１は下地体、２は密＠層、３は反射
膜、４は保護膜である。

次に、これらの試料と、アルミニウムおよび金を反射膜
とする従来品について、湯度８０’Ｃ１相対湿度９０％
の耐食性試験を１ケ月間行い、信号の良否の指標となる
エラーレートを測定した。その結果を第２表に示す。

第２表 第２表に示すように、初期においてはいずれの試料もエ
ラーレートは５ｘ１０−５であるが、１ケ月間の耐食性
試験後、本発明の試料のエラーレートは多少の劣下がみ
られるものの、従来品とは比較にならないほど良好であ
った。

［発明の効果１ 以上、詳細に述べたように、本発明の光記憶体は、密着
層としてチタンを使用することによって、金反射膜と下
地体との密着性が高められていると共に、耐食性にも優
れており、従来技術による場合と比べ、高い信頼性を有
するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記憶体の一実施例を示す部分断面図
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）下地体上に、少なくとも密着層と金からなる反射
   膜とが順次形成されており、前記密着層は、チタンを一
   構成成分として形成されてなることを特徴とする光記憶
   体。