JP2893712B2 - 光記憶体 - Google Patents

光記憶体

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JP2893712B2
JP2893712B2 JP1115412A JP11541289A JP2893712B2 JP 2893712 B2 JP2893712 B2 JP 2893712B2 JP 1115412 A JP1115412 A JP 1115412A JP 11541289 A JP11541289 A JP 11541289A JP 2893712 B2 JP2893712 B2 JP 2893712B2
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JP
Japan
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reflective film
film
optical memory
atomic
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JP1115412A
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弘高 山口
均 横田
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、音響機器やコンピュータの周辺機器などに
用いられる光記憶体に関する。
（従来の技術） 近年、光記憶体の一つであるコンパクトディスク（以
下、CDと略す。）が広く普及している。このCDの応用技
術として、CDにコンピュータデータを記録したCD−ROM
が普及し始めており、これらの記憶体に対して従来にも
増して、高温・高湿下での保存性の高いものが望まれて
いる。
（発明が解決しようとする課題） 従来、光記憶体は、ガラスやポリカーボネート樹脂等
からなる下地体上に、アルミニウムや金等からなる反射
膜が形成され、その反射膜上に樹脂等の保護膜が被覆さ
れた物で構成されている。このような従来の光記憶体を
高温・高湿の環境下においた場合、反射膜材料がアルミ
ニウムの場合は腐食が生じ、また金の場合は下地体から
剥離する。反射膜がこのように変化すると、信号読み取
りの指標とされるエラーレートが増加し、上記に記した
ニーズに適応できないという問題があった。
本発明は以上述べたような従来の事情に対処してなさ
れたもので、金の反射膜の優れた耐腐食性を保つと同時
に金の反射膜の下地体への密着性を向上させることによ
り、耐候性を高めた光記憶体を提供することを目的とす
る。
（課題を解決するための手段） 本発明は、反射率が70％以上の再生専用光記憶体にお
いて、下地体と、前記下地体上に被覆された金と少なく
ともゲルマニウムを０原子％を超えて50原子％以内含
み、かつ膜厚50nm以上の反射膜とからなることを特徴と
する光記憶体である。ゲルマニウムの含有量が限定され
るのは、この範囲内においてCDの規格である70％の反射
率が確保されるためである。
本発明の光記憶体は、例えば次のように作製される。
まず、この下地体としては、例えば強化ガラス、強化
ガラスに酸化珪素や酸化チタンや窒化珪素などを被覆し
たもの、石英ガラス、ゾルゲル膜被覆ガラス、ポリオレ
フィン樹脂、アクリル樹脂、弗素樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂などが用いられる。
次に、上記下地体の上に、反射膜として、金と少なく
ともゲルマニウムを０原子％を越えて50原子％以内含む
材料を高周波マグネトロンスパッタ法、イオンプレーテ
ィング法、クラスターイオンビーム法、プラズマCVD
法、真空蒸着法等により50〜500nmの膜厚で被覆する。
さらに、必要に応じて上記反射膜上に各種酸化物や窒
化物や樹脂等からなる保護膜を形成することにより、本
発明の光記憶対が得られる。
（作用） 金と少なくともゲルマニウムを０原子％を越えて50原
子％以内含む反射膜は、下地体及び保護膜に対して強い
密着力を有すると共に、耐腐食性にも優れている。この
ため、下地体から反射膜が剥離することや反射膜から保
護膜が剥離することがなく、高い信頼性を有する光記憶
体が得られる。
（実施例） 以下に表及び図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
第１表に示す材質の下地体上に、第１表に示す組成の
反射膜をスパッタリング法によりそれぞれ第１表に示す
膜厚で形成した。次いで、その反射膜上に第１表に示す
材質の保護膜を形成して５個の光記憶体を作製した。
第１図は以上のようにして作製した光記憶体の一実施
例を示す部分断面図である。図中、１は下地体、２は反
射膜、３は保護膜である。
次に、これらの試料、アルミニウムを反射膜とする従
来品Ａ、金を反射膜とする従来品Ｂについて、温度80
℃、相対湿度90％の耐環境性試験を１ヶ月間行い、信号
の良否の指標となるエラーレートを測定した。その結果
を第２表に示す。
第２表に示すように、初期においてはいずれの試料も
エラーレートは５×10-5であるが、１ヶ月間の耐環境性
試験後、本発明の試料のエラーレートは多少の劣化がみ
られるものの従来品とは比較にならないほど良好であっ
た。
（発明の効果） 以上、詳細に述べたように、本発明の光記憶体は、金
に少なくともゲルマニウムを０原子％を越えて50原子％
以内含む材料を反射膜として形成するによって、その反
射膜と下地体との密着性及びその反射膜と保護膜との密
着性が高められると共に、耐腐食性にも優れており、従
来品よりはるかに高い信頼性を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光記憶体の一実施例を示す部分断面図
である。 １…下地体、２…反射膜、３…保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24 C23C 26/00 B41M 5/26

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】反射率が70％以上の再生専用光記憶体にお
    いて、下地体と、前記下地体上に被覆された、金と少な
    くともゲルマニウムを０原子％を超えて50原子％以内含
    み、かつ膜厚50nm以上の反射膜とからなることを特徴と
    する光記憶体。
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JPS58164038A (ja) * 1982-03-24 1983-09-28 Fujitsu Ltd 光デイスク用記録媒体
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