JPH0440646A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JPH0440646A
JPH0440646A JP2147381A JP14738190A JPH0440646A JP H0440646 A JPH0440646 A JP H0440646A JP 2147381 A JP2147381 A JP 2147381A JP 14738190 A JP14738190 A JP 14738190A JP H0440646 A JPH0440646 A JP H0440646A
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JP
Japan
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optical recording
transparent conductive
recording medium
conductive film
layer
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JP2147381A
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Aritami Yonemura
米村 有民
Hitoshi Mikoshiba
均 御子柴
Toshiaki Yatabe
俊明 谷田部
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Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く利用分野〉 本発明はレーザー等の光により、情報の記録。
再生、消去等を行なう光記録媒体に関する。更に詳細に
は、金属反射層を有する光記録媒体に関し、中でも記録
層が膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有した金属薄膜
よりなる、光熱磁気効果により情報を記録し、磁気光学
効果により再生する光磁気記録層である光磁気記録媒体
に特に好ましく適用できるものである。
〈従来技術〉 光記録媒体は高密度 大容量の情報記録媒体として種々
の研究開発か行われている。特に情報の消去可能な光磁
気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが発
表されており、その実用化か開始されている。
上述の光磁気記録媒体は、通常は130 mmまたは8
6mm直径で厚さ1.2+rrnの透明プラスチック円
板でその片面にグループ及び/又はプレピットを形成し
た基板のグループ等形成面上に、誘電体層/光磁気記録
層/誘電体層/反射金属層を積層構成の一例とする積層
体からなる記録層を設け、さらに該反射金属層上に無機
物又は/及び有機樹脂の保護層が設けられたものである
。そして、基板の該記録層を形成した面の反対面より、
すなわち基板を通して光ヘッド(ピックアップ)よりレ
ーザー光を照射することにより記録、再生、消去が行わ
れる。すなわち、この光デイスク装置では、基板の表面
のゴムやシミの影響を光の絞り効果によって受は難くす
るなめに、基板〈厚さ:1.2rm+程度)を介して光
を入射することが特徴となっている。
しかしながら、実用化の検討が進につれて重大な問題が
判明した。すなわち、連続使用の場合、基板と空気の摩
擦により発生する静電気により、集塵化が促進されて、
非常に早い時期に塵埃問題が発生する。つまり数少ない
ゴミ7・シミであれば、光の絞り効果が有効に働くが、
連続使用すると基板板及びピックアップ全体に薄い汚れ
膜が生じ、エラーが発生した後に清掃しても簡単には取
れない。この問題は大きく、光デイスク装置を普及させ
るためにも是非解決していかなけれはならない問題であ
る。
この問題は、光ディスクの光入射面に塵埃の付着を防止
するための静電気防止と汚れを清掃する時の傷付き防止
のための耐摩擦性を兼ね合せた層を付加することにより
解決か計られているが、満足な効果は得られておらず、
また種々の問題をかかえている。すなわち、一般には静
電気防止剤を含有した紫外線硬化樹脂を数μmから十数
μmの厚さに塗布することが行われるか、実用使用環境
の10〜50℃、かつ、10〜80°/δR)((相対
湿度)のすべての条件下で満足な静電気防止の効果が要
求されるにもかかわらず、十分な効果は得られていイS
い。また、耐摩擦性をよくする目的で数μm以上の塗布
層を形成した場合塗り斑や塗膜中の異物のために信号の
誤り率(エラーレート〉か増大し、生産歩留まりを低下
させる問題がある。
〈発明の目的〉 本発明は、かかる現状に鑑みなされたもので、光記録媒
体の基板の光入射面に新規な導電性と耐摩耗性を兼ね合
せた層を形成し、塵埃の付着を防止するとともに、付着
した汚れの清掃時の傷付きを防止することにより、信頼
性に優れた光記録媒体を提供することを目的としたもの
である。
〈発明の構成及び作用〉 すなわち、本発明は、透明基板の光入射面と反対側の面
に光により情報を記録又は再生する記録層を設けた光記
録媒体において、該透明基板の光入射面に透明導電膜を
形成したことを特徴とする光記録媒体である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の透明基板はガラス、ポリカーボネート(PC)
、アモルファスポリオレフィン(APO)、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、及びこれらの変成品などが用いられ
るが、とりわけ、傷付き安い有機樹脂基板か好ましく適
用され、中でもPCが価格1機械的特性、耐熱性等の観
点よりより好ましく適用される。
本発明の光記録媒体としては、前述の光磁気記録媒体の
他、周知のコンパクトディスク(CD)。
ビデオディスク、WORMとして知られる文書等の保存
に用いられる追記形光ディスク等、基板を通して記録層
にレーザーを照射することにより情報を記録又は/及び
再生するものであれは特に限定されない。しかし、中で
も連続使用されることが多いコンピューターの外部メモ
リとしての使用が期待される光磁気記録媒体に特に好ま
しく適用される。
本発明の透明導電膜は、In、 Sn、 Cd、 zr
、 Tiなとの酸化物薄膜、あるいはAI、 Ni、 
Cr、 Cu、 AuAg、 In、 &In、 Mo
、 Si、 Sn、 W、 Ti、 Zn、 Pt、 
PdTa、 Rh、 zrなどの極薄の実用上透明な金
属薄膜が用いられるが、とりわけ有機物との接着性のよ
い酸化物薄膜が好ましく用いられる。中でも、透明性と
導電性を兼ね合せ、さらに比較的低温で有機物基板にも
形成し易い酸化インジウムを主成分とする透明導電膜が
最も好ましく使用される。酸化インジウムを主成分とす
る透明導電膜とは、微量の不純物を含有すること、又は
わずかに酸素不足になっていること、又は2種以上の金
属の酸化物であること、等の理由により半導体になり導
電性を有した透明酸化物であり、Sn、 Sb、 Cd
等を含有することが特に好ましい。この膜厚は50Å以
上、5000Å以下が好ましく、特に100Å以上20
00Å以下が望ましい。本発明の目的にとっては、該透
明導電股上に有機保護層を設けた状態で単位正方形出た
りの表面抵抗が1012Ω/口程度以下である必要があ
り、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜の必要膜
厚は、有機保護層の膜厚に依存するが、概ね50A以下
では充分な導電性能が得られない。5000Å以上では
膜応力が大きくひびわれし易くなったり、着色し易くな
って透明性が劣化するので不都合である。
これらの透明導電膜を基板上に設ける方法としては、■
スパッタリング法、■真空蒸着法、■イオンブレーティ
ング法等の方法があげられる。
スパッタリング法は、通常の各種の方式が用いられるが
、マグネトロンにより、プラズマをターゲットの周りに
閉じ込めて、成型物基板をプラズマの外に置く低温スパ
ッタリング法が好ましく用いられる。
真空蒸着法も、通常の各種の方式が用いられる。
例えば抵抗加熱方式、高周波誘導加熱方式、エレクトロ
ンビームによる加熱方式がある。また、金属を酸素ガス
雰囲気中で蒸着する反応性蒸着法もある。
イオンブレーティング法も通常の各種の方式が用いられ
るが、13.56MHzの高周波電場による放電及び直
流電場によるイオンの加速を行なう高周波イオンブレー
ティング法が好ましく用いられる。
これらの方法で透明導電膜を形成する場合、酸素分圧か
小さいか、又は、形成速度が大きい時には、低級酸化物
膜となり、透明性がやや低いが、膜厚が薄い時は吸収さ
れる光りも少なく、実用上充分である。しかし、高い透
明性及び導電性が必要な場合には、膜形成後に熱処理(
アニーリング)を施すことができる。
空気中等、酸素雰囲気中で熱処理を行なうと金属酸化物
膜の酸化及び結晶化が進行し、膜の透明性、導電性が向
上する。
本発明の透明導電膜は透明基板に直接形成することもで
きるが、特に有機樹脂基板では接着性の向上のために下
塗り層を設け、該下塗り層上に酸化物透明導電膜を形成
するとよい。
本発明の下塗り層は、有機ケイ素化合物や有機チタン化
合物(例えば、チタンアルコキサイド。
チタンアシレート、チタンカップリング剤7等)を含有
する塗液の塗布を、例えばスピンコーティングにより形
成されるが、特に基板の有機樹脂及び酸化物透明導電膜
との接着性がよい有機ケイ素化合物か好適に用いられる
本発明における下塗り層を形成する有機ケイ素化合物は
、無機相と親和性を有する又は化学結合しうる基と、有
機相と親和性を有する又は化学結合しうる基とを同時に
持つ有機金属化合物であり、金属としてはケイ素(Si
)を有するものである。
無機相と親和性を有する又は化学結合しうる基としては
、加水分解によりヒドロキシル基に変化しうる基、例え
ばアルコキシ基特に炭素原子数4個以下のアルコキシ基
、ハロゲン原子やターシャノーブチルパーオキシ基、ア
シル基が挙げられ、有機相と親和性を有する又は化学結
合しうる基とし7ては低級アルキル基、フェニル基、(
メタ)アクリロキシ基、メタクリロキシプロピル基 ビ
ニル基、エポキシ基、置換又は未置換のアミノ基が挙げ
られる。
好ましく用いられる化合物としては、下記一般式(1)
〜(3) %式% [但し、式中R1は下記二式 n [但し、式中&、R6はそれぞれ独立に水素原子。
炭素原子数1〜4のアルキル基及びヒドロキシルアルキ
ル基、フェニル基、アリル基(−CH2−CH=CH2
)及びカルボキシメチル基(−cH2−cooH)から
なる群から運ばれる基である。] で表わされる基、−NH−C−NHz、 −5H。
からなる群から運ばれる基であり、川は水素原子又は炭
素原子数1〜12のアルキル基を:R3及びhはそれぞ
れ独立に炭素原子数1〜4のアルキル基を;Xおよびy
はそれぞれ独立に1〜12の整数を;Wは○又は1〜2
の整数を;Zは1〜3の整数をそれぞれ表わし、w+z
=3である。] 及び、下記一般式(4) %式% [但し、式中Rはメチル、エチル、プロピル、ブチル、
ビニル、フェニル、メタクリロキシ、メタクリロキシプ
ロピルなどの有機基;Xはハロゲン原子、アルコキシ基
、t−ブチルパーオキシ基又はアシル基:■1及びr1
は1から3までの整数でn + m = 4をみたす。
]で表わされる化合物およびこれらを加水分解して得ら
れるオリゴマーからなる群から選ばれる1種又は2種以
上の化合物が好ましく用いられる。この中でも、官能基
としてアミノ基(−NH2)を含むものが好ましく、例
えばNH2(CH2> 3−5i(OCH3)3.及び
/′又は、NH2−(CH2) 3Si  (OC2H
5) 3 、及び/又ハ、N)(2< CH2) 3 
 Si (CHa)   (OCH3> 2 、及び/
又は、NH2(CH2)3 5i(CH3>   (O
C2H5)2.及び、/′又は、NH2(CH2>2 
 NH(CH2) 3  Si  (OCH3> 3 
、及び/又は、NH2(CH2)2   N)((CH
2>3   Si   (OC2H5> 3 、及び、
/又は、NH2(CH2)2  N)((CH2) 3
−5i (C式) −(OCH3) 2 、及び/又は
NH2−(CH2) 2−NH−(CH2) 3−Si
<CH3>   (OC2Hs>2の単量体及びまたは
これらの加水分解により生成した会合度10以下のオリ
ゴマーからなる群から選ばれる1種又は2種以上の化合
物であることか特に好ましい。
かかる有機ゲイ素化合物は、本発明の効果を妨げない範
囲で、他の有機金属化合物、例えばチタンアルキルエス
テル等の有機チタン化合物やジルコニウムアルキルエス
テル等の有機ジルコニウム化合物との混合物として用い
ることができ、また必要に応じて硬化触媒、接着促進剤
、ぬれ性改良剤、可塑剤、各種安定剤、難燃剤、酸化防
止剤。
滑剤、消泡剤及び7・又は増粘剤等と混合して用いるこ
ともできる。
これは、そのままでも、また溶媒に溶かして使用しても
よい。かかる溶媒としては、メタノール。
エタノール、イソプロパツール、「1−ブタノール。
トルエン、酢酸エチル、リグロイン、エチルセルソルブ
等の1種又は2種以上の混合物が挙げられる。
該有機ケイ素化合物から主として形成される下塗り層の
厚さは、特に限定しないが、0.01〜]μmの範囲が
好ましい3光学的特性の点から特に0.01〜0.1μ
mが好ましい、、0.01μm未満では連続的な膜を形
成し難いクコめ、所期の目的を達成することはて゛きな
い。一方、1μmを越えると剥離7クラツクが生じたり
するため好ましくない。
有機ケイ素化合物の塗布には、ドクターナイフバーコー
ター、グラビアロールコータ−、カーテンコーター、ナ
イフコーターなとの公知の塗工機械を用いる塗工法、ス
プレー法、浸漬法なとが用いられるが、本発明の光記録
媒体では、ディスク形状であること、塗布斑の少ないこ
とよりスピンコード法が最も好ましい。
有機ケイ素化合物は、有機樹脂基板上に塗布後乾燥して
、溶媒を蒸発させて膜体とする。
本発明においては、さらに耐摩擦性を格段に向上させる
目的で透明導電膜上に有機保護層を形成する。
かかる酸化インジウムを主成分とする透明導電膜上に積
層される有機重合体からなる有機保護層は適当な溶剤、
特に有機溶剤に可溶であり、均一で透明な塗工膜を与え
る有機重合体から成形することができる。例えばポリメ
チルメタアクリレート、ポリエチルメタアクリレートの
ようなアクリレート樹脂、ポリアクリロニトリル、ポリ
メタアクリロニトリルのようなアクリルニトリル樹脂。
フッ化ビニル・ヘキサフルオロプロピレン共重合体のよ
うなフッ素樹脂、塩化ビニル、酢酸ビニル等のビニル樹
脂、ポリビニルアルコール樹脂、ボッビニルブチラール
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスレン
樹脂等の樹脂及乙(それらの混合物、共重合体等が好ま
しく用いられる。
特に酸化インジウムを主成分とする透明導電膜の環境安
定性(抵抗値の温度、経時ドリフトが少いこと)が要求
される場合には、有機保護層が酸素の透過係数において
、5 X 10−” cc−an / C!+! ・s
ec −(2)Hgより小さい特性を有する有機重合体
から形成された有機重合体膜を用いることが好ましい この要求を満たす有機重合体としては、例えばポリスチ
レン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂。
スチレン・アクリロニトリル共重合体樹脂、酢酸ビニル
樹脂、ポリメチルメタアクリレート樹脂。
塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン・アクリロニトリル共
重合体7ポリアクリロニトリル樹脂、ポリメタアクリロ
ニトリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂等がある。有
機重合体の酸素透過能については、例えば大沢文夫著「
膜の機能」共立化学ライブラリー 昭和52年刊行p、
 176i78の表等によって決定できる。ポリアクリ
ロニトリル系樹脂及びポリメタアクリロニトリル系樹脂
が特に透過能が低い。
有機保護層が、どのような効果で酸化インジウムを主成
分とする透明導電膜の安定化に寄与しているのか明確で
はないが、酸素の透過をある程度制御することにより酸
化・インジウムを主成分とする透明導電膜の酸化状態1
表面状態を一定に保ち安定化させるものと考えられる。
有機保護層の膜厚は厚い方が上記安定化及び耐摩擦性の
効果は大きい、しかし、厚くなるほと透明導電膜の特性
である表面抵抗が大きくなり、透明導電膜の使用目的を
満たさない。
この2つの効果のバランスする所で有機重合体の膜厚は
決められる、好ましくは0.5μm以下、特に好ましく
は0.3μm以下であるtvtに導電性に対する要求が
高い場合には0.1μm以下が最も好ましく用いられる
6 ユな、有機保護層の膜厚の下限はその耐摩擦性及び安定
化効果が発揮される限り特に限定される(、のではない
が、効果の下限として50Å以上、好ましくは100Å
以上の膜厚が必要である。
有機重合体からなる上述の有機保護層の形成法としては
適当な樹脂を選択し、かがる樹脂を溶解しうる溶剤に適
当な濃度に溶解せしめ塗工し、しかるのち溶剤を蒸発せ
しめて膜を形成する方法が簡便である。具体的にはバー
コータ、ドクターナイフ等を用いる方法、スピンコード
、スプレー等の方法、グラビアロールコータ、マイヤー
バーコータ、リバースロールコータ等の装置を用いて塗
工する方法かあるが、前述の下塗り層と同様スピンコー
ド法が好ましい。
さらに、本発明の有機保護層には、前記の有機ゲイ素化
合物より形成された下塗り層と同様の層を利用すること
もできる。すなわち、前記の有機ケイ素化合物群から選
ばれる1種又は2種以上のイし金物であり、前述の下塗
り層を形成する有機ゲイ素化合物と全く同一であっても
、一部分が同一であっても、あるいは全く異なっていて
もよい。
かかる有機ケイ素化合物は、本発明の効果を妨げない範
囲で、他の有機金属化合物、例えば有機チタン化合物等
との混合物として用いることができ、また必要に応じて
硬化触媒、接着促進剤、ぬれ性改良剤、可塑剤、各種安
定剤、難燃剤、酸化防止剤、滑剤、消泡剤及び/又は増
粘剤等と混合して用いることもできる。また、静電気防
止効果を補助する目的で少量の静電気防止剤を添加して
もよい。
これは、そのままでも、また溶媒に溶かして使用しても
よい。かかる溶媒としては、メタノール。
エタノール、イソプロパツール、n−ブタノール。
トルエン、酢酸エチル等の1種又は2種以上の混合物が
挙げられる。該有機ケイ素化合物から主として形成され
る有機保護層の厚さは、特に限定しないが、0.01〜
1μmの範囲が好ましい。耐摩耗性、光学的特性の点か
ら特に0.05〜0.5μmが好ましい。0.01μm
未満では連続的な膜を形成し難いため、所期の目的を達
成することはできない。
一方、1μmを越えると剥離、クラックが生じたり、表
面の導電性が失われたり、また透明性が失われるため好
ましくない。
有機ケイ素化合物の塗布には、前述の通り公知の塗工法
、スプレー法、浸漬法などが用いられ得るが、前記の如
く、スピンコード法が最も好ましい。
有機ケイ素化合物は、塗布後乾煤し、加熱、イオンボン
バードあるいは紫外線、β線、γ線などの放射線により
硬化させる。
かくして得られた光記録媒体は、透明導電性層の接着性
及び耐摩耗性等の機械的特性に優れる。
さらに本発明の特徴は、下塗り層と有機保護層の膜厚が
、従来技術の制電防止剤を含有する紫外線硬化樹脂の数
μm〜士数十数に比べ、いずれも約0.5μm以下と薄
くできることである。このことにより塗布斑かあっても
光学的な影響か小さく、記録・再生の誤り率への影響が
格段に低減される。
スパッタや蒸着で形成される透明導電膜は、有機樹脂コ
ーテイング膜より本来均一性に優れることと合わせて本
発明の光記録媒体の信頼性は優れている。
以下に実施例により本発明を具体的に説明する。
なお、実施例の静電気防止効果の評価は、媒体の表面に
コロナ放電により帯電させ、その帯電量の時間変化を静
電容量形の電位計を用い特定することにより評価した。
具体的には、■大豆商会製、スタチック・オネストメー
ターを用いて測定しな。
また、耐摩耗性の評価は、100g/−の荷重をかけた
ガーゼで測定面を100回往復摩擦し、往復摩擦前後の
表面抵抗値を測定し、その比R1oo/RO(R1(1
0;上記100往復後の表面抵抗値、Ro ;テスト前
の表面抵抗値〉で評価しな。
実施例1 13On1m直径、ISO規格準拠のフォーマット、C
CSサーホ方式のpc基板にS!N H3O0人)/T
bFeCo <200人) 、、’SiN (350人
)、/AI合金(400人)の積層構成(()内は各層
膜厚を示す)の記録層をスパッタ法で形成し、A1合金
反射層上にフェノール・ノボラック・アクリレートを主
成分とする紫外線硬化樹脂を約10μmの厚さに形成し
な。この状態のサンプルを以後、無被覆サンプルという
無被覆サンプルの光入射側のフラット面に、有機ケイ素
化合物としてγ−アミノプロピルトリエトキシシランの
加水分解により生成した縮合物を1.0重量%含有する
アルコール系溶液をスピンコードにより塗布し、120
℃で2分間乾煤することにより下塗り層を形成した。こ
の下塗り層の膜厚は300人であった。
次に、該下塗り層の上に透明導電膜として下記のように
してSnを含有するIn酸化物層を形成した。
In酸化物層の厚さは300人である3゜すなわち、ス
パッタ装置に下塗り層を形成したサンプルを基板として
仕込み、8 ’ 1O−7Torr以下に排気した後に
1Qvol 0002を含有するAr、 02混合ガス
を20mTorrになるまで導入し、13.56 MH
z80 wattの高周波電力を基板に印加する二とに
より1分間の逆スパツタを行なった3次に、酸化インジ
ウム95 wt%、 SnO25wt%の101 mm
直径の円形焼結体ターゲットを2VO1%のQを含有す
るAr′α混合ガスで高周波スパッタすることにより3
00人のITO(酸化スズインジウム)膜を下塗り層上
に形成した。スパッタ条件は、スパッタガス圧10mT
orr、高周波電力200 watt、 4分間であり
、スパッタ中は、前記サンプルを自転させた。ターゲッ
トと基板との面間隔は120 mmであり、ターゲット
の中心線と基板の中心線〈自転軸)との距離は79mm
である。
上記で得られたサンプルのITO股上に、下塗り層に用
いたのと同じ有機ケイ素化合物溶液(1,5重量%〉を
スピンコードにより塗布し、120°Cで2分間乾燥し
500人厚さの有機保護層を形成した。
引き続いて、大気中、90℃乾燥機中で2時間の加熱を
行い、ITO膜、下塗り層、有機保護層の安定化処理を
行った。
以上により得られた実施例1の光磁気記録媒体のサンプ
ルディスクの半径30mmR,1800rpm 。
3.7MHzにおけるキャリアトウノイズレイジオ(C
NR)は49.2dB、バイトエラーレート(BER)
は3.6〉、10−5であり、無被覆サンプルの時と、
はとんど変化はなかった。
さらに、静電気防止効果と耐摩擦性の評価結果を表−1
に示した。後述の比較例に比べ静電気防止効果において
格段の性能向上が認められた。
実施例2 実施例2として有機保護層をポリアクリロニトリルから
形成された膜厚500Aのポリアクリロニトリル薄膜層
とした以外は実施例1と同じ構成のサンプルを作成し、
評価した。
ポリアクリロニトリル薄膜層はポリアクリロニトリルを
1wt%溶解せしめたN、N′−ジメチルホルムアミド
溶液をスピンコーターで塗布し、しかるのちに120℃
で2分間乾燥して得な。この実施例2のサンプルディス
クの(、NRとBERは実施例1と同じであり、静電気
防止効果と耐摩擦性の評価結果は表−1に示した。実施
例1と同じく良好な結果が得られた。
比較例 実施例1と同様にして作製した無被覆サシアルの光入射
側(フラット面)に下記の静電気防止剤を含有する紫外
線硬化有機樹脂を8μmの厚さに形成し、比較例のサン
プルディスクを作成した。
すなわち、三菱レーヨン■製、ダイヤビーム7060 
(商品名)をスピンコーターを用いて塗布しな。硬化は
1.5KWの高圧水銀灯を用い、照射エネルギーは約0
.3〜0.4J/&で行った。
以上のように得られた比較例のサンプルディスクでは、
CNRは48.9(IBと実施例と差はないが、BER
は8.8 Xl0−5であり、紫外線硬化樹脂をフラッ
ト面に塗布することによりBEHの劣化が認められた。
実験を繰り遅し評価枚数を多くしな検討でも実施例1,
2の構成ではBERの劣化はほとんどないか、比較例の
構成では4.8−186×10−5の範囲でバラツキは
大きかつな。このBEHの劣化原因は紫外線硬化樹脂の
塗布斑や樹脂中に混入した異物にあると思われる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)透明基板の光入射面と反対側の面に光により情報を
    記録又は再生する記録層を設けた光記録媒体において、
    該透明基板の光入射面に透明導電膜を形成したことを特
    徴とする光記録媒体。 2)前記透明導電膜が酸化物薄膜である請求項第1項記
    載の光記録媒体。 3)前記透明導電膜が酸化インジウムを主成分とする酸
    化物薄膜である請求項第2項記載の光記録媒体。 4)前記透明基板の光入射面と前記透明導電膜との間に
    有機金属化合物を含有する下塗り剤より形成される下塗
    り層を有する請求項第1項、第2項もしくは第3項記載
    の光記録媒体。 5)前記透明導電膜上に有機保護層を設けた請求項第1
    項、第2項、第3項もしくは第4項記載の光記録媒体。 6)前記記録層が光磁気記録層である請求項第1項、第
    2項、第3項、第4項もしくは第5項記載の光記録媒体
JP2147381A 1990-06-07 1990-06-07 光記録媒体 Pending JPH0440646A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0763559A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Nitsutoubou Onkyo Eng Kk 航空機飛行コース測定方法及び装置
US6892117B2 (en) 2000-12-25 2005-05-10 Nittobo Acoustic Engineering Co., Ltd. Method of measuring point-blank passing time or the like of airplane

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0763559A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Nitsutoubou Onkyo Eng Kk 航空機飛行コース測定方法及び装置
US6892117B2 (en) 2000-12-25 2005-05-10 Nittobo Acoustic Engineering Co., Ltd. Method of measuring point-blank passing time or the like of airplane

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