JPH0379288B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0379288B2 JPH0379288B2 JP57215464A JP21546482A JPH0379288B2 JP H0379288 B2 JPH0379288 B2 JP H0379288B2 JP 57215464 A JP57215464 A JP 57215464A JP 21546482 A JP21546482 A JP 21546482A JP H0379288 B2 JPH0379288 B2 JP H0379288B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- argon gas
- argon
- oxygen
- purifying
- silicon single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims description 10
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 6
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 3
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical class [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- -1 moisture Chemical compound 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B23/00—Noble gases; Compounds thereof
Description
［発明の属する技術分野］
本発明はアルゴンガスを精製する方法に関す
る。 ［従来技術とその問題点］ アルゴンは不活性の特性を有し、しかも空気中
に１％近く含まれているところから雰囲気ガスと
して製鋼の連続鋳鋼、半導体基板素材のシリコン
単結晶製造など広くその用途が見出されている。 一般にアルゴンは空気を冷却し、窒素、酸素と
ともにその僅かな沸点の差を利用して精溜によつ
て分別して得られた粗アルゴンをさらに精溜等に
より精製して液体アルゴンあるいは気体アルゴン
のボンベ充填として使用者に供されている。しか
しながら、用途によつては実際に使用に供される
直前にさらに精製して不純物の除去を図らなけれ
ばならない。特に大量に使用する場合液体アルゴ
ンを蒸発させて配管を通して使用するが、その工
程で不純物の混入が問題となることがある。 不純物種としては窒素、酸素、水分、二酸化炭
素をはじめ状況によつては水素、一酸化炭素、炭
化水素等が含まれることが起り得る。 このような不純物を除去するためには通常精製
手段として活性炭、活性化アルミナあるいはゼオ
ライトのようなモレキユラーシーブスを通過せし
め、主として水分、炭酸ガス、炭化水素を除去す
ることを目的とした工程と、金属をある温度範囲
に加熱してゲツタリングにより主として窒素、酸
素あるいは水素、一酸化炭素を除去するとを目的
とした工程とから構成される。 この精製方法はきわめて効果があることが知ら
れているが、以下のような問題点画みられる。す
なわち、第１に金属ゲツタリング工程に用いるチ
タンあるいはジルコニウムは有効な作動温度とし
て前者で約1000℃、後者でも約800℃を必要とす
ることから、運転経費の増加、装置の耐高温性、
加熱ヒーターの維持、接合部分のゆるみ等からく
るリークの防止に不断の注意を要すること、第２
にゲツタ材の形状は上記目的のためにスポンジ状
が適当とされるが化学的に反応性に富むことによ
り危険性を伴なうので技術的にもその取り扱いに
注意を要すること、第３にこの種のゲツタ材の再
生が工程中では不可能であることから、消耗品と
して扱わなければならないので経費の負坦が増大
につながること、第４に同じく再生が効かないこ
とから不純物除去性能が絶えず劣化する方向へ進
むので、その状況を常に把握してゲツタ材の変換
する時期を誤まらないようにしなければならな
い。 ［発明の目的］ 本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、最
低の投資額と最低の操業コストの工程によつて、
不純物を選択的に吸着・反応等を用いて除去する
ことによつて純度を向上させることができるアル
ゴンガスの精製方法を提供しようとするものであ
る。 ［発明の概要］ 本発明は酸素成分の微少な原料のアルゴンガス
を、０℃を越える温度乃至室温の範囲で4Aある
いは5Aのモレキユラーシーブスと接触せしめる
第一工程と、温度150〜300℃の範囲で加熱した銅
またはニツケルの金属と接触せしめる第二工程
と、上記第一、第二工程を通過後のアルゴンガス
を５〜25気圧の圧力で圧縮して5Aのモレキユラ
ーシーブスを通過せしめる第三工程を設けてアル
ゴンガスを精製することを特徴としている。 ここで、第一工程乃至第三工程で使用するモレ
キユラーシーブスはゼオライトが使用される。 なお、ゼオライト5AによるO2の除去効果は期
待することができないが、本発明では初めから酸
素成分の微少なアルゴンガスの精製を目的として
おり、O2の除去効果は期待していない。 また、第二工程で加熱した銅またはニツケルの
金属と接触させたアルゴンガスはその後放冷して
常温程度にしてから第三工程に送り込む。 なお、アルゴンガスを圧縮して5Aのモレキユ
ラーシーブスを通過させる第三工程はその前に第
一工程、第二工程を設けることにより、始めて有
効なN2の除去が可能で、且つ繰り返しの稼働に
耐え得るものとなる。 以上のようにして、本発明によれば運転経費、
および維持管理の負担の少ない高性能のアルゴン
精製方法を得ることができる。 ［発明の効果］ 本発明は以下のような効果を奏する。すなわち
まず第１に主要部分が殆んどゼオライト充填塔へ
の吸着によるものであり、このゼオライトは加熱
により大気中に吸着物質を放出し、繰り返し使用
することが可能であること。また再生に要する加
熱温度も200〜300℃までの比較的低い温度で済む
ことから運転経費が少なくて済むこと、第２に時
間を区切つて定期的に再生することから、不純物
除去性能の劣下防止がきわめて容易であり不純物
の組成に変動に対しても柔軟に対処できる。 第３に既に使用に供したアルゴンを本発明方法
に依る精製により再生回収し循環させて使用が可
能である。例えば半導体基板用シリコン単結晶製
造装置等に本方法を適用した場合、きわめて有効
に使用したアルゴンを精製し循環させて再使用に
供することができる。 ［発明の実施例］ 以下、本発明を不純物除去装置として5A型の
モレキユラーシーブスを充填した塔にアルゴンを
通過せしめる工程を備えたアルゴンの精製方法に
適用した一実施例につき図面を用いながら説明す
る。 図はその主要工程をフローチヤートとして示し
ている。 次表に示すような不純物を含んだアルゴンガス
を
る。 ［従来技術とその問題点］ アルゴンは不活性の特性を有し、しかも空気中
に１％近く含まれているところから雰囲気ガスと
して製鋼の連続鋳鋼、半導体基板素材のシリコン
単結晶製造など広くその用途が見出されている。 一般にアルゴンは空気を冷却し、窒素、酸素と
ともにその僅かな沸点の差を利用して精溜によつ
て分別して得られた粗アルゴンをさらに精溜等に
より精製して液体アルゴンあるいは気体アルゴン
のボンベ充填として使用者に供されている。しか
しながら、用途によつては実際に使用に供される
直前にさらに精製して不純物の除去を図らなけれ
ばならない。特に大量に使用する場合液体アルゴ
ンを蒸発させて配管を通して使用するが、その工
程で不純物の混入が問題となることがある。 不純物種としては窒素、酸素、水分、二酸化炭
素をはじめ状況によつては水素、一酸化炭素、炭
化水素等が含まれることが起り得る。 このような不純物を除去するためには通常精製
手段として活性炭、活性化アルミナあるいはゼオ
ライトのようなモレキユラーシーブスを通過せし
め、主として水分、炭酸ガス、炭化水素を除去す
ることを目的とした工程と、金属をある温度範囲
に加熱してゲツタリングにより主として窒素、酸
素あるいは水素、一酸化炭素を除去するとを目的
とした工程とから構成される。 この精製方法はきわめて効果があることが知ら
れているが、以下のような問題点画みられる。す
なわち、第１に金属ゲツタリング工程に用いるチ
タンあるいはジルコニウムは有効な作動温度とし
て前者で約1000℃、後者でも約800℃を必要とす
ることから、運転経費の増加、装置の耐高温性、
加熱ヒーターの維持、接合部分のゆるみ等からく
るリークの防止に不断の注意を要すること、第２
にゲツタ材の形状は上記目的のためにスポンジ状
が適当とされるが化学的に反応性に富むことによ
り危険性を伴なうので技術的にもその取り扱いに
注意を要すること、第３にこの種のゲツタ材の再
生が工程中では不可能であることから、消耗品と
して扱わなければならないので経費の負坦が増大
につながること、第４に同じく再生が効かないこ
とから不純物除去性能が絶えず劣化する方向へ進
むので、その状況を常に把握してゲツタ材の変換
する時期を誤まらないようにしなければならな
い。 ［発明の目的］ 本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、最
低の投資額と最低の操業コストの工程によつて、
不純物を選択的に吸着・反応等を用いて除去する
ことによつて純度を向上させることができるアル
ゴンガスの精製方法を提供しようとするものであ
る。 ［発明の概要］ 本発明は酸素成分の微少な原料のアルゴンガス
を、０℃を越える温度乃至室温の範囲で4Aある
いは5Aのモレキユラーシーブスと接触せしめる
第一工程と、温度150〜300℃の範囲で加熱した銅
またはニツケルの金属と接触せしめる第二工程
と、上記第一、第二工程を通過後のアルゴンガス
を５〜25気圧の圧力で圧縮して5Aのモレキユラ
ーシーブスを通過せしめる第三工程を設けてアル
ゴンガスを精製することを特徴としている。 ここで、第一工程乃至第三工程で使用するモレ
キユラーシーブスはゼオライトが使用される。 なお、ゼオライト5AによるO2の除去効果は期
待することができないが、本発明では初めから酸
素成分の微少なアルゴンガスの精製を目的として
おり、O2の除去効果は期待していない。 また、第二工程で加熱した銅またはニツケルの
金属と接触させたアルゴンガスはその後放冷して
常温程度にしてから第三工程に送り込む。 なお、アルゴンガスを圧縮して5Aのモレキユ
ラーシーブスを通過させる第三工程はその前に第
一工程、第二工程を設けることにより、始めて有
効なN2の除去が可能で、且つ繰り返しの稼働に
耐え得るものとなる。 以上のようにして、本発明によれば運転経費、
および維持管理の負担の少ない高性能のアルゴン
精製方法を得ることができる。 ［発明の効果］ 本発明は以下のような効果を奏する。すなわち
まず第１に主要部分が殆んどゼオライト充填塔へ
の吸着によるものであり、このゼオライトは加熱
により大気中に吸着物質を放出し、繰り返し使用
することが可能であること。また再生に要する加
熱温度も200〜300℃までの比較的低い温度で済む
ことから運転経費が少なくて済むこと、第２に時
間を区切つて定期的に再生することから、不純物
除去性能の劣下防止がきわめて容易であり不純物
の組成に変動に対しても柔軟に対処できる。 第３に既に使用に供したアルゴンを本発明方法
に依る精製により再生回収し循環させて使用が可
能である。例えば半導体基板用シリコン単結晶製
造装置等に本方法を適用した場合、きわめて有効
に使用したアルゴンを精製し循環させて再使用に
供することができる。 ［発明の実施例］ 以下、本発明を不純物除去装置として5A型の
モレキユラーシーブスを充填した塔にアルゴンを
通過せしめる工程を備えたアルゴンの精製方法に
適用した一実施例につき図面を用いながら説明す
る。 図はその主要工程をフローチヤートとして示し
ている。 次表に示すような不純物を含んだアルゴンガス
を
【表】
1NM3／minの割合で図に示したフローチヤート
の順序に従つて、上記組成のアルゴンを流してい
く。 まず、第一工程では０℃を越える温度乃至室温
の範囲で4Aあるいは5Aを通過せしめて主として
H2OあるいはCO2成分を除去せしめ、次の第二工
程において温度150〜300℃に加熱した銅またはニ
ツケル金属を充填した筒を通過せしめて、H2あ
るいはCO成分を除去した後、放冷して常温程度
にしたアルゴンを5A型のモレキユラーシーブス
を充填した塔を加圧して通過せしめる。加圧力の
範囲は５〜25Kg／cm2で行う。これは５Kg／cm2未満
の場合、コスト軽減の効果があらわれ難い。また
25Kg／cm2を超える圧力を加える場合、圧力に対す
るN2の吸着能力の効果が微増にとどまる一方、
設備、維持管理の負坦が著しいことによる。加圧
力10Kg／cm2せしめた場合、各工程での各成分の減
少を次に示す。
の順序に従つて、上記組成のアルゴンを流してい
く。 まず、第一工程では０℃を越える温度乃至室温
の範囲で4Aあるいは5Aを通過せしめて主として
H2OあるいはCO2成分を除去せしめ、次の第二工
程において温度150〜300℃に加熱した銅またはニ
ツケル金属を充填した筒を通過せしめて、H2あ
るいはCO成分を除去した後、放冷して常温程度
にしたアルゴンを5A型のモレキユラーシーブス
を充填した塔を加圧して通過せしめる。加圧力の
範囲は５〜25Kg／cm2で行う。これは５Kg／cm2未満
の場合、コスト軽減の効果があらわれ難い。また
25Kg／cm2を超える圧力を加える場合、圧力に対す
るN2の吸着能力の効果が微増にとどまる一方、
設備、維持管理の負坦が著しいことによる。加圧
力10Kg／cm2せしめた場合、各工程での各成分の減
少を次に示す。
【表】
なお、第二工程のCu又はNiでは極端な差はな
くどちらでも可能である。 また、出口付近における精製ガスの分析値は次
の表に示すとおり精製されることが示された。
くどちらでも可能である。 また、出口付近における精製ガスの分析値は次
の表に示すとおり精製されることが示された。
【表】
アルゴンの廃棄の割合は全体に対しては12％に
とどまつた。 市販のアルゴンガスおよび本方法による精製さ
れたアルゴンガスを各々雰囲気として100mmφ×
400mmのシリコン単結晶を各々他は同一条件とし
て作成した単結晶の種子結晶に近い扁部、直胴体
の中央部、および底部から各々500μｍのウエー
ハーを切り出して研磨後、抵抗ライフタイム、酸
素、炭素量を測定したが、これら単結晶の各部位
におけるウエーハーの特性の差は殆んどなかつ
た。
とどまつた。 市販のアルゴンガスおよび本方法による精製さ
れたアルゴンガスを各々雰囲気として100mmφ×
400mmのシリコン単結晶を各々他は同一条件とし
て作成した単結晶の種子結晶に近い扁部、直胴体
の中央部、および底部から各々500μｍのウエー
ハーを切り出して研磨後、抵抗ライフタイム、酸
素、炭素量を測定したが、これら単結晶の各部位
におけるウエーハーの特性の差は殆んどなかつ
た。
図面は本発明の一実施例として単結晶シリコン
引上げ装置に供されたアルゴン精製回収工程を示
すフローチヤート図である。 １……単結晶シリコン引上げ装置、２……4A
（又は5A）モレキユラーシーブス筒、３……銅
（又はニツケル）ゲツタリング筒、４……コンプ
レツサー、５……5A型モレキユラーシーブス筒、
６……液体アルゴンタンク、７……蒸発器、８…
…気体アルゴン貯蔵タンク。
引上げ装置に供されたアルゴン精製回収工程を示
すフローチヤート図である。 １……単結晶シリコン引上げ装置、２……4A
（又は5A）モレキユラーシーブス筒、３……銅
（又はニツケル）ゲツタリング筒、４……コンプ
レツサー、５……5A型モレキユラーシーブス筒、
６……液体アルゴンタンク、７……蒸発器、８…
…気体アルゴン貯蔵タンク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸素成分の微少な原料のアルゴンガスを、０
℃を越える温度乃至室温の範囲で4Aあるいは5A
のモレキユラーシーブスと接触せしめる第一工程
と、温度150〜300℃の範囲で加熱した銅またはニ
ツケルの金属と接触せしめる第二工程と、上記第
一、第二工程を通過後のアルゴンガスを５〜25気
圧の圧力で圧縮して5Aのモレキユラーシーブス
を通過せしめる第三工程を設けてアルゴンガスを
精製することを特徴とするアルゴンガスの精製方
法。 ２ 原料のアルゴンガスとしてシリコン単結晶の
製造に供されたアルゴンガスを使用し、かつ精製
したアルゴンガスを再びシリコン単結晶の製造に
使用する特許請求の範囲第１項記載のアルゴンガ
スの精製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21546482A JPS59107910A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | アルゴンガスの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21546482A JPS59107910A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | アルゴンガスの精製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107910A JPS59107910A (ja) | 1984-06-22 |
| JPH0379288B2 true JPH0379288B2 (ja) | 1991-12-18 |
Family
ID=16672803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21546482A Granted JPS59107910A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | アルゴンガスの精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59107910A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239309A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-28 | Seitetsu Kagaku Co Ltd | アルゴンの回収方法 |
| JPS623008A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | 大陽酸素株式会社 | アルゴンの超精製装置、並びに精製方法 |
| JPH0698109B2 (ja) * | 1988-02-05 | 1994-12-07 | 象印マホービン株式会社 | 金属製真空二重構造体及びその製造方法 |
| US5106399A (en) * | 1991-02-25 | 1992-04-21 | Union Carbide Industrial Gases Technology Corporation | Argon purification system |
| JP4860206B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2012-01-25 | 日本パイオニクス株式会社 | 水素ガスの精製方法及び精製装置 |
| KR102043480B1 (ko) | 2012-02-10 | 2019-11-11 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 가스 정제기 |
| GB201418595D0 (en) | 2014-10-20 | 2014-12-03 | Renishaw Plc | Additive manufacturing apparatus and methods |
| CN108069407B (zh) * | 2017-12-28 | 2020-11-17 | 江西石华精细化工科技协同创新有限公司 | 一种绝氧气体的脱水除氧方法 |
| JP6655645B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2020-02-26 | エア・ウォーター株式会社 | 精製ガスの製造装置および精製ガスの製造方法 |
| JP6695375B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2020-05-20 | エア・ウォーター株式会社 | 精製ガスの製造装置および精製ガスの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS506440A (ja) * | 1973-05-17 | 1975-01-23 | ||
| JPS5242755A (en) * | 1975-10-01 | 1977-04-02 | Hitachi Ltd | Process for measuring displacements on the overall peripheral surface of a cylindrical object by means of moire fringe |
| JPS53147669A (en) * | 1977-05-30 | 1978-12-22 | Daiyo Sanso | Removing agent for removing hydrogen* carbon monoxide* oxygen* etc* from mixed gas |
| JPS5726377A (en) * | 1980-07-24 | 1982-02-12 | Nippon Oxygen Co Ltd | Production of argon gas |
-
1982
- 1982-12-10 JP JP21546482A patent/JPS59107910A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS506440A (ja) * | 1973-05-17 | 1975-01-23 | ||
| JPS5242755A (en) * | 1975-10-01 | 1977-04-02 | Hitachi Ltd | Process for measuring displacements on the overall peripheral surface of a cylindrical object by means of moire fringe |
| JPS53147669A (en) * | 1977-05-30 | 1978-12-22 | Daiyo Sanso | Removing agent for removing hydrogen* carbon monoxide* oxygen* etc* from mixed gas |
| JPS5726377A (en) * | 1980-07-24 | 1982-02-12 | Nippon Oxygen Co Ltd | Production of argon gas |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59107910A (ja) | 1984-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8398747B2 (en) | Processes for purification of acetylene | |
| US6838066B2 (en) | Process for recovery, purification, and recycle of argon | |
| KR0172121B1 (ko) | 개스의 저온 정제법 | |
| US2971607A (en) | Method for purifying silance | |
| EP0366078B1 (en) | Method for Purifying nitrogen trifluoride gas | |
| US7384618B2 (en) | Purification of nitrogen trifluoride | |
| JP3092101B2 (ja) | 純粋でないアルゴンの回収精製方法 | |
| JPH0798648B2 (ja) | Ｎｆ３ガスの精製方法 | |
| JPH10113502A (ja) | 高純度液体状態の低温流体を生成する方法および装置 | |
| KR20030070836A (ko) | 기체상태의 삼불화질소 정제 방법 | |
| JPH0379288B2 (ja) | ||
| JPS62119104A (ja) | 単結晶製造炉の排ガスより高純度アルゴンを回収する方法 | |
| JPH0353017B2 (ja) | ||
| EP1430262B1 (en) | A process and apparatus for purifying hydrogen bromide | |
| JPH04925B2 (ja) | ||
| JPH0340902A (ja) | 水素化物ガスの精製方法 | |
| JPH0114164B2 (ja) | ||
| JP3634890B2 (ja) | 置換ヒドラジンガスの精製方法 | |
| JP2003128412A (ja) | 四弗化ケイ素の精製方法 | |
| JP2621975B2 (ja) | 低沸点物質精製方法 | |
| KR102612965B1 (ko) | 일산화탄소(Carbon Monoxide) 가스 정제용 흡착제 조성물 및 상기 흡착제 조성물을 이용한 일산화탄소 정제방법 | |
| JPS5964510A (ja) | アルゴンガスの精製法 | |
| JP3213851B2 (ja) | 不活性ガス中の一酸化炭素の除去方法 | |
| JP2931662B2 (ja) | 三弗化窒素ガスの精製方法 | |
| KR102074832B1 (ko) | 테트라플루오르메탄의 고순도 정제방법 |