JPH0378665A - 半導体測定装置 - Google Patents
半導体測定装置Info
- Publication number
- JPH0378665A JPH0378665A JP21522989A JP21522989A JPH0378665A JP H0378665 A JPH0378665 A JP H0378665A JP 21522989 A JP21522989 A JP 21522989A JP 21522989 A JP21522989 A JP 21522989A JP H0378665 A JPH0378665 A JP H0378665A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- time
- frequency
- conversion
- signal
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 23
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- IFLVGRRVGPXYON-UHFFFAOYSA-N adci Chemical compound C12=CC=CC=C2C2(C(=O)N)C3=CC=CC=C3CC1N2 IFLVGRRVGPXYON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100162020 Mesorhizobium japonicum (strain LMG 29417 / CECT 9101 / MAFF 303099) adc3 gene Proteins 0.000 description 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体特に半導体集積回路の電気特性の測
定装置に関するものである。特に、時間軸と周波数軸の
特性測定を高周波領域で、同一装置で可能とする測定装
置を提供するものである。
定装置に関するものである。特に、時間軸と周波数軸の
特性測定を高周波領域で、同一装置で可能とする測定装
置を提供するものである。
第３図は従来の半導体測定装置の構成を示すブロック図
である。図において、（１０１）は被測定信号を入力す
る測定入力端子、（１０３）は低周波ろ波器（ＬＰＦと
称す）、（１０２）はＬＰＦ’を必要な時に短絡する短
絡手段、（１０４）はアナログ値をディジタル値に変換
するＡ／Ｄ手段（ＡＤＯと称す）、（１ｏ５ ）は変換
されたディジタル値を記憶する記憶手段（ＭＩＩＣＭと
称す）、（１０６）はＡＤ Ｃ３（１０４）において変
換する時刻と変換されたディジタル値をＭ Ｅ Ｍ （
１０５）に記憶する時刻を設定する時刻設定手段（ＯＬ
Ｋ ＧＥＮと称す）、（１０マ）は記憶されたディジ
タル値すなわちディジタル信号に対してフーリエ変換等
の処理を行うディジタル信号処理手段（ＣＰＵと称す）
である。
である。図において、（１０１）は被測定信号を入力す
る測定入力端子、（１０３）は低周波ろ波器（ＬＰＦと
称す）、（１０２）はＬＰＦ’を必要な時に短絡する短
絡手段、（１０４）はアナログ値をディジタル値に変換
するＡ／Ｄ手段（ＡＤＯと称す）、（１ｏ５ ）は変換
されたディジタル値を記憶する記憶手段（ＭＩＩＣＭと
称す）、（１０６）はＡＤ Ｃ３（１０４）において変
換する時刻と変換されたディジタル値をＭ Ｅ Ｍ （
１０５）に記憶する時刻を設定する時刻設定手段（ＯＬ
Ｋ ＧＥＮと称す）、（１０マ）は記憶されたディジ
タル値すなわちディジタル信号に対してフーリエ変換等
の処理を行うディジタル信号処理手段（ＣＰＵと称す）
である。
次に、時間軸特性測定動作を説明する。被測定信号を測
定入力端子（１０１）に入力し、ＡＤ（：！（１０４）
でｃ Ｌ、Ｋ Ｃ）ＥＮ （１０６）で設定された時
刻にアナログ値をディジタル値に変換する。この場合、
ＬＰＦ（１０３）が短絡手段（１０２）によって、短絡
されているか否かは特に規定されない。変換されたディ
ジタル値は、順次Ｍ ＥＭ （１０５）に記憶される。
定入力端子（１０１）に入力し、ＡＤ（：！（１０４）
でｃ Ｌ、Ｋ Ｃ）ＥＮ （１０６）で設定された時
刻にアナログ値をディジタル値に変換する。この場合、
ＬＰＦ（１０３）が短絡手段（１０２）によって、短絡
されているか否かは特に規定されない。変換されたディ
ジタル値は、順次Ｍ ＥＭ （１０５）に記憶される。
記憶された複数制のディジタル値すなわちディジタル信
号をＯＰ Ｕ （１０７）を用いて遷移時間等の時間軸
特性を計算し、測定を完了する。第４図は時間軸に対す
るｂ記の様子を説明する模式図である。（２０１）はア
ナログの被測定信号、（２１０）はＡＤＣＩ（１０４）
でディジタル値に変換され、Ｍ ＥＭ （１０５）に記
憶されたディジタル信号、（２２０）はＣＬＫ ＧＥＮ
（１０６）で設定された変換及び記憶時刻の列を示した
ものである。第２図において、ある変換時刻から次の変
換時刻までの時間間隔ｔ、のせ小値は、ＡＤ Ｃ（１０
４）の変換速度で決定され、現在Ｌｏｎｅ程度が最小で
ある。したがって、本例では、１０ｎθ以下の遷移時間
の測ボは不可能となる。
号をＯＰ Ｕ （１０７）を用いて遷移時間等の時間軸
特性を計算し、測定を完了する。第４図は時間軸に対す
るｂ記の様子を説明する模式図である。（２０１）はア
ナログの被測定信号、（２１０）はＡＤＣＩ（１０４）
でディジタル値に変換され、Ｍ ＥＭ （１０５）に記
憶されたディジタル信号、（２２０）はＣＬＫ ＧＥＮ
（１０６）で設定された変換及び記憶時刻の列を示した
ものである。第２図において、ある変換時刻から次の変
換時刻までの時間間隔ｔ、のせ小値は、ＡＤ Ｃ（１０
４）の変換速度で決定され、現在Ｌｏｎｅ程度が最小で
ある。したがって、本例では、１０ｎθ以下の遷移時間
の測ボは不可能となる。
次に、周波数軸特性の測定動作について説明する。動作
は、時間軸特性の場合と同様であるが、Ｍ Ｅ Ｍ （
１０５）に記憶されたディジタル信号に対してＯＰ Ｕ
（１０７）によって７−リエ変換等の処理を行う必要
がある。したがって、ナイキスト定理から、この測定を
行う時、被測定信号をＬＰＦ（１０３）を通過させる必
要があり、かつＬＰＦ（１０３）の遮断周波数ｆｃをｆ
ｃ ＜１７（ｔｓｘｚ） Ｋする必要がある。
は、時間軸特性の場合と同様であるが、Ｍ Ｅ Ｍ （
１０５）に記憶されたディジタル信号に対してＯＰ Ｕ
（１０７）によって７−リエ変換等の処理を行う必要
がある。したがって、ナイキスト定理から、この測定を
行う時、被測定信号をＬＰＦ（１０３）を通過させる必
要があり、かつＬＰＦ（１０３）の遮断周波数ｆｃをｆ
ｃ ＜１７（ｔｓｘｚ） Ｋする必要がある。
以上より、測定可能周波数帯域は、１／ （ｔ ｓ Ｘ
２ ）以下と制限されることになる。
２ ）以下と制限されることになる。
従来の半導体測定装置は以とのように構成されているの
で、時間軸及び周波数軸特性の測定領域はＡＤＯの動作
速度によって制限されるという問題点があった〇 この発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たもので、ＡＤＣＩの動作速度を上げることなく、ｔ、
を小さくし測定領域を拡げることを目的としている。
で、時間軸及び周波数軸特性の測定領域はＡＤＯの動作
速度によって制限されるという問題点があった〇 この発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たもので、ＡＤＣＩの動作速度を上げることなく、ｔ、
を小さくし測定領域を拡げることを目的としている。
この発明においては、被測定信号はｔ、の時間で繰）返
していることが前提となる。この発明での変換時刻間隔
をｔ、とすると、ｔ：をｔ＠’ ＝ｎｘｔ、 ＋ｔ。
していることが前提となる。この発明での変換時刻間隔
をｔ、とすると、ｔ：をｔ＠’ ＝ｎｘｔ、 ＋ｔ。
（ｎは整数）に設定し、ＬＰＦ’の遮断周波数ｆｃを周
波数軸測定の場合はｆｅ＜１／（ｚｘｔ＊） Ｋ設定す
る。
波数軸測定の場合はｆｅ＜１／（ｚｘｔ＊） Ｋ設定す
る。
この発明では、変換時間間隔はｔ、であるが、等測的な
変換時間間隔はｔ、と表る。したがって、ＡＤＯの変換
速度を上げることなく、ｔ、を小さくできることになる
。
変換時間間隔はｔ、と表る。したがって、ＡＤＯの変換
速度を上げることなく、ｔ、を小さくできることになる
。
第１図はこの発明の一実施例による半導体測定装置の構
成を示すブロック図である。図において、（１０１）〜
（１０７）は＃ｇ３図の従来例に示したものと同等であ
るので説明を省略する。（１１０）はサンプルホールド
回路である。
成を示すブロック図である。図において、（１０１）〜
（１０７）は＃ｇ３図の従来例に示したものと同等であ
るので説明を省略する。（１１０）はサンプルホールド
回路である。
次に時間軸特性測定動作を説明する。被測定信号を測定
入力端子（１０１’）に入力し、Ａ ｖ ｏ （１０４
）でＯＬＫ Ｇ ＥＮ （１０６）で設定された時刻
にアナログ値をディジタル値に変換する。変換時刻間隔
ｔ、を被測定信号の繰返し時間１．に対してｔ＠ ”
ｎ Ｘ ｔ １ ＋ ｔ。
入力端子（１０１’）に入力し、Ａ ｖ ｏ （１０４
）でＯＬＫ Ｇ ＥＮ （１０６）で設定された時刻
にアナログ値をディジタル値に変換する。変換時刻間隔
ｔ、を被測定信号の繰返し時間１．に対してｔ＠ ”
ｎ Ｘ ｔ １ ＋ ｔ。
（ｎは整数）となるように、Ｃ３ＬＫ ＧＥＮ（１０
６）を設定する。この場合、Ｌ Ｐ Ｆ （１０３）が
短絡手段（１０２）によって、短絡されているか否かは
特に規定されない。変換されたディジタル値は、頴次Ｍ
ＥＭ （１０５）に記憶される。記憶された複数個のデ
ィジタル値すなわちディジタル信号をＯＰ Ｕ （１０
７）を用いて遷移時間等の時間軸特性を計算し、測定を
完了する。
６）を設定する。この場合、Ｌ Ｐ Ｆ （１０３）が
短絡手段（１０２）によって、短絡されているか否かは
特に規定されない。変換されたディジタル値は、頴次Ｍ
ＥＭ （１０５）に記憶される。記憶された複数個のデ
ィジタル値すなわちディジタル信号をＯＰ Ｕ （１０
７）を用いて遷移時間等の時間軸特性を計算し、測定を
完了する。
第２図は時間軸に対する上記の様子を説明する模式図で
ある。図において、（２０１）、（２１０）は第４図の
従来例に示したものと同等であるので説明を省略する。
ある。図において、（２０１）、（２１０）は第４図の
従来例に示したものと同等であるので説明を省略する。
（２５０）はサンプルホールド回路（１１０）Ｋよりサ
ンプルホールドされたサンプルホールド信号、（３２１
）、（３２３）、（３２５）はディジタル値に変換する
時刻、（３２２） 、 （３２４） 、 （３２６）は
サンプルホールドする時刻を示している。これによれば
、ｔ、Ｘｎ＋１．の変換時間間隔のＡ Ｄ Ｃ（１０４
）で、劣−測的にｔ、の変換時間間隔で変換段のディジ
タル信号が得られることになる。
ンプルホールドされたサンプルホールド信号、（３２１
）、（３２３）、（３２５）はディジタル値に変換する
時刻、（３２２） 、 （３２４） 、 （３２６）は
サンプルホールドする時刻を示している。これによれば
、ｔ、Ｘｎ＋１．の変換時間間隔のＡ Ｄ Ｃ（１０４
）で、劣−測的にｔ、の変換時間間隔で変換段のディジ
タル信号が得られることになる。
次に、周波数軸特性の測定動作について説明する。動作
は、時間軸特性の場合と同様であるが、Ｍ Ｅ Ｍ （
１０５）に記憶されたディジタル信号に対してＣ！ Ｐ
Ｕ （１０））によってフーリエ変換等の処理を行う
必要がある。したがって、ナイキスト定理から、この測
定を行う時、被測定信号をＬ Ｐ Ｆ （１０３）を通
過させる必要があり、かつＬ Ｐ Ｆ（１０３）の遮断
周波数ｆｃをｆｃ＜１／（ｔｓＸ２）にする必要がある
０これによれば、ｌ／（ｔ、Ｘｎ＋ｔ、）の変換周波数
で、１／ｌ、までの周波数帯域での測定が可能となる０
〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、同一装置で高帯域で
時間軸及び周波数軸特性の測定が可能となり、半導体測
定装置の低価格化、測定時間を低減が可能となる。
は、時間軸特性の場合と同様であるが、Ｍ Ｅ Ｍ （
１０５）に記憶されたディジタル信号に対してＣ！ Ｐ
Ｕ （１０））によってフーリエ変換等の処理を行う
必要がある。したがって、ナイキスト定理から、この測
定を行う時、被測定信号をＬ Ｐ Ｆ （１０３）を通
過させる必要があり、かつＬ Ｐ Ｆ（１０３）の遮断
周波数ｆｃをｆｃ＜１／（ｔｓＸ２）にする必要がある
０これによれば、ｌ／（ｔ、Ｘｎ＋ｔ、）の変換周波数
で、１／ｌ、までの周波数帯域での測定が可能となる０
〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、同一装置で高帯域で
時間軸及び周波数軸特性の測定が可能となり、半導体測
定装置の低価格化、測定時間を低減が可能となる。
第１図はこの発明の一実施％ｊによる半導体測定装置の
構成を示すブロック図、第２図は第１図の装置の動作を
説明する模式図、第３図は従来の半導体測定装置の構成
を示すブロック図、第４図は第３図の装置の動作を説明
する模式図である。 図において、（ＩＱｌ）は測定入力端子、（１０３）は
低周波ろ波器、（１０２）は短絡手段、（１０４）はＡ
／Ｄ手段、（１０５）は記憶装置、（１０６）は時刻設
定手段、（１０７）はディジタル信号処理手段、（１１
ｏ）はサンプルホールド回路、（２０１）は被測定信号
、（２１０）は記憶された信号、（２２０）は変換及び
記憶時刻の列、（２５０）はサンプルホールド信号、（
３２１）、（３２３） 、 （３２５）はディジタル値
に変換する時刻、（３２２）。 （３２４）、（３２６）はサンプルホールドする時刻で
ある０なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す
。
構成を示すブロック図、第２図は第１図の装置の動作を
説明する模式図、第３図は従来の半導体測定装置の構成
を示すブロック図、第４図は第３図の装置の動作を説明
する模式図である。 図において、（ＩＱｌ）は測定入力端子、（１０３）は
低周波ろ波器、（１０２）は短絡手段、（１０４）はＡ
／Ｄ手段、（１０５）は記憶装置、（１０６）は時刻設
定手段、（１０７）はディジタル信号処理手段、（１１
ｏ）はサンプルホールド回路、（２０１）は被測定信号
、（２１０）は記憶された信号、（２２０）は変換及び
記憶時刻の列、（２５０）はサンプルホールド信号、（
３２１）、（３２３） 、 （３２５）はディジタル値
に変換する時刻、（３２２）。 （３２４）、（３２６）はサンプルホールドする時刻で
ある０なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被測定信号に低周波ろ波を行う手段、上記低周波ろ波を
行う手段を通過させる手段を持ち、被測定信号のアナロ
グ値をディジタル値に変換する手段、上記ディジタル値
を格納する記憶手段、上記変換の時刻及び上記記憶時刻
を設定する手段、上記格納されたディジタル値に対して
処理する手段を有する半導体測定装置において、 被測定信号の繰返し周波数ｆ＿ｒに対して、アナログ値
をディジタル値に変換する手段における変換周波数ｆ＿
■を ｆ＿■＋ｆ＿ｒ×ｎ（ｎは整数） と設定する手段を有することを特徴とする半導体測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21522989A JPH0378665A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | 半導体測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21522989A JPH0378665A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | 半導体測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0378665A true JPH0378665A (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=16668848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21522989A Pending JPH0378665A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | 半導体測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0378665A (ja) |
-
1989
- 1989-08-21 JP JP21522989A patent/JPH0378665A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0697256B2 (ja) | Ａｃレベル校正装置 | |
| JPH06249889A (ja) | 電圧電流測定ユニットおよび電圧電流測定方法 | |
| JPH04231883A (ja) | デルタ−シグマ変調器テスト方法及び装置 | |
| JPH0645941A (ja) | 検査装置 | |
| TW595114B (en) | Built-In self test apparatus and method for digital-to-analog converter | |
| KR20020084363A (ko) | 아나로그/디지털 변환기의 선형특성 테스트장치 및 그 방법 | |
| JPS58219465A (ja) | Ｄ／ａコンバ−タ用試験装置 | |
| JPH0378665A (ja) | 半導体測定装置 | |
| JPH04105073A (ja) | 実効値測定装置 | |
| JPH07260855A (ja) | 雑音計測方法と装置およびこれを用いる雑音低減方法 | |
| JPS63299411A (ja) | Ｄａコンバ−タテスト法 | |
| JPS59146219A (ja) | Ｄ／ａコンバ−タの測定方式 | |
| JPH0621816A (ja) | Ｄ／ａコンバータテスト回路 | |
| SU1732186A1 (ru) | Устройство дл измерени температуры | |
| KR20000007224A (ko) | 디지털/아날로그 변환기 테스트 장치 | |
| JPH0716416U (ja) | 信号発生装置 | |
| SU1198752A1 (ru) | Устройство для измерения нелинейности аналого-цифрового преобразователя в динамическом режиме | |
| JPH10112651A (ja) | ディジタルテスタを用いたｄ／ａ変換器の検査方法 | |
| JPH1138102A (ja) | 集積回路の雑音の計測装置及びその駆動方法 | |
| JPH02266267A (ja) | デジタルストレージ・オシロスコープ | |
| JPH09159722A (ja) | 半導体直流試験装置 | |
| JP2003066120A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
| JPS61149869A (ja) | 波形解析システム | |
| JPH03226685A (ja) | 半導体測定装置 | |
| JPH06308173A (ja) | デジタル電力計 |