JPH0376564B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0376564B2 JPH0376564B2 JP58079602A JP7960283A JPH0376564B2 JP H0376564 B2 JPH0376564 B2 JP H0376564B2 JP 58079602 A JP58079602 A JP 58079602A JP 7960283 A JP7960283 A JP 7960283A JP H0376564 B2 JPH0376564 B2 JP H0376564B2
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- JP
- Japan
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- carbon
- resistance film
- metal powder
- variable resistor
- based resistance
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Landscapes
- Adjustable Resistors (AREA)
Description
この発明は可変抵抗器、特に抵抗皮膜と引き出
し電極との密着性を改良したものに関する。 第1図、第2図はこの発明の従来例を説明する
のに好適な可変抵抗器の一例を示したものであ
り、第1図は可変抵抗器の平面図、第2図はその
一部拡大断面図である。 図において、1はアルミナ、フオルステライ
ト、ジルコニアなどのセラミツク、あるいは樹脂
などからなる絶縁基板、2は抵抗皮膜を示し、絶
縁基板1の上に形成されており、この抵抗皮膜2
の上を摺動子3がスライドする。4,5は抵抗皮
膜2の両端とそれぞれ電気接続する引き出し電極
で、一方の端部4a,5aが絶縁基板1の表面に
位置し、他方の端部4b,5bは引き出し端子と
なる。6は摺動子3側の引き出し端子である。 このような従来構造の可変抵抗器において、特
に第2図から明らかなように、引き出し端子4,
5の一方の端部4a,5aの上に重なつて抵抗皮
膜2が形成された構造となつている。 ところで、低抵抗の可変抵抗器を得る場合に
は、抵抗皮膜2の材料として、カーボン、黒鉛な
どの導電成分のほか、抵抗を下げる目的として銀
粉などの金属粉を混入させたものを用いていた。
しかしながら、このように金属粉を含む導電成分
で抵抗皮膜2を形成すると、引き出し電極4,5
の端部4a,5aとの密着性が悪いためか、粘着
テープを用いて剥離テストを行うとその個所にお
いて抵抗皮膜2が剥れるという現象が見られ、ま
た剥離テストを行わなくても接触不良にもとづく
抵抗値のバラツキが見られ、電気的諸特性に悪影
響を及ぼすという好ましくない結果を示してい
た。 したがつて、この発明は抵抗皮膜と引き出し電
極との密着性を改良した可変抵抗器を提供するこ
とを目的とする。 すなわち、この発明の要旨とするところは、絶
縁基板上に、金属粉を含むものからなり、摺動子
がスライドする炭素系抵抗皮膜が形成され、一方
この炭素系抵抗皮膜の端部下面に引き出し電極が
形成されている可変抵抗器において、 少なくとも前記金属粉を含む炭素系抵抗皮膜と
引き出し電極との間に、金属粉を含まない炭素系
抵抗皮膜が形成されていることを特徴とする可変
抵抗器である。 以下この発明を一実施例に従つて詳細に説明す
る。 第3図はこの発明にかかる可変抵抗器の一部拡
大断面図である。 図において、11は絶縁基板、12は絶縁基板
11の上に形成された抵抗皮膜を示し、12aは
銀などの金属粉を含まないカーボン、黒鉛などか
らなる下層の炭素系抵抗皮膜、12bは金属粉を
含む低抵抗からなる上層の炭素系抵抗皮膜であ
る。13は引き出し電極を示し、この引き出し電
極13は抵抗皮膜12の端部下面に位置してい
る。この引き出し電極13の端部13aは絶縁基
板11の面と同一面上に形成されているが、特に
この構造に限定されるものではなく、絶縁基板1
1の面より上あるいは下に位置してもよい。図示
したものは絶縁基板11の材料として樹脂を用
い、また引き出し電極13として真ちゆうなどの
金属を用いて一体モールドして構成したものであ
る。なお、その他の部分は第1図、第2図に示し
たものと重複するので、詳細な説明は省略する。 次にこの発明の可変抵抗器につき具体的実施例
にもとづいて説明する。 下層の炭素系抵抗皮膜として、カーボン21重量
%、黒鉛14重量%、有機ワニス65重量%からなる
抵抗ペーストを準備し、これを絶縁基板11の上
に印刷手段にて付与したのち、170℃で熱硬化さ
せて第1抵抗皮膜12aを形成した。 次いで、上層の炭素系抵抗皮膜として、カーボ
ン6重量%、黒鉛4重量%、銀粉48重量%、有機
ワニス42重量%からなる抵抗ペーストを準備し、
これを下層の炭素系抵抗皮膜12aの上に印刷手
段にて付与したのち、170℃で熱硬化させて金属
粉を含む炭素系抵抗皮膜12bを形成した、。 このようにして得られた可変抵抗器の抵抗皮膜
につき、粘着テープによる剥離試験を行つたとこ
ろ、下表に示すような結果を示した。また従来例
として、この発明の具体的実施例において金属粉
を含む炭素系抵抗皮膜を形成するために用いた抵
抗ペーストにより単層の抵抗皮膜を形成したもの
を用い、同様に剥離試験を行い、その結果も下表
に合わせて示した。
し電極との密着性を改良したものに関する。 第1図、第2図はこの発明の従来例を説明する
のに好適な可変抵抗器の一例を示したものであ
り、第1図は可変抵抗器の平面図、第2図はその
一部拡大断面図である。 図において、1はアルミナ、フオルステライ
ト、ジルコニアなどのセラミツク、あるいは樹脂
などからなる絶縁基板、2は抵抗皮膜を示し、絶
縁基板1の上に形成されており、この抵抗皮膜2
の上を摺動子3がスライドする。4,5は抵抗皮
膜2の両端とそれぞれ電気接続する引き出し電極
で、一方の端部4a,5aが絶縁基板1の表面に
位置し、他方の端部4b,5bは引き出し端子と
なる。6は摺動子3側の引き出し端子である。 このような従来構造の可変抵抗器において、特
に第2図から明らかなように、引き出し端子4,
5の一方の端部4a,5aの上に重なつて抵抗皮
膜2が形成された構造となつている。 ところで、低抵抗の可変抵抗器を得る場合に
は、抵抗皮膜2の材料として、カーボン、黒鉛な
どの導電成分のほか、抵抗を下げる目的として銀
粉などの金属粉を混入させたものを用いていた。
しかしながら、このように金属粉を含む導電成分
で抵抗皮膜2を形成すると、引き出し電極4,5
の端部4a,5aとの密着性が悪いためか、粘着
テープを用いて剥離テストを行うとその個所にお
いて抵抗皮膜2が剥れるという現象が見られ、ま
た剥離テストを行わなくても接触不良にもとづく
抵抗値のバラツキが見られ、電気的諸特性に悪影
響を及ぼすという好ましくない結果を示してい
た。 したがつて、この発明は抵抗皮膜と引き出し電
極との密着性を改良した可変抵抗器を提供するこ
とを目的とする。 すなわち、この発明の要旨とするところは、絶
縁基板上に、金属粉を含むものからなり、摺動子
がスライドする炭素系抵抗皮膜が形成され、一方
この炭素系抵抗皮膜の端部下面に引き出し電極が
形成されている可変抵抗器において、 少なくとも前記金属粉を含む炭素系抵抗皮膜と
引き出し電極との間に、金属粉を含まない炭素系
抵抗皮膜が形成されていることを特徴とする可変
抵抗器である。 以下この発明を一実施例に従つて詳細に説明す
る。 第3図はこの発明にかかる可変抵抗器の一部拡
大断面図である。 図において、11は絶縁基板、12は絶縁基板
11の上に形成された抵抗皮膜を示し、12aは
銀などの金属粉を含まないカーボン、黒鉛などか
らなる下層の炭素系抵抗皮膜、12bは金属粉を
含む低抵抗からなる上層の炭素系抵抗皮膜であ
る。13は引き出し電極を示し、この引き出し電
極13は抵抗皮膜12の端部下面に位置してい
る。この引き出し電極13の端部13aは絶縁基
板11の面と同一面上に形成されているが、特に
この構造に限定されるものではなく、絶縁基板1
1の面より上あるいは下に位置してもよい。図示
したものは絶縁基板11の材料として樹脂を用
い、また引き出し電極13として真ちゆうなどの
金属を用いて一体モールドして構成したものであ
る。なお、その他の部分は第1図、第2図に示し
たものと重複するので、詳細な説明は省略する。 次にこの発明の可変抵抗器につき具体的実施例
にもとづいて説明する。 下層の炭素系抵抗皮膜として、カーボン21重量
%、黒鉛14重量%、有機ワニス65重量%からなる
抵抗ペーストを準備し、これを絶縁基板11の上
に印刷手段にて付与したのち、170℃で熱硬化さ
せて第1抵抗皮膜12aを形成した。 次いで、上層の炭素系抵抗皮膜として、カーボ
ン6重量%、黒鉛4重量%、銀粉48重量%、有機
ワニス42重量%からなる抵抗ペーストを準備し、
これを下層の炭素系抵抗皮膜12aの上に印刷手
段にて付与したのち、170℃で熱硬化させて金属
粉を含む炭素系抵抗皮膜12bを形成した、。 このようにして得られた可変抵抗器の抵抗皮膜
につき、粘着テープによる剥離試験を行つたとこ
ろ、下表に示すような結果を示した。また従来例
として、この発明の具体的実施例において金属粉
を含む炭素系抵抗皮膜を形成するために用いた抵
抗ペーストにより単層の抵抗皮膜を形成したもの
を用い、同様に剥離試験を行い、その結果も下表
に合わせて示した。
【表】
また、この発明にかかる可変抵抗器につき、残
留抵抗を測定したが従来品と同程度の特性を示し
た。また回転角と抵抗変化率との関係を測定した
が、良好な直線性を示した。 第4図はこの発明の他の実施例を示し、引き出
し電極13の端部13a上面およびその周辺に金
属粉を含まない炭素系抵抗皮膜12aを部分的に
形成し、その上に摺動子がスライドする面となる
金属粉を含む炭素系抵抗皮膜12bを形成したも
のである。 この実施例によつても同様な効果を達成するこ
とができる。 以上この発明にかかる可変抵抗器によれば、金
属粉を含む低抵抗用の炭素系抵抗皮膜と引き出し
電極との間に金属粉を含まない炭素系抵抗皮膜を
介在させることによつて、抵抗皮膜と引き出し電
極との密着性を向上させることができるという効
果を奏するものである。したがつて、接触不良に
よる抵抗値のバラツキや電気的諸特性への悪影響
をなくなるという利点を有する。
留抵抗を測定したが従来品と同程度の特性を示し
た。また回転角と抵抗変化率との関係を測定した
が、良好な直線性を示した。 第4図はこの発明の他の実施例を示し、引き出
し電極13の端部13a上面およびその周辺に金
属粉を含まない炭素系抵抗皮膜12aを部分的に
形成し、その上に摺動子がスライドする面となる
金属粉を含む炭素系抵抗皮膜12bを形成したも
のである。 この実施例によつても同様な効果を達成するこ
とができる。 以上この発明にかかる可変抵抗器によれば、金
属粉を含む低抵抗用の炭素系抵抗皮膜と引き出し
電極との間に金属粉を含まない炭素系抵抗皮膜を
介在させることによつて、抵抗皮膜と引き出し電
極との密着性を向上させることができるという効
果を奏するものである。したがつて、接触不良に
よる抵抗値のバラツキや電気的諸特性への悪影響
をなくなるという利点を有する。
第1図、第2図はこの発明の従来例にかかる可
変抵抗器を示し、第1図は平面図、第2図はその
一部拡大断面図、第3図はこの発明にかかる可変
抵抗器の一実施例を示す一部拡大断面図、第4図
は同じく他の実施例を示す一部拡大断面図であ
る。 11は絶縁基板、12は抵抗皮膜、12aは金
属粉を含まない炭素系抵抗皮膜、12bは金属粉
を含む炭素系抵抗皮膜、13は引き出し電極。
変抵抗器を示し、第1図は平面図、第2図はその
一部拡大断面図、第3図はこの発明にかかる可変
抵抗器の一実施例を示す一部拡大断面図、第4図
は同じく他の実施例を示す一部拡大断面図であ
る。 11は絶縁基板、12は抵抗皮膜、12aは金
属粉を含まない炭素系抵抗皮膜、12bは金属粉
を含む炭素系抵抗皮膜、13は引き出し電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 絶縁基板上に、金属粉を含むものからなり、
摺動子がスライドする炭素系抵抗皮膜が形成さ
れ、一方この炭素系抵抗膜の端部下面に引き出し
電極が形成されている可変抵抗器において、 少なくとも前記金属粉を含む炭素系抵抗皮膜と
引き出し電極との間に、金属粉を含まない炭素系
抵抗皮膜が形成されていることを特徴とする可変
抵抗器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7960283A JPS59204207A (ja) | 1983-05-07 | 1983-05-07 | 可変抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7960283A JPS59204207A (ja) | 1983-05-07 | 1983-05-07 | 可変抵抗器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59204207A JPS59204207A (ja) | 1984-11-19 |
JPH0376564B2 true JPH0376564B2 (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=13694557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7960283A Granted JPS59204207A (ja) | 1983-05-07 | 1983-05-07 | 可変抵抗器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59204207A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61166502U (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-16 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4974365A (ja) * | 1972-11-21 | 1974-07-18 | ||
JPS5021298A (ja) * | 1973-06-01 | 1975-03-06 | ||
JPS5118845A (ja) * | 1974-08-06 | 1976-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Denshichuunaayoteikokiban |
-
1983
- 1983-05-07 JP JP7960283A patent/JPS59204207A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4974365A (ja) * | 1972-11-21 | 1974-07-18 | ||
JPS5021298A (ja) * | 1973-06-01 | 1975-03-06 | ||
JPS5118845A (ja) * | 1974-08-06 | 1976-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Denshichuunaayoteikokiban |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59204207A (ja) | 1984-11-19 |
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