JPH0376190A - 薄膜回路基板 - Google Patents
薄膜回路基板Info
- Publication number
- JPH0376190A JPH0376190A JP21142989A JP21142989A JPH0376190A JP H0376190 A JPH0376190 A JP H0376190A JP 21142989 A JP21142989 A JP 21142989A JP 21142989 A JP21142989 A JP 21142989A JP H0376190 A JPH0376190 A JP H0376190A
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- JP
- Japan
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- film
- tan
- circuit board
- constitution
- film circuit
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置、さらに特定すれば薄膜回路基板に関し、
薄膜回路基板の膜構成を簡素にすることを目的とし、
基板上に順次重ねたＴａＮ膜、厚みが少なくとも１０．
１／ＩＩのＣｕ膜、およびＣｒ膜のみからなる膜構成を
有し、かつこの膜構成からＣｒ膜を除去した部分に、他
の金属を付着していない電気的接合パッドを有するよう
に構成する。
１／ＩＩのＣｕ膜、およびＣｒ膜のみからなる膜構成を
有し、かつこの膜構成からＣｒ膜を除去した部分に、他
の金属を付着していない電気的接合パッドを有するよう
に構成する。
本発明は、高精度、高安定度を要求される計測機器、交
換機器などに広く使用される薄膜ハイブリッドＩＣ＠路
基板に関する。
換機器などに広く使用される薄膜ハイブリッドＩＣ＠路
基板に関する。
〔従来の技術］
従来の薄膜回路基板の膜構成は、たとえば、ＴａＮを抵
抗体、ＣｕまたはＡｕを導体とし、ＴａＮ／Ｃｒ／Ｃｕ
／Ｃｒ、 ＴａＮ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕ／ＮｉＣｒまた
はＴａＮ／ＮｉＣｒ／Ａｕ／ＮｉＣｒの膜構成を有する
。
抗体、ＣｕまたはＡｕを導体とし、ＴａＮ／Ｃｒ／Ｃｕ
／Ｃｒ、 ＴａＮ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕ／ＮｉＣｒまた
はＴａＮ／ＮｉＣｒ／Ａｕ／ＮｉＣｒの膜構成を有する
。
これらのうち、ＴａＮ／Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜構成を有す
る薄膜回路基板を、第２図に示す。基板１の上の膜構成
は、厚み約５００人のＴａＮ 、厚み約５００大のＣｒ
、厚み約ｌ〜３ｐｍのＣｕ、さらに厚み約２０００人の
Ｃｒである。上層のＣｒは局部的に除去し、露出したＣ
ｕの上にＮｉ／Ａｕをめっきして電気的接合パッド２を
形成する。ＴａＮは抵抗体３を形成するため、下層のＣ
ｒはＣｕとＴａＮとを密着させるため、Ｃｕは導体を形
成するため、上層のＣｒははんだの流れを防止するため
のものである。
る薄膜回路基板を、第２図に示す。基板１の上の膜構成
は、厚み約５００人のＴａＮ 、厚み約５００大のＣｒ
、厚み約ｌ〜３ｐｍのＣｕ、さらに厚み約２０００人の
Ｃｒである。上層のＣｒは局部的に除去し、露出したＣ
ｕの上にＮｉ／Ａｕをめっきして電気的接合パッド２を
形成する。ＴａＮは抵抗体３を形成するため、下層のＣ
ｒはＣｕとＴａＮとを密着させるため、Ｃｕは導体を形
成するため、上層のＣｒははんだの流れを防止するため
のものである。
この膜構成は４層からなり、成膜および工・ンチングの
工程が複雑であって、手間がかかる欠点を有する。
工程が複雑であって、手間がかかる欠点を有する。
本発明の目的は、薄膜回路基板の膜構成を簡素にして、
上記欠点を解決することである。
上記欠点を解決することである。
上記課題は、Ｃｕを主導体とし、ＴａＮを抵抗体とする
薄膜回路基板であって、基板上に順次重ねたＴａＮ膜、
厚みが少なくとも１０ハのＣｕ膜、およびＣｒ膜のみか
らなる膜構成を有し、かつこの膜構成からＣｒ１ｉを除
去した部分に、他の金属を付着していない電気的接合パ
ッドを有することを特徴とする薄膜回路基板によって解
決することができる。
薄膜回路基板であって、基板上に順次重ねたＴａＮ膜、
厚みが少なくとも１０ハのＣｕ膜、およびＣｒ膜のみか
らなる膜構成を有し、かつこの膜構成からＣｒ１ｉを除
去した部分に、他の金属を付着していない電気的接合パ
ッドを有することを特徴とする薄膜回路基板によって解
決することができる。
〔作 用〕
下層にＣｒがなくてもＴａＮとＣｕの密着が良好なこと
が判り、また、Ｃｕを１０μ以上にすることによりはん
だくわれに対し使用上問題ないことが判明した。
が判り、また、Ｃｕを１０μ以上にすることによりはん
だくわれに対し使用上問題ないことが判明した。
第１図は、チップ素子を搭載した本発明の薄膜回収基板
の要部を示す断面図である。
の要部を示す断面図である。
ガラスセラくツクス基板１の上に、膜厚約５００ÅのＴ
ａＮ 、この上に膜厚１０ＩｎａのＣｕ、さらにこの上
に膜厚２０００人のＣｒの膜構成を有する。この膜構成
を配線２とし、ＣｒおよびＣｕを局部的に除去して抵抗
体３を形威し、Ｃｒのみを局部的に除去して電気的接合
パッド４を形威し、ここにはんだ５を流してチップ素子
６を搭載する。
ａＮ 、この上に膜厚１０ＩｎａのＣｕ、さらにこの上
に膜厚２０００人のＣｒの膜構成を有する。この膜構成
を配線２とし、ＣｒおよびＣｕを局部的に除去して抵抗
体３を形威し、Ｃｒのみを局部的に除去して電気的接合
パッド４を形威し、ここにはんだ５を流してチップ素子
６を搭載する。
これに−６５〜＋１２５°Ｃの熱衝撃サイクルを５００
回反復して加えたが、ＣｕがＴａＮから剥離することが
なく、またはんだ付けも何ら異状が認められなかった。
回反復して加えたが、ＣｕがＴａＮから剥離することが
なく、またはんだ付けも何ら異状が認められなかった。
本発明によって、従来の膜構成から下層のＣｕおよび、
電気的接合４１トのＮｉ−Ａｕめっきを省くことができ
、従って、その製造工程は従来工程の１／２〜２／３と
なり、価格の低減に寄与するところが大きい。
電気的接合４１トのＮｉ−Ａｕめっきを省くことができ
、従って、その製造工程は従来工程の１／２〜２／３と
なり、価格の低減に寄与するところが大きい。
第１図は本発明の薄膜回路基板の膜構成を示す断面図で
あり、 第２図は従来の薄膜回路基板の膜構成を示す断面図であ
る。 １・・・基板、 ２・・・配線、３・・・抵抗
体、 ４・・・電気的接合パッド、５・・・は
んだ、 ６・・・チップ素子。 本発明の薄膜回路基板の断面図 第２図 ６・・・チップ素子
あり、 第２図は従来の薄膜回路基板の膜構成を示す断面図であ
る。 １・・・基板、 ２・・・配線、３・・・抵抗
体、 ４・・・電気的接合パッド、５・・・は
んだ、 ６・・・チップ素子。 本発明の薄膜回路基板の断面図 第２図 ６・・・チップ素子
Claims (1)
- １．Ｃｕを主導体とし、ＴａＮを抵抗体とする薄膜回路
基板であって、基板上に順次重ねたＴａＮ膜、厚みが少
なくとも１０μｍのＣｕ膜、およびＣｒ膜のみからなる
膜構成を有し、かつこの膜構成からＣｒ膜を除去した部
分に、他の金属を付着していない電気的接合パッドを有
することを特徴とする薄膜回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21142989A JPH0376190A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 薄膜回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21142989A JPH0376190A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 薄膜回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376190A true JPH0376190A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16605806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21142989A Pending JPH0376190A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 薄膜回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376190A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035586A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Bridgestone Corp | マットスイッチ |
| CN111511120A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-08-07 | 胜宏科技（惠州）股份有限公司 | 一种Raised Pad制作方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157594A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-29 | Siemens Ag | Method of producing thin film conductor path including no noble metal |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21142989A patent/JPH0376190A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157594A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-29 | Siemens Ag | Method of producing thin film conductor path including no noble metal |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035586A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Bridgestone Corp | マットスイッチ |
| CN111511120A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-08-07 | 胜宏科技（惠州）股份有限公司 | 一种Raised Pad制作方法 |
| CN111511120B (zh) * | 2020-06-09 | 2021-05-25 | 胜宏科技（惠州）股份有限公司 | 一种Raised Pad制作方法 |
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