JPH0374874A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0374874A JPH0374874A JP1210937A JP21093789A JPH0374874A JP H0374874 A JPH0374874 A JP H0374874A JP 1210937 A JP1210937 A JP 1210937A JP 21093789 A JP21093789 A JP 21093789A JP H0374874 A JPH0374874 A JP H0374874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- alpha rays
- pbsg
- spectral characteristics
- transfer gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 18
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- LKJPSUCKSLORMF-UHFFFAOYSA-N Monolinuron Chemical compound CON(C)C(=O)NC1=CC=C(Cl)C=C1 LKJPSUCKSLORMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000012857 radioactive material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、固体撮像装置に関し、更に詳しくは、耐放射
線性を向上させたＣＯＤイメージヤに係わる。
線性を向上させたＣＯＤイメージヤに係わる。
［発明の概要］
本発明は、固体撮像装置において、
少なくともセンサ部上に鉛を含むシリケートガラス薄膜
を形成したことにより、 分光特性を劣化させることなく、α線による影響を低減
するようにしたものである。
を形成したことにより、 分光特性を劣化させることなく、α線による影響を低減
するようにしたものである。
［従来の技術］
近年、固体撮像装置であるＣＯＤイメージヤの高精度化
が進められており、このために画素数の単位面積当りの
増大が求められている。しかしながら、固体撮像装置に
おけるセンサ部付近のアルミニウム系の膜や、パッケー
ジに含有されるα線放出核（放射性物質等）に起因して
発生するα線のエネルギーでＣＣＤイメージヤチップに
、第２図に示すように半導体基板１側に正孔・電子対が
誘起され、これがメモリ等でソフトエラを惹起し、ＣＯ
Ｄイメージヤにも悪影響を及ぼすことが危惧されている
。
が進められており、このために画素数の単位面積当りの
増大が求められている。しかしながら、固体撮像装置に
おけるセンサ部付近のアルミニウム系の膜や、パッケー
ジに含有されるα線放出核（放射性物質等）に起因して
発生するα線のエネルギーでＣＣＤイメージヤチップに
、第２図に示すように半導体基板１側に正孔・電子対が
誘起され、これがメモリ等でソフトエラを惹起し、ＣＯ
Ｄイメージヤにも悪影響を及ぼすことが危惧されている
。
このため、従来は、このように予想されるα線による悪
影響を防ぐため、ＣＯＤイメージヤチップ上に遮蔽板を
配設することが提案されている。
影響を防ぐため、ＣＯＤイメージヤチップ上に遮蔽板を
配設することが提案されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来例においては、センサ部
周辺の材料の高純度化を進めるとしても技術的に難しく
、また、装置の微細化によって、α線の影響を受ける確
率が高くなり、さらに、プロセス上の工数が増える等の
問題点を有している。
周辺の材料の高純度化を進めるとしても技術的に難しく
、また、装置の微細化によって、α線の影響を受ける確
率が高くなり、さらに、プロセス上の工数が増える等の
問題点を有している。
本発明は、このような問題点に着目して創案されたもの
であって、分光特性を劣化させることなく、α線による
悪影響を低減させた固体撮像装置を得んとするものであ
る。
であって、分光特性を劣化させることなく、α線による
悪影響を低減させた固体撮像装置を得んとするものであ
る。
［課題を解決するための手段］
そこで、本発明は、少なくともセンサ部上に鉛を含むシ
リケートガラス薄膜を形成したことを、その解決手段と
している。
リケートガラス薄膜を形成したことを、その解決手段と
している。
［作用コ
シリケートガラス薄膜は、鉛を含むため、この薄膜を形
成した後の製造工程で放射線源がセンサ部周辺の部材に
入っても、α線がセンサ部に入るのを防止する作用があ
る。シリケートガラスは、Ｓｉｎ、膜と同程度の分光特
性を有するため、分光特性を阻害することがない。
成した後の製造工程で放射線源がセンサ部周辺の部材に
入っても、α線がセンサ部に入るのを防止する作用があ
る。シリケートガラスは、Ｓｉｎ、膜と同程度の分光特
性を有するため、分光特性を阻害することがない。
［実施例］
以下、本発明に係る固体撮像装置の詳細を図面に示す実
施例に基づいて説明する。
施例に基づいて説明する。
本発明は、少なくともセンサ部上に鉛を含むシリケート
ガラス薄膜を形成したことにより、分光特性を劣化させ
ることなく、α線による影響を低減するようにしたもの
である。
ガラス薄膜を形成したことにより、分光特性を劣化させ
ることなく、α線による影響を低減するようにしたもの
である。
先ず、本実施例は、第１図に示すように、Ｎ型のシリコ
ン基板１０に不純物を注入してＰウェル１１が形成され
ている。また、このＰウェル１１には、スイッチトラン
ジスタを構成する所定の拡散層が形成されており、シリ
コン基板１０上にはＳｉｎ、で成るゲート絶縁膜１２が
形成されている。
ン基板１０に不純物を注入してＰウェル１１が形成され
ている。また、このＰウェル１１には、スイッチトラン
ジスタを構成する所定の拡散層が形成されており、シリ
コン基板１０上にはＳｉｎ、で成るゲート絶縁膜１２が
形成されている。
このゲート絶縁膜１２の上には、例えば多結晶シリコン
とタングステンシリサイドのポリサイド構造でなる転送
ゲート１３がバターニングされ、この転送ゲート１３の
表面は熱酸化されたＳｉｎ。
とタングステンシリサイドのポリサイド構造でなる転送
ゲート１３がバターニングされ、この転送ゲート１３の
表面は熱酸化されたＳｉｎ。
絶縁膜１４が形成されている。
そして、転送ゲート１３を被覆するＳｉｎ、絶縁膜１４
と基板上のゲート絶縁膜１２の露出部上ニハ、Ｐｂ５Ｇ
（０，４〜１０ａ ｔ、％の鉛を含む鉛ガラス）膜１
５が全面に配されている。なお、Ｐｂ５Ｇ中の鉛の含有
量は、ｌ Ｑａ ｔ、％程度までなら分光特性はＳｉｎ
、と大差な（損なわれることがない。
と基板上のゲート絶縁膜１２の露出部上ニハ、Ｐｂ５Ｇ
（０，４〜１０ａ ｔ、％の鉛を含む鉛ガラス）膜１
５が全面に配されている。なお、Ｐｂ５Ｇ中の鉛の含有
量は、ｌ Ｑａ ｔ、％程度までなら分光特性はＳｉｎ
、と大差な（損なわれることがない。
さらに、転送ゲー）１３の上方のＰｂ５Ｇ膜１５上には
、アルミニウムで成る遮光膜（ＡＱ）が形成されている
。
、アルミニウムで成る遮光膜（ＡＱ）が形成されている
。
本実施例においては、Ｐｂ５Ｇ膜１５を全面に配したた
め、α線の入る可能性の有る面は全面的にシールドされ
ている。
め、α線の入る可能性の有る面は全面的にシールドされ
ている。
以上、実施例について説明したが、本発明に係る固体撮
像装置は、これに限られず、各種の設変更が可能である
。
像装置は、これに限られず、各種の設変更が可能である
。
例えば、上記実施例においては、Ｐｂ５Ｇを用いたが、
Ｎａ等のゲッタリング効果を保有されたい場合は、リン
（Ｐ）を含むＰ−Ｐｂ−ＳＧ膜としてもよい。
Ｎａ等のゲッタリング効果を保有されたい場合は、リン
（Ｐ）を含むＰ−Ｐｂ−ＳＧ膜としてもよい。
また、鉛を含有するシリケートガラスは、ＣＶＤ法、又
は、スパッタ法を用いることが可能である。
は、スパッタ法を用いることが可能である。
さらに、上記実施例においては、Ｎ型のシリコン基板１
０を用いたが、他の導電型でも良いことは勿論である。
０を用いたが、他の導電型でも良いことは勿論である。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明に係る固体撮像
装置によれば、分光特性を劣化させることなく、α線に
よる悪影響を低減できる効果がある。
装置によれば、分光特性を劣化させることなく、α線に
よる悪影響を低減できる効果がある。
また、層間膜として、鉛を含有するシリケートガラスを
用いるため、従来の製造工程を導入出来る効果がある。
用いるため、従来の製造工程を導入出来る効果がある。
さらに、少なくともセンサ部上に鉛を含むシリケートガ
ラス薄膜を形成したことにより、例えばパッケージ材料
にα線放出核の少ないもの採用しなければならないとい
う制約を緩和出来る効果がある。
ラス薄膜を形成したことにより、例えばパッケージ材料
にα線放出核の少ないもの採用しなければならないとい
う制約を緩和出来る効果がある。
第１図は本発明に係る固体撮像装置の実施例を示す断面
図、第２図は正孔・電子対の発生状態を示す説明図であ
る。 １０・・・シリコン基板、１２・・・ゲート絶縁膜、１
３・・・転送ゲート、１４・・・５ｉＯｔ、１５・・・
Ｐｂ５Ｇ膜。 え慶育−１の許面図 第１図 第２図
図、第２図は正孔・電子対の発生状態を示す説明図であ
る。 １０・・・シリコン基板、１２・・・ゲート絶縁膜、１
３・・・転送ゲート、１４・・・５ｉＯｔ、１５・・・
Ｐｂ５Ｇ膜。 え慶育−１の許面図 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）固体撮像装置において、 少なくともセンサ部上に鉛を含むシリケートガラス薄膜
を形成したことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210937A JPH0374874A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210937A JPH0374874A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0374874A true JPH0374874A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16597556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1210937A Pending JPH0374874A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0374874A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007527500A (ja) * | 2003-05-08 | 2007-09-27 | カウンシル フォー ザ セントラル ラボラトリー オブ ザ リサーチ カウンシルズ | 加速粒子および高エネルギ放射線センサ |
-
1989
- 1989-08-16 JP JP1210937A patent/JPH0374874A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007527500A (ja) * | 2003-05-08 | 2007-09-27 | カウンシル フォー ザ セントラル ラボラトリー オブ ザ リサーチ カウンシルズ | 加速粒子および高エネルギ放射線センサ |
| JP2011017722A (ja) * | 2003-05-08 | 2011-01-27 | Science & Technology Facilities Council | 加速粒子および高エネルギ放射線センサ |
| US7944012B2 (en) | 2003-05-08 | 2011-05-17 | The Science And Technology Facilities Council | Accelerated particle and high energy radiation sensor |
| JP4824542B2 (ja) * | 2003-05-08 | 2011-11-30 | ザ サイエンス アンド テクノロジー ファシリティーズ カウンシル | 電子顕微鏡 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5581099A (en) | CCD solid state image device which has a semiconductor substrate with a P-type region with an N-type region formed therein by injection of arsenic | |
| US7791158B2 (en) | CMOS image sensor including an interlayer insulating layer and method of manufacturing the same | |
| TWI424555B (zh) | 固態成像器件，其製造方法及成像裝置 | |
| CN101814516B (zh) | 固态成像器件及其制造方法、和成像装置 | |
| TWI242881B (en) | Solid-state imaging apparatus and its manufacturing method | |
| JP2755176B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| CN1819277A (zh) | 光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素 | |
| US5288656A (en) | Method of manufacturing a CCD solid state image sensing device | |
| JPH0374874A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH01274468A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP2004172249A (ja) | 半導体集積装置及びその製造方法 | |
| JP2738679B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH05243549A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2003243645A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2000357788A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPH05315591A (ja) | Ｃｃｄ撮像素子の光電子読み出し部の形成方法 | |
| JPH10107249A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP2003258238A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2768452B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS63285969A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR950011568B1 (ko) | 고체촬상소자의 제조방법 | |
| JP2002190587A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS6220371A (ja) | 電荷蓄積形半導体装置の制造方法 | |
| JPH08306895A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 | |
| JP3239934B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 |