JPH0372328A - エレクトロクロミック素子 - Google Patents
エレクトロクロミック素子Info
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- JPH0372328A JPH0372328A JP1207950A JP20795089A JPH0372328A JP H0372328 A JPH0372328 A JP H0372328A JP 1207950 A JP1207950 A JP 1207950A JP 20795089 A JP20795089 A JP 20795089A JP H0372328 A JPH0372328 A JP H0372328A
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はエレクトロクロミック素子に関し、特に応答
性に優れたエレクトロクロミック素子に関するものであ
る。
性に優れたエレクトロクロミック素子に関するものであ
る。
[従来の技術]
エレクトロクロミック(以下ECと略称する)素子は電
気化学反応に伴って色が可逆的に変化するEC材料を発
色体として用いた非発光型の表示素子である。EC素子
に関しては、真空23[11](1980年)真空協会
P、503−514の文献にa−WO3膜のエレクトロ
クロミック特性と表示素子への応用°と題する解説論文
が開示されている。
気化学反応に伴って色が可逆的に変化するEC材料を発
色体として用いた非発光型の表示素子である。EC素子
に関しては、真空23[11](1980年)真空協会
P、503−514の文献にa−WO3膜のエレクトロ
クロミック特性と表示素子への応用°と題する解説論文
が開示されている。
EC素子の発色/消色の原理は、例えばEC材料として
酸化タングステンWO3を用いた場合、次に示す(1)
式で説明されている。
酸化タングステンWO3を用いた場合、次に示す(1)
式で説明されている。
x M ” + x e −+ W O3=M x W
O3・・・(1) (1)式において、MはH,Li、Na、になどである
。上記のWO3は現在代表的なEC材料であり、この物
質はHやLl などの正イオンとともに電子も通す混
合導電体である。(1)式の反応において、電解質中で
WO3をカソード側にして電圧を印加するとWO3に正
イオン(M )が注入されて青色(タングステンブロ
ンズと呼ばれる)を示す。そして逆にW Oaをアノー
ド側にして電圧を印加するとWO3中の正イオンが電解
質に戻り消色する。換言すれば、WO3の電解還元を行
うとM+がWO3中に潜り込んで電気的中性を保ちM
x W Oが生成する。WO3は無色であるが、M x
W Oaは青色であるので電解還元によって発色させ
ることができる。逆に電解酸化すると無色のWO3に戻
る。つまり表示素子に適用した場合、電圧を印加するこ
とにより書き込み/消去あるいは発色/消色を繰返して
行うことができる。
O3・・・(1) (1)式において、MはH,Li、Na、になどである
。上記のWO3は現在代表的なEC材料であり、この物
質はHやLl などの正イオンとともに電子も通す混
合導電体である。(1)式の反応において、電解質中で
WO3をカソード側にして電圧を印加するとWO3に正
イオン(M )が注入されて青色(タングステンブロ
ンズと呼ばれる)を示す。そして逆にW Oaをアノー
ド側にして電圧を印加するとWO3中の正イオンが電解
質に戻り消色する。換言すれば、WO3の電解還元を行
うとM+がWO3中に潜り込んで電気的中性を保ちM
x W Oが生成する。WO3は無色であるが、M x
W Oaは青色であるので電解還元によって発色させ
ることができる。逆に電解酸化すると無色のWO3に戻
る。つまり表示素子に適用した場合、電圧を印加するこ
とにより書き込み/消去あるいは発色/消色を繰返して
行うことができる。
この表示法は液晶などの非発光材料と類似するが、大き
く異なる点は一旦発色したら逆電圧をかけない限り表示
がそのまま残るという利点がある。
く異なる点は一旦発色したら逆電圧をかけない限り表示
がそのまま残るという利点がある。
また、EC素子は美しい見やすい色の表示素子として定
評がある。このような特長をもつEC素子は受光型の表
示素子、メモリ素子、あるいは調光材料などへの応用分
野が考えられている。
評がある。このような特長をもつEC素子は受光型の表
示素子、メモリ素子、あるいは調光材料などへの応用分
野が考えられている。
第2図は従来のEC素子の一基本構成を示す模式的な断
面図である。図において、1aは透明なガラス基板であ
り、1bはガラス基板1aの面に成膜した透明電極であ
り、ガラス基板1aと透明電極1bとで発色電極を構成
している。2aは透明電極1b上に形成したEC材料か
らなるEC物質層で、例えば非晶質WO3(a−WO3
と称される)を用いて発色体を形成している。6は透明
電極lb上のEC物質層2aによる表示パターン膜を形
成するために設けた分離用の絶縁膜である。
面図である。図において、1aは透明なガラス基板であ
り、1bはガラス基板1aの面に成膜した透明電極であ
り、ガラス基板1aと透明電極1bとで発色電極を構成
している。2aは透明電極1b上に形成したEC材料か
らなるEC物質層で、例えば非晶質WO3(a−WO3
と称される)を用いて発色体を形成している。6は透明
電極lb上のEC物質層2aによる表示パターン膜を形
成するために設けた分離用の絶縁膜である。
一方、ガラス基板1aと対向するガラス基板3a上にも
透明電極3bが形成され、通常は透明電極3b上には図
示しない対向電極膜が形成されていて、ガラス基板3
a s透明電極3bとともに対向電極を構成している。
透明電極3bが形成され、通常は透明電極3b上には図
示しない対向電極膜が形成されていて、ガラス基板3
a s透明電極3bとともに対向電極を構成している。
そして、上述の発色電極と対向電極はシールを兼ねたス
ペーサ5で等間隔に配設され、これらが形成する空間部
分に電解質4が密封されている。
ペーサ5で等間隔に配設され、これらが形成する空間部
分に電解質4が密封されている。
以上が従来からのEC素子の基本構成であるが、発色電
極及び対向電極と電解質4とにより一単位素子分の電解
槽が構成される。この場合、透明電極1b、3bからそ
れぞれ図示しない電極端子を取り出すことにより、発色
電極及び対向電極を任意に一対のアノード(正極)及び
カソード(負極)として使用することができるようにな
っている。
極及び対向電極と電解質4とにより一単位素子分の電解
槽が構成される。この場合、透明電極1b、3bからそ
れぞれ図示しない電極端子を取り出すことにより、発色
電極及び対向電極を任意に一対のアノード(正極)及び
カソード(負極)として使用することができるようにな
っている。
実際の発色/消色の動作については前述した通りである
。
。
なお、以上は従来のEC素子の基本的事項と素子の一般
的な説明であるが、実際には下記文献に示されるように
動作時の応答性をよくするなどの目的で種々の改良を加
えたものが開示されている。
的な説明であるが、実際には下記文献に示されるように
動作時の応答性をよくするなどの目的で種々の改良を加
えたものが開示されている。
(イ)特開昭54−158249号公報(ロ)特開昭5
4−160256号公報(ハ)特開昭60−84574
号公報 上記文献についての技術内容の説明は省略するが、これ
らに共通する従来の技術は、EC物質層の形成において
、EC物質層の見かけ密度を下げて、EC物質層を多孔
性のものとすることにより、発色に寄与する正イオンの
EC物質層中で拡散を容易にしたことを特徴としている
。
4−160256号公報(ハ)特開昭60−84574
号公報 上記文献についての技術内容の説明は省略するが、これ
らに共通する従来の技術は、EC物質層の形成において
、EC物質層の見かけ密度を下げて、EC物質層を多孔
性のものとすることにより、発色に寄与する正イオンの
EC物質層中で拡散を容易にしたことを特徴としている
。
[発明が解決しようとする課題]
上記のような従来のEC素子は一般的に応答性が不十分
であり特に発色時の応答性がよくないという課題があっ
た。この点に関して、上記の文献に示されているように
EC物質層を種々の手段を用いて多孔性のものとするな
どの改良提案がなされているが、これらはいずれも発色
/消色の応答性は改善されるが、単位膜厚当りの吸光度
が減少するため、十分な発色を確保するためには膜厚を
厚くする必要があり薄型化の観点からは不都合であった
。
であり特に発色時の応答性がよくないという課題があっ
た。この点に関して、上記の文献に示されているように
EC物質層を種々の手段を用いて多孔性のものとするな
どの改良提案がなされているが、これらはいずれも発色
/消色の応答性は改善されるが、単位膜厚当りの吸光度
が減少するため、十分な発色を確保するためには膜厚を
厚くする必要があり薄型化の観点からは不都合であった
。
この発明はこのような課題を解決するためになされたも
ので、EC物質層に改良を加えることにより応答性の優
れたEC素子を提供することを目的とするものである。
ので、EC物質層に改良を加えることにより応答性の優
れたEC素子を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
この発明に係るEC素子は、一対の電極が電解質を介し
て対向し少なくとも一方の電極の対向面に形成された非
晶質(アモルファス)のEC物質層が非晶質体の二層構
造になっていて、その電解質に接する側すなわち上層の
見かけ密度を下層の見かけ密度より小さくし、多孔性を
強めたものとしたものである。
て対向し少なくとも一方の電極の対向面に形成された非
晶質(アモルファス)のEC物質層が非晶質体の二層構
造になっていて、その電解質に接する側すなわち上層の
見かけ密度を下層の見かけ密度より小さくし、多孔性を
強めたものとしたものである。
[作用]
この発明においては、EC素子の発色体となるEC物質
層を二層構造とし、電解質に面する部分すなわち上層を
下層より見かけ密度の小さいものとしたから、この上層
の部分は多孔性のものとなり表面積が増大する。このた
め電解質から発色に寄与する正イオンがEC物質層に注
入され易くなり発色/消色の応答が早くなる。そして、
下層は通常の密度を有するEC物質層又はそれに近い状
態で形成されるから、多孔性の単相膜に比較して発光時
の吸光度の低下をきたすことはなくなる。
層を二層構造とし、電解質に面する部分すなわち上層を
下層より見かけ密度の小さいものとしたから、この上層
の部分は多孔性のものとなり表面積が増大する。このた
め電解質から発色に寄与する正イオンがEC物質層に注
入され易くなり発色/消色の応答が早くなる。そして、
下層は通常の密度を有するEC物質層又はそれに近い状
態で形成されるから、多孔性の単相膜に比較して発光時
の吸光度の低下をきたすことはなくなる。
[実施例]
第1図はこの発明によるEC素子の一実施例の基本構成
を第2図の従来例よりさらに簡略して示した模式説明図
である。図において、11は発色電極、12は発色電極
の表面に形成した第−EC物質層、13はその上に形成
させた見かけ密度が第−EC物質層13より小さい上層
の第二EC物質層、14は対向電極である。発色電極1
1及び対向電極t4の内側面には第2図の従来例で示し
た透明電極−のそれぞれlb、3bが形成されているが
、図示は省略している。第−EC物質層12及び第二E
C物質層13が設けられた発色電極11と対向電極14
とはスペーサ16を介して対向しており、これらの部材
が形成する空隙部に電解質15がスペーサ16によりシ
ールされて封入されている。
を第2図の従来例よりさらに簡略して示した模式説明図
である。図において、11は発色電極、12は発色電極
の表面に形成した第−EC物質層、13はその上に形成
させた見かけ密度が第−EC物質層13より小さい上層
の第二EC物質層、14は対向電極である。発色電極1
1及び対向電極t4の内側面には第2図の従来例で示し
た透明電極−のそれぞれlb、3bが形成されているが
、図示は省略している。第−EC物質層12及び第二E
C物質層13が設けられた発色電極11と対向電極14
とはスペーサ16を介して対向しており、これらの部材
が形成する空隙部に電解質15がスペーサ16によりシ
ールされて封入されている。
発色電極11には前述のようにITOと呼ばれているイ
ンジウム錫酸化物などの透明導電膜がコーティングされ
たガラス(透光型表示用)、あるいは金属板(反射型表
示用)などが用いられる。第−EC物質層12及び第二
EC物質層13の形成は例えば真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンブレーティングなどのドライプロセス、ある
いは各種の湿式プロセスによって行われる。対向電極1
4は発色電極11と同様な透明導電膜付きのガラス、あ
るいは白金などの金属が用いられる。電解質15はアル
カリ金属塩を含んだ非水溶媒に溶解したものや硫酸等の
酸などの液体電解質や各種のイオン伝導体からなる固体
電解質が使用可能である。第−EC物質層12及び第二
EC物質層13及び電解質15はスペーサ16によって
外界からシールされている。
ンジウム錫酸化物などの透明導電膜がコーティングされ
たガラス(透光型表示用)、あるいは金属板(反射型表
示用)などが用いられる。第−EC物質層12及び第二
EC物質層13の形成は例えば真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンブレーティングなどのドライプロセス、ある
いは各種の湿式プロセスによって行われる。対向電極1
4は発色電極11と同様な透明導電膜付きのガラス、あ
るいは白金などの金属が用いられる。電解質15はアル
カリ金属塩を含んだ非水溶媒に溶解したものや硫酸等の
酸などの液体電解質や各種のイオン伝導体からなる固体
電解質が使用可能である。第−EC物質層12及び第二
EC物質層13及び電解質15はスペーサ16によって
外界からシールされている。
なお、前述の第−EC物質層12及び第二EC物質層(
3は第二EC物質層の方が見かけ密度が小さくなるよう
に形成されるが、このような二層構造のEC物質層は次
に示すような実験事実をもとにして、例えばWO3薄膜
の密度又は傾斜性の制御ができることを利用したもので
ある。すなわち、あらかじめインジウム錫酸化物(IT
O)をコーティングしであるシート抵抗10Ω/口(口
はC−の慣用記号)の透明導電性ガラスを基板とし、7
×10=Torrの真空中で、WO3を電子線加熱によ
り蒸着速度100人/秒、及び20人/秒で蒸発させて
成膜する。それぞれの蒸着速度で得られた二種のWO3
薄膜の表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、表面
にみられる微小粒の粒径は20人/秒で成膜した試料(
WO3薄膜)は100人/秒で成膜した試料の2倍の大
きさになっていることがわかり、相対的により多孔質に
なっていることがわかった。つまり同一のEC材料で、
蒸着速度をおそくして得られ膜の方が早くしたものより
膜の密度を小さくすることのできる制御方法が見出され
たもので、この手法を用いることによって見かけ密度の
異なる二層構造のEC物質層の形成が可能である。なお
、上記の形成方法で得られるWO3薄膜は、電子線回折
又はX線回折などによる構造解析の結果から、非晶質(
アモルファス)であることが確認されている。
3は第二EC物質層の方が見かけ密度が小さくなるよう
に形成されるが、このような二層構造のEC物質層は次
に示すような実験事実をもとにして、例えばWO3薄膜
の密度又は傾斜性の制御ができることを利用したもので
ある。すなわち、あらかじめインジウム錫酸化物(IT
O)をコーティングしであるシート抵抗10Ω/口(口
はC−の慣用記号)の透明導電性ガラスを基板とし、7
×10=Torrの真空中で、WO3を電子線加熱によ
り蒸着速度100人/秒、及び20人/秒で蒸発させて
成膜する。それぞれの蒸着速度で得られた二種のWO3
薄膜の表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、表面
にみられる微小粒の粒径は20人/秒で成膜した試料(
WO3薄膜)は100人/秒で成膜した試料の2倍の大
きさになっていることがわかり、相対的により多孔質に
なっていることがわかった。つまり同一のEC材料で、
蒸着速度をおそくして得られ膜の方が早くしたものより
膜の密度を小さくすることのできる制御方法が見出され
たもので、この手法を用いることによって見かけ密度の
異なる二層構造のEC物質層の形成が可能である。なお
、上記の形成方法で得られるWO3薄膜は、電子線回折
又はX線回折などによる構造解析の結果から、非晶質(
アモルファス)であることが確認されている。
以下、この発明による一実施例をEC材料にWO3を用
いた場合について説明する。まず、あらかじめインジウ
ム錫酸化物(ITO)をコーティングしであるシート抵
抗10Ω10の透明導電性ガラスの基板を発色電極11
とし、はじめに7×10=Torrの真空中で、この基
板にWO3を電子線加熱により蒸着速度100人/秒で
蒸着させて非晶質のW Oa薄膜からなる第−EC物質
層12を成膜し、さらにその上に蒸着速度20人/秒で
WO3を蒸着させることにより非晶質のWO3薄膜から
なる第二EC物質層(3を成膜した。
いた場合について説明する。まず、あらかじめインジウ
ム錫酸化物(ITO)をコーティングしであるシート抵
抗10Ω10の透明導電性ガラスの基板を発色電極11
とし、はじめに7×10=Torrの真空中で、この基
板にWO3を電子線加熱により蒸着速度100人/秒で
蒸着させて非晶質のW Oa薄膜からなる第−EC物質
層12を成膜し、さらにその上に蒸着速度20人/秒で
WO3を蒸着させることにより非晶質のWO3薄膜から
なる第二EC物質層(3を成膜した。
第−EC物質層12及び第二EC物質層13を有する発
色電極11を表示極、白金を対向電極14とし、電解質
L5にI M L iCD O4/プロピレンカーボネ
ート溶液を用いてEC素子を作製した。このEC素子を
印加電圧2.5vで発色させ、このEC素子の波長85
0nmにおける光の透過率の時間変化を測定したところ
、透過率が発色前の2分の1になるのに要した時間がW
O3単相膜の場合と比べて約85%になり、応答性の向
上が確認された。
色電極11を表示極、白金を対向電極14とし、電解質
L5にI M L iCD O4/プロピレンカーボネ
ート溶液を用いてEC素子を作製した。このEC素子を
印加電圧2.5vで発色させ、このEC素子の波長85
0nmにおける光の透過率の時間変化を測定したところ
、透過率が発色前の2分の1になるのに要した時間がW
O3単相膜の場合と比べて約85%になり、応答性の向
上が確認された。
なお、EC材料としてWO3の代りにM o Oa、及
びWOとM o Oaとの混合物を用い、上記実絶倒と
同様な形成法によって上層の密度を小さくした二層構造
のEC物質層を用いてEC素子を作製したものもM o
Osの単相膜又はWO3とM o Oaとの混合膜を
用いたEC素子よりも、上記実施例と同様に、優れた応
答性を示した。
びWOとM o Oaとの混合物を用い、上記実絶倒と
同様な形成法によって上層の密度を小さくした二層構造
のEC物質層を用いてEC素子を作製したものもM o
Osの単相膜又はWO3とM o Oaとの混合膜を
用いたEC素子よりも、上記実施例と同様に、優れた応
答性を示した。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、EC素子のEC物質層
が同質のアルモファスのEC材料からなる二層構造にな
っていて、電解質と接する側の上層の見かけ密度が下層
の見かけ密度より小さいようになっているので、発色時
の単位膜厚当りの吸光度の低下を極力避けながら発色/
消色時の応答性が優れたEC素子を得ることができる。
が同質のアルモファスのEC材料からなる二層構造にな
っていて、電解質と接する側の上層の見かけ密度が下層
の見かけ密度より小さいようになっているので、発色時
の単位膜厚当りの吸光度の低下を極力避けながら発色/
消色時の応答性が優れたEC素子を得ることができる。
第1図はこの発明の一実施例を示すEC素子の基本構成
を示す模式説明図、第2図は従来のEC素子の一構成を
示す模式断面図である。 図において、11は発色電極、12は第−EC物質層、
13は第二EC物質層、t4は対向電極、15は電解質
、16はスペーサである。
を示す模式説明図、第2図は従来のEC素子の一構成を
示す模式断面図である。 図において、11は発色電極、12は第−EC物質層、
13は第二EC物質層、t4は対向電極、15は電解質
、16はスペーサである。
Claims (2)
- (1)一対の電極が電解質を介して対向し、少くとも一
方の電極の対向面に非晶質のエレクトロクロミック物質
層を有するエレクトロクロミック素子において、前記エ
レクトロクロック物質層が非晶質の二層構造からなり、
前記電解質に接する側の上層の見かけ密度が下層の見か
け密度より小さいことを特徴とするエレクトロクロミッ
ク素子。 - (2)エレクトロクロミック物質層を形成するエレクト
ロクロミック物質が酸化タングステン及び酸化モリブデ
ンのうちの少くとも一種であることを特徴とする請求項
1記載のエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1207950A JPH0372328A (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | エレクトロクロミック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1207950A JPH0372328A (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | エレクトロクロミック素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0372328A true JPH0372328A (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16548224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1207950A Pending JPH0372328A (ja) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | エレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0372328A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007534162A (ja) * | 2003-11-19 | 2007-11-22 | ユニバーシティ・オブ・フロリダ・リサーチ・ファンデーション・インコーポレーテッド | 多孔状基板上にパターン電極をコンタクトさせる方法とその素子 |
KR20140098543A (ko) * | 2013-01-31 | 2014-08-08 | 홍찬영 | 장신구용 체인 소재 및 그 제조 방법 |
WO2022210269A1 (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-06 | 日東電工株式会社 | エレクトロクロミック素子及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-08-14 JP JP1207950A patent/JPH0372328A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007534162A (ja) * | 2003-11-19 | 2007-11-22 | ユニバーシティ・オブ・フロリダ・リサーチ・ファンデーション・インコーポレーテッド | 多孔状基板上にパターン電極をコンタクトさせる方法とその素子 |
KR20140098543A (ko) * | 2013-01-31 | 2014-08-08 | 홍찬영 | 장신구용 체인 소재 및 그 제조 방법 |
WO2022210269A1 (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-06 | 日東電工株式会社 | エレクトロクロミック素子及びその製造方法 |
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