JPH0339724A - エレクトロクロミック素子 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はエレクトロクロミック素子に関し、特に発色
効率が高く、さらに長寿命のエレクトロクロミック素子
に関するものである。
効率が高く、さらに長寿命のエレクトロクロミック素子
に関するものである。
[従来の技術]
エレクトロクロミック(以下ECと略称する)素子は電
気化学反応に伴って色が可逆的に変化するEC材料を発
色体として用いた非発光型の表示素子である。EC素子
に関しては、真空23[11](1980年〉真空協会
P、503−514の文献に”a −WO3膜のエレク
トロクロミック特性と表示素子への応用“と題する解説
論文が開示されている。
気化学反応に伴って色が可逆的に変化するEC材料を発
色体として用いた非発光型の表示素子である。EC素子
に関しては、真空23[11](1980年〉真空協会
P、503−514の文献に”a −WO3膜のエレク
トロクロミック特性と表示素子への応用“と題する解説
論文が開示されている。
EC素子の発色/消色の原理は、例えばEC材料として
酸化タングステンW03を用いた場合、次に示す(1)
式で説明されている。
酸化タングステンW03を用いた場合、次に示す(1)
式で説明されている。
xM” +x e−+WO3;MxWO3・・・(1)
(1)式において、MはH,Li、Na、になどである
。上記のWO3は現在代表的なEC材料であり、この物
質はHやLl などの正イオンとともに電子も通す混合
導電体である。(1〉式の反応において、電解質中でW
O3をカソード側にして電圧を印加するとWO3に正イ
オン(M+)が注入されて青色(タングステンブロンズ
と呼ばれる)を示す。そして逆にWO3をアノード側に
して電圧を印加するとWO3中の正イオンが電解質に戻
り消色する。換言すれば、WO3の電解還元を行うとM
がWO3中に潜り込んで電気的中性を保ちM x W
Osが生成する。WO3は無色であるが、M x W
Osは青色であるので電解還元によって発色させるこ
とができる。逆に電解酸化すると無色のWO3に戻る。
。上記のWO3は現在代表的なEC材料であり、この物
質はHやLl などの正イオンとともに電子も通す混合
導電体である。(1〉式の反応において、電解質中でW
O3をカソード側にして電圧を印加するとWO3に正イ
オン(M+)が注入されて青色(タングステンブロンズ
と呼ばれる)を示す。そして逆にWO3をアノード側に
して電圧を印加するとWO3中の正イオンが電解質に戻
り消色する。換言すれば、WO3の電解還元を行うとM
がWO3中に潜り込んで電気的中性を保ちM x W
Osが生成する。WO3は無色であるが、M x W
Osは青色であるので電解還元によって発色させるこ
とができる。逆に電解酸化すると無色のWO3に戻る。
つまり表示素子に適用した場合、電圧を印加することに
より書き込み/消去あるいは発色/消色を繰返して行う
ことができる。
より書き込み/消去あるいは発色/消色を繰返して行う
ことができる。
この表示法は液晶などの非発光材料と類似するが、大き
く異なる点は一旦発色したら逆電圧をかけない限り表示
がそのまま残るという利点がある。
く異なる点は一旦発色したら逆電圧をかけない限り表示
がそのまま残るという利点がある。
また、EC素子は美しい見やすい色の表示素子として定
評があるにのような特長をもつEC素子は受光型の表示
素子、メモリ素子、あるいは調光材料などへの応用分野
が考えられている。
評があるにのような特長をもつEC素子は受光型の表示
素子、メモリ素子、あるいは調光材料などへの応用分野
が考えられている。
$2図は従来のEC素子の一基本構成を示す模式的な断
面図である。図において、1aは透明なガラス基板であ
り、1bはガラス基板1aの面に成膜した透明電極であ
り、ガラス基板1aと透明電極1bとで発色電極を構成
している。2aは透明電極lb上に形成したEC材料か
らなるEC物質層で、例えば非晶質W O(a −W
Osと称される)を用いて発色体を形成している。6は
透明電極1b上のEC物質層2aによる表示パターン膜
を形成するために設けた分離用の絶縁膜である。
面図である。図において、1aは透明なガラス基板であ
り、1bはガラス基板1aの面に成膜した透明電極であ
り、ガラス基板1aと透明電極1bとで発色電極を構成
している。2aは透明電極lb上に形成したEC材料か
らなるEC物質層で、例えば非晶質W O(a −W
Osと称される)を用いて発色体を形成している。6は
透明電極1b上のEC物質層2aによる表示パターン膜
を形成するために設けた分離用の絶縁膜である。
一方、ガラス基板1aと対向するガラス基板3a上にも
透明電極3bが形成され、通常は透明電極3b上には図
示しない対向電極膜が形成されていて、ガラス基板3a
、透明電極3bとともに対向電極を構成している。そし
て、上述の発色電極と対向電極はシールを兼ねたスペー
サ5で等間隔に配設され、これらが形成する空間部分に
電解質4が密封されている。
透明電極3bが形成され、通常は透明電極3b上には図
示しない対向電極膜が形成されていて、ガラス基板3a
、透明電極3bとともに対向電極を構成している。そし
て、上述の発色電極と対向電極はシールを兼ねたスペー
サ5で等間隔に配設され、これらが形成する空間部分に
電解質4が密封されている。
以上が従来からのEC素子の基本構成であるが、発色電
極及び対向電極と電解質4とにより一単位素子分の電解
槽が構成される。この場合、透明電極1b、3bからそ
れぞれ図示しない電極端子を取り出すことにより、発色
電極及び対向電極を任意に一対のアノード(正極)及び
カソード(負極)として使用することができるようにな
っている。
極及び対向電極と電解質4とにより一単位素子分の電解
槽が構成される。この場合、透明電極1b、3bからそ
れぞれ図示しない電極端子を取り出すことにより、発色
電極及び対向電極を任意に一対のアノード(正極)及び
カソード(負極)として使用することができるようにな
っている。
実際の発色/消色の動作については前述した通りである
。
。
[発明が解決しようとする1181
上記のような従来のEC素子は発色/消色の動作を繰返
した場合に、初期の特性が劣化し、寿命が十分でないと
いう課題が指摘されている。現在もその原因を究明しよ
うとする研究が下記文献に示されるように進行中である
。
した場合に、初期の特性が劣化し、寿命が十分でないと
いう課題が指摘されている。現在もその原因を究明しよ
うとする研究が下記文献に示されるように進行中である
。
応用物理 51[4](1982) P、48B−49
4DENKI KAGAKU 54[5](IO2)
P、423−430以上の研究の結果、例えばW O
aの場合、WO3中に捕らえられたLl などの正イオ
ンが消色時に完全に電解質中にもどりきらないことがわ
かったので、次の発色時に必要な正イオンのWO3中へ
の注入可能な量が減少しフントラストが低下するものと
されている。
4DENKI KAGAKU 54[5](IO2)
P、423−430以上の研究の結果、例えばW O
aの場合、WO3中に捕らえられたLl などの正イオ
ンが消色時に完全に電解質中にもどりきらないことがわ
かったので、次の発色時に必要な正イオンのWO3中へ
の注入可能な量が減少しフントラストが低下するものと
されている。
また、EC素子はもともと受光型の素子であるため゛、
液晶表示素子としばしば比較されるが、その特長として
は■色が非常に鮮やかで視野角特性にすぐれ、■メモリ
効果があることなどがある。
液晶表示素子としばしば比較されるが、その特長として
は■色が非常に鮮やかで視野角特性にすぐれ、■メモリ
効果があることなどがある。
しかし反面、現在開発途上の技術であることもあって、
例えば欠点の一つとして消費電力が比較的大きいことな
ど発色効率の点で劣るという課題が挙げられている。
例えば欠点の一つとして消費電力が比較的大きいことな
ど発色効率の点で劣るという課題が挙げられている。
この発明は上述のような課題を解決するためになされた
れもので、EC物質に改良を加え長寿命でしかも発色効
率の優れたEC素子を提供することを目的とするもので
ある。
れもので、EC物質に改良を加え長寿命でしかも発色効
率の優れたEC素子を提供することを目的とするもので
ある。
[課題を解決するための手段]
この発明に係るEC素子は酸化タングステンW03及び
酸化モリブデンM o Oaのうちの一方あるいはその
両者の混合物にVb族金属のうちのNbにオブ)及びT
a(タンタル)の酸化物のNb2O5及びTa2O5の
うちの少なくとも一つの酸化物を添加したEC材料を発
色体としたものである。
酸化モリブデンM o Oaのうちの一方あるいはその
両者の混合物にVb族金属のうちのNbにオブ)及びT
a(タンタル)の酸化物のNb2O5及びTa2O5の
うちの少なくとも一つの酸化物を添加したEC材料を発
色体としたものである。
〔作用]
この発明においては、WO3及びM o Oaの単体又
は混合体のEC材料にVb族金属の酸化物のうちのN
b 2O sやTa2O5を添加したものを用いるから
、Nb2O5やTa2O5がその単位胞中にLl など
の正イオンが混入しうる空洞が存在することに加えて結
合状態ではそれらが相互につながった空洞構造を有する
ものであるため、Nb OやTa2O5が添加された
場合には、5 無添加の場合に比べ、EC材料中で正イオンの移動しや
すい空洞が多く存在する。このため、正イオン拡散が容
易となり、したがって消色反応時には正イオンの蓄積が
低減する。
は混合体のEC材料にVb族金属の酸化物のうちのN
b 2O sやTa2O5を添加したものを用いるから
、Nb2O5やTa2O5がその単位胞中にLl など
の正イオンが混入しうる空洞が存在することに加えて結
合状態ではそれらが相互につながった空洞構造を有する
ものであるため、Nb OやTa2O5が添加された
場合には、5 無添加の場合に比べ、EC材料中で正イオンの移動しや
すい空洞が多く存在する。このため、正イオン拡散が容
易となり、したがって消色反応時には正イオンの蓄積が
低減する。
また、本発明者らの実験によればNb2O5やTa
Oを添加したものは、例えばWO3を用層5 いた従来のEC素子と比べて、少ない電荷注入量でも従
来能みに発色するようになる。この現象は発色効率が増
大したこととなる。つまり、同一発色量に対して注入電
荷量が小さくてすむので、この面でも上記のように劣化
の原因となると考えられている正イオンの蓄積が減小す
る方向に働くものである。
Oを添加したものは、例えばWO3を用層5 いた従来のEC素子と比べて、少ない電荷注入量でも従
来能みに発色するようになる。この現象は発色効率が増
大したこととなる。つまり、同一発色量に対して注入電
荷量が小さくてすむので、この面でも上記のように劣化
の原因となると考えられている正イオンの蓄積が減小す
る方向に働くものである。
また、無添加のEC材料に対してVb族の酸化物の含有
量は0.1〜30原子%の範囲とするのが望ましい。な
お、ルチル型構造の酸化物添加前のEC材料には、従来
から代表的なものとして知られているwo の外に、
M o Oa又はWO3とM。
量は0.1〜30原子%の範囲とするのが望ましい。な
お、ルチル型構造の酸化物添加前のEC材料には、従来
から代表的なものとして知られているwo の外に、
M o Oa又はWO3とM。
0 の混合物を用いるが、いずれもWO3と同様のEC
特性を示すものである。
特性を示すものである。
[実施例]
第1図はこの発明によるEC素子の一実施例の基本構成
を第2図の従来例よりさらに簡略して示した模式説明図
である。図において、1は発色電極、2は発色電極1の
内面に形成したEC物質層、3は対向電極である。発色
電極1及び対向電極3の内面には第2図の従来例で示し
た透明電極のそれぞれlb、3bが形成されているが、
図示は省略している。EC物質層2が設けられた発色電
極1と対向電極3とはスペーサ5を介して対向しており
、これらの部材が形成する空隙部に電解質4がスペーサ
5によりシールされて封入されている。
を第2図の従来例よりさらに簡略して示した模式説明図
である。図において、1は発色電極、2は発色電極1の
内面に形成したEC物質層、3は対向電極である。発色
電極1及び対向電極3の内面には第2図の従来例で示し
た透明電極のそれぞれlb、3bが形成されているが、
図示は省略している。EC物質層2が設けられた発色電
極1と対向電極3とはスペーサ5を介して対向しており
、これらの部材が形成する空隙部に電解質4がスペーサ
5によりシールされて封入されている。
発色電極1には前述のようにITOと呼ばれているイン
ジウム錫酸化物などの透明導電膜がコーティングされた
ガラス(透光型表示用)、あるいは金属板(反射型表示
用)などが用いられる。EC物質層2の形成は例えば真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングなどの
ドライプロセス、あるいは各種の湿式プロセスによって
行われる。対向電極3は発色電極1ε同様な透明導電膜
付きのガラス、あるいは白金Aどの金属が用いられる。
ジウム錫酸化物などの透明導電膜がコーティングされた
ガラス(透光型表示用)、あるいは金属板(反射型表示
用)などが用いられる。EC物質層2の形成は例えば真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングなどの
ドライプロセス、あるいは各種の湿式プロセスによって
行われる。対向電極3は発色電極1ε同様な透明導電膜
付きのガラス、あるいは白金Aどの金属が用いられる。
電解質4はアルカリ金属塩を含んだ非水溶媒に溶解した
ものや硫酸等の酸などの液体電解質や各種のイオン伝導
体からなる固体電解質が使用可能である。EC物質層2
及び電解質4はスペーサ5により外界からシールされて
いる。
ものや硫酸等の酸などの液体電解質や各種のイオン伝導
体からなる固体電解質が使用可能である。EC物質層2
及び電解質4はスペーサ5により外界からシールされて
いる。
以下、この発明の代表的な実施例として、母材(添加前
)のEC材料をW Oaとし、Vb族金属のうちのNb
の酸化物を母材に添加したEC素子について説明する。
)のEC材料をW Oaとし、Vb族金属のうちのNb
の酸化物を母材に添加したEC素子について説明する。
まず、あらかじめITOをコーティングして形成したシ
ート抵抗10Ω/口(口はcj)の透明電極(第2図の
la)を有する透明導電性ガラスの基板を用意する。つ
いで、7 X 1O−6Torrの真空中で、WOとN
b2O5とをそれぞれ別のるつぼから電子線加熱により
同時に所定の蒸発率で蒸発させて、上述のガラス基板(
発色電極1)上に蒸着しWO−Nb2O5薄膜からなる
EC物質層2を成膜した。このWO−Nb2O5薄膜の
N b 2O5の含有量は0.3〜2O原子%の範囲内
が好ましいが、0.1〜30原子%の範囲まで使用可能
である。
ート抵抗10Ω/口(口はcj)の透明電極(第2図の
la)を有する透明導電性ガラスの基板を用意する。つ
いで、7 X 1O−6Torrの真空中で、WOとN
b2O5とをそれぞれ別のるつぼから電子線加熱により
同時に所定の蒸発率で蒸発させて、上述のガラス基板(
発色電極1)上に蒸着しWO−Nb2O5薄膜からなる
EC物質層2を成膜した。このWO−Nb2O5薄膜の
N b 2O5の含有量は0.3〜2O原子%の範囲内
が好ましいが、0.1〜30原子%の範囲まで使用可能
である。
このWO−Nb2O5薄膜からなるEC物質層2を表示
電極、白金板を対向電極3として、電解質4にはIM(
モル)のL I Cfl O4/プロピレンカーボネー
ト溶液を用いてEC素子を作製した。この場合L iC
R04はプロピレンカーボネート(PCともいう)電解
液の支持電解質として使用されるものである。すなわち
、この実施例のようにプロピレンカーボネートを電解液
として用いた場合、(1)式に示したEC反応に直接関
与するのは支持電解質のLi である。
電極、白金板を対向電極3として、電解質4にはIM(
モル)のL I Cfl O4/プロピレンカーボネー
ト溶液を用いてEC素子を作製した。この場合L iC
R04はプロピレンカーボネート(PCともいう)電解
液の支持電解質として使用されるものである。すなわち
、この実施例のようにプロピレンカーボネートを電解液
として用いた場合、(1)式に示したEC反応に直接関
与するのは支持電解質のLi である。
上記のようにして作製したEC素子に対して、印加電圧
2,5V、印加時間180秒の条件で、発色−消色一発
色の試験を行ない、発色種すなわちEC物質層2の光学
密度を測定した。2回目の発色後と成膜のままのときの
波長800nmにおける単位膜厚当りの光学密度(光学
濃度ともいう)の差をΔOD、2回目の発色時の注入電
荷量をQ。
2,5V、印加時間180秒の条件で、発色−消色一発
色の試験を行ない、発色種すなわちEC物質層2の光学
密度を測定した。2回目の発色後と成膜のままのときの
波長800nmにおける単位膜厚当りの光学密度(光学
濃度ともいう)の差をΔOD、2回目の発色時の注入電
荷量をQ。
WO−Nb2O5薄膜のうち発色に寄与した部分の面積
をVとし、発色効率ηを η−ΔOD/Q/V ・・・(2〉で示す
(2)式で定義すると、WO3−Nb2O5薄膜では従
来のWO3単相膜に比べて30%高いηを示した。この
発色効率の測定に関して、WO3T a 2O s薄膜
、WO3にNb2O5−Ta2O5の混合物を添加した
WO3−Nb2O5Ta2O5薄膜についても同様の良
好な発色効率を示した。また、上記WO3のEC母材の
代りに、MoO単体及びWOとM o Oaの混合体の
母3 材を用いてNb2O5又はTa2O5、Nb2o −
T a 2O s混合物を添加した場合も同様の発色効
率が測定された。
をVとし、発色効率ηを η−ΔOD/Q/V ・・・(2〉で示す
(2)式で定義すると、WO3−Nb2O5薄膜では従
来のWO3単相膜に比べて30%高いηを示した。この
発色効率の測定に関して、WO3T a 2O s薄膜
、WO3にNb2O5−Ta2O5の混合物を添加した
WO3−Nb2O5Ta2O5薄膜についても同様の良
好な発色効率を示した。また、上記WO3のEC母材の
代りに、MoO単体及びWOとM o Oaの混合体の
母3 材を用いてNb2O5又はTa2O5、Nb2o −
T a 2O s混合物を添加した場合も同様の発色効
率が測定された。
つぎに、上記の実施例と同様に作製したWO3T a
2O s薄膜をEC物質層2として形成したEC素子に
ついて、印加電圧2.5V、−回の発色時間/消色時間
がそれぞれ180秒という条件で、発色/消色の繰り返
し試験を行ったところ、従来のWO3単一膜の場合より
約2倍の長期間発色/消色を示した。つまり約2倍の長
寿命化が達成された。この寿命試験に関してWO3−N
b2O5薄膜、WOl::Nb O−Ta2O5の混
合物3 2 5 を添加したWO−Nb O−Ta2O5薄膜3
2 5 についても同様の長寿命化が示された。また、上記WO
のEC母材の代りに、M003単体及びW O−M o
Oaの混合母材を用い、これにNb O又はTa
Oの単体、Nb2O52 5 2 5 Ta、、05の混合物を添加してEC物質層2を形成し
た場合のEC素子も同様の桁の長寿命化が得られた。
2O s薄膜をEC物質層2として形成したEC素子に
ついて、印加電圧2.5V、−回の発色時間/消色時間
がそれぞれ180秒という条件で、発色/消色の繰り返
し試験を行ったところ、従来のWO3単一膜の場合より
約2倍の長期間発色/消色を示した。つまり約2倍の長
寿命化が達成された。この寿命試験に関してWO3−N
b2O5薄膜、WOl::Nb O−Ta2O5の混
合物3 2 5 を添加したWO−Nb O−Ta2O5薄膜3
2 5 についても同様の長寿命化が示された。また、上記WO
のEC母材の代りに、M003単体及びW O−M o
Oaの混合母材を用い、これにNb O又はTa
Oの単体、Nb2O52 5 2 5 Ta、、05の混合物を添加してEC物質層2を形成し
た場合のEC素子も同様の桁の長寿命化が得られた。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、WO3あるいはM o
Oaのうち一方、又はその両者の混合物にVb族金属
のうちのNb、Taの酸化物の少くとも一つの酸化物を
添加したEC物質層を発色体とする構成としたので、発
色効率が高く、かつ長寿命のEC素子が得られる。
Oaのうち一方、又はその両者の混合物にVb族金属
のうちのNb、Taの酸化物の少くとも一つの酸化物を
添加したEC物質層を発色体とする構成としたので、発
色効率が高く、かつ長寿命のEC素子が得られる。
第1図はこの発明の一実施例を示すEC素子の基本構成
を示す模式説明図、第2図は従来のEC素子の一構成を
示す模式断面図である。 図において、1は発色電極、2はEC物質層、3は対向
電極、4は電解質、5はスペーサである。
を示す模式説明図、第2図は従来のEC素子の一構成を
示す模式断面図である。 図において、1は発色電極、2はEC物質層、3は対向
電極、4は電解質、5はスペーサである。
Claims (1)
- 酸化タングステン及び酸化モリブデンのうちのいずれか
一種の単一物、又は上記酸化タングステン及び酸化モリ
ブデンの混合物にVb族金属のうちのNb及びTaの酸
化物Nb_2O_5及びTa_2O_5の少なくとも一
つを添加した物質を発色体としたことを特徴とするエレ
クトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1173099A JPH0339724A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | エレクトロクロミック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1173099A JPH0339724A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | エレクトロクロミック素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0339724A true JPH0339724A (ja) | 1991-02-20 |
Family
ID=15954162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1173099A Pending JPH0339724A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | エレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0339724A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002526801A (ja) * | 1998-10-06 | 2002-08-20 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | プロトンによりエレクトロクロミック的に切り替わるポリ−(3,4−ジオキシチオフェン)誘導体に基く装置 |
CN100441330C (zh) * | 2006-12-14 | 2008-12-10 | 中冶南方工程技术有限公司 | 一种单机架平整机入口设备紧凑型布置的方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58193524A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-11 | Hitachi Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
-
1989
- 1989-07-06 JP JP1173099A patent/JPH0339724A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58193524A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-11 | Hitachi Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002526801A (ja) * | 1998-10-06 | 2002-08-20 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | プロトンによりエレクトロクロミック的に切り替わるポリ−(3,4−ジオキシチオフェン)誘導体に基く装置 |
JP4759139B2 (ja) * | 1998-10-06 | 2011-08-31 | エイチ・シー・スタルク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシュレンクテル・ハフツング | プロトンによりエレクトロクロミック的に切り替わるポリ−(3,4−ジオキシチオフェン)誘導体に基く装置 |
CN100441330C (zh) * | 2006-12-14 | 2008-12-10 | 中冶南方工程技术有限公司 | 一种单机架平整机入口设备紧凑型布置的方法 |
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