JPH0371112A - エレクトロクロミック素子 - Google Patents
エレクトロクロミック素子Info
- Publication number
- JPH0371112A JPH0371112A JP1206983A JP20698389A JPH0371112A JP H0371112 A JPH0371112 A JP H0371112A JP 1206983 A JP1206983 A JP 1206983A JP 20698389 A JP20698389 A JP 20698389A JP H0371112 A JPH0371112 A JP H0371112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coloring
- electrode
- oxide
- material layer
- electrolyte
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 43
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 12
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004042 decolorization Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 alkali metal salt Chemical class 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010416 ion conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011533 mixed conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はエレクトロクロミック素子に関し、特に応答
性の優れたエレクトロクロミック素子に関するものであ
る。
性の優れたエレクトロクロミック素子に関するものであ
る。
[従来の技術]
エレクトロクロミック(以下ECと略称する)素子は電
気化学反応に伴って色が可逆的に変化するEC材料を発
色体として用いた非発光型の表示素子である。EC素子
に関しては、真空28[11](1980年)真空協会
P、503−514の文献にaWO3膜のエレクトロク
ロミック特性と表示素子への応用”と題する解説論文が
開示されている。
気化学反応に伴って色が可逆的に変化するEC材料を発
色体として用いた非発光型の表示素子である。EC素子
に関しては、真空28[11](1980年)真空協会
P、503−514の文献にaWO3膜のエレクトロク
ロミック特性と表示素子への応用”と題する解説論文が
開示されている。
EC素子の発色/消色の原理は、例えばEC材料として
酸化タングステンWO3を用いた場合、次に示す(1)
式で説明されている。
酸化タングステンWO3を用いた場合、次に示す(1)
式で説明されている。
xM” 十x e−+WO3=MxWOa・・・(1)
(1)式において、MはH,Li、Na、になどである
。上記のWO3は現在代表的なEC材料であり、この物
質はH+やLi+などの正イオンとともに電子も通す混
合導電体である。(1〉式の反応において、電解質中で
WO3をカソード側にして電圧を印加するとWO3に正
イオン(M+)が注入されて青色(タングステンブロン
ズと呼ばれる)を示す。そして逆にWO3をアノード側
にして電圧を印加するとWO3中の正イオンが電解質に
戻り消色する。換言すれば、WO3の電解還元を行うと
M+がWO3中に潜り込んで電気的中性を保ちM x
W Oが生成する。WO3は無色であるが、M x W
Oaは青色であるので電解還元によって発色させるこ
とができる。逆に電解酸化すると無色のWO3に戻る。
。上記のWO3は現在代表的なEC材料であり、この物
質はH+やLi+などの正イオンとともに電子も通す混
合導電体である。(1〉式の反応において、電解質中で
WO3をカソード側にして電圧を印加するとWO3に正
イオン(M+)が注入されて青色(タングステンブロン
ズと呼ばれる)を示す。そして逆にWO3をアノード側
にして電圧を印加するとWO3中の正イオンが電解質に
戻り消色する。換言すれば、WO3の電解還元を行うと
M+がWO3中に潜り込んで電気的中性を保ちM x
W Oが生成する。WO3は無色であるが、M x W
Oaは青色であるので電解還元によって発色させるこ
とができる。逆に電解酸化すると無色のWO3に戻る。
つまり表示素子に適用した場合、電圧を印加することに
より書き込み/消去あるいは発色/消色を繰返して行う
ことができる。
より書き込み/消去あるいは発色/消色を繰返して行う
ことができる。
この表示法は液晶などの非発光材料と類似するが、大き
く異なる点は一旦発色したら逆電圧をかけない限り表示
がそのまま残るという利点がある。
く異なる点は一旦発色したら逆電圧をかけない限り表示
がそのまま残るという利点がある。
また、EC素子は美しい見やすい色の表示素子として定
評がある。このような特長をもつEC素子は受光型の表
示素子、メモリ素子、あるいは調光材料などへの応用分
野が考えられている。
評がある。このような特長をもつEC素子は受光型の表
示素子、メモリ素子、あるいは調光材料などへの応用分
野が考えられている。
第2図は従来のEC素子の一基本構成を示す模式的な断
面図である。図において、1aは透明なガラス基板であ
り、1bはガラス基板1aの面に成膜した透明電極であ
り、ガラス基板1aと透明電極1bとで発色電極を構成
している。2aは透明電極lb上に形成したEC材料か
らなるEC物質層で、例えば非晶質WO3(a−WO3
と称される)を用いて発色体を形成している。6は透明
電極1b上のEC物質層2aによる表示パターン膜を形
成するために設けた分離用の絶縁膜である。
面図である。図において、1aは透明なガラス基板であ
り、1bはガラス基板1aの面に成膜した透明電極であ
り、ガラス基板1aと透明電極1bとで発色電極を構成
している。2aは透明電極lb上に形成したEC材料か
らなるEC物質層で、例えば非晶質WO3(a−WO3
と称される)を用いて発色体を形成している。6は透明
電極1b上のEC物質層2aによる表示パターン膜を形
成するために設けた分離用の絶縁膜である。
一方、ガラス基板1aと対向するガラス基板3a上にも
透明電極3bが形成され、通常は透明電極3b上には図
示しない対向電極膜が形成されていて、ガラス基板3
a s透明電極3bとともに対向電極を構成している。
透明電極3bが形成され、通常は透明電極3b上には図
示しない対向電極膜が形成されていて、ガラス基板3
a s透明電極3bとともに対向電極を構成している。
そして、上述の発色電極と対向電極はシールを兼ねたス
ペーサ5で等間隔に配設され、これらが形成する空間部
分に電解質4が密封されている。
ペーサ5で等間隔に配設され、これらが形成する空間部
分に電解質4が密封されている。
以上が従来からのEC素子の基本構成であるが、発色電
極及び対向電極と電解質4とにより一単位素子分の電解
槽が構成される。この場合、透明電極1b、3bからそ
れぞれ図示しない電極端子を取り出すことにより、発色
電極及び対向電極を任意に一対のアノード(正極)及び
カソード(負極)として使用することができるようにな
っている。
極及び対向電極と電解質4とにより一単位素子分の電解
槽が構成される。この場合、透明電極1b、3bからそ
れぞれ図示しない電極端子を取り出すことにより、発色
電極及び対向電極を任意に一対のアノード(正極)及び
カソード(負極)として使用することができるようにな
っている。
実際の発色/消色の動作については前述した通りである
。
。
[発明が解決しようとする課題]
上記のような従来のEC素子は(イ)色が鮮やかで視野
角特性に優れ、(ロ)メモリ効果を有することなど液晶
素子などに比べ優れた特長をもつが、反面応答性が不十
分であり、特に発色時の応答性がよくなかったという課
題がある。この問題は今後EC素子が実用に供しうる表
示素子とするための解決しておかねばならない大きな課
題の一つの因子と考えられている。
角特性に優れ、(ロ)メモリ効果を有することなど液晶
素子などに比べ優れた特長をもつが、反面応答性が不十
分であり、特に発色時の応答性がよくなかったという課
題がある。この問題は今後EC素子が実用に供しうる表
示素子とするための解決しておかねばならない大きな課
題の一つの因子と考えられている。
この発明は上述のような課題を解決するためになされた
もので発色体となるEC物質層の物質を改良することに
より応答性の優れたEC素子を提供することを目的とす
るものである。
もので発色体となるEC物質層の物質を改良することに
より応答性の優れたEC素子を提供することを目的とす
るものである。
[課題を解決するための手段]
この発明に係るEC素子は酸化タングステン又は酸化モ
リブデンの単体やあるいはこれらの混合物に例えばIn
2O3,SnO2のうちの少くとも一種の電子伝導性の
酸化物を添加した物質を発色体として構成したものであ
る。
リブデンの単体やあるいはこれらの混合物に例えばIn
2O3,SnO2のうちの少くとも一種の電子伝導性の
酸化物を添加した物質を発色体として構成したものであ
る。
[作用]
この発明においては、従来のEC物質として用いられる
酸化タングステン又は酸化モリブデン、あるいはその混
合物に電子伝導性の酸化物を添加するから、EC材料の
電子伝導度を増大させ、ひいては発色/消色の応答性が
高められる。
酸化タングステン又は酸化モリブデン、あるいはその混
合物に電子伝導性の酸化物を添加するから、EC材料の
電子伝導度を増大させ、ひいては発色/消色の応答性が
高められる。
[実施例]
第1図はこの発明によるEC素子の一実施例の基本構成
を第2図の従来例よりさらに簡略して示した模式説明図
である。図において、1は発色電極、2は発色電極1の
内面に形成したEC物質層、3は対向電極である。発色
電極1及び対向電極3の内面には第2図の従来例で示し
た透明電極のそれぞれlb、3bが形成されているが、
図示は省略している。EC物質層2が設けられた発色電
極1と対向電極3とはスペーサ5を介して対向しており
、これらの部材が形成する空隙部に電解質4がスペーサ
5によりシールされて封入されている。
を第2図の従来例よりさらに簡略して示した模式説明図
である。図において、1は発色電極、2は発色電極1の
内面に形成したEC物質層、3は対向電極である。発色
電極1及び対向電極3の内面には第2図の従来例で示し
た透明電極のそれぞれlb、3bが形成されているが、
図示は省略している。EC物質層2が設けられた発色電
極1と対向電極3とはスペーサ5を介して対向しており
、これらの部材が形成する空隙部に電解質4がスペーサ
5によりシールされて封入されている。
発色電極1には前述のようにITOと呼ばれているイン
ジウム錫酸化物などの透明導電膜がコ−ティングされた
ガラス(透光型表示用)、あるいは金属板(反射型表示
用)などが用いられる。EC物質層2の形成は例えば真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングなどの
ドライプロセス、あるいは各種の湿式プロセスによって
行われる。対向電極3は発色電極1と同様な透明導電膜
付きのガラス、あるいは白金などの金属が用いられる。
ジウム錫酸化物などの透明導電膜がコ−ティングされた
ガラス(透光型表示用)、あるいは金属板(反射型表示
用)などが用いられる。EC物質層2の形成は例えば真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングなどの
ドライプロセス、あるいは各種の湿式プロセスによって
行われる。対向電極3は発色電極1と同様な透明導電膜
付きのガラス、あるいは白金などの金属が用いられる。
電解質4はアルカリ金属塩を含んだ非水溶媒に溶解した
ものや硫酸等の酸などの液体電解質や各種のイオン伝導
体からなる固体電解質が使用可能である。EC物質層2
及び電解質4はスペサ5によって外界からシールされて
いる。
ものや硫酸等の酸などの液体電解質や各種のイオン伝導
体からなる固体電解質が使用可能である。EC物質層2
及び電解質4はスペサ5によって外界からシールされて
いる。
以下、この発明の代表的な実施例として、母材(添加前
)のEC材料をWO3とし、電子伝導性のS n O2
(酸化錫)を母材に添加したEC素子について説明する
。
)のEC材料をWO3とし、電子伝導性のS n O2
(酸化錫)を母材に添加したEC素子について説明する
。
つぎに、あらかじめITOをコーティングして形成した
シート抵抗1007口(口はcd)の透明電極(第2図
のla)を有する透明導電性ガラスの基板を用意する。
シート抵抗1007口(口はcd)の透明電極(第2図
のla)を有する透明導電性ガラスの基板を用意する。
ついで、7 X 106Torrの真空中で、WOとS
n O2とをそれぞれ別のるつぼから電子線加熱によ
り同時に所定の蒸発率で蒸発させて、上述のガラス基板
(発色電極1)上に蒸着しW OS n O2薄膜から
なるEC物質層2を成膜した。このW OS n O2
薄膜のS n O2の含有量は0.3〜20原子%の範
囲内が好ましいが、0.1〜30原子%の範囲まで使用
可能である。
n O2とをそれぞれ別のるつぼから電子線加熱によ
り同時に所定の蒸発率で蒸発させて、上述のガラス基板
(発色電極1)上に蒸着しW OS n O2薄膜から
なるEC物質層2を成膜した。このW OS n O2
薄膜のS n O2の含有量は0.3〜20原子%の範
囲内が好ましいが、0.1〜30原子%の範囲まで使用
可能である。
このW OS n O2薄膜からなるEC物質層2を表
示電極、白金板を対向電極3として、電解質4にはIM
(モル)のL iC,Q O,a /プロピレンカーボ
ネート溶液を用いてEC素子を作製した。
示電極、白金板を対向電極3として、電解質4にはIM
(モル)のL iC,Q O,a /プロピレンカーボ
ネート溶液を用いてEC素子を作製した。
この場合L iCfl O4はプロピレンカーボネート
(PCともいう)電解液の支持電解質として使用される
ものである。すなわち、この実施例のようにプロピレン
カーボネートを電解液として用いた場合、(1)式に示
したEC反応に直接関与するのは支持電解質のLi+で
ある。
(PCともいう)電解液の支持電解質として使用される
ものである。すなわち、この実施例のようにプロピレン
カーボネートを電解液として用いた場合、(1)式に示
したEC反応に直接関与するのは支持電解質のLi+で
ある。
上記のようにして作製したEC素子に対して、印加電圧
2.5V、印加時間180秒の条件で、発色−消色→発
色の試験を行ない、表示極すなわちEC物質層2の光学
密度を測定した。2回目の発色後と成膜のままのときの
波長800nmにおける単位膜厚当りの光学密度(吸光
度に相当するもの)の差WO単相膜をEC物質層2に用
いたEC素子の値に比べて約5%向上した。すなわち、
単位膜厚当りの光学密度の変化量が等しいならば、その
変化に要する時間はW OS n O2薄膜の場合の方
がWO3単相膜の場合に比べて短くなった。
2.5V、印加時間180秒の条件で、発色−消色→発
色の試験を行ない、表示極すなわちEC物質層2の光学
密度を測定した。2回目の発色後と成膜のままのときの
波長800nmにおける単位膜厚当りの光学密度(吸光
度に相当するもの)の差WO単相膜をEC物質層2に用
いたEC素子の値に比べて約5%向上した。すなわち、
単位膜厚当りの光学密度の変化量が等しいならば、その
変化に要する時間はW OS n O2薄膜の場合の方
がWO3単相膜の場合に比べて短くなった。
また、電圧印加直後の発色電流減少の度合いもWOの単
相膜の場合より小さくなり、EC素子の応答性向上が示
された。
相膜の場合より小さくなり、EC素子の応答性向上が示
された。
以上のほか、S n O2を電子伝導性酸化物として、
In OあるいはIn OとS n O2と2 3
2 3 の混合物を用いて、それぞれWO3と同時蒸着を行うこ
とにより成膜して得たEC物質層2を用いて作製したE
C素子の場合も同様にWO3単相膜をEC物質層2とす
る。EC素子よりも優れた応答特性を示した。
In OあるいはIn OとS n O2と2 3
2 3 の混合物を用いて、それぞれWO3と同時蒸着を行うこ
とにより成膜して得たEC物質層2を用いて作製したE
C素子の場合も同様にWO3単相膜をEC物質層2とす
る。EC素子よりも優れた応答特性を示した。
以上の実施例はEC物質層2の母材(添加前の材料)と
してWO3の場合について示したが、母材に酸化モリブ
デン又は酸化タングステンと酸化モリブデンの混合物を
用いた場合について電子伝導性物質としてIn Oま
たはS n O2、ある3 いはIn2O3とS n O2の混合物を添加した場合
も同様の好特性が得られた。
してWO3の場合について示したが、母材に酸化モリブ
デン又は酸化タングステンと酸化モリブデンの混合物を
用いた場合について電子伝導性物質としてIn Oま
たはS n O2、ある3 いはIn2O3とS n O2の混合物を添加した場合
も同様の好特性が得られた。
ここで、WO3に例えばITOを添加した場合のEC物
質層2についてこの薄膜の抵抗率について検討した結果
を以下説明する。
質層2についてこの薄膜の抵抗率について検討した結果
を以下説明する。
すなわち電子伝導性酸化物として1n203とS n
O2との混合物つまりITOを用い、7×106Tor
rの真空中でwo とITOとをそれぞれ別のるつぼ
から電子線加熱によりガラス基板上に同時に蒸発させて
WO3−ITO薄膜を成膜し、EC物質層2を形成した
。この薄膜の抵抗率を測定したところWO3単相膜に比
べて約100分の1の抵抗率に低下した。この結果から
明らかなように、前述の実施例でSnO□を電子伝導性
酸化物をWO3に添加した場合と同様にEC材料に電子
伝導度酸化物を添加したものはEC材料の電子伝導度が
増大するので、発色/消色の応答速度の高いEC素子が
得られる。
O2との混合物つまりITOを用い、7×106Tor
rの真空中でwo とITOとをそれぞれ別のるつぼ
から電子線加熱によりガラス基板上に同時に蒸発させて
WO3−ITO薄膜を成膜し、EC物質層2を形成した
。この薄膜の抵抗率を測定したところWO3単相膜に比
べて約100分の1の抵抗率に低下した。この結果から
明らかなように、前述の実施例でSnO□を電子伝導性
酸化物をWO3に添加した場合と同様にEC材料に電子
伝導度酸化物を添加したものはEC材料の電子伝導度が
増大するので、発色/消色の応答速度の高いEC素子が
得られる。
[発明の効果コ
以上のようにこの発明によれば、酸化タングステン又は
酸化モリブデンのいずれか一つ又は両者の混合物に、例
えばIn OやS n O2のよう3 な電子伝導性の酸化物を混合したEC物質層をEC素子
の発色体としたので発色/消色の際の応答性のよいEC
素子が得られる。
酸化モリブデンのいずれか一つ又は両者の混合物に、例
えばIn OやS n O2のよう3 な電子伝導性の酸化物を混合したEC物質層をEC素子
の発色体としたので発色/消色の際の応答性のよいEC
素子が得られる。
第1図はこの発明の一実施例を示すEC素子の基本構成
を示す模式説明図、第2図は従来のEC素子の一構成を
示す模式断面図である。 図において、1は発色電極、2はEC物質層、3は対向
電極、4は電解質、5はスペーサである。
を示す模式説明図、第2図は従来のEC素子の一構成を
示す模式断面図である。 図において、1は発色電極、2はEC物質層、3は対向
電極、4は電解質、5はスペーサである。
Claims (2)
- (1)酸化タングステン及び酸化モリブデンのうちのい
ずれか一種の単一物、又は上記酸化タングステン及び酸
化モリブデンの混合物に電子伝導性の酸化物を添加した
物質を発色体としたことを特徴とするエレクトロクロミ
ック素子。 - (2)電子伝導性の酸化物がIn_2O_3及びSnO
_2のうち少なくとも一種であることを特徴とする請求
項1記載のエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1206983A JPH0371112A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | エレクトロクロミック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1206983A JPH0371112A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | エレクトロクロミック素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0371112A true JPH0371112A (ja) | 1991-03-26 |
Family
ID=16532235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1206983A Pending JPH0371112A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | エレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0371112A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109240015A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-01-18 | 揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司 | 一种电致变色玻璃的制作方法 |
CN109455946A (zh) * | 2019-01-04 | 2019-03-12 | 西安交通大学 | 一种具有电致变色性能的w18o49/wo3复合薄膜及其制备方法 |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP1206983A patent/JPH0371112A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109240015A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-01-18 | 揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司 | 一种电致变色玻璃的制作方法 |
CN109455946A (zh) * | 2019-01-04 | 2019-03-12 | 西安交通大学 | 一种具有电致变色性能的w18o49/wo3复合薄膜及其制备方法 |
CN109455946B (zh) * | 2019-01-04 | 2020-06-19 | 西安交通大学 | 一种具有电致变色性能的w18o49/wo3复合薄膜及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4652090A (en) | Dispersed iridium based complementary electrochromic device | |
US4060311A (en) | Electrochromic device | |
US4256379A (en) | Electrochromic device | |
US5011582A (en) | Method for producing electrochromic device with application of AC voltage between the electrode layers | |
US4294520A (en) | Electrochromic display device | |
IE80448B1 (en) | Electrochromic system | |
US4235528A (en) | Ceramics for electrochromic display | |
US4233339A (en) | Method for making electrochromic films having improved etch resistance | |
US5099356A (en) | Electrochromic device with an electrolyte comprising a lithium salt and a sodium salt | |
US4303310A (en) | Electrochromic display device | |
GB2035593A (en) | Electrode barrier layer for hydrogencoloured electrochromic display devices | |
JPH0371112A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JP2910172B2 (ja) | エレクトロクロミック表示装置 | |
JPS6033255B2 (ja) | エレクトロクロミツク表示装置 | |
JPH0372328A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPH0343716A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPH0371113A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPH0339724A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPH0342635A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPS62295031A (ja) | エレクトロクロミツク表示装置 | |
JPH0373933A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
CA1265603A (en) | Dispersed iridium based complementary electrochromic device | |
JPH0339723A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPS61239227A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
JPS5944708A (ja) | 透明電極の形成方法 |