JPH0343716A - エレクトロクロミック素子 - Google Patents
エレクトロクロミック素子Info
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- JPH0343716A JPH0343716A JP1177051A JP17705189A JPH0343716A JP H0343716 A JPH0343716 A JP H0343716A JP 1177051 A JP1177051 A JP 1177051A JP 17705189 A JP17705189 A JP 17705189A JP H0343716 A JPH0343716 A JP H0343716A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はエレクトロクロミック素子に関し、特に発色
効率が高く、さらに長寿命のエレクトロクロミック素子
に関するものである。
効率が高く、さらに長寿命のエレクトロクロミック素子
に関するものである。
[従来の技術]
エレクトロクロミック(以下ECと略称する)素子は電
気化学反応に伴って色が可逆的に変化するEC材料を発
色体として用いた非発光型の表示素子である。EC素子
に関しては、真空2.3[11](1980年)真空協
会P、503−514の文献に−a −WO3膜のエレ
クトロクロミック特性と表示素子への応用°と題する解
説論文が開示されている。
気化学反応に伴って色が可逆的に変化するEC材料を発
色体として用いた非発光型の表示素子である。EC素子
に関しては、真空2.3[11](1980年)真空協
会P、503−514の文献に−a −WO3膜のエレ
クトロクロミック特性と表示素子への応用°と題する解
説論文が開示されている。
EC素子の発色/消色の原理は、例えばEC材料として
酸化タングステンWO3を用いた場合、次に示す(1)
式で説明されている。
酸化タングステンWO3を用いた場合、次に示す(1)
式で説明されている。
xM++xe−+WO3MxWO3
・・・(1)
(1)式において、MはH,Li、Na、になどである
。上記のWO3は現在代表的なEC材料であり、この物
質はH+やLi+などの正イオンとともに電子も通す混
合導電体である。(1)式の反応において、電解質中で
WO3をカソード側にして電圧を印加するとWO3に正
イオン(M+)が注入されて青色(タングステンブロン
ズと呼ばれる)を示す。そして逆にWO3をアノード側
にして電圧を印加するとWO3中の正イオンが電解質に
戻り消色する。換言すれば、WO3の電解還元を行うと
M+がWO3中に潜り込んで電気的中性を保ちM x
W O3が生成する。WO3は無色であるが、M x
W O3は青色であるので電解還元によって発色させる
ことができる。逆に電解酸化すると無色のWO3に戻る
。つまり表示素子に適用した場合、電圧を印加すること
により書き込み/消去あるいは発色/消色を繰返して行
うことができる。
。上記のWO3は現在代表的なEC材料であり、この物
質はH+やLi+などの正イオンとともに電子も通す混
合導電体である。(1)式の反応において、電解質中で
WO3をカソード側にして電圧を印加するとWO3に正
イオン(M+)が注入されて青色(タングステンブロン
ズと呼ばれる)を示す。そして逆にWO3をアノード側
にして電圧を印加するとWO3中の正イオンが電解質に
戻り消色する。換言すれば、WO3の電解還元を行うと
M+がWO3中に潜り込んで電気的中性を保ちM x
W O3が生成する。WO3は無色であるが、M x
W O3は青色であるので電解還元によって発色させる
ことができる。逆に電解酸化すると無色のWO3に戻る
。つまり表示素子に適用した場合、電圧を印加すること
により書き込み/消去あるいは発色/消色を繰返して行
うことができる。
この表示法は液晶などの非発光材料と類似するが、大き
く異なる点は一旦発色したら逆電圧をかけない限り表示
がそのまま残るという利点がある。
く異なる点は一旦発色したら逆電圧をかけない限り表示
がそのまま残るという利点がある。
また、EC素子は美しい見やすい色の表示素子として定
評がある。このような特長をもつEC素子は受光型の表
示素子、メモリ素子、あるいは調光材料などへの応用分
野が考えられている。
評がある。このような特長をもつEC素子は受光型の表
示素子、メモリ素子、あるいは調光材料などへの応用分
野が考えられている。
第2図は従来のEC素子の一基本構成を示す模式的な断
面図である。図において、1aは透明なガラス基板であ
り、lbはガラス基板1aの面に成膜した透明電極であ
り、ガラス基板1aと透明電極1bとで発色電極を構成
している。2aは透明電極lb上に形成したEC材料か
らなるEC物質層で、例えば非晶質W O(a W
Osと称される)を用いて発色体を形成している。6は
透明電極1b上のEC物質層2aによる表示パターン膜
を形成するために設けた分離用の絶縁膜である。
面図である。図において、1aは透明なガラス基板であ
り、lbはガラス基板1aの面に成膜した透明電極であ
り、ガラス基板1aと透明電極1bとで発色電極を構成
している。2aは透明電極lb上に形成したEC材料か
らなるEC物質層で、例えば非晶質W O(a W
Osと称される)を用いて発色体を形成している。6は
透明電極1b上のEC物質層2aによる表示パターン膜
を形成するために設けた分離用の絶縁膜である。
一方、ガラス基板1aと対向するガラス基板3a上にも
透明電極3bが形成され、通常は透明電極3b上には図
示しない対向電極膜が形成されていて、ガラス基板3a
、透明電極3bとともに対向電極を構成している。そし
て、上述の発色電極と対向電極はシールを兼ねたスペー
サ5で等間隔に配設され、これらが形成する空間部分に
電解質4が密封されている。
透明電極3bが形成され、通常は透明電極3b上には図
示しない対向電極膜が形成されていて、ガラス基板3a
、透明電極3bとともに対向電極を構成している。そし
て、上述の発色電極と対向電極はシールを兼ねたスペー
サ5で等間隔に配設され、これらが形成する空間部分に
電解質4が密封されている。
以上が従来からのEC素子の基本構成であるが、発色電
極及び対向電極と電解質4とにより一単位素子分の電解
槽が構成される。この場合、透明電極1b、3bからそ
れぞれ図示しない電極端子を取り出すことにより、発色
電極及び対向電極を任意に一対のアノード(正極)及び
カソード(負極)として使用することができるようにな
っている。
極及び対向電極と電解質4とにより一単位素子分の電解
槽が構成される。この場合、透明電極1b、3bからそ
れぞれ図示しない電極端子を取り出すことにより、発色
電極及び対向電極を任意に一対のアノード(正極)及び
カソード(負極)として使用することができるようにな
っている。
実際の発色/消色の動作については前述した通りである
。
。
[発明が解決しようとする課題]
上記のような従来のEC素子は発色/消色の動作を繰返
した場合に、初期の特性が劣化し、寿命が十分でないと
いう課題が指摘されている。現在もその原因を究明しよ
うとする研究が下記文献に示されるように進行中である
。
した場合に、初期の特性が劣化し、寿命が十分でないと
いう課題が指摘されている。現在もその原因を究明しよ
うとする研究が下記文献に示されるように進行中である
。
応用物理 51[4コ(19g2) P、488−49
4DENKI KAGAKU 54[5](,198
8) P、423−430以上の研究の結果、例えばW
O3の場合、WO3中に捕らえられたLi+などの正イ
オンが消色時に完全に電解質中にもどりきらないことが
わかっている。そのため、次の発色時に必要な正イオン
のWO3中への注入可能な量が減少しコントラストが低
下するようになり、寿命が十分でないという課題があっ
た。この正イオンの蓄積はWO3中に不可避的に存在す
る一〇H基のHが正イオンと置換することによると考え
られる。
4DENKI KAGAKU 54[5](,198
8) P、423−430以上の研究の結果、例えばW
O3の場合、WO3中に捕らえられたLi+などの正イ
オンが消色時に完全に電解質中にもどりきらないことが
わかっている。そのため、次の発色時に必要な正イオン
のWO3中への注入可能な量が減少しコントラストが低
下するようになり、寿命が十分でないという課題があっ
た。この正イオンの蓄積はWO3中に不可避的に存在す
る一〇H基のHが正イオンと置換することによると考え
られる。
また、EC素子はもともと受光型の素子であるため、液
晶表示素子としばしば比較されるが、その特長としては
■色が非常に鮮やかで視野角特性にすぐれ、■メモリ効
果があることなどがある。
晶表示素子としばしば比較されるが、その特長としては
■色が非常に鮮やかで視野角特性にすぐれ、■メモリ効
果があることなどがある。
しかし反面、現在開発途上の技術であることもあって、
例えば欠点の一つとして消費電電力が比較的大きいこと
など発色効率の点で劣るという課題が挙げられている。
例えば欠点の一つとして消費電電力が比較的大きいこと
など発色効率の点で劣るという課題が挙げられている。
この発明は上記のような課題を解決するためになされも
ので、EC物質に改良を加え長寿命でしかも発色効率の
優れたEC素子を提供することを目的とするものである
。
ので、EC物質に改良を加え長寿命でしかも発色効率の
優れたEC素子を提供することを目的とするものである
。
[課題を解決するための手段]
この発明に係るEC素子は酸化タングステンWO3にタ
ングステン酸塩例えばLi2WO4゜Na2WO4など
のタングステン酸のアルカリ金属塩を少なくとも一種添
加したEC物質を発色体としたものである。この場合、
無添加のWO3に対して、タングステン酸塩の含有量は
0.l〜30原子%とするのが望ましい。
ングステン酸塩例えばLi2WO4゜Na2WO4など
のタングステン酸のアルカリ金属塩を少なくとも一種添
加したEC物質を発色体としたものである。この場合、
無添加のWO3に対して、タングステン酸塩の含有量は
0.l〜30原子%とするのが望ましい。
[作用]
この発明においては、WO3にタングステン酸のアルカ
リ金属塩を添加したEC物質を用いるから、発色/消色
に寄与する正イオンのトラップサイトとなりうるWO3
中の−OH基のHが添加時にタングステン酸塩の正イオ
ンと入れ替っているので、それ以上の正イオンの蓄積が
進まなくなり、発色に寄与するEC物質は一〇H基のな
いWO3のみとなるため初期の特性がそのまま維持され
る。
リ金属塩を添加したEC物質を用いるから、発色/消色
に寄与する正イオンのトラップサイトとなりうるWO3
中の−OH基のHが添加時にタングステン酸塩の正イオ
ンと入れ替っているので、それ以上の正イオンの蓄積が
進まなくなり、発色に寄与するEC物質は一〇H基のな
いWO3のみとなるため初期の特性がそのまま維持され
る。
また、本発明者らの実験によればLi2WO4などのタ
ングステン酸塩を添加したものは、例えばWO3を用い
た従来のEC素子と比べて、少ない電荷注入量でも従来
並みに発色するようになる。
ングステン酸塩を添加したものは、例えばWO3を用い
た従来のEC素子と比べて、少ない電荷注入量でも従来
並みに発色するようになる。
この現象は発色効率が増大したこととなる。つまり、同
一発色量に対して注入電荷量が小さくてすむので、この
面でも上記のように劣化の原因となると考えられている
正イオンの蓄積が減小する方向に働くものである。
一発色量に対して注入電荷量が小さくてすむので、この
面でも上記のように劣化の原因となると考えられている
正イオンの蓄積が減小する方向に働くものである。
[実施例]
第1図はこの発明によるEC素子の一実施例の基本構成
を第2図の従来例よりさらに簡略して示した模式説明図
である。図において、1は発色電極、2は発色電極1の
内面に形成したEC物質層、3は対向電極である。発色
電極1及び対向電極3の内面には第2図の従来例で示し
た透明電極のそれぞれlb、3bが形成されているが、
図示は省略している。EC物質層2が設けられた発色電
極1と対向電極3とはスペーサ5を介して対向しており
、これらの部材が形成する空隙部に電解質4がスペーサ
5によりシールされて封入されている。
を第2図の従来例よりさらに簡略して示した模式説明図
である。図において、1は発色電極、2は発色電極1の
内面に形成したEC物質層、3は対向電極である。発色
電極1及び対向電極3の内面には第2図の従来例で示し
た透明電極のそれぞれlb、3bが形成されているが、
図示は省略している。EC物質層2が設けられた発色電
極1と対向電極3とはスペーサ5を介して対向しており
、これらの部材が形成する空隙部に電解質4がスペーサ
5によりシールされて封入されている。
発色電極1には前述のようにITOと呼ばれているイン
ジウム錫酸化物などの透明導電膜がコーティングされた
ガラス(透光型表示用)、あるいは金属板(反射型表示
用)などが用いられる。EC物質層2の形成は例えば真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングなどの
ドライプロセス、あるいは各種の湿式プロセスによって
行われる。対向電極3は発色電極1と同様な透明導電膜
付きのガラス、あるいは白金などの金属が用いられる。
ジウム錫酸化物などの透明導電膜がコーティングされた
ガラス(透光型表示用)、あるいは金属板(反射型表示
用)などが用いられる。EC物質層2の形成は例えば真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングなどの
ドライプロセス、あるいは各種の湿式プロセスによって
行われる。対向電極3は発色電極1と同様な透明導電膜
付きのガラス、あるいは白金などの金属が用いられる。
電解質4はアルカリ金属塩を含んだ非水溶媒に溶解した
ものや硫酸等の酸などの肢体電解質や各種のイオン伝導
体からなる固体電解質が使−用可能である。EC物質層
2及び電解質4はスペーサ5によって外界からシールさ
れている。
ものや硫酸等の酸などの肢体電解質や各種のイオン伝導
体からなる固体電解質が使−用可能である。EC物質層
2及び電解質4はスペーサ5によって外界からシールさ
れている。
以下、この発明の代表的な実施例として、母材(添加前
)のEC材料をWO3とし、L L 2WO4のタング
ステン酸塩を母材に添加したEC素子について説明する
。
)のEC材料をWO3とし、L L 2WO4のタング
ステン酸塩を母材に添加したEC素子について説明する
。
まず、あらかじめITOをコーティングして形成したシ
ート抵抗IOΩ10(oはcd)の透明電極(第2図の
la)を有する透明導電性ガラスの基板を用意する。つ
いで、7 X 10=Torrの真空中で、WO3とL
IWO4とをそれぞれ別のるつぼから電子線加熱により
同時に所定の蒸発率で蒸発させて、上述のガラス基板(
発色電極1)上に蒸着しW O−L t W O4薄
膜からなるEC物質層22 を成膜した。このWO−L 12WO4薄膜のLiO2
WO4の含有量は0.3〜20原子%の範囲内が好まし
いが、0.l〜30原子%原子団まで使用可能である。
ート抵抗IOΩ10(oはcd)の透明電極(第2図の
la)を有する透明導電性ガラスの基板を用意する。つ
いで、7 X 10=Torrの真空中で、WO3とL
IWO4とをそれぞれ別のるつぼから電子線加熱により
同時に所定の蒸発率で蒸発させて、上述のガラス基板(
発色電極1)上に蒸着しW O−L t W O4薄
膜からなるEC物質層22 を成膜した。このWO−L 12WO4薄膜のLiO2
WO4の含有量は0.3〜20原子%の範囲内が好まし
いが、0.l〜30原子%原子団まで使用可能である。
このWO′ −Li2WO4薄膜からなるEC物質層2
を表示電極、白金板を対向電極3として、電解質4には
LM(モル)のL iCD O4/プロピレンカーボネ
ート溶液を用いてEC素子を作製した。この場合LiC
ρ04はプロピレンカーボネート(PCともいう)電解
液の支持電解質として使用されるものである。すなわち
、この実施例のようにプロピレンカーボネートを電解液
として用いた場合、(L)式に示したEC反応に直接関
与するのは支持電解質のLA である。
を表示電極、白金板を対向電極3として、電解質4には
LM(モル)のL iCD O4/プロピレンカーボネ
ート溶液を用いてEC素子を作製した。この場合LiC
ρ04はプロピレンカーボネート(PCともいう)電解
液の支持電解質として使用されるものである。すなわち
、この実施例のようにプロピレンカーボネートを電解液
として用いた場合、(L)式に示したEC反応に直接関
与するのは支持電解質のLA である。
上記のようにして作製したEC素子に対して、印加電圧
2.5V、印加時間180秒の条件で、発色→消色→発
色の試験を行ない、発色量すなわちEC物質層2の光学
密度を測定した。2回目の発色後と成膜のままのときの
波長800r+mにおける単位膜厚当りの光学密度(光
学濃度ともいう)の差をΔOD、2回目の発色時の注入
電荷量をQ。
2.5V、印加時間180秒の条件で、発色→消色→発
色の試験を行ない、発色量すなわちEC物質層2の光学
密度を測定した。2回目の発色後と成膜のままのときの
波長800r+mにおける単位膜厚当りの光学密度(光
学濃度ともいう)の差をΔOD、2回目の発色時の注入
電荷量をQ。
W O−L t 2 W O47s膜のうち発色に寄与
した部分の体積をVとし、発色効率ηを η−ΔOD/Q/V ・・・(2)で示す
(2)式で定義すると、WO3−Li2WO薄膜では従
来のWO3単相膜に比べて30%高いηを示した。
した部分の体積をVとし、発色効率ηを η−ΔOD/Q/V ・・・(2)で示す
(2)式で定義すると、WO3−Li2WO薄膜では従
来のWO3単相膜に比べて30%高いηを示した。
つぎに、上記のWO−Li2WO4薄膜をEC物質層2
として同様に形成したEC素子について、印加電圧2.
5V、−回の発色時間/消色時間がそれぞれ180秒と
いう条件で、発色/消色の繰り返し試験を行ったところ
、従来のWO3単相膜の場合に比べて約2倍の寿命向上
を示した。
として同様に形成したEC素子について、印加電圧2.
5V、−回の発色時間/消色時間がそれぞれ180秒と
いう条件で、発色/消色の繰り返し試験を行ったところ
、従来のWO3単相膜の場合に比べて約2倍の寿命向上
を示した。
以上、EC母材のwo にL l 2 W O4のタ
ングステン酸塩を添加してEC物質層とした場合のEC
素子の発色効率と寿命の試験結果について示した。この
ほか、タングステン酸塩としてN a 2WO及びK2
WOWO4のうちの一種を添加したちの、例えばWO−
Na WO、WO3−K2WO3 2
4 WO1及びLi WO、Na WO、K4
24 242WO2のうちの二
種以上のタングステン酸塩を添加したもの、すなわち、
WO−Li2WO4Na2WO4WO−Li2WO4−
K2WO2 4 3 WO、WO−Na2WO4−K2WOWO4゜3 WO3−L t2WO4−Na2WO4−K2WOWO
4のそれぞれをEC物質層(発色体)とじて用いて作製
したEC素子についても同様の試験を行ったところ、W
OにL12WO4の単体を添加した場合と同様に良好な
発色効率と寿命の向上が得られた。
ングステン酸塩を添加してEC物質層とした場合のEC
素子の発色効率と寿命の試験結果について示した。この
ほか、タングステン酸塩としてN a 2WO及びK2
WOWO4のうちの一種を添加したちの、例えばWO−
Na WO、WO3−K2WO3 2
4 WO1及びLi WO、Na WO、K4
24 242WO2のうちの二
種以上のタングステン酸塩を添加したもの、すなわち、
WO−Li2WO4Na2WO4WO−Li2WO4−
K2WO2 4 3 WO、WO−Na2WO4−K2WOWO4゜3 WO3−L t2WO4−Na2WO4−K2WOWO
4のそれぞれをEC物質層(発色体)とじて用いて作製
したEC素子についても同様の試験を行ったところ、W
OにL12WO4の単体を添加した場合と同様に良好な
発色効率と寿命の向上が得られた。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、WO3のEC母材にタ
ングステン酸塩を添加したEC物質層を発色体とする構
成としたので、発色効率が高く、かつ長寿命のEC素子
が得られる。
ングステン酸塩を添加したEC物質層を発色体とする構
成としたので、発色効率が高く、かつ長寿命のEC素子
が得られる。
第1図はこの発明の一実施例を示すEC素子の基本構成
を示す模式説明図、第2図は従来のEC素子の一構成を
示す模式断面図である。 図において、1は発色電極、2はEC物質層、3は対向
電極、4は電解質、5はスペーサである。
を示す模式説明図、第2図は従来のEC素子の一構成を
示す模式断面図である。 図において、1は発色電極、2はEC物質層、3は対向
電極、4は電解質、5はスペーサである。
Claims (2)
- (1)酸化タングステンにタングステン酸塩を添加した
物質を発色体としたことを特徴とするエレクトロクロミ
ック素子。 - (2)タングステン酸塩がタングステン酸リチウムLi
_2WO_4タングステン酸ナトリウムNa_2WO_
4、タングステン酸カリウムK_2WO_4のうちの少
なくとも一種であることを特徴とする請求項1記載のエ
レクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1177051A JPH0343716A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | エレクトロクロミック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1177051A JPH0343716A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | エレクトロクロミック素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0343716A true JPH0343716A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16024277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1177051A Pending JPH0343716A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | エレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0343716A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022064922A1 (ja) | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 株式会社 東芝 | 酸化タングステン材料、エレクトロクロミック素子用酸化タングステン粉末群、及びエレクトロクロミック素子製造用スラリー |
US11884882B2 (en) | 2020-09-28 | 2024-01-30 | Toshiba Materials Co., Ltd. | Electrochromic device |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1177051A patent/JPH0343716A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022064922A1 (ja) | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 株式会社 東芝 | 酸化タングステン材料、エレクトロクロミック素子用酸化タングステン粉末群、及びエレクトロクロミック素子製造用スラリー |
US11884882B2 (en) | 2020-09-28 | 2024-01-30 | Toshiba Materials Co., Ltd. | Electrochromic device |
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