JPH0371046B2 - - Google Patents
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- JPH0371046B2 JPH0371046B2 JP20757984A JP20757984A JPH0371046B2 JP H0371046 B2 JPH0371046 B2 JP H0371046B2 JP 20757984 A JP20757984 A JP 20757984A JP 20757984 A JP20757984 A JP 20757984A JP H0371046 B2 JPH0371046 B2 JP H0371046B2
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- JP
- Japan
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- metal
- measuring
- fluorescent
- ray intensity
- thickness
- Prior art date
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- Expired
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 16
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
- G01B15/02—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
ａ 産業上の利用分野
本発明はケイ光Ｘ線を用いた膜厚計に関し、特
に二層メツキ試料の中間メツキ厚測定に関するも
のである。 ｂ 従来技術 従来、二層メツキ試料の中間メツキ厚の測定
は、素材金属をＡ、中間メツキ金属をＢ、表面メ
ツキ金属をＣとすると、中間メツキ金属Ｂから発
生するケイ光Ｘ線強度と中間メツキ厚との関係を
示す検量線の方程式(1)式は次の通りである。 IB＝〔（IBOO−IBO）・｛１−exp（−μB・XB
）｝〕・exp（−μ′・XC）＋IO（XC）……(1) ここで、IO（XC）は金属Ｃの厚さ変化にともな
う金属Ｂのケイ光Ｘ強度のバツク・グラウンドの
補正を示す関数であり(2)式で示される。 IO（XA）＝（IOOO−IO）｛１−exp（
−μO・XC）｝＋Ip……(2) IB′＝（IBOO−IBO）｛１−exp（−μ
B・XB）｝＋IBO……(3) ここで、(1)式中のXBは中間メツキ金属Ｂの厚
さであり、IBOOはケイ光Ｘ線が飽和するに十分な
厚さ（以後、飽和厚と呼ぶ）をもつた金属Ｂのケ
イ光Ｘ線強度であり、IBOは金属Ａを測定した際
の金属ＢのＸ線強度（バツクグラウンド）であり
μBは金属Ｂのケイ光Ｘ線に対する金属Ｂの吸収係
数であり(3)式より計算される。定数IBOO、IBO、μB
は厚さの各々異なる３個以上の純粋の金属Ｂの厚
さを有する金属Ａ上の金属Ｂ標準試料（以後、Ａ
上のＢ標準試料と呼ぶ。）のケイ光Ｘ線強度IB′を
測定し、その強度を(3)式に代入し連立方程式を解
くことによつて求める。 μ′は金属Ｂのケイ光Ｘ線に対する金属Ｃの吸収
係数であり、厚さの各々異なる３個以上の純粋の
金属Ｃの厚さを有する金属Ｂ上の金属Ｃ標準試料
（以後、Ｂ上のＣ標準試料と呼ぶ。）のケイ光Ｘ線
強度を測定し、その強度を(1)式に代入することに
より求められる。(1)式中のIO（Xc）は金属Ｃの厚
さ変化にともなう金属Ｂのケイ光Ｘ線強度のバツ
クグラウンドであり金属Ｃのメツキ厚みXCの関
数である。IOOO、IOはＡ上のＣ標準試料の厚さが
各々、Ｏと飽和厚みに対応する金属Ｂの螢光Ｘ線
強度であり、μOは金属Ｂのケイ光Ｘ線強度の減衰
を表わす係数であり、厚さの各々異なる３個以上
のＡ上のＣ標準試料の金属Ｂのケイ光Ｘ線強度を
測定し、その強度を(2)に代入し、連立方程式を解
くことによつて求める。 以上のようにして決定した(1)式及び(2)式の各パ
ラメータを用いて、金属Ａ上の金属Ｂ上の金属Ｃ
二層メツキ試料の金属Ｂのケイ光Ｘ線強度を測定
し、(1)式から中間メツキ金属Ｂのメツキ厚みを求
めていた。 ｃ 本発明が解決しようとする問題点 中間メツキの金属Ｂのケイ光Ｘ線は表面メツキ
である金属Ｃによつて減衰するため信号成分は小
さなものとなる。よつてノイズに相当するバツク
グラウンドを正確に求めることが正確な中間メツ
キ厚を求めるためには必要だが、従来の金属Ｂの
ケイ光Ｘ線強度のバツクグラウンドの補正を示す
関数IO（XA）は単調増加又は単調減少を示す指数
関数であるが、金属Ａ、Ｂ、Ｃの組合せにより金
属Ｂのケイ光Ｘ線強度が単調な増加又は減少を示
さない事が多い。この例を表１に示す。（Cu上の
Ni上のAu二層メツキの例におけるＡ上のＣ標準
試料の場合）
に二層メツキ試料の中間メツキ厚測定に関するも
のである。 ｂ 従来技術 従来、二層メツキ試料の中間メツキ厚の測定
は、素材金属をＡ、中間メツキ金属をＢ、表面メ
ツキ金属をＣとすると、中間メツキ金属Ｂから発
生するケイ光Ｘ線強度と中間メツキ厚との関係を
示す検量線の方程式(1)式は次の通りである。 IB＝〔（IBOO−IBO）・｛１−exp（−μB・XB
）｝〕・exp（−μ′・XC）＋IO（XC）……(1) ここで、IO（XC）は金属Ｃの厚さ変化にともな
う金属Ｂのケイ光Ｘ強度のバツク・グラウンドの
補正を示す関数であり(2)式で示される。 IO（XA）＝（IOOO−IO）｛１−exp（
−μO・XC）｝＋Ip……(2) IB′＝（IBOO−IBO）｛１−exp（−μ
B・XB）｝＋IBO……(3) ここで、(1)式中のXBは中間メツキ金属Ｂの厚
さであり、IBOOはケイ光Ｘ線が飽和するに十分な
厚さ（以後、飽和厚と呼ぶ）をもつた金属Ｂのケ
イ光Ｘ線強度であり、IBOは金属Ａを測定した際
の金属ＢのＸ線強度（バツクグラウンド）であり
μBは金属Ｂのケイ光Ｘ線に対する金属Ｂの吸収係
数であり(3)式より計算される。定数IBOO、IBO、μB
は厚さの各々異なる３個以上の純粋の金属Ｂの厚
さを有する金属Ａ上の金属Ｂ標準試料（以後、Ａ
上のＢ標準試料と呼ぶ。）のケイ光Ｘ線強度IB′を
測定し、その強度を(3)式に代入し連立方程式を解
くことによつて求める。 μ′は金属Ｂのケイ光Ｘ線に対する金属Ｃの吸収
係数であり、厚さの各々異なる３個以上の純粋の
金属Ｃの厚さを有する金属Ｂ上の金属Ｃ標準試料
（以後、Ｂ上のＣ標準試料と呼ぶ。）のケイ光Ｘ線
強度を測定し、その強度を(1)式に代入することに
より求められる。(1)式中のIO（Xc）は金属Ｃの厚
さ変化にともなう金属Ｂのケイ光Ｘ線強度のバツ
クグラウンドであり金属Ｃのメツキ厚みXCの関
数である。IOOO、IOはＡ上のＣ標準試料の厚さが
各々、Ｏと飽和厚みに対応する金属Ｂの螢光Ｘ線
強度であり、μOは金属Ｂのケイ光Ｘ線強度の減衰
を表わす係数であり、厚さの各々異なる３個以上
のＡ上のＣ標準試料の金属Ｂのケイ光Ｘ線強度を
測定し、その強度を(2)に代入し、連立方程式を解
くことによつて求める。 以上のようにして決定した(1)式及び(2)式の各パ
ラメータを用いて、金属Ａ上の金属Ｂ上の金属Ｃ
二層メツキ試料の金属Ｂのケイ光Ｘ線強度を測定
し、(1)式から中間メツキ金属Ｂのメツキ厚みを求
めていた。 ｃ 本発明が解決しようとする問題点 中間メツキの金属Ｂのケイ光Ｘ線は表面メツキ
である金属Ｃによつて減衰するため信号成分は小
さなものとなる。よつてノイズに相当するバツク
グラウンドを正確に求めることが正確な中間メツ
キ厚を求めるためには必要だが、従来の金属Ｂの
ケイ光Ｘ線強度のバツクグラウンドの補正を示す
関数IO（XA）は単調増加又は単調減少を示す指数
関数であるが、金属Ａ、Ｂ、Ｃの組合せにより金
属Ｂのケイ光Ｘ線強度が単調な増加又は減少を示
さない事が多い。この例を表１に示す。（Cu上の
Ni上のAu二層メツキの例におけるＡ上のＣ標準
試料の場合）
【表】
表１の場合、表面Au厚が増すにつれバツクグ
ラウンドが減少から増加へと変化しており、従来
の(2)式ではバツクグラウンドを正しく補正できな
いため精度の高い中間メツキ（金属Ｂ）厚の測定
ができなかつた。 ｄ 問題点を解決するための手段 従来の問題点を解決するため、各々厚みの異な
る４個以上Ａ上の標準試料の金属Ｂのケイ光Ｘ線
強度（バツクグラウンド）を測定し、その変化量
を(4)式のバツクグラウンドの補正式IO（XC）で表
わす。又、検量線の方程式(1)式を(5)式へ改良す
る。 IO′（XC）＝IO・e-〓1
ラウンドが減少から増加へと変化しており、従来
の(2)式ではバツクグラウンドを正しく補正できな
いため精度の高い中間メツキ（金属Ｂ）厚の測定
ができなかつた。 ｄ 問題点を解決するための手段 従来の問題点を解決するため、各々厚みの異な
る４個以上Ａ上の標準試料の金属Ｂのケイ光Ｘ線
強度（バツクグラウンド）を測定し、その変化量
を(4)式のバツクグラウンドの補正式IO（XC）で表
わす。又、検量線の方程式(1)式を(5)式へ改良す
る。 IO′（XC）＝IO・e-〓1
Claims (1)
- １ 本体に設けられたＸ線源からの一次Ｘ線によ
つて励起された試料から発生するケイ光Ｘ線を検
出することによつて、素材上の中間膜上の表面膜
の二層メツキにおける中間膜の厚さを測定する方
法において、中間膜から発生するケイ光Ｘ線強度
をＸ線検出器で検出する工程と、厚さの各々異な
る３個以上の純粋の中間金属の厚さを有する素材
上の中間金属のケイ光Ｘ線強度を測定する工程
と、厚さの各々異なる３個以上の純粋の表面金属
の厚さを有する中間金属上の表面金属のケイ光Ｘ
線強度を測定する工程と、厚さの各々異なる４個
以上の純粋の表面金属の厚さを有する素材上の表
面金属のバツクグラウンドケイ光Ｘ線強度（金属
Ｂケイ光Ｘ線強度）を測定し検量線の方程式を決
定する工程と、未知試料中の中間金属から放射さ
れるケイ光Ｘ線強度を測定することにより、表面
金属の膜厚より正確なバツクグラウンドの補正を
する工程と、中間膜厚を求める工程とによつて演
算測定することを特徴とする二層メツキの測定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20757984A JPS6184512A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 二層メツキ測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20757984A JPS6184512A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 二層メツキ測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184512A JPS6184512A (ja) | 1986-04-30 |
| JPH0371046B2 true JPH0371046B2 (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=16542090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20757984A Granted JPS6184512A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 二層メツキ測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184512A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100887065B1 (ko) | 2006-12-27 | 2009-03-04 | 주식회사 포스코 | 접합부 중첩량 측정장치 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP20757984A patent/JPS6184512A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6184512A (ja) | 1986-04-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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