JPH0367355B2 - - Google Patents
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- JPH0367355B2 JPH0367355B2 JP59093497A JP9349784A JPH0367355B2 JP H0367355 B2 JPH0367355 B2 JP H0367355B2 JP 59093497 A JP59093497 A JP 59093497A JP 9349784 A JP9349784 A JP 9349784A JP H0367355 B2 JPH0367355 B2 JP H0367355B2
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Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、回路基板の絶縁層の形成方法、特
に混成集積回路基板及びプリント配線回路基板に
おいて、配線間に高分子樹脂膜を有する多層配線
構造体の絶縁層の形成方法に関するものである。
に混成集積回路基板及びプリント配線回路基板に
おいて、配線間に高分子樹脂膜を有する多層配線
構造体の絶縁層の形成方法に関するものである。
従来、耐熱性の高分子樹脂を用いて回路基板を
被覆する樹脂絶縁法が提案されている。この方法
によれば樹脂溶液を塗布して加熱硬化することに
よつて、第１導体の差段を埋め、表面が平担な絶
縁膜ができるため、第２導体には段差部分での断
線が全く生じないという利点がある。しかしなが
ら耐熱性高分子樹脂が接着性に劣るため、絶縁膜
として用いるためには、注意が必要であつた。
被覆する樹脂絶縁法が提案されている。この方法
によれば樹脂溶液を塗布して加熱硬化することに
よつて、第１導体の差段を埋め、表面が平担な絶
縁膜ができるため、第２導体には段差部分での断
線が全く生じないという利点がある。しかしなが
ら耐熱性高分子樹脂が接着性に劣るため、絶縁膜
として用いるためには、注意が必要であつた。
さらに、耐熱性高分子樹脂は、それ自身でパタ
ーン形成機能がないため、ホトレジストパターン
を予め形成する必要がある。すなわち、樹脂絶縁
法には、接着性が低いことおよび製作プロセスが
繁雑になるという欠点がある。
ーン形成機能がないため、ホトレジストパターン
を予め形成する必要がある。すなわち、樹脂絶縁
法には、接着性が低いことおよび製作プロセスが
繁雑になるという欠点がある。
感光性が付与された耐熱性高分子樹脂を用いれ
ば、ホトジストパターンを必要とすることなく、
直接、樹脂絶縁膜を得ることができる。しかし、
この感光性耐熱高分子樹脂、例えばポリイミド樹
脂を銅配線導体層を有する回路基板に適用する
と、樹脂被膜と銅が反応し、現像しても、反応し
た部分が残るので、除去されるべき貫通孔部分に
薄い樹脂被膜が残る。従つて樹脂被膜が残つたも
のに導体層を形成しても、第１導体と第２導体の
導通が得られなくなり、第１導体層と第２導体層
が電気的に接続されなくなる。
ば、ホトジストパターンを必要とすることなく、
直接、樹脂絶縁膜を得ることができる。しかし、
この感光性耐熱高分子樹脂、例えばポリイミド樹
脂を銅配線導体層を有する回路基板に適用する
と、樹脂被膜と銅が反応し、現像しても、反応し
た部分が残るので、除去されるべき貫通孔部分に
薄い樹脂被膜が残る。従つて樹脂被膜が残つたも
のに導体層を形成しても、第１導体と第２導体の
導通が得られなくなり、第１導体層と第２導体層
が電気的に接続されなくなる。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を
除去するためになされたもので、所定パターンの
銅製導体層を形成した回路基板表面に感光性ポリ
イミド樹脂層を形成する工程と、この樹脂層に所
定パターンの露光を行い、露光後の樹脂層を第１
現像処理で溶解除去し、次にヒドラジンを含む現
像液を用いた第２現像処理により分解除去して所
定パターンの樹脂層を形成する工程と、この所定
パターンの樹脂層を硬化して絶縁層を形成する工
程とを備えてなるもので、このように構成するこ
とにより、銅製導体層上の露光・現像後の樹脂残
りをなくして、除去部分に形成した導体層が優れ
た導通性を有するように回路基板に絶縁層を形成
しようとするものである。
除去するためになされたもので、所定パターンの
銅製導体層を形成した回路基板表面に感光性ポリ
イミド樹脂層を形成する工程と、この樹脂層に所
定パターンの露光を行い、露光後の樹脂層を第１
現像処理で溶解除去し、次にヒドラジンを含む現
像液を用いた第２現像処理により分解除去して所
定パターンの樹脂層を形成する工程と、この所定
パターンの樹脂層を硬化して絶縁層を形成する工
程とを備えてなるもので、このように構成するこ
とにより、銅製導体層上の露光・現像後の樹脂残
りをなくして、除去部分に形成した導体層が優れ
た導通性を有するように回路基板に絶縁層を形成
しようとするものである。
第１図〜第４図は、この発明の一実施例を工程
順に示す断面図である。図において、１は基板
で、この場合はアルミナ基板、２は抵抗体で、こ
の場合は酸化ルテニウム（RuO2）からなる。３
は銅製導体である第１導体層、４，６は感光性耐
熱高分子樹脂層であつて、この場合は感光性ポリ
イミド樹脂層により形成された絶縁層である。５
は第２導体層、７はハンダ、８はチツプ部品、
９，１０は貫通孔である。
順に示す断面図である。図において、１は基板
で、この場合はアルミナ基板、２は抵抗体で、こ
の場合は酸化ルテニウム（RuO2）からなる。３
は銅製導体である第１導体層、４，６は感光性耐
熱高分子樹脂層であつて、この場合は感光性ポリ
イミド樹脂層により形成された絶縁層である。５
は第２導体層、７はハンダ、８はチツプ部品、
９，１０は貫通孔である。
まず、アルミナ基板１の上に、抵抗体２を形成
する。
する。
次いで、所定パターンの第１導体層３を形成す
る。第１導体層３上に感光性ポリイミド樹脂層４
を形成する（第１図）。この樹脂層４に所定パタ
ーンの露光を行い、露光後の樹脂層を第１現像処
理で溶解除去し、次に残部を第２現像処理で分解
除去して、貫通孔９を設け硬化して絶縁層４を形
成する（第２図）。その後、貫通孔９を通して第
２導体層５を形成しる（第３図）。この上に同様
にして絶縁層６及び貫通孔１０を設ける。貫通孔
９，１０を通して、アルミナ回路基板の配線導体
が、ハンダ７を通してチツプ部品８と電気的に接
続される。
る。第１導体層３上に感光性ポリイミド樹脂層４
を形成する（第１図）。この樹脂層４に所定パタ
ーンの露光を行い、露光後の樹脂層を第１現像処
理で溶解除去し、次に残部を第２現像処理で分解
除去して、貫通孔９を設け硬化して絶縁層４を形
成する（第２図）。その後、貫通孔９を通して第
２導体層５を形成しる（第３図）。この上に同様
にして絶縁層６及び貫通孔１０を設ける。貫通孔
９，１０を通して、アルミナ回路基板の配線導体
が、ハンダ７を通してチツプ部品８と電気的に接
続される。
この実施例において、ポリイミド樹脂層からな
る絶縁層４，６は、次のようにして形成すること
ができる。所定パターンの導体層３，５が形成さ
れた回路基板上に、感光性ポリイミド樹脂として
UR−3140（商品名：東洋レーヨン社製）を用い、
2000rpmで約40秒間スピン塗布する。次いで、窒
素雰囲気で約30分間乾燥させる。超高圧水銀灯
（250W）を光源とし４分間所定のパターン露光を
行う。直ちに、所定の現像液DV−145（商品名：
東洋レーヨン社製）を用いて、第１の現像処理を
行い、樹脂を溶解除去する。次いで、ヒドラジン
の水化物である泡水ヒドラジン、NH2・NH2・
H2Oエチレンジアミン、NH2・CH2・CH2・
NH2、純水H2Oが各々１部、３部、40部からな
る薬液を用いて第２現像処理を行い、樹脂を分解
除去し、水洗工程を経て、現像工程を終える。引
き続き、100℃、200℃で各々約30分間焼成した
後、最後は350℃で１時間加熱硬化させることに
よつて、ポリイミド樹脂による絶縁層４，６を形
成した。第２現像処理により、所定の現像液によ
る第１現像処理で溶解除去されずに残つたポリイ
ミド薄膜が分解除去される。開口部が電気的に接
続され、所望のパターンがアルミナ回路基板上に
形成される。
る絶縁層４，６は、次のようにして形成すること
ができる。所定パターンの導体層３，５が形成さ
れた回路基板上に、感光性ポリイミド樹脂として
UR−3140（商品名：東洋レーヨン社製）を用い、
2000rpmで約40秒間スピン塗布する。次いで、窒
素雰囲気で約30分間乾燥させる。超高圧水銀灯
（250W）を光源とし４分間所定のパターン露光を
行う。直ちに、所定の現像液DV−145（商品名：
東洋レーヨン社製）を用いて、第１の現像処理を
行い、樹脂を溶解除去する。次いで、ヒドラジン
の水化物である泡水ヒドラジン、NH2・NH2・
H2Oエチレンジアミン、NH2・CH2・CH2・
NH2、純水H2Oが各々１部、３部、40部からな
る薬液を用いて第２現像処理を行い、樹脂を分解
除去し、水洗工程を経て、現像工程を終える。引
き続き、100℃、200℃で各々約30分間焼成した
後、最後は350℃で１時間加熱硬化させることに
よつて、ポリイミド樹脂による絶縁層４，６を形
成した。第２現像処理により、所定の現像液によ
る第１現像処理で溶解除去されずに残つたポリイ
ミド薄膜が分解除去される。開口部が電気的に接
続され、所望のパターンがアルミナ回路基板上に
形成される。
なお、上記実施例では、第２現像処理に泡水ヒ
ドラジン、エチレンジアミン、純水が各々、１部
３部、40部の組成の現像液を用いた。泡水ヒドラ
ジンにはポリイミド樹脂層の分解除去効果があ
り、この発明の目的を達成することができる。と
ころが、ヒドラジンだけでは樹脂の分解除去に長
時間要するので、その間に樹脂が膨潤したり、開
口部以外の樹脂層まで剥離する可能性もでてき
て、パターニング性が良くない。そこでエチレン
ジアミンを添加するとポリソミド樹脂層のパター
ニング性が向上する。純水の添加は、開口部以外
のポリイミド樹脂層の泡水ヒドラジンによる膜減
りをできるだけ少なくするために加えている。こ
のため組成比は、適用プロセスに応じて定まるた
め、この実施例に限定される必要はない。泡水ヒ
ドラジン、エチレンジアミン混液の希釈液とし
て、この実施例では純水を用いたが、薬液の溶解
性、ポリイミド樹脂層のパターニング性への影響
を考慮すれば、他の薬液でもよい。低級脂肪族ア
ルコール、中でもメチルアルコール、エチルアル
コール、イソプロピルアルコールが実施例と同じ
様な効果を得た。
ドラジン、エチレンジアミン、純水が各々、１部
３部、40部の組成の現像液を用いた。泡水ヒドラ
ジンにはポリイミド樹脂層の分解除去効果があ
り、この発明の目的を達成することができる。と
ころが、ヒドラジンだけでは樹脂の分解除去に長
時間要するので、その間に樹脂が膨潤したり、開
口部以外の樹脂層まで剥離する可能性もでてき
て、パターニング性が良くない。そこでエチレン
ジアミンを添加するとポリソミド樹脂層のパター
ニング性が向上する。純水の添加は、開口部以外
のポリイミド樹脂層の泡水ヒドラジンによる膜減
りをできるだけ少なくするために加えている。こ
のため組成比は、適用プロセスに応じて定まるた
め、この実施例に限定される必要はない。泡水ヒ
ドラジン、エチレンジアミン混液の希釈液とし
て、この実施例では純水を用いたが、薬液の溶解
性、ポリイミド樹脂層のパターニング性への影響
を考慮すれば、他の薬液でもよい。低級脂肪族ア
ルコール、中でもメチルアルコール、エチルアル
コール、イソプロピルアルコールが実施例と同じ
様な効果を得た。
この発明の目的からは、感光性ポリイミド樹脂
の例としてUR3140を用いたが、熱的特性、電気
的特製、パターン形成性を満足するならば、他の
ものでもよい。他の感光性ポリイミド樹脂の例と
しては、PL−1000（商品名：日立化成社製）があ
る。この場合の第１現像処理に用いる現像液は、
所定のPL−1000developerである。また、上記実
施例では、感光性ポリイミド樹脂の膜厚が350℃
の加熱硬化後、3.5μｍ程度となるが、所望の電気
特性を満足させるために、８〜12μｍ程度として
も何ら差しつかえない。
の例としてUR3140を用いたが、熱的特性、電気
的特製、パターン形成性を満足するならば、他の
ものでもよい。他の感光性ポリイミド樹脂の例と
しては、PL−1000（商品名：日立化成社製）があ
る。この場合の第１現像処理に用いる現像液は、
所定のPL−1000developerである。また、上記実
施例では、感光性ポリイミド樹脂の膜厚が350℃
の加熱硬化後、3.5μｍ程度となるが、所望の電気
特性を満足させるために、８〜12μｍ程度として
も何ら差しつかえない。
また、混成集積回路の特性を満足させるため
に、配線導体層の厚みを適宜設定して良い。この
実施例では約7μｍであつた。
に、配線導体層の厚みを適宜設定して良い。この
実施例では約7μｍであつた。
以上説明したように、この発明によれば、所定
パターンの銅製導体層を形成した回路基板表面に
感光性ポリイミド樹脂層を形成する工程、この樹
脂層に所定パターンの露光を行い、露光後の樹脂
層を第１現像処理で溶解除去し、次にヒドラジン
を含む現像液を用いた第２現像処理により分解除
去して所定パターンの樹脂層を形成する工程と、
この所定パターンの樹脂層を硬化して絶縁層を形
成する工程とを備えることにより、銅製導体層上
の露光・現像後の樹脂残りをなくすることができ
るので、この除去部分に導体層を形成すれば優れ
た導通性が得られるという効果がある。
パターンの銅製導体層を形成した回路基板表面に
感光性ポリイミド樹脂層を形成する工程、この樹
脂層に所定パターンの露光を行い、露光後の樹脂
層を第１現像処理で溶解除去し、次にヒドラジン
を含む現像液を用いた第２現像処理により分解除
去して所定パターンの樹脂層を形成する工程と、
この所定パターンの樹脂層を硬化して絶縁層を形
成する工程とを備えることにより、銅製導体層上
の露光・現像後の樹脂残りをなくすることができ
るので、この除去部分に導体層を形成すれば優れ
た導通性が得られるという効果がある。
第１図〜第４図は、この発明の一実施例を工程
順に示す断面図であり、第１図は感光性耐熱高分
子樹脂の塗布後、第２図はその高分子樹脂層のパ
ターン形成後、第３図は第２導体層形成後、及び
第４図はチツプ部品接続後をそれぞれ示す。 図において、１は基板、２は抵抗体、３は銅製
導体層である第１導体層、４，６は感光性耐熱高
分子樹脂により形成される絶縁層、５は第２導体
層、７はハンダ、８はチツプ部品である。なお、
図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
順に示す断面図であり、第１図は感光性耐熱高分
子樹脂の塗布後、第２図はその高分子樹脂層のパ
ターン形成後、第３図は第２導体層形成後、及び
第４図はチツプ部品接続後をそれぞれ示す。 図において、１は基板、２は抵抗体、３は銅製
導体層である第１導体層、４，６は感光性耐熱高
分子樹脂により形成される絶縁層、５は第２導体
層、７はハンダ、８はチツプ部品である。なお、
図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定パターンの銅製導体層を形成した回路基
板表面に感光性ポリイミド樹脂層を形成する工程
と、この樹脂層に所定パターンの露光を行い、露
光後の樹脂層を第１現像処理で溶解除去し、次に
ヒドラジンを含む現像液を用いた第２現像処理に
より分解除去して所定パターンの樹脂層を形成す
る工程と、この所定パターンの樹脂層を硬化して
絶縁層を形成する工程とを備えたことを特徴とす
る回路基板の絶縁層形成方法。 ２ 第２現像処理をヒドラジン及びエチレンジア
ミンを含む現像液により行うことを特徴とした特
許請求の範囲第１項記載の回路基板の絶縁層形成
方法。 ３ 第２現像処理に使用する現像液における溶媒
を水または低級脂肪族アルコールとしたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路基板の
絶縁層形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9349784A JPS60235496A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 回路基板の絶縁層形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9349784A JPS60235496A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 回路基板の絶縁層形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235496A JPS60235496A (ja) | 1985-11-22 |
| JPH0367355B2 true JPH0367355B2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=14083981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9349784A Granted JPS60235496A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 回路基板の絶縁層形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235496A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017150060A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 株式会社フジクラ | 実装構造及びモジュール |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4923783A (ja) * | 1972-06-27 | 1974-03-02 |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP9349784A patent/JPS60235496A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4923783A (ja) * | 1972-06-27 | 1974-03-02 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017150060A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 株式会社フジクラ | 実装構造及びモジュール |
| US10763200B2 (en) | 2016-02-29 | 2020-09-01 | Fujikura Ltd. | Mounting structure and module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60235496A (ja) | 1985-11-22 |
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