JPS6070796A - プリント回路板の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプリント回路板の製造法に関するものである。

プリント回路板の製造時において、フォトエツチングに
より導体パターンを形成する新開「サブトラクティブ法
」により形成された導体パターンの一部および／または
絶縁層の一部にメッキを施す場合がある。

このような例としては、パターン周縁の端子形成部分に
ニッケル、金の如き電気メッキを施す場合、パターンの
一部分にワイヤーボンデング用の金メッキを施す場合、
或いは金属製のブラシ等で摺動される部分に耐摩耗性に
優れる金−コバルト合金メッキを施す場合等があり、更
に特殊な例としては導体パターンの一部を両端にもつ絶
縁層の一部に無電解ニッケルメッキを施す事により回路
パターンの一部に抵抗体を形成する場合等がある。

従来、かかる電気メッキ或いは無電解メッキは導体パタ
ーンが形成された回路板の一部をマスクし、これをメッ
キ液に浸漬する所謂「テープマスキング法」或いは液状
フォトレジストを全面に塗布し乾燥させた後、原画を通
して、画像状露光し、液剤により現像したのち、メッキ
部分を露出させ、その後、メッキ液に浸漬する液状フォ
トレジスト法を採用している。

ところがこれらの方法のうち、テープマスキング法にお
いては、テープの貼り合せ或いは剥離に手間がかかり作
業性に劣り、また剥離時粘着剤が回路板表面に付着し外
観不良となるばかりでなく、要求特性によっては接点不
良、ワイヤーホンデング性低下、耐摩耗性低下、抵抗値
不良等の欠点が生じる。加えて貼り合せ時一般に導体パ
ターン間の間隙が狭いため、この間隙部分へのテープの
密着が充分な−されずメッキ液が上記部分に浸入して液
回りを起しマスク部分までもがメッキされたり、これが
ため場合によっては導体間で短絡を引き起す恐れもあっ
た〇 また上記液状フォトレジストを使用する液状フォトレジ
スト法においては、液状レジストのロールコーティング
或いはディッピング等による塗布方法にかかわらず、サ
ブトラクティブ法により形成された回路板のパターン状
導体部側面とその側面との境界における絶縁層部分この
間に上記液状フォトレジストが厚くな９、その為露光、
現像工程での適正条件に合致するようして乾燥を行なっ
た場合、この部分は十分乾燥されず、現像においてパタ
ーン形成が不可能となる。また更に上記塗布方法によれ
ば、サブトラクティブ法により形成された回路板のパタ
ーン状導体部側面と、パターン状導体部上面のコーナー
は非常に薄くなり、このため非メッキ部分における上記
コーナ一部分にメッキされ外観不良が起るばかりでなく
、コーナ一部にメッキされたメッキ層は、導体コーナ一
部との定着性が悪い為に場合によっては脱落し、この脱
落したメッキ小片により、メッキ部分表面のメッキ層に
傷がつけられる場合もある。

本発明は従来技術の有する問題を解決したプリント回路
板の製造法に係り、導体と絶縁層との積層構造にされた
プリント回路基板の導体上に光重合性を有する液状また
はフィルム状のネガ型フォトレジストを設け、これにフ
ォトマスクを密着させて露光・現像した後エツチングし
て導体パターンを形成し、この導体パターン上の硬化し
た７オトレジストを除去し、次いで上記基板の導体パタ
ーン側表面に透明支持体と光重合性組成物層から成る剥
離現像型ドライフィルムフォトレジストを密着せしめ、
該レジストをフォトマスクを介して露光し、その後透明
支持体と光重合性組成物層の未露光部を剥離除去するこ
とにより、導体パターンの一部および／丑たは絶、′線
層の一部を露出させ、該露出部にメッキを施すこ、とｔ
特徴とするものである。

以下、図面を参考にしながら本発明を説明する〇第１図
は本発明に用いるプリント回路基板を示したもので、銅
箔の如ぎ導体１とエポキシ樹脂などの樹脂および必要に
応じて繊維基材を含む絶縁層２とが加熱圧着により積層
一体化されている。なお、環体と絶縁層を接着剤層を介
して積層することもできる。

このプリント回路基板を用いてプリント回路板を製造す
るには、先ず第２図に示すように基板の導体１上に光重
合性を有する液状またはフィルム状のネガ型フォトレジ
スト３を設け、このフォトレジスト３上にフォトマスク
（図示省略）を密着させ、高圧水銀灯、超高圧水銀灯な
どを用いてパターン露光し、フォトレジスト３の露光部
を重合硬化させる。

その後、フォトレジスト３が溶剤現象型の場合には１，
１．１−トリクロロエタンなどの溶剤を用いて該レジス
ト３の非露光部を溶解除去する方法で、フォトレジスト
３が剥離現象型の場合には非露光部を剥離除去する方法
で現像を行ない、第３図に示すように導体１上にフォト
レジスト３０重合硬化膜を形成させると共に４を体１を
部分的に露出させる。

次に、導体１の露出部分をエツチングにより除去して、
第４図に示すように導体パターン４を形成する。

次いで、導体パターン４上の硬化した７オトレジスト３
を適当な溶剤例えばトリクロロエチレン、アセトン、メ
チルエチルケトン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド
、メチレンクロライド等により溶解除去する。

その後、第５図に示すようにプリント回路基板の導体パ
ターン４側表面に透明支持体５と光重合性組成物層６か
ら成る剥離現像型ドライフィルムフォトレジスト７を密
着せしめる。該レジスト７のプリント回路基板への密着
は、日立化成社製、藺品名真空ラミネーター等を用いる
真空ラミネート法、ネオプレン、天然ゴム等から成る発
泡シートヤシリコーンゴムシートを緩衝材として用イル
プレスラミネート法、或いは通常のレジストラミネータ
ーにより圧着する方法等で行なうことができる。

このように導体パターン側に剥離現像型ドライフィルム
レジスト７を密着せしめた後、該レジスト７上にフォト
マスク（図示省略）を密着させ、所定パターンの露光を
行ない、フォトレジスト７の露光部を重合硬化させる０
この露光はフォトレジストの導体パターンの一部および
／または絶縁層の一部の上に位置する部分が未露光とな
るように行なう。

次いで、剥離現像型ドライフイルムフオトレ・シスト７
の透明支持体５と光重合性組成物層６の未露光部を剥離
除去することにより、第６図に示すように導体パターン
４の一部および絶縁層２の一部を露出させる。

その後、これをメッキ液例えば酸性メッキ液であるリー
ロナール社製、商品名オウログローＰＣ１７１中に浸漬
して電気メッキを施し、第７図に示す如く、露出してい
る導体パターン４とその側縁部および絶縁層にメッキ層
８を形成し、更に、硬化した光重合性組成物層６を適宜
の溶剤で溶解除去することにより、第８図に示すようが
プリント回路板を得る。

なお、本発明においてネガ型フォトレジストとしては、
アクリル酸エステル）メタクリル酸エステルなどの付加
重合性不飽和結合を少なくとも１個有する化合物、塩素
化ポリオレフィン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合、体
などの皮膜形成性高分子物質およびカルボニル化合物、
有機硫黄化合物などの光重合開始剤をメチレンクロライ
ドなどに溶解乃至分散させた液状物をポリエステルフィ
ルム上に塗布し、乾燥させて得られる剥離現像型ドライ
フィルムフォトレジスト、主成分のアクリル酸エステル
系ポリマーとアクリル酸エステル系の付加重合性不飽和
化合物、キンート剤、熱重合防止剤、染料および光重合
開始剤などを有機溶剤に溶解し、ポリエステルフィルム
上に塗布し、乾燥して得られる溶剤現像型フィルム状フ
ォトレジスト或いはポリケイ皮酸ビニルのような分子中
に光官能基を有する物質と光増感剤を有機溶剤に溶を溶
剤現像型液状フォトレジストなどを用いることができる
。

上記本発明の方法によれば、従来のテープマスキング法
におけるようなテープの貼シ合せないし剥離作業が不要
で、壕だ粘着剤の付着もなく、作業容易にして外観良好
な金属メッキ層を形成できる。また非メッキ部分が７オ
トレジストで覆われているためこの部分がメッキされる
ことは全くなく導体間の短絡を引きおこす心配も少ない
。一方導体パターンの側縁部に電気メツキ層が形成され
るが、かかる電気メツキ層は、これを例えばニッケル・
金メッキ層で構成すると、導体が銅からなる場合にこの
銅が回路板としての還電中に接着剤層内部に電気的に移
動するマイグレーション現象を防ぐ作用を示し、これに
よって絶縁抵抗の経時劣化を抑止し、プリント回路板と
しての信頼性を向上させる。これに対して従来のテープ
マスキング法ではこのような効果は期待できず上述の如
きマイグレーションによる経時劣化を引き起し易い。

次に試験例によシ本発明を説明する。厚さ１８μｍの銅
箔とエポキシ樹脂系の絶縁層（厚さ３０μｍ）とを接着
剤によって積層したプリント回路基板の銅箔上に溶剤現
像型液状フォトレジスト（シプレー社製、商品名ＡＺ　
−１１１８）を塗布し、８０°Ｃの温度で１０分間乾燥
して被膜形成し、このフォトレジストａｍ＠　５ｉｎ−
Ｈにフォトマスクを密着せしめパターン露光する。次い
で、専用現像液（シプレー社製、商品名ＡＺ−３０３Ａ
）により未露光部を溶解除去することにより現像を行な
い、導体を部分的に露出させ、更に約４２°ボーメの塩
化第二鉄水溶液により導体の露出部をエツチングし、導
体パターンを形成する〇 次に、導体パターン上の硬化したフォトレジストをア七
トンにより溶解除去するＱ 次いで、導体パターン側表面に厚さ１６μＩｎの透明ポ
リエチレンテレフタレートフィルムと厚さ２０μｍの光
重合性組成物層から成る剥離現像型ドフォト ライフィルツヤジスト（日東電工社製、商品名ネオドロ
ックＥ）を真空ラミネーターにより密着させる。作業条
件は温度５０℃、雰囲気圧５　ｍｍＨｇである。

その後、レジスト上にフォトマスクを密着せしめ、この
マスクを介してパターン露光を行ない、フォトレジスト
の露光部を重合硬化させる。

次にフォトレジストの透明支持体と未露光部を剥離機（
日東電工社製、商品名ＭＳ−５００）により、温歴３５
℃で１　”＋／ｍｉｎの速度で剥離除去し、導体パター
ンの一部と絶縁層の一部を露出させる。

その後、これを無電解ニッケルメッキ液（日本カニゼン
社製、商品名シェーマ−ＥＲＰ　＝　２　）に浸漬し、
露出している導体パターンとその側縁部および絶縁層に
ニッケルメッキ層を形成し、更にトリクロロエチレンに
よって硬化したフォトレジストを溶解除去することによ
り、プリント回路板を得た。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第８図はいずれも断面図であり、第１図は本発
明に用いるプリント回路基板の実例を、第２図はプリン
ト回路基板の導体上にネガ型フォトレジストを設けた状
態を、第３図は露光および現像をした後の状態を、第４
図はエツチングにより導体パターンを形成した状態を、
第５図Ｃよ導体パターン側表面に剥離現像型ドライフィ
ルムフォトレジストを密着せしめた状態を、第６図は剥
離現像型ドライフィルムフォト１／シストの透明支持体
および未露光の光重合性組成物層を剥離除去した後の状
態を、第７図はメッキ後の状態を、第８図は硬化したフ
ォトレジストを溶解除去した後の状態を各々示している
。 １・・・導体　２・・・絶縁層 ３・・・ネガ型フォトレジスト　４・・・導体パターン
５・・・透明叉持体　６・・・光重合性組成物層Φ由　
。 ７・・・剥離現像型ドライフィルムレジスト８・・・メ
ッキ層 特肝出願人 日東電気工業株式会社 代表者上方三部 第　／　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導体と絶縁層との積層構造にされたプリント回路基板の
   導体上に光重合性を有する液状またはフィルム状のネガ
   型フォトレジストを設け、これにフォトマスクを密着さ
   せて露光・現像した後エツチングして導体パターンを形
   成し、この導体パターン上の硬化したフォトレジストを
   除去し、次いで上記基板の導体パターン側表面に透明支
   持体と光重合性組成物層から成る剥離現像型ドライフィ
   ルムフォトレジストを密着せしめ、該レジストをにより
   、導体パターンの一部及び／または絶縁層の一部を露出
   させ、該露出部にメッキを施すことを特徴とするプリン
   ト回路板の製造法。