JPS60235496A - 回路基板の絶縁層形成方法 - Google Patents
回路基板の絶縁層形成方法Info
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- JPS60235496A JPS60235496A JP9349784A JP9349784A JPS60235496A JP S60235496 A JPS60235496 A JP S60235496A JP 9349784 A JP9349784 A JP 9349784A JP 9349784 A JP9349784 A JP 9349784A JP S60235496 A JPS60235496 A JP S60235496A
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- Japan
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- circuit board
- layer
- insulating layer
- forming
- resin
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- Granted
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、回路基板の絶縁層の形成方法、特に混成集
積回路基板及びプリント配線回路基板において、配線間
に高分子樹脂膜を有する多層配縁構造体の絶縁層の形成
方法に関するものである。
積回路基板及びプリント配線回路基板において、配線間
に高分子樹脂膜を有する多層配縁構造体の絶縁層の形成
方法に関するものである。
従来、耐熱性の高分子樹脂を用いて回路基板を被覆する
樹脂絶縁法が提案されている。この方法に↓れば樹脂溶
液を塗布して加熱硬化することによって、第１導体の段
差を埋め、表面が平担な絶縁膜ができるため、第２導体
には段差部分での断線が全く生じないという利点がある
。しかしながら耐熱性高分子樹脂が接着性に劣るため、
絶縁膜として用いるためには、注意が必要であった。
樹脂絶縁法が提案されている。この方法に↓れば樹脂溶
液を塗布して加熱硬化することによって、第１導体の段
差を埋め、表面が平担な絶縁膜ができるため、第２導体
には段差部分での断線が全く生じないという利点がある
。しかしながら耐熱性高分子樹脂が接着性に劣るため、
絶縁膜として用いるためには、注意が必要であった。
さらに、耐熱性高分子樹脂は、それ自身でパターン形成
機能がないため、ホトレジストパターンを予め形成する
必要がある。すなわち、樹脂絶縁法には、接着性が低い
ことおよび製作プロセスが繁雑になるという欠点がある
。
機能がないため、ホトレジストパターンを予め形成する
必要がある。すなわち、樹脂絶縁法には、接着性が低い
ことおよび製作プロセスが繁雑になるという欠点がある
。
感光性が付与された耐熱性高分子樹脂を用いれば、ホト
シストパターンを必要とすることなく、直接、樹脂絶縁
膜を得ることができる。しかし、この感光性耐熱高分子
樹脂を銅配線導体層を有する回路基板に適用すると、樹
脂被膜と銅が反応し、現像しても、反応した部分が残る
ので、除去されるべき貫通孔部分に薄い樹脂被膜が残る
０従って樹脂被膜が残ったものに導体層を形成しても、
第１導体と第２導体の導通が得られなくなり、第１導体
ノーと第２導体層が電気的に接続されなくなる。
シストパターンを必要とすることなく、直接、樹脂絶縁
膜を得ることができる。しかし、この感光性耐熱高分子
樹脂を銅配線導体層を有する回路基板に適用すると、樹
脂被膜と銅が反応し、現像しても、反応した部分が残る
ので、除去されるべき貫通孔部分に薄い樹脂被膜が残る
０従って樹脂被膜が残ったものに導体層を形成しても、
第１導体と第２導体の導通が得られなくなり、第１導体
ノーと第２導体層が電気的に接続されなくなる。
この発明は、上記のような従来のものの欠、点を除去す
るためになされたもので、所定パターンの銅製導体層を
形成した回路基板表面に感光性耐熱高分子樹脂層を形成
する工程、この樹脂層に所定パターンの露光を行い、露
光後の樹脂層を第１現像処理で溶解除去し、次に第２現
像処理で分解除去し、所定パターンの樹脂層を形成する
工程、及びこの所定パターンの樹脂層を硬化して絶縁層
を形成する工程を施すことにより、銅製導体層上の露光
・現像後の樹脂残りをなくして、除去部分に形成した導
体層が優れた導通性を有するように回路基板に絶縁層を
形成しようとするものである０〔発明の実施例〕 第１図〜第４図は、この発明の一実施例を工程順に示す
断面図である。図において、（１）は基板で、この場合
はアルミナ基板、（２）は抵抗体で、この場合は酸化ル
テニウム（ＲｕＯ２）からなる。（３）は銅製導体であ
る第１導体層、（４） 、 （６）は感光性耐熱高分子
樹脂層、この場合は感光性ポリイミド樹脂層により形成
される絶縁１−１（５）は第２導体層、（７）はノ・ン
ダ、（８）はチップ部品、（９）、αＱは貫通孔である
。
るためになされたもので、所定パターンの銅製導体層を
形成した回路基板表面に感光性耐熱高分子樹脂層を形成
する工程、この樹脂層に所定パターンの露光を行い、露
光後の樹脂層を第１現像処理で溶解除去し、次に第２現
像処理で分解除去し、所定パターンの樹脂層を形成する
工程、及びこの所定パターンの樹脂層を硬化して絶縁層
を形成する工程を施すことにより、銅製導体層上の露光
・現像後の樹脂残りをなくして、除去部分に形成した導
体層が優れた導通性を有するように回路基板に絶縁層を
形成しようとするものである０〔発明の実施例〕 第１図〜第４図は、この発明の一実施例を工程順に示す
断面図である。図において、（１）は基板で、この場合
はアルミナ基板、（２）は抵抗体で、この場合は酸化ル
テニウム（ＲｕＯ２）からなる。（３）は銅製導体であ
る第１導体層、（４） 、 （６）は感光性耐熱高分子
樹脂層、この場合は感光性ポリイミド樹脂層により形成
される絶縁１−１（５）は第２導体層、（７）はノ・ン
ダ、（８）はチップ部品、（９）、αＱは貫通孔である
。
まず、アルミナ基板（１）の上に、抵抗体（２）を形成
する０ 次いで、所定パターンの第１導体層（３）を形成する。
する０ 次いで、所定パターンの第１導体層（３）を形成する。
第１導体層（３）上に感光性耐熱高分子樹脂層（４）を
形成する（第１−）。この樹脂層（４）に所定・くター
ンの露光を行い、露光後の樹脂層を第１現像処理で溶解
除去し、次に残部を第２現像処理で分解除去して、貫通
孔（９）を設は硬化して絶縁層（４）を形成する（第２
図）。貫通孔（９）を通して第２導体層（５）を形成し
た（第３図）。この上に同様にして絶縁層（６）及び貫
通孔明を設ける。貫通孔（９） 、 Ｑｌを通して、°
アルミナ回路基板の配線導体が、ノーンダ（７）を通し
てチップ部品（８）と電気的に接続される。
形成する（第１−）。この樹脂層（４）に所定・くター
ンの露光を行い、露光後の樹脂層を第１現像処理で溶解
除去し、次に残部を第２現像処理で分解除去して、貫通
孔（９）を設は硬化して絶縁層（４）を形成する（第２
図）。貫通孔（９）を通して第２導体層（５）を形成し
た（第３図）。この上に同様にして絶縁層（６）及び貫
通孔明を設ける。貫通孔（９） 、 Ｑｌを通して、°
アルミナ回路基板の配線導体が、ノーンダ（７）を通し
てチップ部品（８）と電気的に接続される。
この実施列において、ポリイミド樹脂層からなる絶縁層
（４） 、 （６）は、次のようにして形成することが
できる。所定パターンの導体層（３） 、 （５）が形
成された回路基板上に、感光性ポリイミド樹脂としてＵ
Ｒ−３１４０（商品名；東洋レーヨン社製）を用い、２
０００ｒｐｍで約４０秒間スピン塗布する。次いで、窒
素雰囲気で約３０分間乾燥させる。超高圧水銀灯（２５
０Ｗ）を光源とし４分間所定のパターン露光を行う。直
ちに、所定の現像液ＤＶ−１４５（商品名；東洋レーヨ
ン社＃）を用いて、第１の現像処理を行い、樹脂を溶解
除去する。次いで、ヒドラジンの水化物である抱水ヒド
ラジン、Ｎａ３・Ｎａ３・■ρエチレンジアミン、Ｎａ
３・ＣＨ２・ＣＨ２・Ｎｆ（２、純水ＨｚＯが各々１部
、３部、４０部からなる薬液を用いて第２現像処理を行
い、樹脂を分解除去し、水洗工程を経て、現像工程を終
える０引き続き、１００’Ｃ，２００℃で各々約３０分
間焼成した後、最後は３５０℃で１時間加熱硬化させる
ことによって、ポリイミド樹脂による絶縁ノー（４）、
（６ンを形成した０第２現歇処理により、所定の現像液
による第１現像処理で溶解除去されずに残ったポリイミ
ド薄膜が分解除去される。開口部が電気的に接続され、
所望のパターンがアルミナ回路基板上に形成される。
（４） 、 （６）は、次のようにして形成することが
できる。所定パターンの導体層（３） 、 （５）が形
成された回路基板上に、感光性ポリイミド樹脂としてＵ
Ｒ−３１４０（商品名；東洋レーヨン社製）を用い、２
０００ｒｐｍで約４０秒間スピン塗布する。次いで、窒
素雰囲気で約３０分間乾燥させる。超高圧水銀灯（２５
０Ｗ）を光源とし４分間所定のパターン露光を行う。直
ちに、所定の現像液ＤＶ−１４５（商品名；東洋レーヨ
ン社＃）を用いて、第１の現像処理を行い、樹脂を溶解
除去する。次いで、ヒドラジンの水化物である抱水ヒド
ラジン、Ｎａ３・Ｎａ３・■ρエチレンジアミン、Ｎａ
３・ＣＨ２・ＣＨ２・Ｎｆ（２、純水ＨｚＯが各々１部
、３部、４０部からなる薬液を用いて第２現像処理を行
い、樹脂を分解除去し、水洗工程を経て、現像工程を終
える０引き続き、１００’Ｃ，２００℃で各々約３０分
間焼成した後、最後は３５０℃で１時間加熱硬化させる
ことによって、ポリイミド樹脂による絶縁ノー（４）、
（６ンを形成した０第２現歇処理により、所定の現像液
による第１現像処理で溶解除去されずに残ったポリイミ
ド薄膜が分解除去される。開口部が電気的に接続され、
所望のパターンがアルミナ回路基板上に形成される。
なお、上記実施例では、第２現像処理に抱水ヒドラジン
、エチレンジアミン、純水が谷々、１部３部、４０部の
組成の現像液を用いた０抱水ヒドラジ／にはポリイミド
樹脂層の分解除去効果があり、この発明の目的を達成す
ることができる。ところが、ヒドラジンだけでは樹脂の
分解除去に長時間要するので、その間に樹脂が膨潤した
り、開口部以外の樹脂層まで剥離する可１Ｃ性もでてき
て、パターニング性が良くない。そこでエチレンジアミ
ンを添加するとポリイミド樹脂層のパターニング性が向
上する。純水の添加は、開口部以外のポリイミド樹脂層
の抱水ヒドラジンによる膜減りをできるだけ少なくする
ためにａＯえている。このン′ζめ組成比は、適用プロ
セスに応じで定まるため、この実施例に限定される必要
はない。ｆ包水ヒドラジン、エチレンジアミン混液の布
択液として、この実施例では純水金用いたが、薬液の溶
解性、ポリイミド樹脂層のパターニング性への影響を考
慮すれば、他の薬液でもよい。低級脂肪族フ′ルコール
、中でモメチルアルコール、エチルアルコール、インン
ロビルアルコールが実施例と同じ様な効果を得た。
、エチレンジアミン、純水が谷々、１部３部、４０部の
組成の現像液を用いた０抱水ヒドラジ／にはポリイミド
樹脂層の分解除去効果があり、この発明の目的を達成す
ることができる。ところが、ヒドラジンだけでは樹脂の
分解除去に長時間要するので、その間に樹脂が膨潤した
り、開口部以外の樹脂層まで剥離する可１Ｃ性もでてき
て、パターニング性が良くない。そこでエチレンジアミ
ンを添加するとポリイミド樹脂層のパターニング性が向
上する。純水の添加は、開口部以外のポリイミド樹脂層
の抱水ヒドラジンによる膜減りをできるだけ少なくする
ためにａＯえている。このン′ζめ組成比は、適用プロ
セスに応じで定まるため、この実施例に限定される必要
はない。ｆ包水ヒドラジン、エチレンジアミン混液の布
択液として、この実施例では純水金用いたが、薬液の溶
解性、ポリイミド樹脂層のパターニング性への影響を考
慮すれば、他の薬液でもよい。低級脂肪族フ′ルコール
、中でモメチルアルコール、エチルアルコール、インン
ロビルアルコールが実施例と同じ様な効果を得た。
ま′／ヒ、第２現像処理に、水酸化カリウム、水酸化ナ
トリウムなどの無機、及びテトラメチルヒドロオキサイ
ドアンモニウムなどの有機強アルカリ水溶液を現像液と
して用いても、分解除去できる。
トリウムなどの無機、及びテトラメチルヒドロオキサイ
ドアンモニウムなどの有機強アルカリ水溶液を現像液と
して用いても、分解除去できる。
この発明の目的からは、感光性耐熱高分子樹脂の例とし
てＵＲ３１４０を用いたが、熱的特性、電気的特性、パ
ターン形成性を満足するならば、他のものでもよい。他
の感光性耐熱高分子樹脂の例としては、ＰＬ−１０００
（商品名；日立化成社製）がある。この場合の第１現像
処理に用いる現像液は、所定のＰＬ−１０００ｄｅｖｅ
ｌｏｐｅｒである。また、上記実施例では、感光性耐熱
高分子樹脂の膜厚が３５０″Ｃの加熱硬化後、３−５μ
ｍ程度となるが、所望の電気特性を満足させるために、
８〜１２μｍ程度としても何ら差しつかえない。
てＵＲ３１４０を用いたが、熱的特性、電気的特性、パ
ターン形成性を満足するならば、他のものでもよい。他
の感光性耐熱高分子樹脂の例としては、ＰＬ−１０００
（商品名；日立化成社製）がある。この場合の第１現像
処理に用いる現像液は、所定のＰＬ−１０００ｄｅｖｅ
ｌｏｐｅｒである。また、上記実施例では、感光性耐熱
高分子樹脂の膜厚が３５０″Ｃの加熱硬化後、３−５μ
ｍ程度となるが、所望の電気特性を満足させるために、
８〜１２μｍ程度としても何ら差しつかえない。
また、混成集積回路の特性を満足させるために、配線導
体層の厚みを適宜設定して良い。この実施例では約７．
Ａｌｌでめった。
体層の厚みを適宜設定して良い。この実施例では約７．
Ａｌｌでめった。
以上説明したように、この発明によれば、所定パターン
の銅製導体層を形成した回路基板表面に感光性耐熱高分
子樹脂層を形成する工程、この樹脂ノーに所だパターン
の４元を行い、庸光麦の樹脂ノーを第１現１訣処理でｍ
解除去し、次に第２現像処理−Ｃ分解除去し、所定パタ
ーンの樹脂層を形成する工程、及びこのｒｙ：ｉパター
ンの樹脂層を硬化して絶縁層を形成する工程を施すこと
により、銅製導体層上の露光・現像後の樹脂残りをなく
することができるので、この除去部分に導体層を形成す
れば優れた導通性が得られるという効果がある。
の銅製導体層を形成した回路基板表面に感光性耐熱高分
子樹脂層を形成する工程、この樹脂ノーに所だパターン
の４元を行い、庸光麦の樹脂ノーを第１現１訣処理でｍ
解除去し、次に第２現像処理−Ｃ分解除去し、所定パタ
ーンの樹脂層を形成する工程、及びこのｒｙ：ｉパター
ンの樹脂層を硬化して絶縁層を形成する工程を施すこと
により、銅製導体層上の露光・現像後の樹脂残りをなく
することができるので、この除去部分に導体層を形成す
れば優れた導通性が得られるという効果がある。
第１図〜第４図は、この発明の一実施例ゲ工程順に示す
断面図であり、第１図に感光性耐熱高分子樹脂の塗布後
、第２図はその高分子樹脂層のパターン形成後、第３図
は第２導体層形成後、及び第４図はチップ部品接続後を
それぞれ示す。 区において、（１）は基板、（２）は抵抗体、（３）は
銅製導体層である第１導体層、（４） 、 （６）は感
光性耐熱高分子樹脂によシ形成される絶縁層、（５ンは
第２導体層、（７）はハンダ、（８）はチップ部品であ
る。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 第２図 第３図 第４図
断面図であり、第１図に感光性耐熱高分子樹脂の塗布後
、第２図はその高分子樹脂層のパターン形成後、第３図
は第２導体層形成後、及び第４図はチップ部品接続後を
それぞれ示す。 区において、（１）は基板、（２）は抵抗体、（３）は
銅製導体層である第１導体層、（４） 、 （６）は感
光性耐熱高分子樹脂によシ形成される絶縁層、（５ンは
第２導体層、（７）はハンダ、（８）はチップ部品であ
る。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (6)
- （１） 所定パターンの銅製導体層を形成した回路基板
表面に感光性耐熱高分子樹脂層を形成する工程、この樹
脂層に所定パターンの露光を行い、露光後の樹脂層を第
１現像処理で溶解除去し、次に第２現像処理で分解除去
し、所定パターンの樹脂層を形成する工程、及びこの所
定パターンの樹脂層を硬化して絶縁層を形成する工程を
施す回路基板の絶縁層形成方法。 - （２）第２現像処理はヒドラジンを含む現像液を使用し
て行う特許請求の範囲第１項記載の回路基板の絶縁層形
成方法。 - （３）第２現像処理はヒドラジン及びエチレンジアミン
を含む現像液を使用して行う特許請求の範囲第１項記載
の回路基板の絶縁層形成方法。 - （４）第２現像処理に使用する現像液における溶媒は水
である特許請求の範囲第２項又は第３項記載の回路基板
の絶縁ノー形成方法。 - （５） 第２現像処理に使用する現像液における溶媒は
低級脂肪族アルコールである特許請求の範囲第一２項又
は第３項記載の回路基板の絶縁層形状方法０ - （６）第２現像処理に用いる現像液は強アルカリ水溶液
である特許請求の範囲第１項記載の回路基板の絶縁層形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9349784A JPS60235496A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 回路基板の絶縁層形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9349784A JPS60235496A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 回路基板の絶縁層形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235496A true JPS60235496A (ja) | 1985-11-22 |
| JPH0367355B2 JPH0367355B2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=14083981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9349784A Granted JPS60235496A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 回路基板の絶縁層形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235496A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6674284B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2020-04-01 | 株式会社フジクラ | 実装構造及びモジュール |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4923783A (ja) * | 1972-06-27 | 1974-03-02 |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP9349784A patent/JPS60235496A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4923783A (ja) * | 1972-06-27 | 1974-03-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0367355B2 (ja) | 1991-10-22 |
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