JPH0366014B2 - - Google Patents

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Description

【発明の詳細な説明】
(イ) 技術分野 この発明は金属又は窒化珪素、窒化硼素、窒化
アルミニウム、炭化珪素等の窒化物、炭化物の易
焼結性を有する超微粉末を効率的に合成可能な製
造法および設備に関するものである。 (ロ) 技術の背景 最近金属又はセラミツク材料、なかでも窒化
物、炭化物およびダイヤモンドの薄膜や粉末の合
成が盛んに検討されている。特に高温で安定な窒
化珪素、窒化硼素、炭化珪素の材料開発が進めら
れている。一般にセラミツクは原料粉末を成形焼
結して製造されるものであるが、前記窒化珪素、
窒化硼素、炭化珪素は難焼結性物質であるため、
易焼結性の超微粉末が求められている。しかしな
がら、現在充分に満足できる合成粉末は得られて
いない。最近、気相合成法が着目されているが、
合成粉末組成が化合物としての組成からずれた
り、未反応物を含有していたり、反応生成量が少
ない等の問題点がある。更にその加熱法にレーザ
ービームを応用した方法も考えられている。この
方法によれば高純度の超微粉末が比較的容易に得
られているが前記問題点は、いまだ充分に改善さ
れていない状況である。 (ハ) 発明の開示 本発明者らは、前記問題点に鑑みて鋭意検討し
た結果本発明に至つたものである。即ち、本発明
はセラミツク粉末の気相合成法において粉末の原
料である揮発性化合物ガスを含む搬送ガスおよび
反応ガスを導入する反応室内を放電状態（いわゆ
るイオン化状態）に保持したままさらにそのイオ
ン化ガスをレーザービームを用いて励起、加熱し
金属またはセラミツク粉末を効率的に製造する事
及びその製造装置に関するものである。本発明の
原料としては、蒸発金属、金属ハロゲン化物、有
機化合物、有機金属化合物等を含む搬送ガスおよ
び反応ガスを用いる。これにより合成できるセラ
ミツク粉末の種類は、ほとんどの窒化物、炭化物
及び炭窒化物、硼化物および金属が可能である。
なかでも窒化珪素、窒化硼素、窒化アルミニウ
ム、炭化珪素、炭化硼素、粉末の合成には最適で
ある。また合成条件を精密にコントロールする事
によりダイヤモンド微粉末の合成も可能である。
以下図面を参照してこの発明の詳細を説明する。
第１図は本発明に関る装置の全体図である。図中
１は本発明の反応室であり、反応室の外周（時に
は内周の場合もある）には高周波放電イオン化コ
イル２が設置されている。３はCO2ガス等のレー
ザー光線であり、窓８を通して反応室内に照射さ
れる。余分のレーザーは反対側の窓７に達しここ
で水冷された銅板に吸収される様になつている。
４，５は原料ガス、又は反応ガス等目的とする反
応に必要なガス等の導入孔である。６は反応生成
物を反応室より排気するたの排気孔であり、途中
に生成粉末を集めるフイルターがあり強力な排気
ポンプに接続されている。操作は以下の様に行
う。まず反応室１を含めた系全体を排気ポンプ
（図示せず）にて10-4torr程度まで排気する。そ
の後４，５を通じて所定の割合にコントロールさ
れたガスを数10〜数100torrにコントロールして
送り出す。反応室１に送り出された混合ガスは高
周波誘導コイル２によつてイオン化される。次い
で窓８を通して照射されたレーザー光線３により
更に励起及び加熱されて、反応が行われ炎９を形
成する。反応生成物、排気ガスは、排気管６を通
して排気され生成超微粒粉末は途中のフイルター
に集められる。本発明の説明に用いた第１図で
は、放電形式として高周波誘導放電についてのみ
記載したが、直流放電又はマイクロ波放電などを
用いても良い。又反応室の外周にコイルを設置し
たが、必要により、反応室の内部に設置しても良
い。この発明の効果を別記すると次の通りであ
る。(1)レーザー励起、加熱法及び高周波イオン化
法を各々単独に用いる場合に比べて反応ガスのイ
オン化効率が高く、反応効率が格段に向上でき
る。(2)反応ガスがイオン化しているため、一般に
困難な反応が低温域で行える。(3)レーザー加熱と
高周波イオン化を単独にコントロールできるた
め、反応各々に最適なイオン化を行わせることが
でき、エネルギー効率が良い。 実施例 １ 例として窒化珪素粉末の合成の場合について述
べる。図１に示すような本発明の設備において、
反応ガスとして5VoL％のSiH4を含有したN2ガ
ス５/minおよびNH3 ３/minを反応室に導
入した。この反応室には高周波コイルが設置して
おり、無電極放電状態にする事ができる。この放
電状態の有無による合成粉末の特性を把握した。
加熱は反応ガスの導入時点にレーザービームを導
入して行なつた。得られた２種類の粉末を調べた
ところ第１表に示す結果が得られた。
【表】 本表が示すように本発明の粉末は粒子径も小さ
く化合物も単独なもので未反応物を含有していな
い。更に、反応効率も高い事を示している。従つ
て本発明の効果が理解できる。 実施例 ２ 金属シリコンの超微粉末の合成の場合につき述
べる。実施例１と同様の条件で反応ガスとして
5Vo％のSiCl4を含有するArガス５/minを反
応室に導入した。この結果100〜300Åの粒子径を
持つ金属シリコンが生成した。単にレーザービー
ムのみにて加熱した場合には未反応SiCl4を含み、
粒子径も500Åと大きくなつている事が解つた。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の方法を実施するための装置
の１例を示す図である。 １……反応室、２……高周波誘導コイル、３…
…レーザービーム、４……原料ガス導入パイプ、
５……反応ガス導入パイプ、６……排気孔、７…
…レーザービーム吸収板、８……レーザービーム
照射窓。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 揮発性金属化合物ガス又は／及び金属蒸気と
    反応ガスを用いて、気相状態で反応を行わせ、金
    属又はセラミツクスの微粉末を合成する方法にお
    いて、反応室を直流放電、高周波放電、マイクロ
    波放電などの１つから選ばれた方法により放電状
    態に保ち、導入ガス又は／及び金属蒸気をイオン
    化するとともに、レーザービームを照射して合成
    反応を行わせることを特徴とする微粉末の製造方
    法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、揮発性金属
    化合物が、金属のハロゲン化物又は水素化物又は
    有機化合物であることを特徴とする微粉末の製造
    方法。 ３ 特許請求の範囲第１項において、反応ガスが
    不活性ガス又は窒素及び窒素を含む無機、有機ガ
    ス又はカーボンを含む無機、有機ガスであること
    を特徴とする微粉末の製造方法。 ４ 揮発性金属化合物ガス又は／及び金属蒸気と
    反応ガスで反応を行わせ、金属又はセラミツクス
    の微粉末を合成する装置において、反応室を直流
    放電、高周波放電、マイクロ波放電のうち１種以
    上を用いて放電させる機構と、該放電状態の反応
    室内にレーザービーを照射できる様にしたことを
    特徴とする微粉末の製造装置。
JP58079728A 1983-05-07 1983-05-07 微粉末の製造方法及び製造装置 Granted JPS59206042A (ja)

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US06/605,489 US4556416A (en) 1983-05-07 1984-04-30 Process and apparatus for manufacturing fine powder
DE8484105147T DE3483490D1 (de) 1983-05-07 1984-05-07 Verfahren und vorrichtung zur herstellung feinen pulvers.
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JPS59206042A JPS59206042A (ja) 1984-11-21
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62501838A (ja) * 1985-02-12 1987-07-23 ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ− １ミクロンより小さい炭化ホウ素粉末を製造する方法
US4895628A (en) * 1985-02-12 1990-01-23 The Dow Chemical Company Process for the preparation of submicron-sized boron carbide powders
JPS61200850A (ja) * 1985-02-28 1986-09-05 Daido Steel Co Ltd 化合物超微粒子の製造方法
US4689129A (en) * 1985-07-16 1987-08-25 The Dow Chemical Company Process for the preparation of submicron-sized titanium diboride
US4687753A (en) * 1985-10-25 1987-08-18 Exxon Research And Engineering Company Laser produced iron carbide-based catalysts
JPS62102828A (ja) * 1985-10-28 1987-05-13 Daido Steel Co Ltd 化合物微粒子の製造方法
US4758267A (en) * 1985-12-23 1988-07-19 Energy Science Laboratories, Inc. Ultrafine particle and fiber production in microgravity
US4784686A (en) * 1987-04-24 1988-11-15 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Synthesis of ultrafine powders by microwave heating
KR910001933B1 (ko) * 1987-04-27 1991-03-30 더 다우 케미칼 캄파니 고경도 및 인성을 갖는 이붕소화 티탄/탄화붕소 조성물
US5032242A (en) * 1987-04-27 1991-07-16 The Dow Chemical Company Titanium diboride/boron carbide composites with high hardness and toughness
US4957884A (en) * 1987-04-27 1990-09-18 The Dow Chemical Company Titanium diboride/boron carbide composites with high hardness and toughness
DE4214720C2 (de) * 1992-05-04 1994-10-13 Starck H C Gmbh Co Kg Vorrichtung zur Herstellung feinteiliger Metall- und Keramikpulver
US5460701A (en) * 1993-07-27 1995-10-24 Nanophase Technologies Corporation Method of making nanostructured materials
US5525320A (en) * 1994-07-11 1996-06-11 University Of Cincinnati Process for aluminum nitride powder production
EP0777550A4 (en) * 1994-08-25 1998-04-08 Qqc Inc PARTICLES IN THE NANO AREA, AND CORRESPONDING APPLICATIONS
WO1997048651A2 (en) * 1996-06-20 1997-12-24 Qqc, Inc. Method of making ultrafine materials including metals, ceramics, and diamonds
EP0910468A1 (en) * 1996-07-11 1999-04-28 University of Cincinnati Electrically assisted synthesis of particles and films with precisely controlled characteristics
US5958348A (en) 1997-02-28 1999-09-28 Nanogram Corporation Efficient production of particles by chemical reaction
US6919054B2 (en) * 2002-04-10 2005-07-19 Neophotonics Corporation Reactant nozzles within flowing reactors
US20010051118A1 (en) * 1999-07-21 2001-12-13 Ronald J. Mosso Particle production apparatus
US6290735B1 (en) 1997-10-31 2001-09-18 Nanogram Corporation Abrasive particles for surface polishing
US6726990B1 (en) 1998-05-27 2004-04-27 Nanogram Corporation Silicon oxide particles
US6849334B2 (en) * 2001-08-17 2005-02-01 Neophotonics Corporation Optical materials and optical devices
US7384680B2 (en) * 1997-07-21 2008-06-10 Nanogram Corporation Nanoparticle-based power coatings and corresponding structures
DE19821144A1 (de) * 1998-05-12 1999-11-18 Degussa Verfahren zur Herstellung von pulverförmigen heterogenen Stoffen
CA2364262A1 (en) 1999-03-10 2000-09-14 Nobuyuki Kambe Zinc oxide particles
US6723435B1 (en) * 2001-08-28 2004-04-20 Nanogram Corporation Optical fiber preforms
DE102004033320A1 (de) * 2004-07-09 2006-01-26 Basf Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Nanopartikeln
US20060225534A1 (en) * 2004-10-13 2006-10-12 The Research Foundation Of State University Of New York Production of nickel nanoparticles from a nickel precursor via laser pyrolysis
US20060266216A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Cabot Corporation High-throughput powder synthesis system
US8658432B2 (en) 2006-01-27 2014-02-25 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Si/Si3N4 system nanosized particles, biosubstance labeling agent employing the nanosized particles, and method of manufacturing the nanosized particles
WO2010041658A1 (ja) * 2008-10-06 2010-04-15 昭和電工株式会社 炭窒化物混合物粒子または炭窒酸化物混合物粒子の製造方法及びその用途
FR2945035B1 (fr) * 2009-04-29 2011-07-01 Commissariat Energie Atomique Procede d'elaboration d'une poudre comprenant du carbone, du silicium et du bore, le silicium se presentant sous forme de carbure de silicium et le bore se presentant sous forme de carbure de bore et/ou de bore seul
AU2020290956A1 (en) * 2019-06-12 2022-01-06 Auburn University Novel additive nanomanufacturing system and method
KR102761480B1 (ko) * 2019-06-28 2025-02-03 이줄르, 인크 반응 챔버 내부에 보조 가스 흐름을 갖는 시스템 및 공정
FR3151321A1 (fr) * 2023-07-19 2025-01-24 Renault S.A.S Procédé de formation de silicium à partir de silice et silicium passivé

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1087869B (de) * 1955-08-08 1960-08-25 Siemens Ag Verfahren zum Gewinnen hochreiner Metalle oder Halbleitergrundstoffe
FR1150562A (fr) * 1956-05-12 1958-01-15 Saint Gobain Procédé pour la fabrication de métaux de haute pureté
DE1066549B (de) * 1957-07-17 1959-10-08 Societe Anonyme des Manufactures des Glaces et Produits Chimiques de Saint-Gobain, Chauny &. Cirey, Paris Verfahren zur Herstellung von chemischen Verbindungen von hohem Reinheitsgrad
US3545922A (en) * 1964-12-10 1970-12-08 Starck Hermann C Fa Process for the preparation of finely divided,non-pyrophoric nitrides of zirconium,hafnium,niobium and tantalum
NL6608845A (ja) * 1965-06-25 1966-12-27
US3535103A (en) * 1968-04-10 1970-10-20 Atomic Energy Commission Method of making metal alloy powders
US3671220A (en) * 1969-05-19 1972-06-20 Nordstjernan Rederi Ab Process for the production of powdered metals
US3959649A (en) * 1973-12-27 1976-05-25 Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc. Collection of ions in a plasma by magnetic field acceleration with selective polarization
JPS5536960A (en) * 1978-09-05 1980-03-14 Mitsubishi Electric Corp Method for cleaning semiconductor producing apparatus
US4289952A (en) * 1979-12-12 1981-09-15 Massachusetts Institute Of Technology Process for controlling powder size with optical energy
JPS56136634A (en) * 1980-03-29 1981-10-26 Res Dev Corp Of Japan Production of ultra-fine powder and particle using laser beam

Also Published As

Publication number Publication date
DE3483490D1 (de) 1990-12-06
US4556416A (en) 1985-12-03
JPS59206042A (ja) 1984-11-21
EP0124901A3 (en) 1988-01-07
EP0124901B1 (en) 1990-10-31
EP0124901A2 (en) 1984-11-14

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