JPS62501838A - 1ミクロンより小さい炭化ホウ素粉末を製造する方法 - Google Patents

1ミクロンより小さい炭化ホウ素粉末を製造する方法

Info

Publication number
JPS62501838A
JPS62501838A JP61501339A JP50133986A JPS62501838A JP S62501838 A JPS62501838 A JP S62501838A JP 61501339 A JP61501339 A JP 61501339A JP 50133986 A JP50133986 A JP 50133986A JP S62501838 A JPS62501838 A JP S62501838A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
boron
source
amount
gas mixture
hydrogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61501339A
Other languages
English (en)
Inventor
クヌーゼン,アルネ・コルビヨルン
ラングホフ,チャールズ・アンダーソン
Original Assignee
ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ− filed Critical ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−
Publication of JPS62501838A publication Critical patent/JPS62501838A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/563Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on boron carbide
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • B01J19/121Coherent waves, e.g. laser beams
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90Carbides
    • C01B32/914Carbides of single elements
    • C01B32/991Boron carbide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64Burning or sintering processes
    • C04B35/645Pressure sintering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/62Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10Solid density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/90Other properties not specified above

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 1ミクロンより小さい炭化ホウ素粉末を製造する方法本発明は、セラミック部品 の製造において比較的高価な一人材料として有用な、超微粒の高純度の炭化ホウ 素粉末を製造する改良された方法、およびその生成物に関する。
ある主の用途におけるセラミ−7り材料の使用の増大に対するかなりの障害は、 工学的に作り出されたセラミック部品における破壊の高い発生率である。これら の破壊はしばしばこのような部品における小さい割れや空隙に起因することがあ り、このような小さい割れまたは空隙は前駆材料の粉末の不完全な充填から生ず る。この問題の1つの明らかな解決法は、緊密に充填することができ、これによ り粒子間の空隙空間を減少することのできる。 M1i1粒の単分散した粉末を 製造することである。
えば、硬度、高温における構造的統合性、および化学的不活性を示し。
そしてセラミ−7りの破壊をしばしば起こす欠陥および不純物を排除した、セラ ミック部品の製造に向けられている。高い品質の部品を製造するための「理想的 な」セラミック粉末は高い純度をもちかつ微細な大きさく0.1−1.0ミクロ ン)の単分散した球形の凝集していない粒子を含有しなければならばいことが、 E、A、バリンガー(Barringer)およびH,に、ポウエン(B o  we n)、「単分散したTiO2粉末の形成、充填および焼結(Fo rma t i o n 、 Pack i ng and Sintering of  MonodispersedTi02 Powders)J、ジャーナノいオ ブΦアメリカン・ケミカルーソサイアティ (J 、Amer、Chem、So c、)65、C−199(1982)において示唆された。
セラミック粉末が焼結されるとき、隣接する粒子は融合してグレイン(g r  a i n)になる、一般にグレインの大きさは1部品を製造するとき使用する 粉末の粒子(particle)の大きさによって支配される。換言すると、グ レインの大きさは1部品が焼結される出発材料の結晶子(crystalite )より必然的に大きい、こうして、より微細な粒子の焼結は微細なグレインを含 む物体を製造する機会を提供する。
炭化ホウ素の物体の統合性へのグレイン大きさの影響の研究は1次の文献に記載 されている:A、D、オシポウ(Osipov)、I 、T。
オスタベン=+(Ostapenko)、V、V、スレシフ(Slez。
v)、R,V、タラシフ (Tarazov)、V、P、ボドチカy(Podt ykan)およびN、F、カルトセ7 (Kart 5ev)、r熱プレスされ た炭化ホウ素の機械的性質への多孔度およびグレイン大きさの効果(Effec t of Porosity and GrainSize on the M echanical Properties of Hot−pressed  Boron Ca r b i de)」、ソビエトーパウダー争メタラジ−・ アンド・マチイーリアル・セラミックス(Sow、Powder Metall 、Met Ceram、)(英語の翻訳)21 (1)55.−8 (1982 )。
小さい平均粒子大きさをもつセラミ−7り粉末の使用における追加の利点は、粉 末の焼結に要する温度がしばしば低下されるとうことである。
TiO2粉末の焼結に関する彼らの研究において、バリンガ−(Barrang er)およびポウx7 (B o we n)は、0.08ミクCl7(F)大 きさの粒子を使用するとき、焼結温度を1300〜1400℃から800℃に低 下できることを発見した。工業的規模において、これは材料およびエネルギーの コストのかなりの節約を生ずることができるであろう。
νに化ホウ素粉末の気相合成は、典型的には、水素の存在下にハロゲン化ホウ素 を炭素源として炭化水素と反応させることを包含する。I。
pJi 、 ?クキンノy(MacKinnon)およびB、G、レウベン(R e u b e n)、rRFプラズマ中ノ炭化ホウ素の合成(The S y nthesis of Boron Carbide in anRF Pla sma)」、ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・ソサイアテ4−(J、E lectrochem、Soc、)122(6)、806 (1975)は、ラ ジオ周波数誘導アルゴンプラズマを利用して、三塩化ホウ素、メタンおよび水素 の疏れを加熱している。形成される)り化ホウ素粉末は直径が約200〜300 オングストロームである。英国特許第1.069.748号および米国特許第3  、340 。
020号は、水素のプラズマ噴射中で三塩化ホウ素−メタン混合物を反応させて 、平均粒子大きさが200オングストロームである炭化ホウ素粉末を!A潰して いる。
二酸化炭素のレーザーを使用するセラミック粉末の合成は、ハガティー(Hag ge rt y)および共同研究者らによって最初に開発された。からの論文、  「レーザー加熱ガスから作られたセラミック粉末の合成および特性(Synt hesis and Characteri5tics of Ceramic  Powders Made from La5er−Heated Ga55 es)J、セラミック・エンジニアリング・アンドeサイエンス・プロシーディ ンゲス(Ceram、Eng、Sci、Proc、)3.31(1982)にお いて、R,A、?う(Marra)およびJ、S、ハガティ−(Hagge r  t y)は、SiH4からのケイ素、炭化ケイ素および窒化ケイ素の製造を記 載している。製造される粉末は非常に小さく、等軸であり、かつ単分散しており 1粒子の大きさは100−1000オングストロームの範囲内である。彼らの論 文は、また、このレーザー加熱法を他の非酸化物のセラミック、例えば、TiB 2.AINおよびB4Cならびに多くの他の酸化物のセラミックの製造に使用で きるという記載を含む、しかしながら、レーザーを使用する84Cの実際の製造 に関する特定の教示は存在しない。
1984年2月16〜18日のエレクトロ會オブチクス/レーザー・インターナ ショナル、ジャパy(Electro 0pLIcs/Leser Inern ational、Japan)において午えられた「レーザー熱分解により製造 された触媒を使用する合成ガスからの軽質オレフィン類の製造(Product ion of Light 01effnes from 5ynthesis  Gas UsingCatalysts Prepared by La5e r Pyr。
Iysis)Jと題するJ 、T、ヤードレイ(Yardley)およびA、グ プタ(GupLa)の談話の印刷物には、連続波のCO2レーザーを使用して三 塩化ホウ素、水素およびエチレンから炭化ホウ素を製造することに成功したこと が記載されている。
米国アーミイ・ミサイノいコマンド(Army Missile (omman d)からの1つの技術報告、政府承認番MAD−A I OI O35、の文献 中の1つの例は、三塩化ホウ素および炭化水素を反応させて炭化ホウ素を製造す るエネルギー塩としてC02レーザーを使用できる可能性についての研究である 。しかしながら2この研究は炭化ホウ素(B4 C)を製造しなかった。
予期せざることには、CO?レーザーは、ある種の反応条件下にのみ、高純度の 炭化ホウ素を製造するための三塩化ホウ素、水素および炭化水素の反応のための 許容されうるエネルギー源であることが今回発見された。
超微粒の高純度の炭化ホウ素粉末およびこのような粉末から作られたセラミ−/ ゲスのためのいくつかの商業的用途、例えば、グリーIドブラス)(sand  blasting)/ズル、シール、研削/機械加工(7)ための研摩粉末、お よび焼結助剤しての用途が存在する。
本発明は、高純度の超微粒の炭化ホウ素粉末を製造する方法を提供する。また、 本発明の方法は、比較的単分散した超高純度の炭化ホウ素粉末を製造する。
本発明によれば、揮発性ホウ素源、前記ホウ素源中のホウ素に基づいて計算した 化学量論的量より少ない量の揮発性炭素源および前記ホウ素源中のホウ素に基づ いて計算して少なくとも化学量論的量の水素源から本質的に成る反応成分ガスの 連続流を、少なくとも約300トルの絶対圧において、前記揮発性ホウ素源の少 なくとも一部分を84Cに転化するために有効な量のCO2レーザー輻射に暴露 することよって、超微粒の高純度の炭化ホウ素粉末は製造される。
未発明は、また、本発明の方法によって製造された炭化ホウ素粉末生成物に関す る。この生成物(B4 C)の粉末は既知の84C粉末に比較して、いくつかの 独特の性質を有する6例えば、本発明のB4C粉末は、従来製造された84C粉 末のために要求される温度よりも実質的に低い温度においてホシトプレスして理 論密度をもつ部品にすることができる。また、プレスされた部品の微小構造は高 い強度のセラミックス部品において要求される純粋な均一なグレイン(g r  a i n)を明らかにする。こうして、未発す1は、また、次の特性:a)  3.9〜4.2のB/C比; b) 10ppm/金属より少ない金属不純物:’ c) 100〜1300オ ングストロームの粒子大きさの範囲:d) 単分散した粉末; e) 少なくとも50m2/gの表面積;f) 微結晶質構造;および g) 理論密度(2,52g/cm3)に高密化されうる簡カニを有する炭化ホ ウ素に関する。
添付図面において、好ましい装置および生成物の1つの面を示す。
第1図は、未発IIの方法を実施するために適当な装置の略図である。
第2図は、本発明の方法により得られた炭化ホウ素のX線回折図形である。
ここで使用するとき、 「超高純度(ulra−high puritY)Jと いう用語は、純度が少なくとも99%である84Cを意味する。
r高純度(high purity)Jという用語は、純度が少なくとも約94 %である84Cを意味する。
「水素源」という用語は、水素を開放できる源1例えば、揮発性ホウ素源および 揮発性炭素源との反応において、あるいは熱に暴露されたとき、水素を開放でき る源を意味する。
「超微粒粒子(ultra−fine particle)」という用語は、1 μmより小さい直径を有する粒子を意味する。
「揮発性ホウ素源」という用語は1反応式分の魔れの中に注入される温度におい て気体であるホウ素含有物質を意味する0本発すlの方法において使用する典型 的な揮発性ホウ素源は、吸収性ホウ素源、例えば、ホウ酸トリメチルを包含する 。他の揮発性ホウ素源は、アルキルホウ素、例えば、トリメチルホウ素、アルキ ルポレート、例えば、ホウ酸トリメチル、ホウ素水素化物、例えば、ジポラン、 およびホウ素ハロゲン化物、例えば、三塩化ホウ素を包含する。好ましいホウ素 源は三塩化ホウ素である。
「反応成分ガス」という用語は、炭素、ホウ素および/または水素を含むため、 低い電力のレーザー照射に暴露して84Cを形成するために用いられるガスを意 味する。
揮発性ホウ素源、例えば、三塩化ホウ素、水素および、ガス混合物の温度におい て気体である揮発性炭素源、例えば、エチレンまたはメタンからの1に化ホウ素 の気相レーザー合成は10.6ミクロンにおけるフォトンの吸収により誘発され る(三塩化ホウ素およびエチレンの両者はこの領域において強く吸収する)、全 体の化学量論は、次の反応式により示される: 48C13+1/2C2H4+5H2”H4C+12HC145CI3 +CH 4+4H2→B4 C+ l 2HC1両名の反応は発熱性であり、ΔH°は炭 素源としてエチレンを使用するとき+90.6kca11モルであり、そしてメ タンを使用するとき+114.8kca11モルである。前述の反応は、CO2 レーザーを用いて開始しそして後述する条件下に実施するとき、高純度または超 高純度のB4Cをすぐれた収率で生成することを、われわれは発見した。
この反応を実施するために適当な装置は第1図に概略的に示されている6反応器 の構成は、両端に堅固に取り付けられたKCIの窓11および12を有する円筒 形のパイレックスガラス管または反応器lOである。この反応器は中央に位tす る入口13および入口13の反対側において中央に位置する出口14を有する。
ガラスの入口管5は気密の接続で入口′13内にかつアルゴン源lへ取り付けら れている。細いガス入口管6は入口管5内に同心的に取り付けられており、その 開口端は反応器10内に伸び込み、そして他方の端は反応ガス源と気密に接続さ れている。ガス出口管7の一端は気密の接続で出口14に取り付けられたおり、 モして他端はパイレックスブフナー漏斗20のL部の中に気密の接続でゴム栓3 0により取り付けられており、この漏斗20はフリットガラスのフィルター21 および接続管22を有する。細いガス入口15t−tよび16はKCI(7)窓 11および12に近接して位置する。この反応器は形成するB4C固体が反応器 の内側に接着しないようにおよび/または一緒に融合してより大きい凝集物を形 成しないように設計されている。
本発明の範囲および教示を逸脱しないで、他の反応器1例えば、ゲルマニウムま たは亜鉛のセレン化物をもつ反応器は許容されることを理解すべきである。
アルゴンのパージは、口15および16を経て6窓に近接して導入され、そして また、管lおよび内側管6を経て反応成分ガスの流れに対して回心的に入口13 の中に導入される。窓のパージは窓の過熱および窓の表面上の物質の>5積の両 者を防止する役目をする。アルゴンの同心的魔れは、炭化ホウ素の粒子が形成す るとき、それらをガスの瀉れの中に連行する役目をする6反応酸分ガス、H2, BCl3およびCH,またはc2H4は反応器lOへ、それぞれ、アルミニウム 管2.4および3を経て導入される。すべてのガスの流速はガスUflコントロ ーラーで監視される。典型的なガス流量計は目盛定めしたマテソン(Mathe so n) IQ量計であることができる0反応酸分ガスは予@混合された後、 入口13の内側管を経て反応器へ入る。ガス流中に連行される炭化ホウ素粉末は 出口14を経て反応器を去り、ガス出口管14を通って移動し、そしてfJi過 装置19に集められる。この縫過装鐙19は、例えば、ガラスフィルター21( 40〜60ミクロンの孔大きさのブフナー漏斗21)上に取り付けられた濾紙の ディスク31を含むものである。ガスは収集管22を経てこの系を去る。この管 22は気密の接続でレイボルドーヘレウス(Leybold−)Ieraeus )腐食ガス真空ポンプ40の接続されている。このポンプ40は凝縮性物質を捕 捉する液体窒素のトラップ50で保護されている。不活性フルオロカーボンのポ ンプ 。
油をこのポンプ内で使用して全体の油の分解を防止する0反応器内の圧力は普通 のブートンゲージ(Bourdon gauge)により監視し、そしてガス入 口の流速および真空ボンピング速度の両者のgtttにより218J箇される。
別の実施態様において、真空ポンプは不必要である。さらに、ガスのスクラーI バーを真空ポンプと流体連絡関係に配置することができる。あるいは、このスク ラシバーを註過装置の直接接続して望ましくない物質をガス流から排除すること ができる。
図面の実施態様において、co2レーザー60 100W cw(干渉性モデル (Coherent model)401.約80ワツトの電力で10.6ミク ロンで作動するマルチモード(mulLimode)、の出力を約1〜10kw /cm2において1反応器10に入る反応成分ガスの噴射の中に集束する。ビー ムは前のKCIの窓11を通して移動し、そして後方のKCIの窓12から出る 。焦点距@200mmのAR@wIゲルマニウムレンズ62を使用してビームを 集束する。しかしながら、焦点をぼかしたビーム使用をする:すなわち、レーザ ービームがガス混合物と交差する場所で生成する火炎(この火炎中で炭化ホウ素 粉末は核化しかつ形成する)より前または後のいずれかにビームの焦点が位置す るように、ビームを集束する。このレンズのついて、入口13中に突出する入口 管6の開口端により形成された燃焼ノズルとレーザーの焦点との間の好ましい距 離は約3cmである0反応酸分ガスを衝撃するレーザースポットの大きさは反応 成分ガスの流れの直径と同一の直径であることが好ましいが、レーザースポット の直径は反応成分ガスの魔れの直径より小さいか、あるいは反応成分ガスの流れ の直径より大きくあることができる。
別の実施態様において、レーザーの電力を増大することができ、25kwまでの 電力で作動させることができるであろう、あるいは、25ワツトより低い1例え ば、lOクワット低い電力のレーザーを使用できるであろう、これらのレーザー を使用すると、反応器10および付随するオプチクス、例えば、レンズ62、鏡 および窓11および12は、当業者に知られているように、多少の変更を必要と するであろう。
木発す1の方法により得られる84Cの収率および純度は、ある数の相互に関係 する方法の変数により決定される。
得られる84Cの純度は、とくに普通の低い電力のレーザー、例えば、約25ワ ツトのレーザーを使用するとき、出発ガス混合物中の炭化水素対ホウ素源の比に よりかなり影響を受ける0通常、その比は化学量論的比率より低く、望ましくは 実質的に低い、すなわち、その約60%までである。逆に、炭素源が少な過ぎる と純度は低下し、もちろん、収率も低下する。出発ガス混合物中のホウ素源に基 づいて計算した化学量論酌量の約20%〜60%、約40%〜60%、最も好ま しくは約50%の1(素源を使用する。化学量論酌量の約60%を越える反応ガ ス混合物中の炭素源の量の悪い作用は、より高い電力のレーザーを使用すること によって少なくとも部分的に補償することができる。より高い電力のレーザーを 使用すると、約化学量論酌量までの炭素源は、多分、生成される84Cの純度に 重大な影響を及ぼさないで使用できるであろう。
少な過ぎるH2は、また、純度に影!を及ぼす、したがって、ホウ素源のすべて が反応する場合要求される水素の少なくとも化学量論酌量を使用することが好ま しく、例えば、化学量論酌量の約100%〜1,000%、好ましくは200% 〜800%、最も好ましくは約300%〜400%のH2を使用する。
レーザーの電力は収率にMを及ぼしそして、前述のように、また、純度に影響を 及ぼすことがある。約25ワツトからのレーザーの電力は実用性を有する。しか しながら、25ワツトより大きい電力は好まし反応成分のノズルに近いレーザー のスポットの大きさは、また、収率に影響を及ぼし、そして純度に影響を及ぼす ことがある。集束レンズと反応成分ガスの浣れとの間の距離は、レーザーのスポ ットの大きさが反k)成分ガスの波れの直径に匹敵するように固定される。
反応を実施する圧力は、また、純度および/または収率に影響を及ぼすことがあ る。したがって、約300〜1,500)ル、最も好ましくは600〜700  )ルの圧力を使用する。600)ルより高い最適な圧力は、製造する炭化ホウ素 粉末の所望の粒子大きさによって決定される。約600トルの圧力は200〜3 00オングストロームの炭化ホウ素粒子の合成に好ましい。
反応成分ガス中の不活性ガス、例えば、アルゴンまたはヘリウムの使+71は望 ましいが、装置の考察によりそれが要求されるときにのみ、その存在は必要であ る。
メタンおよびエチレンは反応のための好ましい炭素源であるが、BCl3および H2との混合の温度において気体である任意の炭素源を使用できる。こうして、 揮発性炭化水素1例えば、メタン、エタン、エチレン、イソオクタン、アセチレ ンおよびブチレンは好ましいが、考えられる同等物は他の元素、例えば、塩素ま たは窒素を含有する他の揮発性炭$源、例えば、揮発性I\ロカーボンであり、 ただしそれらは対応する炭化水素に匹敵して反応することを条件とする。しかし ながら、高い純度のB4Cの製造に要求される反応条件に対して、ある炭素源は 他よりも感受性である。好ましくは、炭素源はメタン、エチレンおよび四塩化炭 素から成る群の1構成1からなる。
唯一のホウ素源としてBCH3を使用する代わりに、揮発性ホウ素源を三塩化ホ ウ素とあるいは吸収性炭化水素、例えば、エチレン、または型数性ホウ素源、例 えば、ホウ酸トリメチルと組み合わせて使用することができる。他の揮発性ホウ 素源は、アルキルホウ素、例えば、ホウ酸トリメチル、ホウ素水素化物、例えば 、ジポラン、およびハロゲン化ホウ素、例えば、三フッ化ホウ素を包含する。好 ましくは、ホウ素源は、アルキルホウ素、アルキルポレ゛−ト、ホウ素水素化物 またはハロゲン化ホウ素から成る群の1構成員からなる。
反応は発熱性であるので、出発ガス混合物を1例えば、1,400℃までの温度 (しかし、反応成分ガスがレーザーエネルギーの不存在下に反応する温度より低 い温度)に加熱する場合、より低いレーザー電力を必要とする。
化学量論酌量より過剰琶のBC13を使用するので、未反応のBCl3は、それ から任意の方法でHCIを除去した後、反応器へ再硝環することが好ましい、i l続のベルトフィルター、静電沈殿器またはサイクロンを使用してB4Cを集め ることによって、反応を1!IU続的に実施し、これにより定常状態の条件を保 証することができる。
本発明の方法に従い製造される84Cは、非常に純粋である、すなわち、6%よ り少ない、好ましくは1%より少ない、最も好ましくは0゜1%より少ない元素 状の炭素およびホウ素の各々を含有する。製造されるB4Cは極めて微細な粒子 、例えば、約100−1.300オングストロームの粒子を有する。
次は未発IJ+の方法を用いる典型的な実験において使用する手順である。これ らの実施例は本発明を例示することをのみ意図し、本発明または請求の範囲の範 囲を限定することを意図しない。
実施例ユ 新しい、再秤量した鑓紙のディスクおよび洗浄したブフナー漏斗を使用し、この 反応器の系を排気した(極限真空約o、tトル)、750cm37分の速度のア ルゴンの筐れを開始した。その直後、C)(4,BCl3およびH2の流れを、 それぞれ、はぼ5.0.40および2000m57分の速度で開始した。(エチ レンを使用する典型的な流速はBCl3 /H2/Ct Ha =40/100 /2.5cm3/分である)、ボンピング弁の調節により、反応器の圧力をほぼ 600トルに固定した。
次いで、レーザービームをこのセルに入れさせると、同時に冷光を発する炎が現 われた。84 Cの灰色がかった粒子が直ちに鑓紙上に現われ始めた0反応がい ったん開始されると、真空のボビング速度を増加することが通常必要であった。
前もって決定した時間(典型的には15分)後、レーザービームを遮断し、そし て反応成分の波れを休止した0反応器を再び排気し、その後それを空気に対して 開き、そして砲紙および生成物をillした1次いで、BC13の1モルにつき 反応器に導入された生成物の重1歳を、反応効率の定量的測度として使用した。
理想的には、収集系は不活性雰囲気の下に維持して、B4C粒子とへの酸素の吸 着を減少させる。
A4素源としてエチレンの使用 炭素源としてエチレンを使用して得られた結果を表IAに要約する。
A r、 BC13、H2およびc2H4について記載したガスの坂速はすべて Cm3/分で表わされている。レーザーの電力は合成の間に反応器を通して伝え られた電力を意味する。H4C中の炭素およびホウ素の不純物の存在は、色の変 化により定量的に明らかにされる。過剰の炭素をもつレーザー合成されたB4C は黒色になる傾向があり、一方過剰のホウ素をもつレーザー合成された84Cは 褐色になる傾向がある。超微粒の高純度のB4C粉末は灰色になる傾向がある。
生成物は21.4±2.3の重量%のCとして分析された(純粋なり4C中のC の量は21.7%である)、生成物のX線回折図形をttS2図に示す、19. 3.21.8.22.8.31.8.34.7および37.4°2θ(two− theta)(Cu源、λ=1.5418オングストローム)の散乱角度におけ るピークは1位置および強度の両者が、19.8.21.1.23.5.31. 9.34.9および37゜8°20のいて最強の84Cビークに相当する。得ら れた炭化ホウ素の電子顕微鏡写真は、それらの粒子の大きさが約100〜約10 00オングストロームの範囲であり、粒子の大部分が約500オングストローム の直径であることを示した。
反応器への塩化ホウ素の供給量に関して集められる粉末の重量は、研究したe度 範囲内のエチレンの濃度に対して独立である。しかしながら、生成物の純度はB C13/C2H4比に強く依存する。8:lのガスの容闇比(化学量論酌量に相 当する)において、生成物は灰色がかった黒色であり、非晶質炭素の不純物を示 す、BC13/C2H4比が8から16に増加するにつれて、試料の色は灰色− 黒色から灰色に変化する。エチレンを化学賃論的h1の半分までの量で使用する と、純度がすぐれた炭化ホウ素生成物が得られる。
許容されうる炭化ホウ素粉末は化学訃論的量の水素を使用して得られるが、過剰 な水素が存在するとき、より純粋な生成物(再びその色により示されるように) が生ずる。
レーザーの電力が増加するとともに、生成物の収率および純度は増加する。より 低い電力を使用するとき、生成物は実質的な炭素不純物を含有する。したがって 、50ワツト以上の入射輻射における操作は好ましい。
B、’tR素源としてメタンの使用 −Eの部Aに記載する手順に類似する手順を使用して、炭素源としてメタンを使 用して炭化ホウ素粉末を製造する。得られる結果を表IBに要約する。実験42 において得られた粉末の電子顕微鏡写真を研究すると、粒子の大きさが100〜 400オングストロームの範囲内であること、および平均の粒子の大きさが20 0〜300オングストロームであることが示された。生成物を再びX線回折によ り特性づけた。
実験34〜36において、メタンの濃度を系統的に変化させた。実施例Aにおけ るように、粉末の見掛けの収率は一定にとどまったが、遊離の炭素不純物の延は 三塩化ホウ素に関するメタンの濃度が増加するにつれて増加した。計算した化学 是論的量の半分までのメタンの浣れは、100ワツトのレーザーを使用したとき 、品質にすぐれた生成物を与える。
三塩化ホウ素に関して水素の波速を増加させることは再び有益であった。生成物 の純度および収率は増加した。
直径が200〜300オングストロームである粒子を製造するための反応器内の 最適圧力は、約600〜700トルの範囲である。圧力がさらに低下するにつれ て、形成する炭素の、5)は増加する。前述のように、反応器内の圧力は、反応 成分の波速および反応器に適用する真空の両者をコントロールすることによりコ ントロールされる。
レーザーの強さおよびレーザーの焦点の作用は、実施例Aにおいて観測されるも のに非常に類似する。レーザーのスポットの直径が試料のノズルより30mmだ け前の位置に相当する反応成分の流れの直径に近づくにつれて、生成物の収率は 増加した。同様に、入射するレーザーの電力が増加するにつれて、生成物の収率 はまた増加した。
炭化ホウ素の合成のための最適収率、すなわち、吸収されたフォトン当りの炭化 ホウ素の分子数、は回収された生成物の重量および吸収されたレーザーの電力か ら推定することができる。典型的な実験として実験51を用いると、9ワツトの 吸収された電力において炭化ホウ素は収率は48%であり、量子収率は0.00 41である。この値は240フォトン/炭化ホウ素分子に相当する。上に示した 反応についてのΔH値は34(エチレン)および42(メタン)のフォントンに 相当する。前述のように、得られる炭化ホウ素の収率は入射するレーザーの強さ に依存する。ざらに1反応酸分ガスの浣れの直径に実質的に類似するレーザース ポットの直径はより高い収率に好適である。集束された立体的配置およびわずか に焦点がぼかされた立体的配置における電力の密度は、80ワツトの入射電力に おいて、それぞれ、はぼlOkw/cm’および1.5kw/cm’であった。
この実施例において収率対使用したレーザー電力を推定する場合、約340ワツ トの入射レーザーの強さは100%の収率を与える。
エネルギー鯨としてレーザーを使用する炭化ホウ素粉末の合成は、従来の合成よ りすぐれたある数の利点を提供する。工業的に使用するC02レーザーの信頼性 および融通性は、よく確立されている。これらのレーザーは、本発明と組み合わ せて使用するとき、連続的基準でB4Cを製造する手段を提供する。
それぞれ60/7.5/150cm3/分のB Cl 3 / CH4/ H2 の流速を使用して(表Inの実験52)、276分間にわたってB4C粉末を集 めた。生成物、B、C1の収量は4.02gであり、これは添加したBC13に 基づいて42.9%の転化率および添加したCH4にス(づいて85.8%の転 化率に相当する。この転化の効率は未発11の方法にとって典型的である。
前の実施例AおよびBは、前の実施例において使用したものの代わりに、一般的 にあるいは特定的に記載した本発明の反応成分および/または操作条件を使用す ることにより、同様な成功をもって反復することが以上の説明から、当業者は、 本発明の木質的な特性を容易に確認することができ、そして本発明の精神および 範囲を逸脱しないで、本発明を種々の用途および条件に適合させるために本発明 の種々の変化および変更をなすことができる。
実施璽l 下表11は、平均の粒子直径、くd〉、へのレーザーの電力および反応成分の濃 度の影響を詳細に示す、炭素源としてCH4およびC2H4の両者を使用したと き、レーザーの電力を減少させると、転化の効率および純度を犠牲にして<d> は減少する。
実験は第1図に示すのと同一の装置を使用しかつ実施例1に類似する方法で実施 した。くd〉は粉末の透過型電子WJ微鏡写真から測定した。
実施例3 本発明の方法により製造した84G粉末の性質および商業的に入手可f喝な84 C粉末の性質を表■に示す、未発明の方法により製造された粉末は超微粒、等軸 であり、そして単分散している。
実施例4 いかなるセラミ−7り粉末の究極の用途に対しても、高密化特性は主として重要 である。一般に、B4Cを約5,0OOpsiおよび2,200℃においてホッ トプレスした。本発明のB4Cは、文献に報告されている温度よりも有意に低い 温度において高密化された0表■において。
すべて2.200℃においてホットプレスした、本発明のB4C粉末および商業 的に入手可能な粉末の性質を要約する。
B (W%) −77,977,877,2C(W%) −20,221,02 +、4O(W%) −0,290,160,06N (W%) −0,290, 160,35B/C−4,284,124,01 密度 (g/cm3) 2.52 2.52 2.50 2.481便度 Hv 3200 3030 3320 2150ffH/mm’、1000g (7’ )荷rf!、’)硬度 Hv3800 3470 3725 3582(Kg/ m12.100gの荷11′f)破壊の靭性 3 3.51 3.08 −(K 、c、MPam −3/2)’ 1刻みをつける方法。
実施例1は本発明の生成物である。
実施例Aはエレクトロシュメルッペルクeケンブタン社(Elektrosch melzwerk Kempten GmbH)から(7)ESKl 200で ある。
実施例Bはエレクトロシュメルッペルク拳ケンブタン社(ElektrOsch melzwerk Kempten GmbH)からのESKl 500である 。
実施例Cはカレリー・ケミカル・カンパニー(Callery Chmemic al Co、)からのものである。
昭和61年10月11日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、揮発性ホウ素源、前記ホウ素源中のホウ素に基づいて計算した化学量論的量 までの揮発性炭素源および前記ホウ素源中のホウ素に基づいて計算して少なくと も化学量論的量の水素源から木質的に成る反応成分ガスの連続流を、少なくとも 約300トルの絶対圧において、前記揮発性ホウ素源の少なくとも一部分をB4 Cに転化するに有効な量のCO2レーザー輻射に暴露することを含んでなる、超 微粒の高純度の炭化ホウ素粉末を製造する方法。 2、前記ホウ素源はアルキルホウ素、アルキルボレート、ホウ素水素化物または ホウ素ハロゲン化物である請求の範囲1に記載の方法。 3、前記ホウ素源は三塩化ホウ素である請求の範囲2に記載の方法。 4、BCl3に基づいて計算した化学量論的量の少なくとも約50%までの炭素 源が存在する請求の範囲2に記載の方法。 5、炭素源は反応成分ガス混合物中のBCl3に基づいて計算した化学量論的量 の約20〜約60%の量で出発ガス混合物中に存在し、水素は反応成分ガス混合 物中のBCl3に基づいて計算した化学量論的量の約100〜約1,000%の 量で存在し、反応は約300〜1,500トルの圧力において実施し、そして炭 素源はメタンまたはエチレンである請求の範囲4に記載の方法。 6、炭素源は化学量論的量の約40〜約60%の量で存在し、水素は200〜8 00%の量で存在し、そして反応は約600〜700トルの圧力において実施す る請求の範囲5に記載の方法。 7、炭素源は出発ガス混合物ガス混合物中のホウ素源に基づいて計算した化学量 論的量の約40〜約60%の量で出発ガス混合物中に存在する請求の範囲1に記 載の方法。 8、炭素源は揮発性炭化水素または揮発性ハロカーボンである請求の範囲1また は4に記載の方法。 9、炭素源はメタン、エチレンまたは四塩化炭素である請求の範囲1または8に 記載の方法。 10、炭素源はメタンである請求の範囲4または6に記載の方法。 11、水素は出発ガス混合物中のホウ素源に基づいて計算した化学量論的量の約 300〜約400%の量で出発ガス混合物中に存在する請求の範囲7に記載の方 法。 12、水素は化学量論的量の約300〜約400%の量で存在する請求の範囲6 に記載の方法。 13、CO2レーザーは少なくとも約10ワットの電力を与える請求の範囲1に 記載の方法。 14、反応を約300〜1,500トルの圧力において実施する請求の範囲1に 記載の方法。 15、反応を約600〜700トルの圧力において実施する請求の範囲14に記 載の方法。 16、請求の範囲1〜15のいずれかに記載の方法によって製造された炭化ホウ 素。 17、次の特性: a)3.9〜4.2のB/C比; b)10ppm/金属より少ない金属不純物;C)100〜1300オングスト ロームの粒子大きさの範囲;d)単分散した粉末; e)少なくとも50m2/gの表面積;f)微結品質構造;および g)理論密度(2.52g/cm3)に高密化されうる能力;を有する炭化ホウ 素。
JP61501339A 1985-02-12 1986-02-12 1ミクロンより小さい炭化ホウ素粉末を製造する方法 Pending JPS62501838A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US70084185A 1985-02-12 1985-02-12
US700841 1985-02-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62501838A true JPS62501838A (ja) 1987-07-23

Family

ID=24815094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61501339A Pending JPS62501838A (ja) 1985-02-12 1986-02-12 1ミクロンより小さい炭化ホウ素粉末を製造する方法

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0211948A4 (ja)
JP (1) JPS62501838A (ja)
KR (1) KR870700028A (ja)
WO (1) WO1986004524A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012525313A (ja) * 2009-04-29 2012-10-22 コミッサリア ア ロンネルジー アトミック エ オ ゾンネルジー ザルテルナティーフ 炭素、ケイ素およびホウ素を含む粉末を調製するための方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE454690B (sv) * 1986-02-28 1988-05-24 Asea Cerama Ab Sett att framstella kroppar av borkarbid
US5032242A (en) * 1987-04-27 1991-07-16 The Dow Chemical Company Titanium diboride/boron carbide composites with high hardness and toughness
WO1988008328A1 (en) * 1987-04-27 1988-11-03 The Dow Chemical Company Titanium diboride/boron carbide composites with high hardness and toughness
US5958348A (en) * 1997-02-28 1999-09-28 Nanogram Corporation Efficient production of particles by chemical reaction
US6919054B2 (en) 2002-04-10 2005-07-19 Neophotonics Corporation Reactant nozzles within flowing reactors
US6849334B2 (en) 2001-08-17 2005-02-01 Neophotonics Corporation Optical materials and optical devices
WO2000054291A1 (en) 1999-03-10 2000-09-14 Nanogram Corporation Zinc oxide particles

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2232613A1 (en) * 1973-06-07 1975-01-03 Poudres & Explosifs Ste Nale Deposition from vapour phase using laser heating - boron cpds. obtd. on silica, carbon or tungsten substrates
US4080431A (en) * 1976-12-20 1978-03-21 Ppg Industries, Inc. Recovery of refractory hard metal powder product
US4343687A (en) * 1980-05-27 1982-08-10 Research Foundation Of City University Of New York Production of chain reactions by laser chemistry
JPS59206042A (ja) * 1983-05-07 1984-11-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 微粉末の製造方法及び製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012525313A (ja) * 2009-04-29 2012-10-22 コミッサリア ア ロンネルジー アトミック エ オ ゾンネルジー ザルテルナティーフ 炭素、ケイ素およびホウ素を含む粉末を調製するための方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0211948A1 (en) 1987-03-04
WO1986004524A1 (en) 1986-08-14
KR870700028A (ko) 1987-02-28
EP0211948A4 (en) 1988-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1290278C (en) Process for the preparation of submicron-sized titanium diboride powders
US4957884A (en) Titanium diboride/boron carbide composites with high hardness and toughness
Johnston et al. Reactive laser ablation synthesis of nanosize alumina powder
Guo et al. Induction plasma synthesis of ultrafine SiC powders from silicon and CH 4
US5032242A (en) Titanium diboride/boron carbide composites with high hardness and toughness
US4895628A (en) Process for the preparation of submicron-sized boron carbide powders
Alexandrescu et al. Synthesis of TiC and SiC/TiC nanocrystalline powders by gas-phase laser-induced reaction
EP0153227A1 (fr) Oxyde cérique à nouvelles caractéristiques morphologiques et son procédé d'obtention
Czosnek et al. Preparation of silicon carbide SiC-based nanopowders by the aerosol-assisted synthesis and the DC thermal plasma synthesis methods
JPS62501838A (ja) 1ミクロンより小さい炭化ホウ素粉末を製造する方法
Casey et al. Laser-induced vapour-phase synthesis of titanium dioxide
Baraton et al. Nanometric boron nitride powders: laser synthesis, characterization and FT-IR surface study
Martiz et al. In-flight synthesis of nanosized ZrC particles from various precursors in RF thermal plasma
CN103159190A (zh) 一种超纯氮化物粉体的制备方法
Batsanov et al. Fixation of atmospheric nitrogen by nanodiamonds
JP4695173B2 (ja) 窒化チタン粉末の調製方法
RU2087262C1 (ru) Способ получения тонкодисперсного монокристаллического порошка диборида металла
WO1988008328A1 (en) Titanium diboride/boron carbide composites with high hardness and toughness
Maitre et al. Carbon oxidation at high temperature during carbothermal reduction of titanium dioxide
Chanadee SHS synthesis of Si-SiC composite powders using Mg and reactants from industrial waste
Bogdanov Titanium carbide synthesis in the presence of iodine
Suzuki et al. Comparison of the SiH4 C2H4 and SiH2Cl2 C2H4 systems during the synthesis of silicon carbide ultrafine particles by laser-induced gas-phase reaction
Jeon et al. Formation of carbon coatings on silicon carbide by reactions in halogen containing media
US2754176A (en) Preparation of alumina by burning
Chen et al. Boron Nitride Nanotube and Nanosheet Synthesis by Flash Joule Heating