JPH0365807B2 - - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高分子鎖中にカルボキシル基及び感
光基を有するポリアミド、又は高分子鎖中にカル
ボキシル基を有するポリアミド及び高分子鎖中に
感光基を有するポリアミドの混合物と、エポキシ
基の一部を(メタ)アクリル酸で開環反応させた
部分(メタ)アクリレート化エポキシ化合物とを
主成分とする感光材料組成物に関するもので、本
発明の感光材料組成物は、耐熱性及び接着性に優
れていると共に機械的性質、電気的性質及び化学
的性質(耐薬品性)にも優れ、しかも高感度であ
り、ドライエツチング用レジスト、リフトオフ用
レジスト、多層化用絶縁膜、イメージセンサー用
保護膜等の形成材料、ソルダーレジスト、メツキ
レジスト等として好適なものである。 〔従来の技術〕 半導体集積回路のIC、LSI、VLSIと高集積化
が進むに合わせ、回路形成用の絶縁膜や素子を搭
載するプリント基板に高密度化が要請されること
により、フオトリソグラフイーの可能な耐熱性材
料が求められている。 従来、感光基を有する耐熱性材料としてポリイ
ミド、ポリアミドイミドが提案されている(特開
昭49−115541号公報、特開昭54−116216号公報、
特開昭54−116217号公報、特開昭56−45915号公
報及び特開昭54−89623号公報参照)。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述の従来提案されている耐熱性材料は、紫外
線の透過が悪いために10μm以上の膜厚のものが
得られない等、厚膜絶縁膜の形成材料としては適
していない。 そこで、本出願人は、光透過性の良い耐熱性感
光材料として、感光基を有する芳香族ポリアミド
を種々提案した(特願昭58−115432号、特願昭58
−234026号、特願昭59−35769号、特願昭59−
127554号及び特願昭59−158761号等)。 しかし、これらの芳香族ポリアミドは、耐熱性
及び光硬化性は優れているが、接着性に関しては
改良の余地がある。 従つて、本発明の目的は、接着性に優れた、高
感度の耐熱性感光材料を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、鋭意研究した結果、ベースポリ
マーとして感光基を有するポリアミドを用い、こ
れにエポキシ基の一部をアクリル酸で開環反応さ
せた部分アクリレート化エポキシ化合物をブレン
ドし、更に架橋剤としてカルボキシル基を有する
ポリアミドを添加することにより、ポリアミドの
もつ耐熱性とエポキシ化合物のもつ接着性が充分
に発揮され、前記目的を達成する耐熱性感光材料
が得られることを知見した。 即ち、本発明は、上記知見に基づきなされたも
ので、下記()成分100重量部に下記()成
分20〜70重量部を添加してなる、耐熱性感光材料
組成物を提供するものである。 () 成分 感光基を有する芳香族ジアミン化合物50〜95
モル%、好ましくは85〜93モル%、カルボキシ
ル基を有する芳香族ジアミン化合物5〜15モル
%、好ましくは7〜12モル%、及び感光基を有
しない芳香族ジアミン化合物0〜45モル%、好
ましくは0〜20モル%からなる芳香族ジアミン
成分と、芳香族ジカルボン酸成分とを共重縮合
して得られる共重縮合ポリアミド、又は、上記
3種の芳香族ジアミン化合物から2種組合せて
選択される芳香族ジアミン成分と芳香族ジカル
ボン酸成分とを共重縮合して得られる3種の二
元共重縮合ポリアミド、及び上記3種の芳香族
ジアミン化合物それぞれと芳香族ジカルボン酸
成分とをそれぞれ重縮合して得られる3種の単
独重合ポリアミドからなる群から選択される2
種以上のポリアミドの混合物(但し、該混合物
における芳香族ジアミン成分は、感光基を有す
る芳香族ジアミン化合物50〜95モル%、カルボ
キシル基を有する芳香族ジアミン化合物5〜15
モル%及び感光基を有しない芳香族ジアミン化
合物0〜45モル%である。) () 成分 エポキシ基の15〜50%がアクリル酸又はメタ
クリル酸で開環反応され、エポキシ基の85〜50
%が残存している、部分アクリレート化エポキ
シ化合物又は部分メタクリレート化エポキシ化
合物 以下に本発明の耐熱性感光材料組成物について
詳述する。 本発明の耐熱性感光材料組成物を構成する前記
()成分におけるカルボキシル基を有する芳香
族ジアミン化合物の割合が5モル%未満である
と、基板への接着性が劣り、15モル%超である
と、現像性が劣る。また、感光基を有する芳香族
ジアミン化合物の割合が50モル%未満であると、
光硬化性が劣る。 本発明の()成分であるポリアミドの製造に
用いられる芳香族ジカルボン酸成分としては、例
えば、テレフタル酸、イソフタル酸、4,4′−ジ
カルボキシ−ビフエニル、4,4′−ジカルボキシ
−ジフエニルメタン、及び4,4′−ジカルボキシ
−ジフエニルエーテル等の芳香族ジカルボン酸並
びにそれらの酸ハロゲン化物を挙げることができ
る。これらの芳香族ジカルボン酸成分のうちで
も、上記芳香族ジカルボン酸成分の酸ハロゲン化
物、特に酸塩化物が好ましい。 また、本発明の()成分であるポリアミドの
製造に用いられる芳香族ジアミン成分の一つであ
る感光基を有する芳香族ジアミン化合物として
は、例えば、3,5−ジアミノ安息香酸エチルア
クリル酸エステル、2,4−ジアミノ安息香酸エ
チルアクリル酸エステル、3,5−ジアミノ安息
香酸エチルメタクリル酸エステル、2,4−ジア
ミノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル、3,
5−ジアミノ安息香酸グリシジルアクリレートエ
ステル、2,4−ジアミノ安息香酸グリシジルア
クリレートエステル、3,5−ジアミノ安息香酸
グリシジルメタクリレートエステル、2,4−ジ
アミノ安息香酸グリシジルメタクリレートエステ
ル、3,5−ジアミノ安息香酸ケイ皮エステル、
2,4−ジアミノ安息香酸ケイ皮エステル等の安
息香酸エステル類;3,5−ジアミノベンジルア
クリレート、3,5−ジアミノベンジルメタクリ
レート等のベンジルメタクリレート類;4−アク
リルアミド−3−4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル、2−アクリルアミド−3,4′−ジアミノジフ
エニルエーテル、4−シンナムアミド−3,4′−
ジアミノジフエニルエーテル、3,4′−ジアクリ
ルアミド−3′,4−ジアミノジフエニルエーテ
ル、3,4′−ジシンナムアミド−3′,4−ジアミ
ノジフエニルエーテル、4−メチル−2′−(2−
メタクリロイルオキシカルボニル)−3,4′−ジ
アミノジフエニルエーテル、4−メチル−2′−
(2−アクリロイルオキシカルボニル)−3,4′−
ジアミノジフエニルエーテル等のジフエニルエー
テル類;及び4,4′−ジアミノカルコン、3,
3′−ジアミノカルコン、3,4′−ジアミノカルコ
ン、3′,4−ジアミノカルコン、4′−メチル−3′,
4−ジアミノカルコン、4′−メトキシ−3′,4−
ジアミノカルコン、3′−メチル−3,5−ジアミ
ノカルコン等のカルコン類等を挙げることができ
る。 また、本発明の()成分であるポリアミドの
製造に用いられる芳香族ジアミン成分の一つであ
るカルボキシル基を有する芳香族ジアミン化合物
としては、例えば、3,5−ジアミノ安息香酸、
2,4−ジアミノ安息香酸等が挙げられる。 また、本発明の()成分であるポリアミドの
製造に必要に応じ用いられる芳香族ジアミン成分
の一つである感光基を有しない芳香族ジアミン化
合物としては、例えば、パラフエニレンジアミ
ン、メタフエニレンジアミン、2,4−ジアミノ
トルエン、4,4′−ジアミンジフエニルエーテ
ル、4,4′−ジアミノジフエニルメタン、o−ト
リジン、1,4−ビス(4−アミノフエノキシ)
ベンゼン、2,2′−ビス(4−アミノフエノキシ
フエニル)プロパン、o−トリジンスルホン等の
ジアミン化合物、及び9,9−ビス(4−アミノ
フエニル)−10−アンスロン、1,5−ジアミノ
アントラキノン、1,4−ジアミノアントラキノ
ン、3,3′−ジアミノベンゾフエノン、4′−N,
N−ジメチルアミノ−3,5−ジアミノベンゾフ
エノン、1−ジメチルアミノ−4−(3,5−ジ
アミノベンゾイル)−ナフタレン等のケトン基を
有するジアミン化合物を挙げることができる。 従つて、本発明の()成分であるポリアミド
としては、例えば次の一般式で示される化合物が
挙げられる。 本発明の()成分であるポリアミドは、ポリ
アミド0.5g/N−メチル−2−ピロリドン100ml
の濃度の溶液として30℃において測定した対数粘
度が0.2〜4.0、特に0.4〜2.0の範囲内にあるもの
が好ましい。 本発明の()成分であるポリアミドは、略等
モルの前記芳香族ジカルボン酸成分と前記芳香族
ジアミン酸成分とを有機溶媒中で100℃以下、好
ましくは80℃以下の反応温度下に好ましくは0.1
〜48時間重縮合又は共重縮合して得られる。 上記重合反応における有機溶媒としては、例え
ば、N,N−ジメチルスルホキシド、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−
ジエチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリ
ドン、ヘキサメチレンホスホアミド等が用いられ
る。 また、本発明の()成分である前記部分アク
リレート化エポキシ化合物又は前記部分メタクリ
レート化エポキシ化合物において、(メタ)アク
リル酸で開環反応されたエポキシ基の割合は、エ
ポキシ基全体に対し15〜50%、好ましくは25〜40
%で、(メタ)アクリル酸で開環反応されたエポ
キシ基の割合が15%未満(即ち、残存するエポキ
シ基が85%超)であると、耐熱性が劣り、50%超
(即ち、残存するエポキシ基が50%未満)である
と、基板への接着性が劣る。 また、本発明の()成分である前記部分アク
リレート化エポキシ化合物又は前記部分メタクリ
レート化エポキシ化合物はエポキシ当量(g/
mol−エポキシ)が400〜1000、特に600〜800の
ものが好ましい。 上記()成分の具体例としては、例えば、フ
エノールノボラツク樹脂のエポキシ化物のエポキ
シ基を(メタ)アクリル酸で上記の割合に開環反
応させたもの、ビスフエノール系エポキシ樹脂の
エポキシ基を(メタ)アクリル酸で上記の割合に
開環反応させたもの等が好適なものとして挙げら
れる。 而して、本発明の感光材料組成物は、前記
()成分100重量部に前記()成分20〜70重量
部、好ましくは30〜60重量部を添加することによ
つて得られる。 前記()成分の添加量が20重量部未満である
と、表面硬度が小さく、又基板への接着性が劣
り、70重量部超であると、耐熱性が劣る。 本発明の感光材料組成物は、有機溶媒可溶性で
あり、絶縁保護膜の形成材料等として使用する場
合、有機溶媒に5〜45重量%、好ましくは5〜30
重量%の割合で溶解した溶液(感光性樹脂液)と
して用いられる。この有機溶媒としては、N,N
−ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホル
ムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルア
セトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ヘキ
サメチレンホスホアミド、ジグライム、γ−ブチ
ロラクトン等を挙げることができる。 上記感光性樹脂液は、常温での回転粘度が50〜
1000ポイズ、特に100〜800ポイズ程度にすること
が好ましい。 上記感光性樹脂液には、必要に応じ、エチレン
性不飽和基を有する光により重合可能な化合物を
前記()成分100重量部に対して5〜40重量部
程度添加させることができる。かかる化合物とし
ては、エチレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリ
レート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)
アクリレート、N,N′−メチレンビス(メタ)
アクリレート、ジエチルアミノエチル(メタ)ア
クリレート、1,3,5−トリアクリロイルヘキ
サヒドロ−S−トリアジン、トリス(ヒドロキシ
エチルアクリロイル)イソシアヌレート等を挙げ
ることができる。 また、上記感光性樹脂液には、必要に応じ、増
感剤及び光重合開始剤を前記()成分100重量
部に対して0.1〜10重量部程度添加させることが
できる。かかる増感剤及び光重合開始剤として
は、ミヒラーズケトン、ベンゾイン、ベンゾイン
メチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベ
ンゾインイソプロピルエーテル、2−t−ブチル
アントラキノン、1,2−ベンゾ−9,10−アン
トラキノン、4,4′−ビス(ジエチルアミノ)ベ
ンゾフエノン、アセトフエノン、ベンゾフエノ
ン、チオキサントン、ジエチルチオキサントン、
1,5−アセナフテン、ベンジル、N,N−ジメ
チルアミノ安息香酸エチル等を挙げることができ
る。 また、上記感光性樹脂液には、必要に応じ、熱
重合防止剤を前記()成分100重量部に対して
0.1〜5重量部程度添加させることができる。か
かる熱重合防止剤としては、p−メトキシフエノ
ール、ハイドロキノン、2,6−ジ−t−ブチル
−4−メチルフエノール(BHT)、メチルエーテ
ルハイドロキノン、ベンゾエート、ベンゾキノ
ン、4−ヒドロキシメチル−2,6−ジ−t−ブ
チルフエノール等を挙げることができる。 この他、上記感光性樹脂液には、必要に応じ、
シリカ、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、硫
酸ナトリウム、タルク、マイカ等の無機充填剤や
フタロシアニングリーン等の着色剤等を添加させ
ることもできる。 本発明の感光材料組成物によれば、上記の如く
感光性樹脂液を調製することにより例えば次のよ
うにして絶縁保護膜を形成することができる。 即ち、先ず、上記の感光性樹脂液を基板に塗布
し、これを乾燥して有機溶媒を除去する。基板へ
の塗布は、例えばスプレー、浸漬、スピンコー
ト、ロールコート、カーテンコート等の方法によ
り行うことができる。また、塗布膜の乾燥は、熱
風乾燥、遠赤外線乾燥等の方法により、120℃以
下、好ましくは100℃以下で行う。この際減圧は
してもしなくてもよい。 乾燥後、塗布膜にネガ型のフオトマスクチヤー
トを置き、例えば低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧
水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ等を用い
て紫外線を照射する。 次いで、これを、現像溶媒をスプレーするか現
像溶媒に浸漬する等の方法により現像し、未露光
の部分を洗い流す。上記現像溶媒としては、前記
感光性樹脂液の調製に用いられる有機溶媒として
例示したものの他に、1,1,1−トリクロルエ
タン等の有機溶媒、及びこれらの有機溶媒とメタ
ノール、エタノールとの混合系を用いることもで
きる。また、上記現像は、15〜35℃の温度下に超
音波を作用させながら行うことが好ましい。 次いで、熱風加熱炉、遠赤外線加熱装置等を用
いて好ましくは120〜180℃下に10〜60分間熱処理
し、絶縁保護膜を得る。 〔実施例〕 以下に本発明で用いられる()成分及び
()成分の合成例、本発明の耐熱性感光材料組
成物により絶縁保護膜を形成する場合の実施例、
本発明の耐熱性感光材料組成物の物性をみるため
の試験例、並びに比較例を挙げて本発明を更に詳
細に説明する。 合成例 1 3,5−ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸
エステルとテレフタル酸ジクロライドとの反応
によるポリアミドの合成 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を
置換した後、塩化リチウム3gと3,5−ジアミ
ノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル31.714g
を入れ、これにN−メチル−2−ピロリドン
(NMP)240mlを加え溶解した。溶解後、2℃に
冷却し撹拌しながらテレフタル酸ジクロライド
24.364gを加えた、この時発熱があり、溶液の温
度が32℃まで上昇した。これを30分間氷水中で撹
拌した後、室温で1時間撹拌をつづけ反応させ
た。次いで、反応溶液にNMP300mlを加え希釈
した。 更に、反応溶液に、メタクリル酸クロライド
25.8gをNMP30mlに溶解した溶液を30分間で滴
下して加えた。この時発熱があり、溶液の温度が
35℃まで上昇した。 反応後、反応溶液をメタノール6と水6の
混合液に加えポリアミドを析出させた。析出物を
濾集し乾燥し、白色のポリアミド粉末(ηioh1.20)
51gを得た。 合成例 2 3,5−ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸
エステル及び3,5−ジアミノ安息香酸とテレ
フタル酸ジクロライドとの反応によるポリアミ
ドの合成 四口フラスコに乾燥空気を通じてフラスコ内を
置換した後、3,5−ジアミノ安息香酸エチルメ
タクリル酸エステル20.003g及び3,5−ジアミ
ノ安息香酸3.803gを入れ、これにNMP192mlを
加え溶解した。溶解後、ドラーエタノール冷媒で
−10℃まで冷却した。これにテレフタル酸ジクロ
ライド20.442gを徐々に加えた。この時溶媒の温
度を約0℃に保つた。テレフタル酸ジクロライド
が溶解したら、これを氷水冷却で1時間撹拌放置
した。次いで、反応溶液にNMP192mlを加え希
釈した。 然る後、ジユーサーミキサーにエタノール/水
(1:1)800mlを入れ、そこに反応溶液を流し込
み、析出、粉砕を行つた。濾過後、得られたポリ
マーを、新たにジユーサーミキサーに入れたエタ
ノール/水(1:1)800ml中に入れ、洗浄した。
この操作を2回繰り返した後、エタノール800ml
でポリマーを洗浄し、濾過、乾燥し、ポリアミド
粉末(ηioh1.11)33gを得た。 合成例 3及び4 下表に示す芳香族ジアミン成分及び芳香族ジカ
ルボン酸成分をそれぞれ用いた以外は合成例2と
同様にしてポリアミド粉末をそれぞれ得た。
光基を有するポリアミド、又は高分子鎖中にカル
ボキシル基を有するポリアミド及び高分子鎖中に
感光基を有するポリアミドの混合物と、エポキシ
基の一部を(メタ)アクリル酸で開環反応させた
部分(メタ)アクリレート化エポキシ化合物とを
主成分とする感光材料組成物に関するもので、本
発明の感光材料組成物は、耐熱性及び接着性に優
れていると共に機械的性質、電気的性質及び化学
的性質(耐薬品性)にも優れ、しかも高感度であ
り、ドライエツチング用レジスト、リフトオフ用
レジスト、多層化用絶縁膜、イメージセンサー用
保護膜等の形成材料、ソルダーレジスト、メツキ
レジスト等として好適なものである。 〔従来の技術〕 半導体集積回路のIC、LSI、VLSIと高集積化
が進むに合わせ、回路形成用の絶縁膜や素子を搭
載するプリント基板に高密度化が要請されること
により、フオトリソグラフイーの可能な耐熱性材
料が求められている。 従来、感光基を有する耐熱性材料としてポリイ
ミド、ポリアミドイミドが提案されている(特開
昭49−115541号公報、特開昭54−116216号公報、
特開昭54−116217号公報、特開昭56−45915号公
報及び特開昭54−89623号公報参照)。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述の従来提案されている耐熱性材料は、紫外
線の透過が悪いために10μm以上の膜厚のものが
得られない等、厚膜絶縁膜の形成材料としては適
していない。 そこで、本出願人は、光透過性の良い耐熱性感
光材料として、感光基を有する芳香族ポリアミド
を種々提案した(特願昭58−115432号、特願昭58
−234026号、特願昭59−35769号、特願昭59−
127554号及び特願昭59−158761号等)。 しかし、これらの芳香族ポリアミドは、耐熱性
及び光硬化性は優れているが、接着性に関しては
改良の余地がある。 従つて、本発明の目的は、接着性に優れた、高
感度の耐熱性感光材料を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、鋭意研究した結果、ベースポリ
マーとして感光基を有するポリアミドを用い、こ
れにエポキシ基の一部をアクリル酸で開環反応さ
せた部分アクリレート化エポキシ化合物をブレン
ドし、更に架橋剤としてカルボキシル基を有する
ポリアミドを添加することにより、ポリアミドの
もつ耐熱性とエポキシ化合物のもつ接着性が充分
に発揮され、前記目的を達成する耐熱性感光材料
が得られることを知見した。 即ち、本発明は、上記知見に基づきなされたも
ので、下記()成分100重量部に下記()成
分20〜70重量部を添加してなる、耐熱性感光材料
組成物を提供するものである。 () 成分 感光基を有する芳香族ジアミン化合物50〜95
モル%、好ましくは85〜93モル%、カルボキシ
ル基を有する芳香族ジアミン化合物5〜15モル
%、好ましくは7〜12モル%、及び感光基を有
しない芳香族ジアミン化合物0〜45モル%、好
ましくは0〜20モル%からなる芳香族ジアミン
成分と、芳香族ジカルボン酸成分とを共重縮合
して得られる共重縮合ポリアミド、又は、上記
3種の芳香族ジアミン化合物から2種組合せて
選択される芳香族ジアミン成分と芳香族ジカル
ボン酸成分とを共重縮合して得られる3種の二
元共重縮合ポリアミド、及び上記3種の芳香族
ジアミン化合物それぞれと芳香族ジカルボン酸
成分とをそれぞれ重縮合して得られる3種の単
独重合ポリアミドからなる群から選択される2
種以上のポリアミドの混合物(但し、該混合物
における芳香族ジアミン成分は、感光基を有す
る芳香族ジアミン化合物50〜95モル%、カルボ
キシル基を有する芳香族ジアミン化合物5〜15
モル%及び感光基を有しない芳香族ジアミン化
合物0〜45モル%である。) () 成分 エポキシ基の15〜50%がアクリル酸又はメタ
クリル酸で開環反応され、エポキシ基の85〜50
%が残存している、部分アクリレート化エポキ
シ化合物又は部分メタクリレート化エポキシ化
合物 以下に本発明の耐熱性感光材料組成物について
詳述する。 本発明の耐熱性感光材料組成物を構成する前記
()成分におけるカルボキシル基を有する芳香
族ジアミン化合物の割合が5モル%未満である
と、基板への接着性が劣り、15モル%超である
と、現像性が劣る。また、感光基を有する芳香族
ジアミン化合物の割合が50モル%未満であると、
光硬化性が劣る。 本発明の()成分であるポリアミドの製造に
用いられる芳香族ジカルボン酸成分としては、例
えば、テレフタル酸、イソフタル酸、4,4′−ジ
カルボキシ−ビフエニル、4,4′−ジカルボキシ
−ジフエニルメタン、及び4,4′−ジカルボキシ
−ジフエニルエーテル等の芳香族ジカルボン酸並
びにそれらの酸ハロゲン化物を挙げることができ
る。これらの芳香族ジカルボン酸成分のうちで
も、上記芳香族ジカルボン酸成分の酸ハロゲン化
物、特に酸塩化物が好ましい。 また、本発明の()成分であるポリアミドの
製造に用いられる芳香族ジアミン成分の一つであ
る感光基を有する芳香族ジアミン化合物として
は、例えば、3,5−ジアミノ安息香酸エチルア
クリル酸エステル、2,4−ジアミノ安息香酸エ
チルアクリル酸エステル、3,5−ジアミノ安息
香酸エチルメタクリル酸エステル、2,4−ジア
ミノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル、3,
5−ジアミノ安息香酸グリシジルアクリレートエ
ステル、2,4−ジアミノ安息香酸グリシジルア
クリレートエステル、3,5−ジアミノ安息香酸
グリシジルメタクリレートエステル、2,4−ジ
アミノ安息香酸グリシジルメタクリレートエステ
ル、3,5−ジアミノ安息香酸ケイ皮エステル、
2,4−ジアミノ安息香酸ケイ皮エステル等の安
息香酸エステル類;3,5−ジアミノベンジルア
クリレート、3,5−ジアミノベンジルメタクリ
レート等のベンジルメタクリレート類;4−アク
リルアミド−3−4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル、2−アクリルアミド−3,4′−ジアミノジフ
エニルエーテル、4−シンナムアミド−3,4′−
ジアミノジフエニルエーテル、3,4′−ジアクリ
ルアミド−3′,4−ジアミノジフエニルエーテ
ル、3,4′−ジシンナムアミド−3′,4−ジアミ
ノジフエニルエーテル、4−メチル−2′−(2−
メタクリロイルオキシカルボニル)−3,4′−ジ
アミノジフエニルエーテル、4−メチル−2′−
(2−アクリロイルオキシカルボニル)−3,4′−
ジアミノジフエニルエーテル等のジフエニルエー
テル類;及び4,4′−ジアミノカルコン、3,
3′−ジアミノカルコン、3,4′−ジアミノカルコ
ン、3′,4−ジアミノカルコン、4′−メチル−3′,
4−ジアミノカルコン、4′−メトキシ−3′,4−
ジアミノカルコン、3′−メチル−3,5−ジアミ
ノカルコン等のカルコン類等を挙げることができ
る。 また、本発明の()成分であるポリアミドの
製造に用いられる芳香族ジアミン成分の一つであ
るカルボキシル基を有する芳香族ジアミン化合物
としては、例えば、3,5−ジアミノ安息香酸、
2,4−ジアミノ安息香酸等が挙げられる。 また、本発明の()成分であるポリアミドの
製造に必要に応じ用いられる芳香族ジアミン成分
の一つである感光基を有しない芳香族ジアミン化
合物としては、例えば、パラフエニレンジアミ
ン、メタフエニレンジアミン、2,4−ジアミノ
トルエン、4,4′−ジアミンジフエニルエーテ
ル、4,4′−ジアミノジフエニルメタン、o−ト
リジン、1,4−ビス(4−アミノフエノキシ)
ベンゼン、2,2′−ビス(4−アミノフエノキシ
フエニル)プロパン、o−トリジンスルホン等の
ジアミン化合物、及び9,9−ビス(4−アミノ
フエニル)−10−アンスロン、1,5−ジアミノ
アントラキノン、1,4−ジアミノアントラキノ
ン、3,3′−ジアミノベンゾフエノン、4′−N,
N−ジメチルアミノ−3,5−ジアミノベンゾフ
エノン、1−ジメチルアミノ−4−(3,5−ジ
アミノベンゾイル)−ナフタレン等のケトン基を
有するジアミン化合物を挙げることができる。 従つて、本発明の()成分であるポリアミド
としては、例えば次の一般式で示される化合物が
挙げられる。 本発明の()成分であるポリアミドは、ポリ
アミド0.5g/N−メチル−2−ピロリドン100ml
の濃度の溶液として30℃において測定した対数粘
度が0.2〜4.0、特に0.4〜2.0の範囲内にあるもの
が好ましい。 本発明の()成分であるポリアミドは、略等
モルの前記芳香族ジカルボン酸成分と前記芳香族
ジアミン酸成分とを有機溶媒中で100℃以下、好
ましくは80℃以下の反応温度下に好ましくは0.1
〜48時間重縮合又は共重縮合して得られる。 上記重合反応における有機溶媒としては、例え
ば、N,N−ジメチルスルホキシド、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−
ジエチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリ
ドン、ヘキサメチレンホスホアミド等が用いられ
る。 また、本発明の()成分である前記部分アク
リレート化エポキシ化合物又は前記部分メタクリ
レート化エポキシ化合物において、(メタ)アク
リル酸で開環反応されたエポキシ基の割合は、エ
ポキシ基全体に対し15〜50%、好ましくは25〜40
%で、(メタ)アクリル酸で開環反応されたエポ
キシ基の割合が15%未満(即ち、残存するエポキ
シ基が85%超)であると、耐熱性が劣り、50%超
(即ち、残存するエポキシ基が50%未満)である
と、基板への接着性が劣る。 また、本発明の()成分である前記部分アク
リレート化エポキシ化合物又は前記部分メタクリ
レート化エポキシ化合物はエポキシ当量(g/
mol−エポキシ)が400〜1000、特に600〜800の
ものが好ましい。 上記()成分の具体例としては、例えば、フ
エノールノボラツク樹脂のエポキシ化物のエポキ
シ基を(メタ)アクリル酸で上記の割合に開環反
応させたもの、ビスフエノール系エポキシ樹脂の
エポキシ基を(メタ)アクリル酸で上記の割合に
開環反応させたもの等が好適なものとして挙げら
れる。 而して、本発明の感光材料組成物は、前記
()成分100重量部に前記()成分20〜70重量
部、好ましくは30〜60重量部を添加することによ
つて得られる。 前記()成分の添加量が20重量部未満である
と、表面硬度が小さく、又基板への接着性が劣
り、70重量部超であると、耐熱性が劣る。 本発明の感光材料組成物は、有機溶媒可溶性で
あり、絶縁保護膜の形成材料等として使用する場
合、有機溶媒に5〜45重量%、好ましくは5〜30
重量%の割合で溶解した溶液(感光性樹脂液)と
して用いられる。この有機溶媒としては、N,N
−ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホル
ムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルア
セトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ヘキ
サメチレンホスホアミド、ジグライム、γ−ブチ
ロラクトン等を挙げることができる。 上記感光性樹脂液は、常温での回転粘度が50〜
1000ポイズ、特に100〜800ポイズ程度にすること
が好ましい。 上記感光性樹脂液には、必要に応じ、エチレン
性不飽和基を有する光により重合可能な化合物を
前記()成分100重量部に対して5〜40重量部
程度添加させることができる。かかる化合物とし
ては、エチレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリ
レート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)
アクリレート、N,N′−メチレンビス(メタ)
アクリレート、ジエチルアミノエチル(メタ)ア
クリレート、1,3,5−トリアクリロイルヘキ
サヒドロ−S−トリアジン、トリス(ヒドロキシ
エチルアクリロイル)イソシアヌレート等を挙げ
ることができる。 また、上記感光性樹脂液には、必要に応じ、増
感剤及び光重合開始剤を前記()成分100重量
部に対して0.1〜10重量部程度添加させることが
できる。かかる増感剤及び光重合開始剤として
は、ミヒラーズケトン、ベンゾイン、ベンゾイン
メチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベ
ンゾインイソプロピルエーテル、2−t−ブチル
アントラキノン、1,2−ベンゾ−9,10−アン
トラキノン、4,4′−ビス(ジエチルアミノ)ベ
ンゾフエノン、アセトフエノン、ベンゾフエノ
ン、チオキサントン、ジエチルチオキサントン、
1,5−アセナフテン、ベンジル、N,N−ジメ
チルアミノ安息香酸エチル等を挙げることができ
る。 また、上記感光性樹脂液には、必要に応じ、熱
重合防止剤を前記()成分100重量部に対して
0.1〜5重量部程度添加させることができる。か
かる熱重合防止剤としては、p−メトキシフエノ
ール、ハイドロキノン、2,6−ジ−t−ブチル
−4−メチルフエノール(BHT)、メチルエーテ
ルハイドロキノン、ベンゾエート、ベンゾキノ
ン、4−ヒドロキシメチル−2,6−ジ−t−ブ
チルフエノール等を挙げることができる。 この他、上記感光性樹脂液には、必要に応じ、
シリカ、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、硫
酸ナトリウム、タルク、マイカ等の無機充填剤や
フタロシアニングリーン等の着色剤等を添加させ
ることもできる。 本発明の感光材料組成物によれば、上記の如く
感光性樹脂液を調製することにより例えば次のよ
うにして絶縁保護膜を形成することができる。 即ち、先ず、上記の感光性樹脂液を基板に塗布
し、これを乾燥して有機溶媒を除去する。基板へ
の塗布は、例えばスプレー、浸漬、スピンコー
ト、ロールコート、カーテンコート等の方法によ
り行うことができる。また、塗布膜の乾燥は、熱
風乾燥、遠赤外線乾燥等の方法により、120℃以
下、好ましくは100℃以下で行う。この際減圧は
してもしなくてもよい。 乾燥後、塗布膜にネガ型のフオトマスクチヤー
トを置き、例えば低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧
水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ等を用い
て紫外線を照射する。 次いで、これを、現像溶媒をスプレーするか現
像溶媒に浸漬する等の方法により現像し、未露光
の部分を洗い流す。上記現像溶媒としては、前記
感光性樹脂液の調製に用いられる有機溶媒として
例示したものの他に、1,1,1−トリクロルエ
タン等の有機溶媒、及びこれらの有機溶媒とメタ
ノール、エタノールとの混合系を用いることもで
きる。また、上記現像は、15〜35℃の温度下に超
音波を作用させながら行うことが好ましい。 次いで、熱風加熱炉、遠赤外線加熱装置等を用
いて好ましくは120〜180℃下に10〜60分間熱処理
し、絶縁保護膜を得る。 〔実施例〕 以下に本発明で用いられる()成分及び
()成分の合成例、本発明の耐熱性感光材料組
成物により絶縁保護膜を形成する場合の実施例、
本発明の耐熱性感光材料組成物の物性をみるため
の試験例、並びに比較例を挙げて本発明を更に詳
細に説明する。 合成例 1 3,5−ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸
エステルとテレフタル酸ジクロライドとの反応
によるポリアミドの合成 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を
置換した後、塩化リチウム3gと3,5−ジアミ
ノ安息香酸エチルメタクリル酸エステル31.714g
を入れ、これにN−メチル−2−ピロリドン
(NMP)240mlを加え溶解した。溶解後、2℃に
冷却し撹拌しながらテレフタル酸ジクロライド
24.364gを加えた、この時発熱があり、溶液の温
度が32℃まで上昇した。これを30分間氷水中で撹
拌した後、室温で1時間撹拌をつづけ反応させ
た。次いで、反応溶液にNMP300mlを加え希釈
した。 更に、反応溶液に、メタクリル酸クロライド
25.8gをNMP30mlに溶解した溶液を30分間で滴
下して加えた。この時発熱があり、溶液の温度が
35℃まで上昇した。 反応後、反応溶液をメタノール6と水6の
混合液に加えポリアミドを析出させた。析出物を
濾集し乾燥し、白色のポリアミド粉末(ηioh1.20)
51gを得た。 合成例 2 3,5−ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸
エステル及び3,5−ジアミノ安息香酸とテレ
フタル酸ジクロライドとの反応によるポリアミ
ドの合成 四口フラスコに乾燥空気を通じてフラスコ内を
置換した後、3,5−ジアミノ安息香酸エチルメ
タクリル酸エステル20.003g及び3,5−ジアミ
ノ安息香酸3.803gを入れ、これにNMP192mlを
加え溶解した。溶解後、ドラーエタノール冷媒で
−10℃まで冷却した。これにテレフタル酸ジクロ
ライド20.442gを徐々に加えた。この時溶媒の温
度を約0℃に保つた。テレフタル酸ジクロライド
が溶解したら、これを氷水冷却で1時間撹拌放置
した。次いで、反応溶液にNMP192mlを加え希
釈した。 然る後、ジユーサーミキサーにエタノール/水
(1:1)800mlを入れ、そこに反応溶液を流し込
み、析出、粉砕を行つた。濾過後、得られたポリ
マーを、新たにジユーサーミキサーに入れたエタ
ノール/水(1:1)800ml中に入れ、洗浄した。
この操作を2回繰り返した後、エタノール800ml
でポリマーを洗浄し、濾過、乾燥し、ポリアミド
粉末(ηioh1.11)33gを得た。 合成例 3及び4 下表に示す芳香族ジアミン成分及び芳香族ジカ
ルボン酸成分をそれぞれ用いた以外は合成例2と
同様にしてポリアミド粉末をそれぞれ得た。
【表】
【表】
合成例 5
クレゾールノボラツク系エポキシ化合物
(EOCN)とアクリル酸との反応による部分ア
クリレート化エポキシ化合物の合成 四口フラスコに乾燥空気を通じてフラスコ内を
置換した後、EOCN(エポキシ当量216)50g、ア
クリル酸5.839g、メチルヒドロキノン(MHQ)
0.65g、トリエチルベンジルアンモニウムクロラ
イド(TEBAC)0.42g及びNMP(未精製)60g
を入れた。油浴にフラスコを入れ、フラスコ内の
温度を90℃とし、2時間撹拌放置した。2時間
後、反応溶液を適当量取り、水酸化ナトリウム水
溶液で滴下し、アクリル酸の反応率をみたとこ
ろ、反応率93%であつた。 然る後、反応液を水1中に流し込んだ。この
時タールが析出するが、これを水の中でねり、洗
浄した。この際、水を数回とり換えた。次いで、
タール物を酢酸エチル500mlに溶解し、飽和食塩
水500mlを加え分液した。有機層を更に飽和食塩
水300mlで2回抽出した。次いで、有機層を硫酸
ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。ある程度減
圧濃縮し理論量近くになつたら、NMPをその重
量分加え、部分アクリレート化エポキシ化合物
(エポキシ基の35モル%がアクリレート化)を50
重量%NMP溶液として得た。 実施例 1 合成例1で得られた感光基含有ポリアミド、70
g、合成例2で得られたカルボキシル基含有ポリ
アミド30g、及び合成例5で得られた部分アクリ
レート化エポキシ化合物の50重量%NMP溶液
100gを混合して本発明の感光材料組成物を得
た。この組成物に、トリメチロールプロパント
リアクリレート10g、熱重合防止剤としてp−メ
トキシフエノール1g、光重合開始剤としてジエ
チルチオキサントン4gとベンジル1.5g、エチ
ル−p−ジメチルアミノ安息香酸エステル5.3g、
着色剤としてフタロシアニングリーン1.5g、及
び希釈剤としてNMP400gを混合し、粘稠性の
感光性樹脂液(粘度28000cp/25℃)を得た。 この感光性樹脂液を、メツキスルーホールを備
えたプリント基板上にドクターブレードを用いて
均一な厚さに塗布した。次いで、塗布膜を90℃の
熱風乾燥器内で30分間乾燥した。乾燥後の膜厚は
35μmであつた。次いで、塗布膜にネガ型のフオ
トマスクチヤートを置き、3kw超高圧水銀灯(オ
ーク製作所製、HMW−6N)を用いて5mW/cm2
の強さの光を60秒間照射した。 次いで、これを、超音波現像装置を用い、
NMPを現像溶媒として90W、20℃で3分間現像
処理し、未露光部を洗い流した。 次いで、乾燥後、恒温乾燥器内で150℃下に30
分間熱処理し、プリント基板上に本発明の感光材
料組成物からなる絶縁保護膜を形成した。 この絶縁保護膜の形成されたプリント基板を
260℃の半田浴に水溶性フラツクス(クロル含量
3%、サンワ化学工業製、FF581)を表面塗布後
15秒間浸漬した。半田浴からとり出した後も絶縁
保護膜と銅配線部分との接着性は良好であつた。 実施例 2及び3 下表に示す配合成分をそれぞれ混合して本発明
の感光材料組成物及びをそれぞれ得た。
(EOCN)とアクリル酸との反応による部分ア
クリレート化エポキシ化合物の合成 四口フラスコに乾燥空気を通じてフラスコ内を
置換した後、EOCN(エポキシ当量216)50g、ア
クリル酸5.839g、メチルヒドロキノン(MHQ)
0.65g、トリエチルベンジルアンモニウムクロラ
イド(TEBAC)0.42g及びNMP(未精製)60g
を入れた。油浴にフラスコを入れ、フラスコ内の
温度を90℃とし、2時間撹拌放置した。2時間
後、反応溶液を適当量取り、水酸化ナトリウム水
溶液で滴下し、アクリル酸の反応率をみたとこ
ろ、反応率93%であつた。 然る後、反応液を水1中に流し込んだ。この
時タールが析出するが、これを水の中でねり、洗
浄した。この際、水を数回とり換えた。次いで、
タール物を酢酸エチル500mlに溶解し、飽和食塩
水500mlを加え分液した。有機層を更に飽和食塩
水300mlで2回抽出した。次いで、有機層を硫酸
ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。ある程度減
圧濃縮し理論量近くになつたら、NMPをその重
量分加え、部分アクリレート化エポキシ化合物
(エポキシ基の35モル%がアクリレート化)を50
重量%NMP溶液として得た。 実施例 1 合成例1で得られた感光基含有ポリアミド、70
g、合成例2で得られたカルボキシル基含有ポリ
アミド30g、及び合成例5で得られた部分アクリ
レート化エポキシ化合物の50重量%NMP溶液
100gを混合して本発明の感光材料組成物を得
た。この組成物に、トリメチロールプロパント
リアクリレート10g、熱重合防止剤としてp−メ
トキシフエノール1g、光重合開始剤としてジエ
チルチオキサントン4gとベンジル1.5g、エチ
ル−p−ジメチルアミノ安息香酸エステル5.3g、
着色剤としてフタロシアニングリーン1.5g、及
び希釈剤としてNMP400gを混合し、粘稠性の
感光性樹脂液(粘度28000cp/25℃)を得た。 この感光性樹脂液を、メツキスルーホールを備
えたプリント基板上にドクターブレードを用いて
均一な厚さに塗布した。次いで、塗布膜を90℃の
熱風乾燥器内で30分間乾燥した。乾燥後の膜厚は
35μmであつた。次いで、塗布膜にネガ型のフオ
トマスクチヤートを置き、3kw超高圧水銀灯(オ
ーク製作所製、HMW−6N)を用いて5mW/cm2
の強さの光を60秒間照射した。 次いで、これを、超音波現像装置を用い、
NMPを現像溶媒として90W、20℃で3分間現像
処理し、未露光部を洗い流した。 次いで、乾燥後、恒温乾燥器内で150℃下に30
分間熱処理し、プリント基板上に本発明の感光材
料組成物からなる絶縁保護膜を形成した。 この絶縁保護膜の形成されたプリント基板を
260℃の半田浴に水溶性フラツクス(クロル含量
3%、サンワ化学工業製、FF581)を表面塗布後
15秒間浸漬した。半田浴からとり出した後も絶縁
保護膜と銅配線部分との接着性は良好であつた。 実施例 2及び3 下表に示す配合成分をそれぞれ混合して本発明
の感光材料組成物及びをそれぞれ得た。
【表】
試験例 1
実施例1で得られた本発明の感光材料組成物
について、各種基板に対する接着性を次のように
して試験した。上記感光材料組成物を用いて実
施例1の場合と同様にして調製した感光性樹脂液
を用い、二酸化珪素基板、銅基板、アルミニウム
基板、及びセラミツク(Al2O3)基板のそれぞれ
の上に、本発明の感光材料組成物からなる絶縁
保護膜をフオトマスクチヤートを用いない以外は
実施例1の場合と同様にして形成した。これらの
絶縁保護膜をそれぞれに2mm角の碁盤目をカツタ
ーナイフで作成し、これらに接着テープ(スコツ
チテープ)で貼り付け、これらのテープを180゜方
向に50mm/分の速度で剥離し、碁盤目の剥離具合
をみた。 また、本発明の感光材料組成物について、そ
の耐熱性(熱分解5%減量温度及びTg)、機械的
性質(引張強度、伸び率及びヤング率)、電気的
性質(誘電率、誘電正接、体積抵抗率及び絶縁破
壊電圧)及び化学的性質〔耐トリクレン性(トリ
クレンに10分間浸漬)、耐酸性(10%塩酸に10分
間浸漬)及び耐アルカリ性(10%苛性ソーダに10
分間浸漬)〕をそれぞれ測定した。尚、引張強度
及び伸び率の測定は、長さ20mm×幅2mm×厚さ
10μmの大きさの試験片を作成し、この試験片を
用いて通常の引張試験機により引張速度5mm/分
で行つた。また、誘電率、誘電正接及び体積抵抗
率の測定は、JIS C−6481に準じて行い、また絶
縁破壊電圧の測定は、JIS C−2110に準じて行つ
た。 また、実施例2及び3で得られた本発明の感光
材料組成物及びについても、本発明の感光材
料組成物の場合と同様にして上記の接着性試験
及び上記の各種の性質の測定を行つた。 上記の接着性試験の結果及び上記の各種の性質
の測定結果を下記に示す。これらの結果から明ら
かな如く、本発明の感光材料組成物〜は、絶
縁保護膜の形成材料として優れた性質を備えてい
る。
について、各種基板に対する接着性を次のように
して試験した。上記感光材料組成物を用いて実
施例1の場合と同様にして調製した感光性樹脂液
を用い、二酸化珪素基板、銅基板、アルミニウム
基板、及びセラミツク(Al2O3)基板のそれぞれ
の上に、本発明の感光材料組成物からなる絶縁
保護膜をフオトマスクチヤートを用いない以外は
実施例1の場合と同様にして形成した。これらの
絶縁保護膜をそれぞれに2mm角の碁盤目をカツタ
ーナイフで作成し、これらに接着テープ(スコツ
チテープ)で貼り付け、これらのテープを180゜方
向に50mm/分の速度で剥離し、碁盤目の剥離具合
をみた。 また、本発明の感光材料組成物について、そ
の耐熱性(熱分解5%減量温度及びTg)、機械的
性質(引張強度、伸び率及びヤング率)、電気的
性質(誘電率、誘電正接、体積抵抗率及び絶縁破
壊電圧)及び化学的性質〔耐トリクレン性(トリ
クレンに10分間浸漬)、耐酸性(10%塩酸に10分
間浸漬)及び耐アルカリ性(10%苛性ソーダに10
分間浸漬)〕をそれぞれ測定した。尚、引張強度
及び伸び率の測定は、長さ20mm×幅2mm×厚さ
10μmの大きさの試験片を作成し、この試験片を
用いて通常の引張試験機により引張速度5mm/分
で行つた。また、誘電率、誘電正接及び体積抵抗
率の測定は、JIS C−6481に準じて行い、また絶
縁破壊電圧の測定は、JIS C−2110に準じて行つ
た。 また、実施例2及び3で得られた本発明の感光
材料組成物及びについても、本発明の感光材
料組成物の場合と同様にして上記の接着性試験
及び上記の各種の性質の測定を行つた。 上記の接着性試験の結果及び上記の各種の性質
の測定結果を下記に示す。これらの結果から明ら
かな如く、本発明の感光材料組成物〜は、絶
縁保護膜の形成材料として優れた性質を備えてい
る。
【表】
本発明の耐熱性感光材料組成物は、各種基板へ
の接着性に優れており、機械的性質、電気的性質
及び化学的性質(耐薬品性)にも優れ、しかも高
感度であり、ドライエツチング用レジスト、リフ
トオフ用レジスト、多層化用絶縁膜、イメージセ
ンサー用保護膜等の形成材料、ソルダーレジス
ト、メツキレジスト等として好適なものである。
の接着性に優れており、機械的性質、電気的性質
及び化学的性質(耐薬品性)にも優れ、しかも高
感度であり、ドライエツチング用レジスト、リフ
トオフ用レジスト、多層化用絶縁膜、イメージセ
ンサー用保護膜等の形成材料、ソルダーレジス
ト、メツキレジスト等として好適なものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記()成分100重量部に下記()成分
20〜70重量部を添加してなる、耐熱性感光材料組
成物。 () 成分 感光基を有する芳香族ジアミン化合物50〜95
モル%、カルボキシル基を有する芳香族ジアミ
ン化合物5〜15モル%及び感光基を有しない芳
香族ジアミン化合物0〜45モル%からなる芳香
族ジアミン成分と、芳香族ジカルボン酸成分と
を共重縮合して得られる共重縮合ポリアミド、
又は、上記3種の芳香族ジアミン化合物から2
種組合せて選択される芳香族ジアミン成分と芳
香族ジカルボン酸成分とを共重縮合して得られ
る3種の二元共重縮合ポリアミド、及び上記3
種の芳香族ジアミン化合物それぞれと芳香族ジ
カルボン酸成分とをそれぞれ重縮合して得られ
る3種の単独重合ポリアミドからなる群から選
択される2種以上のポリアミドの混合物(但
し、該混合物における芳香族ジアミン成分は、
感光基を有する芳香族ジアミン化合物50〜95モ
ル%、カルボキシル基を有する芳香族ジアミン
化合物5〜15モル%及び感光基を有しない芳香
族ジアミン化合物0〜45モル%である。) () 成分 エポキシ基の15〜50%がアクリル酸又はメタ
クリル酸で開環反応され、エポキシ基の85〜50
%が残存している、部分アクリレート化エポキ
シ化合物又は部分メタクリレート化エポキシ化
合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20312385A JPS6262809A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 耐熱性感光材料組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20312385A JPS6262809A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 耐熱性感光材料組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6262809A JPS6262809A (ja) | 1987-03-19 |
JPH0365807B2 true JPH0365807B2 (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=16468783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20312385A Granted JPS6262809A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 耐熱性感光材料組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6262809A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5536775A (en) * | 1994-02-28 | 1996-07-16 | Sandoz Ltd. | Amine curable compositions |
JP4976203B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2012-07-18 | 関西ペイント株式会社 | リフトオフ用ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP20312385A patent/JPS6262809A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6262809A (ja) | 1987-03-19 |
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