JPH0365219A - 三フッ化窒素含有ガスの除害方法 - Google Patents
三フッ化窒素含有ガスの除害方法Info
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Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、三フッ化窒素含有ガスの除害方法に関するも
のである。
のである。
[従来の技術]
近年、ドライエツチング用のガスあるいはCVD原料と
して、三フッ化窒素、六フッ化タングステン、六フッ化
イオウ等の気体状の無機フッ化物が用いられている。
して、三フッ化窒素、六フッ化タングステン、六フッ化
イオウ等の気体状の無機フッ化物が用いられている。
無機フッ化物の中でも、三フッ化窒素は、以下のような
点で特に注目されている。三フッ化窒素は、NFI−F
の結合エネルギーがCFs−Fの結合エネルギーの約半
分であるため、フロン14等より少ない放電エネルギー
でプラズマ状態となり、ドライエツチング速度が増大す
るとされている。また、三フッ化窒素は1分子中に炭素
を含まないことから、ウェハー表面への炭素汚染がない
。
点で特に注目されている。三フッ化窒素は、NFI−F
の結合エネルギーがCFs−Fの結合エネルギーの約半
分であるため、フロン14等より少ない放電エネルギー
でプラズマ状態となり、ドライエツチング速度が増大す
るとされている。また、三フッ化窒素は1分子中に炭素
を含まないことから、ウェハー表面への炭素汚染がない
。
また最近では、三フッ化窒素は、CVD装置のチャンバ
ークリーニング用ガスとしても注目されており、特にメ
タルCVD装置や低温酸化膜CVD装置のチャンバー内
に堆積した、タングステン、ケイ化タングステン、酸化
ケイ素、多結晶シリコン等をプラズマウエッチングで除
去するクリーニング用ガスとして、今後需要が増大する
。ものと考えられている。
ークリーニング用ガスとしても注目されており、特にメ
タルCVD装置や低温酸化膜CVD装置のチャンバー内
に堆積した、タングステン、ケイ化タングステン、酸化
ケイ素、多結晶シリコン等をプラズマウエッチングで除
去するクリーニング用ガスとして、今後需要が増大する
。ものと考えられている。
[発明が解決しようとする課題]
三フッ化窒素は、−酸化炭素と類似した毒性を有し、T
、W、A、値(1日8時間、1週40時間労働作業環境
許容濃度)は10ppmであり、排出ガス中の残存三フ
ッ化窒素を少なくともl。
、W、A、値(1日8時間、1週40時間労働作業環境
許容濃度)は10ppmであり、排出ガス中の残存三フ
ッ化窒素を少なくともl。
pp+m以下にする必要がある。
三フッ化窒素は安定な化合物であり、100℃以下の濃
度ではほとんどの酸や塩基性水溶液と反応しないため、
従来から考えられている処理方法としては、例えば都市
ガス等の可燃性ガスと混合燃焼することにより分解処理
する方法がある。しかし、この方法では、三フッ化窒素
を完全に分解することは困難で、コスト面や運転管理面
でも最善の方法とはいえず、簡便な処理方法が望まれて
いた。
度ではほとんどの酸や塩基性水溶液と反応しないため、
従来から考えられている処理方法としては、例えば都市
ガス等の可燃性ガスと混合燃焼することにより分解処理
する方法がある。しかし、この方法では、三フッ化窒素
を完全に分解することは困難で、コスト面や運転管理面
でも最善の方法とはいえず、簡便な処理方法が望まれて
いた。
他に、三フッ化窒素の処理方法については、三フッ化窒
素をSi、 B、 W、 Mo、 V、 Se、 Te
、 Geまたはこれらの非酸化物系化合物と反応させる
方法(特公昭63−48570 ) 、炭素と反応させ
る方法(特開昭62−237929)等が報告されてい
る。これらの方法は、反応条件を整えるのが難しく処理
効率を高めることが困難である。また、反応の副生成物
こして、COF2等の毒性物質が発生する可能性があっ
た。
素をSi、 B、 W、 Mo、 V、 Se、 Te
、 Geまたはこれらの非酸化物系化合物と反応させる
方法(特公昭63−48570 ) 、炭素と反応させ
る方法(特開昭62−237929)等が報告されてい
る。これらの方法は、反応条件を整えるのが難しく処理
効率を高めることが困難である。また、反応の副生成物
こして、COF2等の毒性物質が発生する可能性があっ
た。
[課題を解決するための手段]
本発明は、前述の問題点を排除して、効率よく簡便かつ
安全に、三フッ化窒素を含有する気体を処理し、大気汚
染または作業環境上問題のないよう無害化する処理方法
の提供を目的としている。
安全に、三フッ化窒素を含有する気体を処理し、大気汚
染または作業環境上問題のないよう無害化する処理方法
の提供を目的としている。
すなわち、本発明の要旨は、三フッ化窒素を含有する気
体と塩化水素とを混合し、三フッ化窒素を塩化水素と反
応させて分解する三フッ化窒素含有ガスの除害方法にあ
る。
体と塩化水素とを混合し、三フッ化窒素を塩化水素と反
応させて分解する三フッ化窒素含有ガスの除害方法にあ
る。
三フッ化窒素を塩化水素と反応させる温度は100℃以
上であることが好ましい、100℃未満の温度では、反
応が十分進まないおそれがあるので好ましくない。温度
が高くなるほど反応の進行には有利であるが、温度が高
くなるほど装置が複雑になり取り扱いも面倒になるので
、反応は1000℃以下で行うのが好ましい。特に好ま
しい温度は、300〜500℃である。
上であることが好ましい、100℃未満の温度では、反
応が十分進まないおそれがあるので好ましくない。温度
が高くなるほど反応の進行には有利であるが、温度が高
くなるほど装置が複雑になり取り扱いも面倒になるので
、反応は1000℃以下で行うのが好ましい。特に好ま
しい温度は、300〜500℃である。
本発明において、具体的には次のような方法で、三フッ
化窒素を塩化水素と反応させるのが好ましい、まず三フ
ッ化窒素を含有する気体に気相状の塩化水素を混合する
。この塩化水素は100%のものでも良く、水や他の不
活性ガス等を含むものでも良い。しかるのちにこの混合
気体を反応器に導いて、気相で反応させる。三フッ化窒
素と塩化水素は、反応器内で混合しても差し支えない。
化窒素を塩化水素と反応させるのが好ましい、まず三フ
ッ化窒素を含有する気体に気相状の塩化水素を混合する
。この塩化水素は100%のものでも良く、水や他の不
活性ガス等を含むものでも良い。しかるのちにこの混合
気体を反応器に導いて、気相で反応させる。三フッ化窒
素と塩化水素は、反応器内で混合しても差し支えない。
反応器は、特に限定されず、例えば円筒状の反応容器の
周りに加熱装置を設けたものが好ましく用いられる。こ
の反応容器内における混合気体の滞留時間は、10〜6
0秒が好ましい。滞留時間が、10秒に満たない場合は
、反応が十分に進行しないおそれがあり、逆に60秒を
超える場合は、いたずらに反応装置が大型になるおそれ
があるので、それぞれ好ましくない。
周りに加熱装置を設けたものが好ましく用いられる。こ
の反応容器内における混合気体の滞留時間は、10〜6
0秒が好ましい。滞留時間が、10秒に満たない場合は
、反応が十分に進行しないおそれがあり、逆に60秒を
超える場合は、いたずらに反応装置が大型になるおそれ
があるので、それぞれ好ましくない。
三フッ化窒素は以下の式に従って塩化水素と反応すると
考えられる。
考えられる。
2NF、 + 6)ICI→ N* + 3(:L +
6HF上記の生成物は、公知の処理方法、例えばアルカ
リ洗浄等で容易に除去することができる。また、これら
の生成物は、いずれも気体ないし液体であるので、反応
装置を閉塞するなどの問題がない。
6HF上記の生成物は、公知の処理方法、例えばアルカ
リ洗浄等で容易に除去することができる。また、これら
の生成物は、いずれも気体ないし液体であるので、反応
装置を閉塞するなどの問題がない。
三フッ化窒素を含む気体と混合する塩化水素の量は、上
記の反応式において、三フッ化窒素に対して塩化水素が
過剰であることが好ましい、未反応の過剰な塩化水素は
、アルカリ洗浄等で反応生成物と同様に、容易に除去す
ることができる。
記の反応式において、三フッ化窒素に対して塩化水素が
過剰であることが好ましい、未反応の過剰な塩化水素は
、アルカリ洗浄等で反応生成物と同様に、容易に除去す
ることができる。
本発明方法においては、三フッ化窒素を含有する気体と
しては、三フッ化窒素100%の気体でも、他の気体が
含まれるものでも良い、共存する気体は限定されるもの
ではなく、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス、
あるいは他のドライエツチングガス(フロン類、塩化物
等)または酸素、塩素、フッ化水素等いずれも共存して
差し支えない。
しては、三フッ化窒素100%の気体でも、他の気体が
含まれるものでも良い、共存する気体は限定されるもの
ではなく、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス、
あるいは他のドライエツチングガス(フロン類、塩化物
等)または酸素、塩素、フッ化水素等いずれも共存して
差し支えない。
[実施例]
モノシランと六フッ化タングステンの混合ガスにより、
シリコンウェハー上に、ケイ化タングステン膜を生成さ
せる操作を行った後のCVD装置内に、三フッ化窒素(
純度99.9%以上)を200mI2/分の流量で導入
し、CVD装置のチャンバー内壁に堆積したケイ化タン
グステンを、プラズマエツチングで除去した。この時チ
ャンバーから排出される排ガスは、三フッ化窒素を約2
%含むものであった。
シリコンウェハー上に、ケイ化タングステン膜を生成さ
せる操作を行った後のCVD装置内に、三フッ化窒素(
純度99.9%以上)を200mI2/分の流量で導入
し、CVD装置のチャンバー内壁に堆積したケイ化タン
グステンを、プラズマエツチングで除去した。この時チ
ャンバーから排出される排ガスは、三フッ化窒素を約2
%含むものであった。
この排ガス20001β/分に100%塩化水素ガス5
0+nI2/分を混合して、内径27mm、長さ300
mmの反応管を通過させた。反応管は外部ヒーターで5
00℃に保持した。反応管を通過した後の排ガス中の三
フッ化窒素の濃度は、ガスクロマトグラフ分析した結果
、検出限界(ippm)以下であった。そして1、この
値は、30分間連続して排ガスを通過させても変わらな
かった。
0+nI2/分を混合して、内径27mm、長さ300
mmの反応管を通過させた。反応管は外部ヒーターで5
00℃に保持した。反応管を通過した後の排ガス中の三
フッ化窒素の濃度は、ガスクロマトグラフ分析した結果
、検出限界(ippm)以下であった。そして1、この
値は、30分間連続して排ガスを通過させても変わらな
かった。
[発明の効果]
本発明方法により、三フッ化窒素を含有する気体を効率
よく簡便に処理して、三フッ化窒素を除害することがで
きる。さらに本発明方法は、爆発性あるいは毒性等を有
するガスの創製もなく安全に実施することができる。
よく簡便に処理して、三フッ化窒素を除害することがで
きる。さらに本発明方法は、爆発性あるいは毒性等を有
するガスの創製もなく安全に実施することができる。
Claims (2)
- (1)三フッ化窒素を含有する気体と塩化水素とを混合
し、三フッ化窒素を塩化水素と反応させて分解する三フ
ッ化窒素含有ガスの除害方法。 - (2)三フッ化窒素と塩化水素を100℃以上の温度に
おいて気相で反応させる請求項1の除害方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1201404A JPH0365219A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 三フッ化窒素含有ガスの除害方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1201404A JPH0365219A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 三フッ化窒素含有ガスの除害方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0365219A true JPH0365219A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16440528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1201404A Pending JPH0365219A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 三フッ化窒素含有ガスの除害方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0365219A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113893663A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-01-07 | 中船重工(邯郸)派瑞特种气体有限公司 | 一种三氟化氮生产排污设备及工艺方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010143577A (ja) * | 2009-12-25 | 2010-07-01 | Fujitsu Ten Ltd | 運転支援装置 |
WO2011039822A1 (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-07 | 三菱電機株式会社 | 駐車支援装置 |
JP2012096771A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Denso Corp | 車両端部周辺画像表示装置 |
JP2012217000A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Fujitsu Ten Ltd | 画像表示システム、画像生成装置及び画像生成方法 |
JP2014011630A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | ナビゲーション装置およびガイド線作成方法 |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP1201404A patent/JPH0365219A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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