JPH02303521A - 無機フッ化物含有ガス除害方法 - Google Patents

無機フッ化物含有ガス除害方法

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JPH02303521A
JPH02303521A JP1121565A JP12156589A JPH02303521A JP H02303521 A JPH02303521 A JP H02303521A JP 1121565 A JP1121565 A JP 1121565A JP 12156589 A JP12156589 A JP 12156589A JP H02303521 A JPH02303521 A JP H02303521A
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JP
Japan
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gas
inorganic fluoride
fluorides
hydrogen
inorg
Prior art date
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Pending
Application number
JP1121565A
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English (en)
Inventor
Toshio Matsuzaki
松崎 敏雄
Masao Naito
雅夫 内藤
Yoichi Yoshida
陽一 吉田
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
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Publication of JPH02303521A publication Critical patent/JPH02303521A/ja
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02CCAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
    • Y02C20/00Capture or disposal of greenhouse gases
    • Y02C20/30Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]

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  • Treating Waste Gases (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ドライエツチング排ガスのような無機フッ化
物含有ガスを処理して無害化する方法に関するものであ
る。
[従来の技術] 近年、ドライエツチング用のガスあるいはCVD原料と
して、三フッ化窒素、六フッ化タングステン、六フッ化
イオウ等の気体状の無機フッ化物が用いられている。
無機フッ化物の中でも、三フッ化窒素は、以下のような
点で特に注目されている。三フッ化窒素は、NFa−F
の結合エネルギーがCF、−Fの結合エネルギーの約半
分であるため、フロン14等より少ない放電エネルギー
でプラズマ状態となり、ドライエツチング速度が増大す
るとされている。また、三フッ化窒素は、分子中に炭素
を含まないことから、ウェハー表面への炭素汚染がない
また最近では、三フッ化窒素は、CVD装置のチャンバ
ークリーニング用ガスとしても注目されており、特にメ
タルCVD装置や低温酸化膜CVD装置のチャンバー内
に堆積した、タングステン、ケイ化タングステン、酸化
ケイ素、多結晶シリコン等をプラズマエツチングで除去
するクリーニング用ガスとして、今後需要が増大するも
のと考えられている。
[発明が解決しようとする課題] 上記の気体状無機フッ化物は、毒性があり、何らかの処
理により、除害する必要がある。例えば、三フッ化窒素
は、−酸化炭素と類似した毒性を有し、T、W、A、値
(1日8時間、1週40時間労働作業環境許容濃度)は
loppmであり、排出ガス中の残存三フッ化窒素を少
なくとも10ppm以下にする必要がある。
三フッ化窒素は安定な化合物であり、100℃以下の温
度ではほとんどの酸や塩基性水溶液と反応しないため、
従来から考えられている処理方法としては、例えば都市
ガス等の可燃性ガスと混合燃焼することにより分解処理
する方法がある。しかし、この方法では、三フッ化窒素
を完全に分解することは困難で、コスト面や運転管理面
でも最善の方法とは言えず、簡便な処理方法が望まれて
いた。
他に、三フッ化窒素の処理方法については、三フッ化窒
素をSi、 B、 W、 Mo、 V、 Se、 Te
、 Geまたはこれらの非酸化物系化合物と反応させる
方法(特公昭63−48570 ) 、炭素と反応させ
る方法(特開昭62−237929)等が報告されてい
る。これらの方法は、いずれも反応温度が300〜60
0℃と高いため、大がかりな外部ヒーターが必要で、装
置全体が大型化し、取扱いが不便でコストが高いなど実
用上の問題点があった。
C課題を解決するための手段] 本発明は、前述の問題点を排除して、効率よく簡便かつ
安全に、気体状無機フッ化物を含有する気体を処理し、
大気汚染または作業環境上問題のないよう無害化する処
理方法の提供を目的としている。
すなわち、本発明の要旨は、無機フッ化物を含有する気
体を酸水素炎中に導入して、水素還元することにより無
機フッ化物含有ガスを除害する方法に関するものである
本発明において、無機フッ化物を含有する気体は、水素
を含むガスと混合した上、酸素と混合し、燃焼せしめて
も良(、酸素水素炎中に無機フッ化物を含有する気体を
導入しても良い。
後者の場合、無機フッ化物含有気体は、還元炎領域に導
入するのが好ましい。無機フッ化物は、この時水素によ
り還元され分解する。本発明においては、酸水素炎にて
無機フッ化物を還元しているため、都市ガスと燃焼させ
る場合に比べて、はるかに効率良く、無機フッ化物を除
去できる。都市ガスにも部分的に水素が含まれているが
、都市ガスと混合燃焼させる場合には、処理すべき気体
に比べて極めて大過剰の都市ガスが必要であり、バーナ
ーも太き(なり、装置全体も大きくなるが、水素を用い
る場合には、水素の混合量が少なくてもすむため、小さ
く簡単な装置で十分である。しかも、本発明においては
、無機フッ化物の除去効果は極めて高く実質上完全に分
解することができる。
本発明方法において、例えばNFiは、以下のように反
応するものと考えられる。
2NFs + 3Hz−N、 + 6HFNFs+ 3
Hz −NH4F+ 2HFNFx+3H*→NH4H
F、 + HFこれらの反応によって生成するフッ化水
素等は、アルカリ洗浄等の公知の技術で容易に除去する
ことが可能である。NHJFについては、冷却固化させ
た後フィルターで除去することもできる。他の無機フッ
化物の反応生成物についても、同様に公知の技術で容易
に除去できる。
本発明で用いる水素の量は、還元すべき無機フッ化物の
当量の10倍以上の過剰であることが好ましい。また、
酸素が水素に対して過剰になるように燃焼させると、未
反応の水素をなくすことができる。
本発明方法において、気体状無機フッ化物を含有する気
体としては、無機フッ化物100%の気体でも、他の気
体が含まれているものでも良い。共存する気体は限定さ
れるものではなく、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活
性ガス、あるいは他のドライエツチングガス(フロン類
、塩化物等)または酸素、塩素、フッ化水素等いずれも
共存して差し支えない。
[実施例] モノシランと六フッ化タングステンの混合ガスをCVD
装置内に導入し、プラズマ状態下でシリコンウェハー上
に、ケイ化タングステンの膜生成を行った。膜の生成を
終えた後、CVD装置内に三フッ化窒素(純度99.9
%以上)を120mj27分の流量で導入し、プラズマ
状態としてチャンバー内壁に堆積したケイ化タングステ
ンをプラズマエツチングで除去した。この間未反応の三
フッ化窒素を含む(約2%)排ガスを、120mI2/
分の流量で、水素80fflI2/分と混合し、さらに
空気520mA 7分と混合して内径5mmのステンレ
ス製のバーナーに導入して燃焼させ三フッ化窒素を分解
し除害した。燃焼後の気体中の三フッ化窒素は、ガスク
ロマトグラフの検出限界(l ppm )以下であった
。そして、この値は、30分間連続して排ガスを処理し
ても変わらなかった。
また上記バーナーは、ケイ化タングステン膜生成時にお
ける、未反応のモノシランを含むガスも同様に除害でき
ることがわかった。
[発明の効果] 本発明では、水素を用いて無機フッ化物を還元分解する
ため、小型な装置を用いて、極めて高い効率で大量の無
機フッ化物含有気体を処理することができる。
更に、実施例に示したようにCVDによる膜生成時に発
生する未反応のシランの様なものを含む気体をも、本発
明に従った装置で連続的に処理することが可能である。
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Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)無機フッ化物を含有する気体を、酸水素炎中に導
    入して、水素還元することにより無機フッ化物含有ガス
    を除害する方法。
JP1121565A 1989-05-17 1989-05-17 無機フッ化物含有ガス除害方法 Pending JPH02303521A (ja)

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ID=14814381

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JP1121565A Pending JPH02303521A (ja) 1989-05-17 1989-05-17 無機フッ化物含有ガス除害方法

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