JPH0365218A - 三フッ化窒素の除害方法 - Google Patents

三フッ化窒素の除害方法

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JPH0365218A
JPH0365218A JP1201403A JP20140389A JPH0365218A JP H0365218 A JPH0365218 A JP H0365218A JP 1201403 A JP1201403 A JP 1201403A JP 20140389 A JP20140389 A JP 20140389A JP H0365218 A JPH0365218 A JP H0365218A
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JP
Japan
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nitrogen trifluoride
gas
reaction
mixed
contg
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Pending
Application number
JP1201403A
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English (en)
Inventor
Toshio Matsuzaki
松崎 敏雄
Masao Naito
雅夫 内藤
Yoichi Yoshida
陽一 吉田
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野] 本発明は、三フッ化窒素の除害方法に関するものである
[従来の技術] 近年、ドライエツチング用のガスあるいはCVD原料と
して、三フッ化窒素、六フッ化タングステン、六フッ化
イオウ等の気体状の無機フッ化物が用いられている。
無機フッ化物の中でも、三フッ化窒素は、以下のような
点で特に注目されている。三フッ化窒素は、NFI−F
の結合エネルギーがCFs−Fの結合エネルギーの約半
分であるため、フロン14等より少ない放電エネルギー
でプラズマ状態となり、ドライエツチング速度が増大す
るとされている。また、三フッ化窒素は、分子中に炭素
を含まないことから、ウェハー表面への炭素汚染がない
また最近では、三フッ化窒素は、CVD装置のチャンバ
ークリーニング用ガスとしても注目されており、特にメ
タルCVD装置や低温酸化膜CVD装置のチャンバー内
に堆積した、タングステン、ケイ化タングステン、酸化
ケイ素、多結晶シリコン等をプラズマウエッチングで除
去するクリーニング用ガスとして、今後需要が増大する
ものと考えられている。
[発明が解決しようとする課題] 三フッ化窒素は、−酸化炭素と類似した毒性を有し、T
、W、A、値(1日8時間、1週40時間労働作業環境
許容濃度)は10ppmであり、排出ガス中の残存三フ
ッ化窒素を少なくとも10ppm以下にする必要がある
三フッ化窒素は安定な化合物であり、100℃以下の温
度ではほとんどの酸や塩基性水溶液と反応しないため、
従来から考えられている処理方法としては、例えば都市
ガス等の可燃性ガスと混合燃焼することにより分解処理
する方法がある。しかし、この方法では、三フッ化窒素
を完全に分解することは困難で、コスト面や運転管理面
でも最善の方法とはいえず、簡便な処理方法が望まれて
いた。
他に、三フッ化窒素の処理方法については、三フッ化窒
素をSt、 B、 W、 Mo、 V、 Se、 Te
、 Geまたはこれらの非酸化物系化合物と反応させる
方法(特公昭63−48570 ) 、炭素と反応させ
る方法(特開昭62−237929)等が報告されてい
る。これらの方法は、反応条件を整えるのが難しく処理
効率を高めることが困難である。また、反応の副生成物
として、C0F1等の毒性物質が発生する可能性があっ
た。
〔課題を解決するための手段] 本発明は、前述の問題点を排除して、効率よく簡便かつ
安全に、三フッ化窒素を含有する気体を処理し、大気汚
染または作業環境上問題のないよう無害化する処理方法
の提供を目的としている。
すなわち、本発明の要旨は、三フッ化窒素を含有する気
体と水蒸気とを混合し、三フッ化窒素を水と反応させて
分解する三フッ化窒素の除害方法にある。
三フッ化窒素を塩化水素と反応させる温度は300℃以
上であることが好ましい。300℃未満の温度では、反
応が十分進まないおそれがあるので好ましくない。温度
が高くなるほど反応の進行には有利であるが、温度が高
くなるほど装置が複雑になり取り扱いも面倒になるので
、反応温度は1000℃以下が好ましい。特に好ましい
温度は%300〜700℃である。
本発明において、具体的には次のような方法で、三フッ
化窒素を水と反応させるのが好ましい、まず三フッ化窒
素を含有する気体に水蒸気を混合する。この水蒸気は、
蒸気発生装置の汚染防止のため蒸留水を用いて発生させ
るのが好ましく他の不活性ガス等を含むものでも良い。
しかるのちにこの混合気体を反応器に導いて気相で反応
させる。三フッ化窒素と水蒸気は、反応器内で混合して
も差し7支えない。
反応器は、特に限定されず、例えば円筒状の反応容器の
周りに加熱装置を設けたものが好ましく用いられる。こ
の反応容器内における混合気体の滞留時間は、10〜6
0秒が好ましい、滞留時間が、10秒に満たなし)場合
は、反応が十分に進行しないおそれがあり、逆に60秒
を超える場合は、いたずらに反応装置が大型になるおそ
れがあるので、それぞれ好ましくない。
三フッ化窒素は以下の式に従って水と反応すると考えら
れる。
2NFs +  5H*0→ 2NO+ HNOs +
 9HF上記の生成物のうちHNOI、HFは、公知の
処理方法、例えばアルカリ洗浄等で容易に除去すること
ができる。NOは、01等で酸化した後同様のアルカリ
洗浄等で容易に除去することができる。
また、これらの生成物は、いずれも気体ないし液体であ
るので、反応装置を閉塞するなどの問題がない。
三フッ化窒素を含む気体と混合する水蒸気の量は、上記
の反応式において、三フッ化窒素に対して水が過剰であ
ることが好ましい。
本発明方法においては、三フッ化窒素を含有する気体と
しては、三フッ化窒素100%の気体でも、他の気体が
含まれるものでも良い、共存する気体は限定されるもの
ではなく、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス、
あるいは他のドライエツチングガス(フロン類、塩化物
等)または酸素、塩素、フッ化水素等いずれも共存して
差し支えない。
[実施例〕 モノシランと六フッ化タングステンの混合ガスにより、
シリコンウェハー上に、ケイ化タングステン膜を生成さ
せる操作を行った後のCVD装置内に、三フッ化窒素(
純度99.9%以上)を200mβ/分の流量で導入し
、CVD装置のチャンバー内壁に堆積したケイ化タング
ステンを、プラズマエツチングで除去した。この時チャ
ンバーから排出される排ガスは、三フッ化窒素を約2%
含むものであった。
この排ガス200++j27分に水蒸気50mj2/分
を混合して、内径2’1mm、長さ300mmの反応管
を通過させた。反応管は外部ヒーターで600℃に保持
した。反応管を通過した後の排ガス中の三フッ化窒素の
濃度は、ガスクロマトグラフ分析した結果、検出限界(
ippm)以下であった。そして、この値は、30分間
連続して排ガスを通過させても変わらなかった。
[発明の効果] 本発明方法により、三フッ化窒素を含有する気体を効率
よく簡便に処理して、三フッ化窒素を除害することがで
きる。さらに本発明方法は、爆発性あるいは毒性等を有
するガスの創製もなく安全に実施することができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)三フッ化窒素を含有する気体と水蒸気とを混合し
    、三フッ化窒素を水と反応させて分解する三フッ化窒素
    の除害方法。
  2. (2)三フッ化窒素と水を300℃以上の温度において
    気相で反応させる請求項1の除害方法。
JP1201403A 1989-08-04 1989-08-04 三フッ化窒素の除害方法 Pending JPH0365218A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001232152A (ja) * 1997-06-20 2001-08-28 Hitachi Ltd フッ素含有化合物の分解処理方法、触媒及び分解処理装置
US6333010B1 (en) 1996-12-31 2001-12-25 Advanced Technology Materials, Inc. Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
US6361706B1 (en) * 1999-08-13 2002-03-26 Philips Electronics North America Corp. Method for reducing the amount of perfluorocompound gas contained in exhaust emissions from plasma processing
US6423284B1 (en) 1999-10-18 2002-07-23 Advanced Technology Materials, Inc. Fluorine abatement using steam injection in oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
JP2005111433A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Kanken Techno Co Ltd フッ素化合物含有排ガスの処理方法およびその装置
JP2006289238A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Kanto Denka Kogyo Co Ltd 排ガスの処理方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6333010B1 (en) 1996-12-31 2001-12-25 Advanced Technology Materials, Inc. Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
US7214349B2 (en) 1996-12-31 2007-05-08 Applied Materials, Inc. Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
US7695700B2 (en) 1996-12-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
JP2001232152A (ja) * 1997-06-20 2001-08-28 Hitachi Ltd フッ素含有化合物の分解処理方法、触媒及び分解処理装置
US6361706B1 (en) * 1999-08-13 2002-03-26 Philips Electronics North America Corp. Method for reducing the amount of perfluorocompound gas contained in exhaust emissions from plasma processing
US6423284B1 (en) 1999-10-18 2002-07-23 Advanced Technology Materials, Inc. Fluorine abatement using steam injection in oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
JP2005111433A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Kanken Techno Co Ltd フッ素化合物含有排ガスの処理方法およびその装置
JP2006289238A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Kanto Denka Kogyo Co Ltd 排ガスの処理方法

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