JPH0710335B2 - Ｎｆ３ 排ガス処理方法および装置 - Google Patents
Ｎｆ３ 排ガス処理方法および装置Info
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- JPH0710335B2 JPH0710335B2 JP3054709A JP5470991A JPH0710335B2 JP H0710335 B2 JPH0710335 B2 JP H0710335B2 JP 3054709 A JP3054709 A JP 3054709A JP 5470991 A JP5470991 A JP 5470991A JP H0710335 B2 JPH0710335 B2 JP H0710335B2
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- gas
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体や液晶の製造な
どに伴い発生するＮＦ3 排ガスを浄化して無害化する方
法およびその装置に関するものである。
どに伴い発生するＮＦ3 排ガスを浄化して無害化する方
法およびその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＮＦ3 は半導体や液晶のＣＶＤ装置のク
リーニングに使用されているが、５０％程度は未反応の
まま排出される。
リーニングに使用されているが、５０％程度は未反応の
まま排出される。
【０００３】ＮＦ3 の除去法としては、加熱したシリコ
ン粒子と接触させて、ＮＦ3 をＳｉＦ4 に変換後、Ｓｉ
Ｆ4 を固定アルカリ剤で吸着する方法、加熱した炭素塊
状物と接触させてＣＦ4に変換する方法などの方法があ
る。
ン粒子と接触させて、ＮＦ3 をＳｉＦ4 に変換後、Ｓｉ
Ｆ4 を固定アルカリ剤で吸着する方法、加熱した炭素塊
状物と接触させてＣＦ4に変換する方法などの方法があ
る。
【０００４】これらの方法はいずれもＮＦ3 処理だけに
効果があるものであるが、次のような欠点がある。シリ
コン粒子と接触させる方法は、排ガスの酸素が含有され
るとＮＯX が生成する。炭素塊と接触させる方法はフロ
ン系のＣＦ4 が排出され、また、酸素が含有されると炭
素塊が酸素と反応して消耗する。
効果があるものであるが、次のような欠点がある。シリ
コン粒子と接触させる方法は、排ガスの酸素が含有され
るとＮＯX が生成する。炭素塊と接触させる方法はフロ
ン系のＣＦ4 が排出され、また、酸素が含有されると炭
素塊が酸素と反応して消耗する。
【０００５】また、いずれの方法もクリーニング排ガス
中の他の有害成分（ＳｉＦ4 、ＮＯX ）を処理するには
他の処理が必要で、ランニングコストが高くなる。
中の他の有害成分（ＳｉＦ4 、ＮＯX ）を処理するには
他の処理が必要で、ランニングコストが高くなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＳｉＨ4 やＴＥＯＳな
どを用いるＣＶＤ排ガス処理に効果がある加熱酸化分解
装置でＮＦ3 を用いるクリーニング排ガスも処理するこ
とにより設備費を低減することができる。ＮＦ3 を加熱
酸化分解すると、８００℃以上で分解してＦ2 とＮＯX
になり、Ｆ2 およびクリーニング排ガス中のＳｉＦ4 は
水洗で除去されるが、ＮＯX は水洗での除去率が低く、
排出されてしまう。ＮＯX が生成することおよび洗浄水
が酸性になり腐食が発生することが問題である。
どを用いるＣＶＤ排ガス処理に効果がある加熱酸化分解
装置でＮＦ3 を用いるクリーニング排ガスも処理するこ
とにより設備費を低減することができる。ＮＦ3 を加熱
酸化分解すると、８００℃以上で分解してＦ2 とＮＯX
になり、Ｆ2 およびクリーニング排ガス中のＳｉＦ4 は
水洗で除去されるが、ＮＯX は水洗での除去率が低く、
排出されてしまう。ＮＯX が生成することおよび洗浄水
が酸性になり腐食が発生することが問題である。
【０００７】本発明の目的は、ランニングコストが低廉
で、ＮＯX の除去と装置腐食を効果的に防止できるＮＦ
3 排ガス処理方法およびその装置を提供することにあ
る。
で、ＮＯX の除去と装置腐食を効果的に防止できるＮＦ
3 排ガス処理方法およびその装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記および
記載の方法および装置であり、これにより上記課題を
解決できる。 少なくともＮＦ3 を含む排ガスを加熱酸化分解する
と共に少なくともＮＦ3 の酸化分解生成物および／また
はその誘導体とＮＨ3とを反応させることを特徴とする
ＮＦ3 排ガス処理方法。 少なくともＮＦ3 を含む排ガスを加熱酸化分解する
と共に少なくともＮＦ3 の加熱酸化分解生成物および／
またはその誘導体とＮＨ3 とを反応させる反応部を有す
る加熱酸化分解装置から構成されることを特徴とするＮ
Ｆ3 排ガス処理装置。
記載の方法および装置であり、これにより上記課題を
解決できる。 少なくともＮＦ3 を含む排ガスを加熱酸化分解する
と共に少なくともＮＦ3 の酸化分解生成物および／また
はその誘導体とＮＨ3とを反応させることを特徴とする
ＮＦ3 排ガス処理方法。 少なくともＮＦ3 を含む排ガスを加熱酸化分解する
と共に少なくともＮＦ3 の加熱酸化分解生成物および／
またはその誘導体とＮＨ3 とを反応させる反応部を有す
る加熱酸化分解装置から構成されることを特徴とするＮ
Ｆ3 排ガス処理装置。
【０００９】本発明において、ＮＦ3 を含む排ガス、即
ちＮＦ3排ガス（以下、単に排ガスと言う）とは、ＮＦ
3 を含むガスならいかなるガスでもよいが、例えば、半
導体製造における少なくともＮＦ3 を含むクリーニング
ガスを使用する装置における排ガスを意味し、プロセス
ガスの排ガスに加え、装置内を該クリーニングガスにて
クリーニング処理した結果生じた種々のＮＦ3 と装置内
部に存在するクリーニングすべき物質との反応生成物を
も包含する意味である。従って、本発明においてＮＦ3
を除害処理するとは、ＮＦ3 誘導体の除害処理をも包含
する意味で使用するものとする。
ちＮＦ3排ガス（以下、単に排ガスと言う）とは、ＮＦ
3 を含むガスならいかなるガスでもよいが、例えば、半
導体製造における少なくともＮＦ3 を含むクリーニング
ガスを使用する装置における排ガスを意味し、プロセス
ガスの排ガスに加え、装置内を該クリーニングガスにて
クリーニング処理した結果生じた種々のＮＦ3 と装置内
部に存在するクリーニングすべき物質との反応生成物を
も包含する意味である。従って、本発明においてＮＦ3
を除害処理するとは、ＮＦ3 誘導体の除害処理をも包含
する意味で使用するものとする。
【００１０】本発明は、排ガスを加熱酸化分解すること
により、プロセスガス由来の排ガスに含まれる有機部分
を主として水とＣＯ2 にし、無機部分をＳｉＯ2 等の金
属酸化物微粒子とし、これを所望により水洗等により除
去すると共にＮＦ3 等をＮＯX 、ＨＦ等としてこれとＮ
Ｈ3 とを反応させてＮＦ3 を除害し清浄なガスを得るも
のである。
により、プロセスガス由来の排ガスに含まれる有機部分
を主として水とＣＯ2 にし、無機部分をＳｉＯ2 等の金
属酸化物微粒子とし、これを所望により水洗等により除
去すると共にＮＦ3 等をＮＯX 、ＨＦ等としてこれとＮ
Ｈ3 とを反応させてＮＦ3 を除害し清浄なガスを得るも
のである。
【００１１】本発明においてＮＨ3 は、ＮＦ3 の加熱酸
化分解物質あるいはその誘導体と反応するが、それ以外
に加熱酸化分解処理において生成もしくは排ガスから残
留する他の任意のＮＨ3 との反応性を有する物質、例え
ば、クリーニング排ガス中に存在するＳｉＦ4 のＨ2 Ｏ
との反応生成物等と反応できる。
化分解物質あるいはその誘導体と反応するが、それ以外
に加熱酸化分解処理において生成もしくは排ガスから残
留する他の任意のＮＨ3 との反応性を有する物質、例え
ば、クリーニング排ガス中に存在するＳｉＦ4 のＨ2 Ｏ
との反応生成物等と反応できる。
【００１２】また、ＮＨ3 ガスが過剰に使用されても、
ＮＨ3 は水洗等で除去されるために問題ない。安価なＮ
Ｈ3 ガスを使用するだけで無害化できるので、防食を施
し、かつ後段でＮＯX を処理する場合と比較して設備費
が低減できると共に従来方式よりランニングコストが低
減できる。
ＮＨ3 は水洗等で除去されるために問題ない。安価なＮ
Ｈ3 ガスを使用するだけで無害化できるので、防食を施
し、かつ後段でＮＯX を処理する場合と比較して設備費
が低減できると共に従来方式よりランニングコストが低
減できる。
【００１３】本発明における排ガスを排出する装置とし
て、典型的にはＣＶＤ装置が挙げられ、該排ガスは、Ｃ
ＶＤ処理時のプロセスガス由来のＣＶＤ排ガスおよび／
またはクリーニング時のクリーニング排ガスとから構成
される。
て、典型的にはＣＶＤ装置が挙げられ、該排ガスは、Ｃ
ＶＤ処理時のプロセスガス由来のＣＶＤ排ガスおよび／
またはクリーニング時のクリーニング排ガスとから構成
される。
【００１４】該ＣＶＤ排ガスを与えるプロセスガスを例
示すれば、無機原料としては、例えば、モノシラン、ジ
シラン、ジクロルシラン等、有機原料としては、例え
ば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＴＭＢ（トリ
メトキシボラン）等があり、これらは１種以上単独また
は組み合わせて用いられる。これらの排ガスには、これ
らの未反応物あるいはその誘導体、反応分解物、例え
ば、Ｈ2 、ＣＯ、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ等のアルコール、ＣＨ3
ＣＨＯ等のアルデヒド、Ｃ2 Ｈ4 等の炭化水素等の加熱
酸化分解性物質が含まれ、加熱酸化分解されることによ
り、主として、ＳｉＯ2 等の金属酸化物、Ｈ2 ＯとＣＯ
2 になる。ここで言う加熱酸化分解とは、分解不能のも
のの単なる酸化、例えば、水素、金属等の単体の酸化等
をも包含することは明らかである。
示すれば、無機原料としては、例えば、モノシラン、ジ
シラン、ジクロルシラン等、有機原料としては、例え
ば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＴＭＢ（トリ
メトキシボラン）等があり、これらは１種以上単独また
は組み合わせて用いられる。これらの排ガスには、これ
らの未反応物あるいはその誘導体、反応分解物、例え
ば、Ｈ2 、ＣＯ、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ等のアルコール、ＣＨ3
ＣＨＯ等のアルデヒド、Ｃ2 Ｈ4 等の炭化水素等の加熱
酸化分解性物質が含まれ、加熱酸化分解されることによ
り、主として、ＳｉＯ2 等の金属酸化物、Ｈ2 ＯとＣＯ
2 になる。ここで言う加熱酸化分解とは、分解不能のも
のの単なる酸化、例えば、水素、金属等の単体の酸化等
をも包含することは明らかである。
【００１５】該クリーニング排ガスは、少なくともＮＦ
3 とＣＶＤ装置内物質（未排気のＣＶＤ処理済物質等）
との反応物、例えば、ＳｉＦ4 、ＮＦ3 誘導体等、およ
びクリーニングガスとクリーニングガスにより物理的に
クリーニングしたＣＶＤ内物質等からなる。
3 とＣＶＤ装置内物質（未排気のＣＶＤ処理済物質等）
との反応物、例えば、ＳｉＦ4 、ＮＦ3 誘導体等、およ
びクリーニングガスとクリーニングガスにより物理的に
クリーニングしたＣＶＤ内物質等からなる。
【００１６】クリーニングガスとしては、他にＣＦ4 、
Ｃ2 Ｆ6 、ＳＦ6 、ＣｌＦ3 などが挙げられる。本発明
において、ＮＨ3 をＮＦ3 の加熱酸化分解生成物および
／またはその誘導体と反応させるための手段は特に制限
されず、任意の方法を採用でき、上記のＮＯX あるいは
ＨＦなどとＮＨ3 との反応が完遂されればよい。具体的
には、排ガスの加熱酸化分解前に事前に排ガスにＮＨ3
を添加混合し、これを反応部に放出して後加熱酸化反応
に供しても、排ガスの加熱酸化分解反応と同時もしくは
後にＮＨ3 を添加しても、あるいはこれらの併用でもよ
い。
Ｃ2 Ｆ6 、ＳＦ6 、ＣｌＦ3 などが挙げられる。本発明
において、ＮＨ3 をＮＦ3 の加熱酸化分解生成物および
／またはその誘導体と反応させるための手段は特に制限
されず、任意の方法を採用でき、上記のＮＯX あるいは
ＨＦなどとＮＨ3 との反応が完遂されればよい。具体的
には、排ガスの加熱酸化分解前に事前に排ガスにＮＨ3
を添加混合し、これを反応部に放出して後加熱酸化反応
に供しても、排ガスの加熱酸化分解反応と同時もしくは
後にＮＨ3 を添加しても、あるいはこれらの併用でもよ
い。
【００１７】この場合のＮＨ3 の添加形態は、ＮＨ3 ガ
スのみでも他の物質例えば、空気等との混合気体等でも
よい。また、ＮＨ3 の使用量は、ＮＦ3 の酸化分解生成
物および／またはその誘導体量に比例するが、通常、排
ガス含有ＮＦ3 の４倍モル以上が好ましい。
スのみでも他の物質例えば、空気等との混合気体等でも
よい。また、ＮＨ3 の使用量は、ＮＦ3 の酸化分解生成
物および／またはその誘導体量に比例するが、通常、排
ガス含有ＮＦ3 の４倍モル以上が好ましい。
【００１８】本発明における排ガス成分の加熱酸化分解
処理の反応条件、排ガスの導入条件等は、上記ＮＨ3 と
の反応を満足することが必要であるが、特に制限される
ものでなく、少なくとも酸素の共存下に排ガスに含有さ
れる加熱酸化分解性物質が加熱酸化分解されればよい。
従って、排ガスを反応部に導入する時、同時に酸素が反
応部に存在することが必要である。この酸素の存在方法
は任意であるが、該酸素は通常排ガスと共に酸素含有ガ
ス、例えば、空気等として導入することが好ましい。ま
た、加熱酸化分解の条件を調整するために任意のガスを
混在させることができる。例えば、窒素等の不活性ガス
を混在させ、該窒素ガスが排ガスを包みかつ酸素がこれ
らを包むような３層状態で加熱酸化分解装置の反応部に
導入されることが好ましく、加熱酸化分解装置にこれら
のガス導入部として同心状に管を３層構造にしたものを
配備することが好ましい。この場合、ＮＨ3 ガス導入部
に添加する場合、通常排ガスに添加されるが、他の、窒
素、あるいは空気などに添加してもよい。
処理の反応条件、排ガスの導入条件等は、上記ＮＨ3 と
の反応を満足することが必要であるが、特に制限される
ものでなく、少なくとも酸素の共存下に排ガスに含有さ
れる加熱酸化分解性物質が加熱酸化分解されればよい。
従って、排ガスを反応部に導入する時、同時に酸素が反
応部に存在することが必要である。この酸素の存在方法
は任意であるが、該酸素は通常排ガスと共に酸素含有ガ
ス、例えば、空気等として導入することが好ましい。ま
た、加熱酸化分解の条件を調整するために任意のガスを
混在させることができる。例えば、窒素等の不活性ガス
を混在させ、該窒素ガスが排ガスを包みかつ酸素がこれ
らを包むような３層状態で加熱酸化分解装置の反応部に
導入されることが好ましく、加熱酸化分解装置にこれら
のガス導入部として同心状に管を３層構造にしたものを
配備することが好ましい。この場合、ＮＨ3 ガス導入部
に添加する場合、通常排ガスに添加されるが、他の、窒
素、あるいは空気などに添加してもよい。
【００１９】また、加熱酸化分解処理における加熱手段
も任意であるが、好ましくは、電気的に温度制御可能な
ヒータ加熱方式が望ましく、通常反応部の壁内に設ける
ことができる。また、反応温度は、８００〜１０００℃
の範囲が好ましい。
も任意であるが、好ましくは、電気的に温度制御可能な
ヒータ加熱方式が望ましく、通常反応部の壁内に設ける
ことができる。また、反応温度は、８００〜１０００℃
の範囲が好ましい。
【００２０】本発明において、加熱酸化分解および／ま
たはＮＨ3 との反応処理された排ガス（以下、処理ガス
という）はその組成に応じて環境に放出するか、更に他
の任意の処理を加えることができる。
たはＮＨ3 との反応処理された排ガス（以下、処理ガス
という）はその組成に応じて環境に放出するか、更に他
の任意の処理を加えることができる。
【００２１】特に、本発明においては処理ガスを水と接
触させること、即ち、水洗処理に供することが好まし
く、これにより、該分解処理により生成したＳｉＯ2 等
の金属酸化物微粒子の巻き込みによる除去、ＳｉＦ4 、
Ｆ2 等の水溶性化合物等の可溶化による反応生成物とＮ
Ｈ3 との中和反応による除去、処理ガスの冷却等を行う
ことができる。この水洗処理の方法は任意であるが、噴
霧状に処理ガスと接触させることが好ましい。
触させること、即ち、水洗処理に供することが好まし
く、これにより、該分解処理により生成したＳｉＯ2 等
の金属酸化物微粒子の巻き込みによる除去、ＳｉＦ4 、
Ｆ2 等の水溶性化合物等の可溶化による反応生成物とＮ
Ｈ3 との中和反応による除去、処理ガスの冷却等を行う
ことができる。この水洗処理の方法は任意であるが、噴
霧状に処理ガスと接触させることが好ましい。
【００２２】該処理ガスの水洗処理手段は、本発明の加
熱酸化分解装置以外にも設置できるが、本発明における
加熱酸化分解装置に一体的に具備されていることが好ま
しく、該反応部は、上述の排ガスの加熱酸化分解のため
の気体反応部とこの後段に配備されるＮＨ3 との中和反
応ができる水洗部とから構成することが極めて好まし
い。
熱酸化分解装置以外にも設置できるが、本発明における
加熱酸化分解装置に一体的に具備されていることが好ま
しく、該反応部は、上述の排ガスの加熱酸化分解のため
の気体反応部とこの後段に配備されるＮＨ3 との中和反
応ができる水洗部とから構成することが極めて好まし
い。
【００２３】この水洗処理された処理ガスは、環境に放
出もしくは更に所望により他の任意の処理、例えば、公
知の吸着処理等を施すことができ、任意の排気手段、例
えば、排気管等を用いることができる。また、水洗排水
は排水管等の排水手段により系外に排出されるが、この
排水に更に処理を加えることができる。これら排出手段
は加熱酸化分解装置に一体的に設けることができる。
出もしくは更に所望により他の任意の処理、例えば、公
知の吸着処理等を施すことができ、任意の排気手段、例
えば、排気管等を用いることができる。また、水洗排水
は排水管等の排水手段により系外に排出されるが、この
排水に更に処理を加えることができる。これら排出手段
は加熱酸化分解装置に一体的に設けることができる。
【００２４】本発明における加熱酸化分解方式は高温下
で排ガスを酸化分解すると共にＮＨ3 と反応させるため
に短時間で処理ができるためにＣＶＤ排ガスが大量であ
ってもＮＦ3 を含めて除害効率が高く、また、加熱のた
めの電気、空気、ＮＨ3 、窒素、冷却用水（洗浄水を兼
ねる）等があれば効率よく処理できるので乾式吸着法よ
りランニングコストが低廉である。
で排ガスを酸化分解すると共にＮＨ3 と反応させるため
に短時間で処理ができるためにＣＶＤ排ガスが大量であ
ってもＮＦ3 を含めて除害効率が高く、また、加熱のた
めの電気、空気、ＮＨ3 、窒素、冷却用水（洗浄水を兼
ねる）等があれば効率よく処理できるので乾式吸着法よ
りランニングコストが低廉である。
【００２５】本発明の排ガス処理装置は、上記処理工程
が一連のものとして連続的かつ自動的に行われるように
かつ所望処理条件を適宜選定できるように制御装置を具
備することができる。この制御装置は、通常種々の検出
装置、例えば、温度、圧力、水位等のセンサーと連絡さ
れ、常に安全でしかも最適処理が行えるように構成され
る。
が一連のものとして連続的かつ自動的に行われるように
かつ所望処理条件を適宜選定できるように制御装置を具
備することができる。この制御装置は、通常種々の検出
装置、例えば、温度、圧力、水位等のセンサーと連絡さ
れ、常に安全でしかも最適処理が行えるように構成され
る。
【００２６】
【作用】加熱酸化分解装置にＮＦ3 が流入すると、酸化
分解反応によりＮＯX とＦ2 が生成する。
分解反応によりＮＯX とＦ2 が生成する。
【００２７】 ＮＦ3 ＋ Ｏ2 → ＮＯX ＋ １．５Ｆ2 （１） ＮＯX はＮＨ3 と反応してＮ2 、Ｈ2 Ｏとなり、無害化
される。 ＮＯ ＋ ＮＨ3 ＋ ０．２５Ｏ2 → Ｎ2 ＋ １．５Ｈ2 Ｏ（２） ６ＮＯ2 ＋８ＮＨ3 →７Ｎ2 ＋ １２Ｈ2 Ｏ （３） また、ＮＦ3 の加熱酸化分解成分のＦ2 はＮＨ3 がない
とＨ2 Ｏに溶解してその誘導体ＨＦを生成して酸性にな
るが、ＮＨ3 があると中和される。
される。 ＮＯ ＋ ＮＨ3 ＋ ０．２５Ｏ2 → Ｎ2 ＋ １．５Ｈ2 Ｏ（２） ６ＮＯ2 ＋８ＮＨ3 →７Ｎ2 ＋ １２Ｈ2 Ｏ （３） また、ＮＦ3 の加熱酸化分解成分のＦ2 はＮＨ3 がない
とＨ2 Ｏに溶解してその誘導体ＨＦを生成して酸性にな
るが、ＮＨ3 があると中和される。
【００２８】 Ｆ2 ＋ Ｈ2 Ｏ → ２ＨＦ ＋ ０．５Ｏ2 （４） ＨＦ ＋ ＮＨ3 → ＮＨ4 Ｆ （５） クリーニング排ガスに含まれるＳｉＦ4 も水に溶解して
酸性を示すが、ＮＨ3 で中和される。
酸性を示すが、ＮＨ3 で中和される。
【００２９】 ３ＳｉＦ4 ＋４Ｈ2 Ｏ →ＳｉＯ2 ・２Ｈ2 Ｏ＋２Ｈ2 ＳｉＦ6 （６） ２ＮＨ3 ＋ Ｈ2 ＳｉＦ6 → （ＮＨ4 ）2 ＳｉＦ6 （７） 従って、モル比でＮＦ3 の４倍以上およびＳｉＦ4 の４
／３倍のＮＨ3 がないと洗浄水は酸性になる。
／３倍のＮＨ3 がないと洗浄水は酸性になる。
【００３０】また、（１）、（２）、（３）の反応は９
００℃以上で非常に速いが、１０００℃以上になるとＮ
Ｈ3 の一部が酸化されてしまうため、９００℃以上１０
００℃以下で処理するのが効果的である。
００℃以上で非常に速いが、１０００℃以上になるとＮ
Ｈ3 の一部が酸化されてしまうため、９００℃以上１０
００℃以下で処理するのが効果的である。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を説明するが、
本発明はこれに限定されない。本発明の具体的な排ガス
処理装置は、図１に示したように、排ガスを処理する加
熱酸化分解装置１からなる。加熱酸化分解装置１は、排
ガス導入部２、反応部３、排出部４から概略構成され
る。
本発明はこれに限定されない。本発明の具体的な排ガス
処理装置は、図１に示したように、排ガスを処理する加
熱酸化分解装置１からなる。加熱酸化分解装置１は、排
ガス導入部２、反応部３、排出部４から概略構成され
る。
【００３２】排ガス導入部２は、排ガス流入管５、窒素
流入管６および空気流入管７を同心状に構成した３層構
造であり、ＮＨ3 流入管８が排ガス流入管５に連絡され
ている。
流入管６および空気流入管７を同心状に構成した３層構
造であり、ＮＨ3 流入管８が排ガス流入管５に連絡され
ている。
【００３３】反応部３は、気相反応部９と水洗部１０か
ら構成され、気相反応部９は、ガス導入部から放出され
るこれら混合ガス中の排ガスを加熱酸化分解するための
熱源であるセラミックヒータ１１を外壁に有すると共に
熱電対１２、１３を配備し、気相反応部９の後段に水洗
部１０が配備され、冷却水１４が供給される。
ら構成され、気相反応部９は、ガス導入部から放出され
るこれら混合ガス中の排ガスを加熱酸化分解するための
熱源であるセラミックヒータ１１を外壁に有すると共に
熱電対１２、１３を配備し、気相反応部９の後段に水洗
部１０が配備され、冷却水１４が供給される。
【００３４】排出部４は、水洗排水を排出する排水管１
５、処理ガスを排気する排気管１６とから構成される。
尚、１７は流入ガス採取管、１８は流出ガス採取管であ
る。上記装置のよる本発明の排ガス処理を以下説明す
る。
５、処理ガスを排気する排気管１６とから構成される。
尚、１７は流入ガス採取管、１８は流出ガス採取管であ
る。上記装置のよる本発明の排ガス処理を以下説明す
る。
【００３５】排ガス流入管５内のＮＦ3 を含有する排ガ
スはＮＨ3 流入管からＮＨ3 ガスを添加されて、窒素流
入管６からの窒素、空気流入管７からの空気と共に気相
反応部９に放出され、排ガス中の加熱酸化分解性物質は
加熱酸化分解され、特にＮＦ3 からのＮＯX はＮＨ3 と
反応し、窒素と水に無害化され、残部のＳｉＯ2 等の微
粒子、ＮＨ3 、Ｆ2 、ＳｉＦ4 等は、反応部３後段の水
洗部１０からの冷却水により、固体にあっては巻き込み
による物理的除去、水反応性気体にあっては溶解、ＮＨ
3 と反応、中和され、排水管１５より排出される。ま
た、無害化された処理ガスは排気管１６から排出され
る。
スはＮＨ3 流入管からＮＨ3 ガスを添加されて、窒素流
入管６からの窒素、空気流入管７からの空気と共に気相
反応部９に放出され、排ガス中の加熱酸化分解性物質は
加熱酸化分解され、特にＮＦ3 からのＮＯX はＮＨ3 と
反応し、窒素と水に無害化され、残部のＳｉＯ2 等の微
粒子、ＮＨ3 、Ｆ2 、ＳｉＦ4 等は、反応部３後段の水
洗部１０からの冷却水により、固体にあっては巻き込み
による物理的除去、水反応性気体にあっては溶解、ＮＨ
3 と反応、中和され、排水管１５より排出される。ま
た、無害化された処理ガスは排気管１６から排出され
る。
【００３６】実施例１ 図１に示した加熱酸化分解装置を使用して処理試験を行
った。Ｎ2 ガスで希釈してＮＦ3 濃度を５，０００ｐｐ
ｍにしたガスを排ガス流入管に２０Ｌ（リットル）／分
で流し、ＮＨ3 を段階的に添加して処理した結果を表１
に示す。また、加熱酸化分解装置に流した空気、Ｎ2 、
冷却水はそれぞれ１０Ｌ／分、１０Ｌ／分、４Ｌ／分
で、気相反応部の温度は９５０℃とした。洗浄排水はＮ
Ｈ3 が２０，０００ｐｐｍ以上では弱アルカリ性となっ
た。
った。Ｎ2 ガスで希釈してＮＦ3 濃度を５，０００ｐｐ
ｍにしたガスを排ガス流入管に２０Ｌ（リットル）／分
で流し、ＮＨ3 を段階的に添加して処理した結果を表１
に示す。また、加熱酸化分解装置に流した空気、Ｎ2 、
冷却水はそれぞれ１０Ｌ／分、１０Ｌ／分、４Ｌ／分
で、気相反応部の温度は９５０℃とした。洗浄排水はＮ
Ｈ3 が２０，０００ｐｐｍ以上では弱アルカリ性となっ
た。
【００３７】
【表１】
【００３８】実施例２ ＣＶＤのプロセスガスがＴＥＯＳ、クリーニングガスが
ＮＦ3 の枚葉式ＣＶＤ装置の排ガス処理結果を表２に示
す。
ＮＦ3 の枚葉式ＣＶＤ装置の排ガス処理結果を表２に示
す。
【００３９】排ガス流量は２０Ｌ／分で、ＮＨ3 を２
０，０００ｐｐｍになるようにした。他の処理条件は実
施例１と同様にした。洗浄水のｐＨは７．０〜１０．５
の範囲であった。
０，０００ｐｐｍになるようにした。他の処理条件は実
施例１と同様にした。洗浄水のｐＨは７．０〜１０．５
の範囲であった。
【００４０】
【表２】
【００４１】
【発明の効果】枚葉式のＣＶＤ装置の場合は、ＣＶＤ排
ガスと、クリーニング排ガスとが、完全に分離されずに
排出されずに排出される傾向があるが、本発明では、両
排ガスを同一の装置で処理するので、常に良好な処理が
できる。
ガスと、クリーニング排ガスとが、完全に分離されずに
排出されずに排出される傾向があるが、本発明では、両
排ガスを同一の装置で処理するので、常に良好な処理が
できる。
【００４２】枚葉式では排ガス中のＮＦ3 濃度は、大幅
に変動し、本発明の方法では最高濃度に対応したＮＨ3
を常に添加する必要があり、ＮＨ3 が過剰になるが、過
剰なＮＨ3 は水洗で吸収、除去されて加熱酸化分解装置
の排ガスにはふくまれなくなる。また、洗浄液は弱アル
カリ性になるが、腐食の問題はなくなる。
に変動し、本発明の方法では最高濃度に対応したＮＨ3
を常に添加する必要があり、ＮＨ3 が過剰になるが、過
剰なＮＨ3 は水洗で吸収、除去されて加熱酸化分解装置
の排ガスにはふくまれなくなる。また、洗浄液は弱アル
カリ性になるが、腐食の問題はなくなる。
【図１】本発明の具体的実施例の排ガス処理装置を説明
するための図である。
するための図である。
１ 加熱酸化分解装置 ２ ガス導入部 ３ 反応部 ４ 排出部 ５ 排ガス流入管 ６ 窒素流入管 ７ 空気流入管 ８ ＮＨ3 流入管 ９ 気相反応部 10 水洗部 11 セラミックヒータ 12 熱電対 13 熱電対 14 冷却水 15 排出管 16 排気管 17 流入ガス採取管 18 流出ガス採取管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｄ 53/56 Ｂ０１Ｄ 53/34 １２９ Ｂ ＺＡＢ
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくともＮＦ3 を含む排ガスを加熱酸
化分解すると共に少なくともＮＦ3 の酸化分解生成物お
よび／またはその誘導体とＮＨ3 とを反応させることを
特徴とするＮＦ3 排ガス処理方法。 - 【請求項２】 少なくともＮＦ3 を含む排ガスを加熱酸
化分解すると共にＮＦ3 の加熱酸化分解生成物および／
またはその誘導体とＮＨ3 とを反応させる反応部を有す
る加熱酸化分解装置から構成されることを特徴とするＮ
Ｆ3 排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054709A JPH0710335B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Ｎｆ３ 排ガス処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054709A JPH0710335B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Ｎｆ３ 排ガス処理方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290524A JPH04290524A (ja) | 1992-10-15 |
| JPH0710335B2 true JPH0710335B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=12978333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3054709A Expired - Lifetime JPH0710335B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Ｎｆ３ 排ガス処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0710335B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4828722B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2011-11-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 除害装置 |
| CN115233187B (zh) * | 2022-07-22 | 2023-09-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体处理装置和半导体工艺设备 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP3054709A patent/JPH0710335B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04290524A (ja) | 1992-10-15 |
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