JPH0360914B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0360914B2
JPH0360914B2 JP59186072A JP18607284A JPH0360914B2 JP H0360914 B2 JPH0360914 B2 JP H0360914B2 JP 59186072 A JP59186072 A JP 59186072A JP 18607284 A JP18607284 A JP 18607284A JP H0360914 B2 JPH0360914 B2 JP H0360914B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
silicon
molybdenum silicide
molybdenum
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59186072A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPS6176664A (ja
Inventor
Ryoichi Shibata
Jusuke Iyori
Kenji Maruta
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Priority to JP59186072A priority Critical patent/JPS6176664A/ja
Publication of JPS6176664A publication Critical patent/JPS6176664A/ja
Publication of JPH0360914B2 publication Critical patent/JPH0360914B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
JP59186072A 1984-09-05 1984-09-05 スパツタリング装置用タ−ゲツト及びその製造方法 Granted JPS6176664A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59186072A JPS6176664A (ja) 1984-09-05 1984-09-05 スパツタリング装置用タ−ゲツト及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59186072A JPS6176664A (ja) 1984-09-05 1984-09-05 スパツタリング装置用タ−ゲツト及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63323064A Division JPH0666288B2 (ja) 1988-12-21 1988-12-21 スパッタリング装置用ターゲット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6176664A JPS6176664A (ja) 1986-04-19
JPH0360914B2 true JPH0360914B2 (enrdf_load_html_response) 1991-09-18

Family

ID=16181892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59186072A Granted JPS6176664A (ja) 1984-09-05 1984-09-05 スパツタリング装置用タ−ゲツト及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6176664A (enrdf_load_html_response)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61179534A (ja) * 1985-01-16 1986-08-12 Mitsubishi Metal Corp スパツタリング装置用複合タ−ゲツト
JPS6270270A (ja) * 1985-09-25 1987-03-31 日本鉱業株式会社 高融点金属シリサイド製ターゲットの製造方法
JPS62171911A (ja) * 1986-01-27 1987-07-28 Nippon Mining Co Ltd モリプデン或いはタングステンシリサイドの製造方法
JP2997075B2 (ja) * 1991-02-05 2000-01-11 株式会社 ジャパンエナジー スパッタリング用シリサイドターゲット

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5880835A (ja) * 1981-11-09 1983-05-16 Toshiba Corp 高融点金属シリサイドの形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6176664A (ja) 1986-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5618397A (en) Silicide targets for sputtering
KR910003884B1 (ko) 고융점 금속 실리사이드 스퍼터링 타게트 및 이의 제조방법
US6042777A (en) Manufacturing of high density intermetallic sputter targets
EP0345045A1 (en) Method of making tungsten-titanium sputtering targets
KR950703668A (ko) 고융점 금속 실리사이드 타겟, 그의 제조방법, 고융점 금속 실리사이드 박막 및 반도체장치(high melting point metallic silicide target and method for producing the same, high melting point metallic silicide film and semicomductor device)
JPS63227771A (ja) 高純度チタンシリサイドからなるスパツタリング用タ−ゲツト及びその製造方法
JPH0360914B2 (enrdf_load_html_response)
JP2542566B2 (ja) スパツタリング装置用タ−ゲツトの製造方法
US3150975A (en) Method of making intermetallic compound-composition bodies
JPS6337072B2 (enrdf_load_html_response)
JPH03107453A (ja) Ｔｉ―Ｗターゲットおよびその製造方法
JPH0247261A (ja) シリサイドターゲットおよびその製造方法
JP2941828B2 (ja) 高融点金属シリサイド製ターゲットおよびその製造方法
JPH03173704A (ja) スパッタリング用ターゲットの製造方法
EP0801138A2 (en) Producing titanium-molybdenum master alloys
JP3625928B2 (ja) Ｔａ／Ｓｉ系焼結合金の製造方法
JPS61145828A (ja) スパツタリングタ−ゲツトとその製造方法
JPH0234919A (ja) スパッタリング装置用ターゲット
US3172196A (en) Sintered intermetallic compoundcomposition bodies
JPS62274033A (ja) 希土類−遷移金属合金タ−ゲツトの製造方法
JP2590091B2 (ja) 高融点金属シリサイドターゲットとその製造方法
JPH01136969A (ja) チタンシリサイドスパッタリング用ターゲットの製造方法
US3231344A (en) Sintered intermetallic bodies composed of aluminum and niobium or tantalum
JP2000064032A (ja) チタンシリサイドターゲットおよびその製造方法
JPH02247379A (ja) シリサイドターゲットの製造方法