JPH0355815A - チップ型電子部品およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子機器、電気機器等に組込んで使用される
チップ型プラスチックフィルムコンデンサ等のチップ型
電子部品およびその製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、電子機器の小形化、あるいは回路基板の生産性の
向上を図るために、これらの機器に組込んで使用される
各種電子部品のチップ化が急速に進展しているが、更な
る機器の小形化が進む中で、チップ型電子部品自体に対
する小形化の要請が高まっている。

このような現状にあって、例えばチップ型プラスチック
フィルムコンデンサの場合、部品全容積に対して外装部
分が占める割合が大きいことから、外装を簡略化し、更
には無外装化を実現することにより、大幅な小形化が可
能となり、現在、一部の品種において既に適用されてい
る。

一般に、金属化プラスチックフイルムコンデンサは誘電
体フィルムの両面もしくは片面に内部電極となる蒸着金
属を設けて金属化プラスチックフィルムを形成し、これ
を巻回もしくは積層して、その両側面に金属材料を溶射
して内部電極の引出゛し部（端子電極）を形成している
。

このようにチップ型コンデンサでは外装の簡略化または
無外装化を実現するために、端子電極を金属溶射法によ
り形成しているが、この電極形成方法は生産性も至って
高く、コンデンサとしての特性、信穎性も十分満足し得
るものであった。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、表面実装技術の発達に伴い、高密度実装
が急速に進展していく中、金属溶射方法を用いたチップ
型電子部品には次のような大きな問題点があった。

すなわち、第１は、金属溶射中に溶融金属が酸化し、そ
の酸化状態のまま端子電極を形成してしまうことであり
、第２は、そうして形成された電極の形成途中において
生じる金属の内部応力を緩和するために行われる熱処理
のために、電極表面の酸化も同時に進行させてしまうこ
とである。

特に、第２の点のように酸化の進んだ金属表面状態では
、部品を回路基板上に半田付けする際、半田金属と電極
金属との接合状態も不安定で、回路基板として信頼性が
低ｆしてしまう。

このような問題点の解決策として、従来では溶射金属表
面に湿式めっきにより中間金属層を設け、その中間金属
層にＰｂＳｎ溶融めっきを施す方法があり、この改善例
によると、端子電極は酸化されていないので、半田付け
による接合状態の改善を図ることができるが、反面、中
間金属層の湿式めっきは電解方式、無電解方式を問わず
、弱酸性ないし強酸性溶液中で処理するものであるため
、電子部品としての特性、信頼性を著しく劣化させてし
まうという問題点が生起するものであった。

本発明は、上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、小形でしかも良好な生産性を兼備したチップ
型電子部品およびその製造方法を提供することを目的と
するものである。

〔課題を解決するための手段〕

このような目的を達成するために本発明のチップ型電子
部品は、溶射金属からなる端子電極の表面にＣｕおよび
Ｎｉの内、少なくとも一方をスパッタリングしてなる下
地金属層が形成され、この下地金属層の表面にＰｂＳｎ
合金からなる溶融めっき層が形成されていることを特徴
とするものである。

また、本発明のチップ型電子部品の製造方法は、溶射金
属からなる端子電極の表面にＣｕおよびＮｉの内、少な
くとも一方をスパッタリングして下地金属層を形成した
後、この下地金属層の表面にＰｂＳｎ溶融めっきを施す
ことを特徴とするものである。

〔作　　　用〕

本発明によると、下地金属層は酸化されない状態で形成
され、その表面に形成されるＰｂＳｎ合金層も酸性液中
での処理を受けないので、電子部品としての特性、信頼
性を確保しつつ、また、チップ型電子部品を回路基板上
に半田付けする際、半田と電極との接合状態が良好とな
り、回路基板としての信頼性をも確保することができる
。

〔実　施　例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。

図面はこの実施例に係る電子部品としてのチップ型プラ
スチックフィルムコンデンサの断面図である。（１）は
金属化プラスチックフィルム層で、ポリフェニレンサル
ファイドからなるプラスチックフィルム（ｌａ）の片面
にアルミニウムからなる金属蒸着電極（２）を形成して
なるもので、複数枚が積層され、この積層体の両側にＣ
ｕＺｎ合金からなる端子電極（３）が溶射により形成さ
れている。

この実施例では、各端子電極（３）の表面にＣｕおよび
Ｎｉの内、少なくとも一方からなる下地金属層としての
中間金属層（４）をスパッタリングにより形成してあり
、この中間金属層（４）の表面にＰｂＳｎ合金からなる
溶融めっき層（５）を施してなるものである。

表に、この実施例Ｂおよび従来の改善例Ａのチップ型プ
ラスチックフィルムコンデンサを半田槽ディップ方式に
より実装して、端子電極と回路基板との接合状態を目視
により良否判定を行い、不良率として数値化したもので
ある。実装条件は半田温度を２４０℃で、ディップ時間
１０秒とし、また、プリヒート条件は１２０℃で、５０
秒間予熱を施すものとした。

表 フィルムコンデンサの例を示したが、本発明はこれに限
るものではなく、溶射金属からなる端子電極の最表層に
ＰｂＳｎ溶融めっきを施したチップ型電子部品全てに適
用できることはいうまでもない。

〔発明の効果〕

以−Ｅの結果から明らかなように、本発明のチップ型電
子部品とその製造方法によれば、電子部品としての特性
、信頼性を確保しつつ、回路基板と部品端子電極との接
合状態を良好にすると共に、電子機器の小形化、回路基
板の生産性の向上に大きく寄与するものである。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例に係るチップ型プラスチックフィ
ルムコンデンサの断面図である。 （３）・・・端子電極、（４）・・・下地金属層、（５
）・・・溶融めっき層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　溶射金属からなる端子電極の表面にＣｕおよびＮｉ
   の内、少なくとも一方をスパッタリングしてなる下地金
   属層が形成され、この下地金属層の表面にＰｂＳｎ合金
   からなる溶融めっき層が形成されていることを特徴とす
   るチップ型電子部品。 ２　溶射金属からなる端子電極の表面にＣｕおよびＮｉ
   の内、少なくとも一方をスパッタリングして下地金属層
   を形成した後、この下地金属層の表面にＰｂＳｎ溶融め
   っきを施すことを特徴とするチップ型電子部品の製造方
   法。