JPH0349419B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0349419B2 JPH0349419B2 JP59265222A JP26522284A JPH0349419B2 JP H0349419 B2 JPH0349419 B2 JP H0349419B2 JP 59265222 A JP59265222 A JP 59265222A JP 26522284 A JP26522284 A JP 26522284A JP H0349419 B2 JPH0349419 B2 JP H0349419B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- layer structure
- polymer compound
- cell
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光機能性素子に関する。さらに詳しく
は光照射によつて吸収及び／又は反射スペクトル
が変化するよう構成された光機能性素子に関す
る。
は光照射によつて吸収及び／又は反射スペクトル
が変化するよう構成された光機能性素子に関す
る。
光により比較的小さい記録材料に多くの情報を
記録する為の多くの方式、材料が検討されてい
る。又同様の材料を用いたデイスプレイ用素子の
検討も行なわれている。又導電性高分子化合物
を、その高分子化合物のもつ成形性、大面積化が
容易であるなどの性質を生かし、更に前記化学的
にドーピング、脱ドーピングすることにより吸収
スペクトルが変化することを利用した変色スイツ
チが提案されている、〔K.Yoshino等、Japan
Journal Applied Physic，Part2，Vol.22 Ｌ
157（1983）〕 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の光機能性素子は製造法が複雑で高価であ
るという問題があり、本発明は安価で製造法の簡
便な光機能性素子を提供しようとするものであ
る。
記録する為の多くの方式、材料が検討されてい
る。又同様の材料を用いたデイスプレイ用素子の
検討も行なわれている。又導電性高分子化合物
を、その高分子化合物のもつ成形性、大面積化が
容易であるなどの性質を生かし、更に前記化学的
にドーピング、脱ドーピングすることにより吸収
スペクトルが変化することを利用した変色スイツ
チが提案されている、〔K.Yoshino等、Japan
Journal Applied Physic，Part2，Vol.22 Ｌ
157（1983）〕 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の光機能性素子は製造法が複雑で高価であ
るという問題があり、本発明は安価で製造法の簡
便な光機能性素子を提供しようとするものであ
る。
本発明に係る光機能性素子の要部は、
(a) 光分解或いは光解離することによつてドーパ
ントとなり得る化合物を含有する高分子化合物
から成る層と、 (b) ドーピングされる高分子化合物層と、 から成る二層構造体である。
ントとなり得る化合物を含有する高分子化合物
から成る層と、 (b) ドーピングされる高分子化合物層と、 から成る二層構造体である。
この二層構造体は光を照射することによつて、
その吸収又は反射スペクトルが変化をするもので
ある。
その吸収又は反射スペクトルが変化をするもので
ある。
又、この二層構造体の両面に電極を押し当て通
電すると、ドーピングされた部分が電気化学的に
脱ドーピングされ、これによりスペクトルは元の
状態に戻るものである。
電すると、ドーピングされた部分が電気化学的に
脱ドーピングされ、これによりスペクトルは元の
状態に戻るものである。
而して、この二層構造体は極めて薄いものであ
るので、適宜の支持体の表面に形成する必要があ
る。
るので、適宜の支持体の表面に形成する必要があ
る。
而して、この支持体としては透明導電性膜層を
使用することが推奨される。
使用することが推奨される。
この透明導電性膜層を(c)で表すと、本発明に係
る機能性素子の構造は、 １ (a)、(b)、(c)の三層構造体 ２ (c)、(a)、(b) 三層構造体 ３ (c)、(a)、(b)、(c)の四層構造体 のいずれかである。
る機能性素子の構造は、 １ (a)、(b)、(c)の三層構造体 ２ (c)、(a)、(b) 三層構造体 ３ (c)、(a)、(b)、(c)の四層構造体 のいずれかである。
この四層構造体から成る光機能性素子は、光を
照射して所望のデータを書き込んだ後、その両側
の透明導電性膜層(C)、(C)に間に通電すれば、直ち
に記入されたデータは消去され、元の状態に回復
するものである。従つてこの四層構造体は常時書
込み及び消去が可能なメモリ又はデイスプレイ素
子として使用できるものである。
照射して所望のデータを書き込んだ後、その両側
の透明導電性膜層(C)、(C)に間に通電すれば、直ち
に記入されたデータは消去され、元の状態に回復
するものである。従つてこの四層構造体は常時書
込み及び消去が可能なメモリ又はデイスプレイ素
子として使用できるものである。
又、三層構造体から成る光機能性素子は、デー
タの書込みは四層構造体と同様にできるが、この
記入されたデータを消去するためには外部電極を
必要とする。
タの書込みは四層構造体と同様にできるが、この
記入されたデータを消去するためには外部電極を
必要とする。
依つて、この三層構造体から成る光機能性素子
はリードオンリーメモリとして利用できるもので
ある。
はリードオンリーメモリとして利用できるもので
ある。
本発明に於て透明導電性膜層としては、導電性
の金属或いは酸化物の薄膜が使用でき、必要に応
じ導電性薄膜をコートした透明板（例えばガラ
ス、ポリエステルなど）も使用できる。具体的に
は、金、パラジウム、酸化スズ、酸化インジウム
などの薄膜或いはそれらをガラス、ポリエステル
などの板或いはフイルムにコーテイングしたもの
が挙げられる。
の金属或いは酸化物の薄膜が使用でき、必要に応
じ導電性薄膜をコートした透明板（例えばガラ
ス、ポリエステルなど）も使用できる。具体的に
は、金、パラジウム、酸化スズ、酸化インジウム
などの薄膜或いはそれらをガラス、ポリエステル
などの板或いはフイルムにコーテイングしたもの
が挙げられる。
本発明に於て、光分解或いは光解離することに
よつてドーパントとなり得る化合物を含有する高
分子化合物から成る層は以下のようにして作られ
る。
よつてドーパントとなり得る化合物を含有する高
分子化合物から成る層は以下のようにして作られ
る。
ここで光分解することによりドーパントとなり
得る化合物としては、弗化物イオン、塩化物イオ
ン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、過塩素酸イ
オン、ヘクサフルオロヒ（）酸イオン、テトラ
フルオロホウ酸イオン、ヘクサフルオロリン
（）酸イオン、ヘクサフルオロアンチモン（）
酸イオン等のようなドーピング可能なハロゲン又
はメタルハライドを陰イオンとして有するジアリ
ールヨードニウム塩、トリアリースルホニウム
塩、アリールジアゾニウム塩、或いは芳香族スル
ホン化合物、ハロゲン化アルキル化合物等が挙げ
られる。
得る化合物としては、弗化物イオン、塩化物イオ
ン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、過塩素酸イ
オン、ヘクサフルオロヒ（）酸イオン、テトラ
フルオロホウ酸イオン、ヘクサフルオロリン
（）酸イオン、ヘクサフルオロアンチモン（）
酸イオン等のようなドーピング可能なハロゲン又
はメタルハライドを陰イオンとして有するジアリ
ールヨードニウム塩、トリアリースルホニウム
塩、アリールジアゾニウム塩、或いは芳香族スル
ホン化合物、ハロゲン化アルキル化合物等が挙げ
られる。
又高分子化合物としては、ポリアクリル酸エス
テル、ポリメタクリル酸エステル、マイレン酸共
重合体、カルボキシメチルセルロース、繊維素、
ポリビニルアルコール、ポリビニルデーテル、ポ
リビニルピリジン、ポリアクリルアミド、ポリア
クロニトリル、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン及
びその誘導体、ニトロセルロース、ポリエチレ
ン、ポリプロピレンなどが挙げられる。
テル、ポリメタクリル酸エステル、マイレン酸共
重合体、カルボキシメチルセルロース、繊維素、
ポリビニルアルコール、ポリビニルデーテル、ポ
リビニルピリジン、ポリアクリルアミド、ポリア
クロニトリル、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン及
びその誘導体、ニトロセルロース、ポリエチレ
ン、ポリプロピレンなどが挙げられる。
尚、この膜層を作る当たり、その成膜性、電気
導電性を高める為にエチレンカーボネート、プロ
ピレンカーボネート、フタル酸ジエステル、テト
ラヒドロフラン、ジフエニルエーテル、ジメチル
ホルムアミド、γ−ブチロラクトンなどの極性化
合物を添加しても良い。
導電性を高める為にエチレンカーボネート、プロ
ピレンカーボネート、フタル酸ジエステル、テト
ラヒドロフラン、ジフエニルエーテル、ジメチル
ホルムアミド、γ−ブチロラクトンなどの極性化
合物を添加しても良い。
膜層の作り方としは、上記ドーパントとなり得
る化合物と高分子化合物を、又必要に応じて極性
化合物をロール等で混練する方法、或いはドーパ
ントとなり得る化合物を溶解した液を高分子化合
物に含浸する方法、或いは上記二者又は三者を溶
解混合し次いで溶媒を蒸発除去する方法などが挙
げられ、それぞれ所望の形状、好ましくは薄膜状
にプレス成形、キヤスト成形して用いられる。
る化合物と高分子化合物を、又必要に応じて極性
化合物をロール等で混練する方法、或いはドーパ
ントとなり得る化合物を溶解した液を高分子化合
物に含浸する方法、或いは上記二者又は三者を溶
解混合し次いで溶媒を蒸発除去する方法などが挙
げられ、それぞれ所望の形状、好ましくは薄膜状
にプレス成形、キヤスト成形して用いられる。
本発明に於てドーピングされ得る高分子化合物
層を構成する高分子としては、主として導電性重
合体として知られるものが挙げられ、具体的には
ポリアセチレン、ポリチアジル、ポリピロール、
ポリチオフエン、ポリアニリン、ポリフラン、ポ
リパラフエレン、ポリパラフエニレンスルフイ
ド、ポリセレノフエン、ポリパラフエニレンビニ
レン、ポリパラフエニレンオキシド、ポリヘプタ
ジインなどが挙げられる。
層を構成する高分子としては、主として導電性重
合体として知られるものが挙げられ、具体的には
ポリアセチレン、ポリチアジル、ポリピロール、
ポリチオフエン、ポリアニリン、ポリフラン、ポ
リパラフエレン、ポリパラフエニレンスルフイ
ド、ポリセレノフエン、ポリパラフエニレンビニ
レン、ポリパラフエニレンオキシド、ポリヘプタ
ジインなどが挙げられる。
本発明に係る光機能性素子は、光を照射するこ
とにより、(a)層にドーパントを生じ、それが(b)層
の高分子化合物にドーピングされるため、(b)層の
吸収スペクトル及び／又は反射スペクトルが変化
し、これにより表示素子或いは記録素子として使
用することが可能となるものである。
とにより、(a)層にドーパントを生じ、それが(b)層
の高分子化合物にドーピングされるため、(b)層の
吸収スペクトル及び／又は反射スペクトルが変化
し、これにより表示素子或いは記録素子として使
用することが可能となるものである。
又(a)及び(b)から成る二層構造体の両面、又は、
そのいずれか一方の表面に透明電極を一体的に設
けておき、透明電極が一方の側面にしか設けられ
ていないときは、電極の設けられていない面に外
部電極を接触させ、これらの電極に電圧を印加
し、二層構造体に通電すると、(b)層に脱ドーピン
グが生じ、光照射前の状態に戻るため、本発明に
係る光機能性素子は繰り返し使用が可能である。
そのいずれか一方の表面に透明電極を一体的に設
けておき、透明電極が一方の側面にしか設けられ
ていないときは、電極の設けられていない面に外
部電極を接触させ、これらの電極に電圧を印加
し、二層構造体に通電すると、(b)層に脱ドーピン
グが生じ、光照射前の状態に戻るため、本発明に
係る光機能性素子は繰り返し使用が可能である。
又、この外部電極は、平板のみでなく、所望の
パターンを表す凸版又は凹版とすることもあり、
又、二層構造体と一体とされる透明電極を互いに
絶縁された多数の画素に区分しておき、それらの
画素にそれぞれ独立に通電することもある。
パターンを表す凸版又は凹版とすることもあり、
又、二層構造体と一体とされる透明電極を互いに
絶縁された多数の画素に区分しておき、それらの
画素にそれぞれ独立に通電することもある。
以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
実施例 １
第１図に示す構造のセルを以下に述べる方法で
作成した。
作成した。
トリフエニルスルホニウムテトラフルオロボレ
ート100mgとポリアクリロニトリル１ｇをテトラ
ヒドロフラン及びエチレンカーボネートより成る
混合溶媒に溶解した。
ート100mgとポリアクリロニトリル１ｇをテトラ
ヒドロフラン及びエチレンカーボネートより成る
混合溶媒に溶解した。
別に酸化スズ系の導電性被膜２をコートした石
英ガラス板１上にポリチオフエンの薄膜３を電気
化学的に生成させたものを用意し、このポリチオ
フエンの薄膜３上に上記混合液を塗布しキヤステ
イング法でトリフエニルスルホニウムテトラフル
オロボレート及びエチレンカーボネートを含有す
るポリアクリロニトリルの薄膜４を形成した。こ
れにもう一枚の前記導電性膜５をコートした石英
ガラス板６を対向電極として乗せ、第１図の構造
のセルを作製した。この状態でセルの透過光は赤
色であつた。
英ガラス板１上にポリチオフエンの薄膜３を電気
化学的に生成させたものを用意し、このポリチオ
フエンの薄膜３上に上記混合液を塗布しキヤステ
イング法でトリフエニルスルホニウムテトラフル
オロボレート及びエチレンカーボネートを含有す
るポリアクリロニトリルの薄膜４を形成した。こ
れにもう一枚の前記導電性膜５をコートした石英
ガラス板６を対向電極として乗せ、第１図の構造
のセルを作製した。この状態でセルの透過光は赤
色であつた。
このセルを水銀ランプ（500W）を用いて光源
から30cmの距離で光照射を行なつたところセルの
透過光は赤から青灰色に変化した。スペクトルを
第２図に示した。
から30cmの距離で光照射を行なつたところセルの
透過光は赤から青灰色に変化した。スペクトルを
第２図に示した。
次にこのセルの両極にポリチオフエンの薄膜３
が陰極になるようにして1.2Vの電圧を印加する
ことにより透過光は青灰色から赤に戻つた。
が陰極になるようにして1.2Vの電圧を印加する
ことにより透過光は青灰色から赤に戻つた。
実施例 ２
ジフエニルヨードニウムテトラフルオロボレー
ト100mgとポリ塩化ビニール１ｇをテトラヒドロ
フラン及びプロピレンカーボネートより成る混合
溶媒に溶解した。
ト100mgとポリ塩化ビニール１ｇをテトラヒドロ
フラン及びプロピレンカーボネートより成る混合
溶媒に溶解した。
別に、酸化スズ系の導電性被膜をコートしたガ
ラス板上にポリチオフエンの薄膜を電気化学的に
生成させたものを用意し、このポリチオフエン膜
上に上記混合溶液をキヤステイングした後、もう
一枚の同様のガラス板を対向電極として乗せ、四
層構造のセルを作製した。この状態でセルの透過
光は赤色であつた。
ラス板上にポリチオフエンの薄膜を電気化学的に
生成させたものを用意し、このポリチオフエン膜
上に上記混合溶液をキヤステイングした後、もう
一枚の同様のガラス板を対向電極として乗せ、四
層構造のセルを作製した。この状態でセルの透過
光は赤色であつた。
このセルを水銀ランプ（500W）を用いて光源
から30cmの距離から光照射を行なつたところセル
の透過光が青に変化した。
から30cmの距離から光照射を行なつたところセル
の透過光が青に変化した。
次に、このセルの両極にポリチオフエンが陰極
となるようにして、1.2Vの電圧を印加したとこ
ろ透過光は青から赤に戻つた。
となるようにして、1.2Vの電圧を印加したとこ
ろ透過光は青から赤に戻つた。
実施例 ３
実施例１に於て、金を蒸着した石英ガラス板を
用い、塩化第二鉄を触媒として生成させたポリチ
オフエン薄膜を用いた以外は実施例１と同様にし
てセルを作製した。
用い、塩化第二鉄を触媒として生成させたポリチ
オフエン薄膜を用いた以外は実施例１と同様にし
てセルを作製した。
セルの透過光は、水銀ランプ照射により赤から
青に変化した。また、1.2Vの電圧印加により透
過光は青から戻つた。
青に変化した。また、1.2Vの電圧印加により透
過光は青から戻つた。
実施例 ４
実施例１に於て、ポチオフエン薄膜の代わりに
ポリピロールを用いた以外は実施例１と同様の方
法でセルを作製した。このセルの透過光は、実施
例１と同様の光照射により黄緑から青に変化し
た。また、1.5Vの電圧印加により透過光は青か
ら黄緑に戻つた。
ポリピロールを用いた以外は実施例１と同様の方
法でセルを作製した。このセルの透過光は、実施
例１と同様の光照射により黄緑から青に変化し
た。また、1.5Vの電圧印加により透過光は青か
ら黄緑に戻つた。
本発明の光機能性素子は、製造法が簡便でしか
も光に応答して吸収及び／又は反射スペクトルが
変化し、而もそれが電圧の印加によつて可逆的に
起こるために、光記録又は光表示用素子として有
効である。
も光に応答して吸収及び／又は反射スペクトルが
変化し、而もそれが電圧の印加によつて可逆的に
起こるために、光記録又は光表示用素子として有
効である。
第１図は本発明素子の一実施例を示す説明図、
第２図は実施例１で光照射によつて変化した吸収
スペクトルの測定結果を示すグラフである。 １，６……石英ガラス板、２，５……酸化スズ
系の導電性被膜、３……ドーパントとなり得る化
合物を含有するポリアクリロニトリルの薄膜、４
……ポリチオフエンの薄膜、７……光照射前の吸
収スペクトルを示す曲線、８……光照射後の吸収
スペクトルを示す曲線。
第２図は実施例１で光照射によつて変化した吸収
スペクトルの測定結果を示すグラフである。 １，６……石英ガラス板、２，５……酸化スズ
系の導電性被膜、３……ドーパントとなり得る化
合物を含有するポリアクリロニトリルの薄膜、４
……ポリチオフエンの薄膜、７……光照射前の吸
収スペクトルを示す曲線、８……光照射後の吸収
スペクトルを示す曲線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １(a) 光分解或いは光解離することによつてド
ーパントとなり得る化合物を含有する高分子化
合物から成る層と、 (b) ドーピングされ得る高分子化合物から成る層
と、 から成る二層構造体のいずれか一方の側面に透明
導電性膜層を設けて成る光機能性素子。 ２ (a) 光分解或いは光解離することによつてド
ーパントとなり得る化合物を含有する高分子化
合物から成る層と、 (b) ドーピングされ得る高分子化合物から成る層
と、 から成る二層構造体の両側面に透明導電性膜層を
設けて成る随時書込み、消去が可能な光機能性素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59265222A JPS61143749A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 光機能性素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59265222A JPS61143749A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 光機能性素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61143749A JPS61143749A (ja) | 1986-07-01 |
| JPH0349419B2 true JPH0349419B2 (ja) | 1991-07-29 |
Family
ID=17414216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59265222A Granted JPS61143749A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 光機能性素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61143749A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234090A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | 松下電器産業株式会社 | パタ−ン形成方法 |
| JPS6249331A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-04 | Nec Corp | 光応答性高分子薄膜素子 |
| US7405864B2 (en) | 2003-03-14 | 2008-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dimming device and display device incorporating the same |
| JP2004279624A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Sharp Corp | 調光素子 |
-
1984
- 1984-12-18 JP JP59265222A patent/JPS61143749A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61143749A (ja) | 1986-07-01 |
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