JPS61143749A - 光機能性素子 - Google Patents
光機能性素子Info
- Publication number
- JPS61143749A JPS61143749A JP59265222A JP26522284A JPS61143749A JP S61143749 A JPS61143749 A JP S61143749A JP 59265222 A JP59265222 A JP 59265222A JP 26522284 A JP26522284 A JP 26522284A JP S61143749 A JPS61143749 A JP S61143749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dopant
- polymer
- light
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光機能性素子に関する。さらに詳しくは光照射
によって吸収及び／又は反射スペクトルが変化するよう
構成された光機能性素子に関する。
によって吸収及び／又は反射スペクトルが変化するよう
構成された光機能性素子に関する。
光により比較的小さい記録材料に多くの情報を記録する
為の多くの方式、材料が検討されている。
為の多くの方式、材料が検討されている。
又同様の材料を用いたディスプレイ用素子の検討も行な
われている。又導電性高分子化合物を、その高分子化合
物のもつ成形性、大面積化が容易であるなどの性質を生
かし、更に電気化学的にドーピング、塩ドーピングする
ことにより吸収スペクトルが変化することを利用した変
色スイッチが提案されている。（Ｋ、Ｙｏｓｈｉｎｏ等
、Ｊａｐａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ＾ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃ、 Ｐａｒｔ ２． Ｖｏｌ、２２
Ｌ １５７ （１９８３） 〕〔発明が解決しよ
うとする問題点〕 従来の光機能性素子は製造法が複雑で高価であるという
問題があり、本発明は安価で製造法の簡便な光機能性素
子を提供しようとするものである。
われている。又導電性高分子化合物を、その高分子化合
物のもつ成形性、大面積化が容易であるなどの性質を生
かし、更に電気化学的にドーピング、塩ドーピングする
ことにより吸収スペクトルが変化することを利用した変
色スイッチが提案されている。（Ｋ、Ｙｏｓｈｉｎｏ等
、Ｊａｐａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ＾ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃ、 Ｐａｒｔ ２． Ｖｏｌ、２２
Ｌ １５７ （１９８３） 〕〔発明が解決しよ
うとする問題点〕 従来の光機能性素子は製造法が複雑で高価であるという
問題があり、本発明は安価で製造法の簡便な光機能性素
子を提供しようとするものである。
本発明者らは、前記目的を達成する為に鋭意検討した結
果、特定の素子を構成することによって光に対して応答
する機能性素子が得られることを見いだし本発明を完成
した。
果、特定の素子を構成することによって光に対して応答
する機能性素子が得られることを見いだし本発明を完成
した。
即ち、本発明は、
少なくとも イ）透明導電性膜層、口）光分解或いは光
解離することによってドーパントとなりｉ３る化合物を
含有する高分子化合物から成る層及びハ）ドーピングさ
れ得る高分子化合物層の３屓から成る光機能性素子であ
る。
解離することによってドーパントとなりｉ３る化合物を
含有する高分子化合物から成る層及びハ）ドーピングさ
れ得る高分子化合物層の３屓から成る光機能性素子であ
る。
本発明に於て透明導電性膜層としては、導電性の金属或
いは酸化物の薄膜が使用でき、必要に応じ導電性薄膜を
コートした透明板（例えばガラス、ポリエステルなど）
も使用できる。具体的には、金、パラジウム、酸化スズ
、酸化インジウムなどの薄膜或いはそれらをガラス、ポ
リエステルなどの板或いはフィルムにコーティングした
ものが挙げられる。
いは酸化物の薄膜が使用でき、必要に応じ導電性薄膜を
コートした透明板（例えばガラス、ポリエステルなど）
も使用できる。具体的には、金、パラジウム、酸化スズ
、酸化インジウムなどの薄膜或いはそれらをガラス、ポ
リエステルなどの板或いはフィルムにコーティングした
ものが挙げられる。
本発明に於て、光分解或いは光解離することによってド
ーパントとなり得る化合物を含有する高分子化合物から
成る層は以下のようにして作られる。
ーパントとなり得る化合物を含有する高分子化合物から
成る層は以下のようにして作られる。
ここで光分解することによりドーパントとなり得る化合
物としては、弗化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオ
ン、ヨウ化物イオン、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロ
ヒ（ｒＶ）酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘ
キサフルオロリン（Ｖ）酸イオン、ヘキサフルオロアン
チモン（Ｖ） 酸イオン等のようなドーピング可能なハ
ロゲン又はメタルハライドを陰イオンとして有するジア
リールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、
アリールジアゾニウム塩、或いは芳香族スルホン化合物
、ハロゲン化アルキル化合物等が挙げられる。
物としては、弗化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオ
ン、ヨウ化物イオン、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロ
ヒ（ｒＶ）酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘ
キサフルオロリン（Ｖ）酸イオン、ヘキサフルオロアン
チモン（Ｖ） 酸イオン等のようなドーピング可能なハ
ロゲン又はメタルハライドを陰イオンとして有するジア
リールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、
アリールジアゾニウム塩、或いは芳香族スルホン化合物
、ハロゲン化アルキル化合物等が挙げられる。
又高分子化合物としては、ポリアクリル酸エステル、ポ
リメタクリル酸エステル、マイレン酸共重合体、カルボ
キシメチルセルロース、繊維素、ポリビニルアルコール
、ポリビニルエーテル、ポリビニルピリジン、ポリアク
リルアミド、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、
ポリスチレン及びその誘導体、ニトロセルロース、ポリ
エチレン、ポリプロピレンなどが挙げられる。
リメタクリル酸エステル、マイレン酸共重合体、カルボ
キシメチルセルロース、繊維素、ポリビニルアルコール
、ポリビニルエーテル、ポリビニルピリジン、ポリアク
リルアミド、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、
ポリスチレン及びその誘導体、ニトロセルロース、ポリ
エチレン、ポリプロピレンなどが挙げられる。
尚、この膜層を作る当たり、その成膜性、電気電導性を
高める為にエチレンカーボネート、プロピレンカーボネ
ート、フタル酸ジエステル、テトラヒドロフラン、ジフ
ェニルエーテル、ジメチルホルムアミド、Ｔ−ブチロラ
クトンなどの極性化合物を添加しても良い。
高める為にエチレンカーボネート、プロピレンカーボネ
ート、フタル酸ジエステル、テトラヒドロフラン、ジフ
ェニルエーテル、ジメチルホルムアミド、Ｔ−ブチロラ
クトンなどの極性化合物を添加しても良い。
膜層の作り方としては、上記ドーパントとなり得る化合
物と高分子化合物を、又必要に応じて極性化合物をロー
ル等で混練する方法、或いはドーパントとなり得る化合
物を熔解した液を高分子化合物に含浸する方法、或いは
上記王者又は王者を溶解混合し次いで溶媒を蒸発除去す
る方法などが挙げられ、それぞれ所望の形状、好ましく
は薄膜状にプレス成形、キャスト成形して用いられる。
物と高分子化合物を、又必要に応じて極性化合物をロー
ル等で混練する方法、或いはドーパントとなり得る化合
物を熔解した液を高分子化合物に含浸する方法、或いは
上記王者又は王者を溶解混合し次いで溶媒を蒸発除去す
る方法などが挙げられ、それぞれ所望の形状、好ましく
は薄膜状にプレス成形、キャスト成形して用いられる。
本発明に於てドーピングされ得る高分子化合物層を構成
する高分子としては、主として導電性重合体として知ら
れるものが挙げられ、具体的にはポリアセチレン、ポリ
チアジル、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリ
ン、ポリフラン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニ
レンスルフィド、ポリセレノフェン、ポリパラフェニレ
ンビニレン、ポリパラフェニレンオキシド、ポリへブタ
ジインなどが挙げられる。
する高分子としては、主として導電性重合体として知ら
れるものが挙げられ、具体的にはポリアセチレン、ポリ
チアジル、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリ
ン、ポリフラン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニ
レンスルフィド、ポリセレノフェン、ポリパラフェニレ
ンビニレン、ポリパラフェニレンオキシド、ポリへブタ
ジインなどが挙げられる。
本発明に於ては、上記３層がイ）、口）、ハ）の順で組
み合わせられる。ハ）には更にイ）の層を付けることが
望まれる。即ぢ、好ましい素子の形状としてはイ）、口
）、ハ）、イ）の４層構造とすることである。
み合わせられる。ハ）には更にイ）の層を付けることが
望まれる。即ぢ、好ましい素子の形状としてはイ）、口
）、ハ）、イ）の４層構造とすることである。
本発明の光機能性素子は光を照射することによりドーパ
ントを生じ、それがハ）の層の高分子化合物にドーピン
グされることによりハ）の層の吸収スペクトル及び／又
は反射スペクトルが変化し、これにより、表示素子、或
いは記録素子として使用することが可能となる。又イ）
、口）、ハ）、イ）の４層構造とすることにより両面の
イ）層に電圧を印加することで脱ドーピングが生じ、光
照射前の状態に戻るため、繰り返し使用が可能な素子と
なる。
ントを生じ、それがハ）の層の高分子化合物にドーピン
グされることによりハ）の層の吸収スペクトル及び／又
は反射スペクトルが変化し、これにより、表示素子、或
いは記録素子として使用することが可能となる。又イ）
、口）、ハ）、イ）の４層構造とすることにより両面の
イ）層に電圧を印加することで脱ドーピングが生じ、光
照射前の状態に戻るため、繰り返し使用が可能な素子と
なる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例１
第１図に示す構造のセルを以下に述べる方法で作成した
。
。
トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート１０
０■とポリアクリロニトリルＩｇをテトラヒドロフラン
及びエチレンカーボネートより成る混合溶媒に溶解した
。
０■とポリアクリロニトリルＩｇをテトラヒドロフラン
及びエチレンカーボネートより成る混合溶媒に溶解した
。
別に酸化スズ系の導電性被膜２をコートした石英ガラス
板１上にポリチオフェンの薄１５ｉｉ３を電気化学的に
生成させたものを用意し、このポリチオフェンの薄膜３
上に上記混合液を塗布しキャスティング法でトリフェニ
ルスルホニウムテトラフルオロボレート及びエチレンカ
ーボネートを含有するポリアクリロニトリルの薄膜４を
形成した。これにもう一枚の前記導電性膜５をコートし
た石英ガラス板６を対向電極として乗せ、第１図の構造
のセルを作製した。この状態でセルの透過光は赤色であ
った。
板１上にポリチオフェンの薄１５ｉｉ３を電気化学的に
生成させたものを用意し、このポリチオフェンの薄膜３
上に上記混合液を塗布しキャスティング法でトリフェニ
ルスルホニウムテトラフルオロボレート及びエチレンカ
ーボネートを含有するポリアクリロニトリルの薄膜４を
形成した。これにもう一枚の前記導電性膜５をコートし
た石英ガラス板６を対向電極として乗せ、第１図の構造
のセルを作製した。この状態でセルの透過光は赤色であ
った。
このセルを水銀ランプ（５００Ｗ）を用いて光源から３
０ｃ＋ｎの距離で光照射を行なったところセルの透過光
は赤から青灰色に変化した。スペクトルを第２図に示し
た。
０ｃ＋ｎの距離で光照射を行なったところセルの透過光
は赤から青灰色に変化した。スペクトルを第２図に示し
た。
次にこのセルの両極にポリチオフェンの薄膜３が陰極に
なるようにして１．２■の電圧を印加することにより透
過光は青灰色から赤に戻った。
なるようにして１．２■の電圧を印加することにより透
過光は青灰色から赤に戻った。
実施例２
ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート１００
■とポリ塩化ビニール１ｇをテトラヒドロフラン及びプ
ロピレンカーボネートより成る混合溶媒に熔解した。
■とポリ塩化ビニール１ｇをテトラヒドロフラン及びプ
ロピレンカーボネートより成る混合溶媒に熔解した。
別に、酸化スズ系の導電性被膜をコートしたガラス板上
にポリチオフェンの薄膜を電気化学的に生成させたもの
を用意し、このポリチオフェン股上に上記混合溶液をキ
ャスティングした後、もう一枚の同様のガラス板を対向
電極として乗せ、四層構造のセルを作製した。この状態
でセルの透過光は赤色であった。
にポリチオフェンの薄膜を電気化学的に生成させたもの
を用意し、このポリチオフェン股上に上記混合溶液をキ
ャスティングした後、もう一枚の同様のガラス板を対向
電極として乗せ、四層構造のセルを作製した。この状態
でセルの透過光は赤色であった。
このセルを水銀ランプ（５００Ｗ）を用いて光源から３
０ｃｍの距離から光照射を行なったところセルの透過光
が青に変化した。
０ｃｍの距離から光照射を行なったところセルの透過光
が青に変化した。
次に、このセルの両極にポリチオフェンが陰極となるよ
うにして、１．２ Ｖの電圧を印加したところ透過光は
青から赤に戻った。
うにして、１．２ Ｖの電圧を印加したところ透過光は
青から赤に戻った。
実施例３゜
実施例１に於て、金を蒸着した石英ガラス板を用い、塩
化第二鉄を触媒として生成させたポリチオフェン薄膜を
用いた以外は実施例１と同様にしてセルを作製した。
化第二鉄を触媒として生成させたポリチオフェン薄膜を
用いた以外は実施例１と同様にしてセルを作製した。
セルの透過光は、水銀ランプ照射により赤から青に変化
した。また、１．２■の電圧印加により透過格子は青か
ら赤に戻った。
した。また、１．２■の電圧印加により透過格子は青か
ら赤に戻った。
実施例４
実施例１に於て、ポリチオフェン薄膜の代わりにポリピ
ロールを用いた以外は実施例１と同様の方法でセルを作
製した。このセルの透過光は、実施例１と同様の光照射
により黄緑から青に変化した。また、１．５Ｖの電圧印
加により透過光は青から黄緑に戻った。
ロールを用いた以外は実施例１と同様の方法でセルを作
製した。このセルの透過光は、実施例１と同様の光照射
により黄緑から青に変化した。また、１．５Ｖの電圧印
加により透過光は青から黄緑に戻った。
本発明の光機能性素子は、製造法が簡便でしかも光に応
答して吸収及び／又は反射スペクトルが変化し、而もそ
れが電圧の印加によって可逆的に起こるために、光記録
又は光表示用素子として有効である。
答して吸収及び／又は反射スペクトルが変化し、而もそ
れが電圧の印加によって可逆的に起こるために、光記録
又は光表示用素子として有効である。
第１図は本発明素子の一実施例を示す説明図、第２図は
実施例１で光照射によって変化した吸収スペクトルの測
定結果を示すグラフである。 ｌ、６−−−−−−−−・−・−−−−一一−−石英ガ
ラス板２．５−−−−−−−−・−−−ｍ−・・−酸化
スズ系の導電性被膜３・−−一−−−−・−・−・−・
−・−・−ドーパントとなり得る化合物を含有するポリ
アク リロニトリルの薄膜 ４−・・−−−−−−・・−一−−−−〜・−−−−−
一・−ポリチオフェンの薄膜７・−・−−−−−−−−
−−・−一−−−−−−−−−−光照射前の吸収スペク
トルを示す曲線 ８−−−−−−−−−・−−一−−・−−−−−−−−
一−−光照射後の吸収スペクトルを示す曲線
実施例１で光照射によって変化した吸収スペクトルの測
定結果を示すグラフである。 ｌ、６−−−−−−−−・−・−−−−一一−−石英ガ
ラス板２．５−−−−−−−−・−−−ｍ−・・−酸化
スズ系の導電性被膜３・−−一−−−−・−・−・−・
−・−・−ドーパントとなり得る化合物を含有するポリ
アク リロニトリルの薄膜 ４−・・−−−−−−・・−一−−−−〜・−−−−−
一・−ポリチオフェンの薄膜７・−・−−−−−−−−
−−・−一−−−−−−−−−−光照射前の吸収スペク
トルを示す曲線 ８−−−−−−−−−・−−一−−・−−−−−−−−
一−−光照射後の吸収スペクトルを示す曲線
Claims (1)
- 少なくともイ）透明導電性膜層、ロ）光分解或いは光解
離することによってドーパントとなり得る化合物を含有
する高分子化合物から成る層及びハ）ドーピングされ得
る高分子化合物層の３層から成る光機能性素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59265222A JPS61143749A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 光機能性素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59265222A JPS61143749A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 光機能性素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61143749A true JPS61143749A (ja) | 1986-07-01 |
| JPH0349419B2 JPH0349419B2 (ja) | 1991-07-29 |
Family
ID=17414216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59265222A Granted JPS61143749A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 光機能性素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61143749A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234090A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | 松下電器産業株式会社 | パタ−ン形成方法 |
| JPS6249331A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-04 | Nec Corp | 光応答性高分子薄膜素子 |
| WO2004081645A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | 調光素子およびそれを用いた表示素子 |
| CN100383652C (zh) * | 2003-03-14 | 2008-04-23 | 夏普株式会社 | 调光元件及采用它的显示元件 |
-
1984
- 1984-12-18 JP JP59265222A patent/JPS61143749A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234090A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | 松下電器産業株式会社 | パタ−ン形成方法 |
| JPS6249331A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-04 | Nec Corp | 光応答性高分子薄膜素子 |
| WO2004081645A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | 調光素子およびそれを用いた表示素子 |
| CN100383652C (zh) * | 2003-03-14 | 2008-04-23 | 夏普株式会社 | 调光元件及采用它的显示元件 |
| US7405864B2 (en) | 2003-03-14 | 2008-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dimming device and display device incorporating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0349419B2 (ja) | 1991-07-29 |
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