JPH0349129A - プレーナ型冷陰極の製造方法 - Google Patents
プレーナ型冷陰極の製造方法Info
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- JPH0349129A JPH0349129A JP1184095A JP18409589A JPH0349129A JP H0349129 A JPH0349129 A JP H0349129A JP 1184095 A JP1184095 A JP 1184095A JP 18409589 A JP18409589 A JP 18409589A JP H0349129 A JPH0349129 A JP H0349129A
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Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は微小曲率半径の先端部分を有するプレーナ型冷
陰極の製造方法に関するものであａ従来の技術 従来から薄膜電界放出型の冷陰極は数多く報告されてい
も その中でも第４図（特開昭６３−２７４０４７の第
５図）に示すようなプレーナ型冷陰極ＪＬ８０Ｖ以上の
ゲート電圧で電子放出が起こるとされていも この冷陰
極は第４図に示すように絶縁体基板ｌの表面に冷陰極２
とゲート電極３をお互い対向させて構成されていも ゲ
ート電極３に対向する冷陰極２の端面に＋飄 ＦＩＢを
用いたサブミクロンオーダの微細加工技術により、先端
部が微小曲率半径の多数の凸状部４が形成されている。
陰極の製造方法に関するものであａ従来の技術 従来から薄膜電界放出型の冷陰極は数多く報告されてい
も その中でも第４図（特開昭６３−２７４０４７の第
５図）に示すようなプレーナ型冷陰極ＪＬ８０Ｖ以上の
ゲート電圧で電子放出が起こるとされていも この冷陰
極は第４図に示すように絶縁体基板ｌの表面に冷陰極２
とゲート電極３をお互い対向させて構成されていも ゲ
ート電極３に対向する冷陰極２の端面に＋飄 ＦＩＢを
用いたサブミクロンオーダの微細加工技術により、先端
部が微小曲率半径の多数の凸状部４が形成されている。
この冷陰極に設けられた凸状部４の先端部とゲート電極
３の間隔は０．１μｍであ４ このように構成された冷
陰極２とゲート電極３間に８０Ｖ以上の電圧を印加する
と、冷陰極２の凸状部４の先端曲率半径が小ざいた八
凸状部４先端部には２ＸＩＯ’Ｖ／ｃｍの強電界が形成
され 先端部からｉｕ界主電子放出起パ、る。
３の間隔は０．１μｍであ４ このように構成された冷
陰極２とゲート電極３間に８０Ｖ以上の電圧を印加する
と、冷陰極２の凸状部４の先端曲率半径が小ざいた八
凸状部４先端部には２ＸＩＯ’Ｖ／ｃｍの強電界が形成
され 先端部からｉｕ界主電子放出起パ、る。
発明が解決しようとする課題
前記のイｌノーナ型冷絵極は前述（７Ａ！うな特徴をイ
ｒ ｊ、 ７いる方法。（冷陰極の凸状部４ ｆ’ｙ、
、１先端曲率半径り、）１ｉ勺小さく形成させるために
（ｊ升ブミクロンオーダの微細加工が必要であ４．微細
加工技術として；３Ｌ、通常ホ：工・・・チ゛グ技術カ
く用いられるが。
ｒ ｊ、 ７いる方法。（冷陰極の凸状部４ ｆ’ｙ、
、１先端曲率半径り、）１ｉ勺小さく形成させるために
（ｊ升ブミクロンオーダの微細加工が必要であ４．微細
加工技術として；３Ｌ、通常ホ：工・・・チ゛グ技術カ
く用いられるが。
（１、７）ｉ ｒｒｉ以下〈゛′Ｉ微細加工は因でで・
あも 従・）て、こね以下ｆＴ）？Ｘ１細加］二はＦ
Ｉ’ Ｂ等・１フスクレスエツヂングｅ術が甲いられて
いる、 ｉ、かじ、この技術では大面積の冷陰極を形成
するのは困難であり、また製７ Ｉ程のコスト面からも
実用化には至っていない、 本発１！／］は、このような従来技術の課題を解決する
ことを目的とず也 課題を解決するためυ１．十段 本発明（瓜 絶縁体基板の表面に形成さ１また対をなす
−７−組の電極から構成されるプレーナ型冷陰極！、ｍ
、 ！、ｉ ｔ、・７、凸状部を有する冷陰極および前
記冷陰極にナイ向（、またゲー ｈｉ：極を形成抵 前
記Ｗ・縁体基板表面を等方性−Ｌ−ｙブ”ｙ′、” Ｌ
’４” ＩＥ状のん陰極を形成す、包 さらに前記冷
陰極の庇状部分を冷陰極１部！、？ Ｐｉ、； ％１体
基板１ご沿ってＪ’、、Ｑ コ〕’、、 ２？’＜によ
り折る力＼ ある１・れ、等方性ブ・・チ：／グ技術等
を利Ｊｆｌ Ｉ−て除去−Ａ？、、、 ｊ、；： （□
”、、） −？、’ ｉ’ｉろ、さ、”、、、 ｊ、；
：、、、 、ｆＺｌ・−・°、が、九製造六達′また
微小曲率半径（￥Ｌ、プ５−、’７．’ ！、−十型玲
陰極・７）凸状部下部の絶縁体基板σ・−ＥＪにπ、等
士性丁・・ヂシグ技術を用いて除去よ７、′トロ５″よ
り、１１ＴＪｌｊ（ｌｉり先端財状苓右する冷陰極本１
（成才゛、″７． ｉ、のであろ１作用 一１゛（パの製造方法において１、冷陰極下部の絶縁体
基板（よ 冷陰極の凸状部の両側からエツチングされる
たべ エツチング後に冷陰極下部に残った絶縁体基板の
先端部分は 非常に微小な曲率半径となる。従って、冷
陰極の庇状部分を冷陰極下部の絶縁体基板に沿って除去
すれ＋１ＦＩＢ等のザブミクロンオーダの微細加工技術
を用いなくとに従来のホトエツチング技術を用いて、
０．１μｍ以下の非常に微小な先端曲率半径の凸状部を
有する冷陰極が形成され観 ごのようにして形成された
冷陰極とゲート電極間に電圧４１−Ｉ＋加すると、前記
冷陰極先端部には強電Ｗが発生し 低電圧での動作が可
能なプレーナ型冷陰極が得られも実施例 以下に 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
あも 従・）て、こね以下ｆＴ）？Ｘ１細加］二はＦ
Ｉ’ Ｂ等・１フスクレスエツヂングｅ術が甲いられて
いる、 ｉ、かじ、この技術では大面積の冷陰極を形成
するのは困難であり、また製７ Ｉ程のコスト面からも
実用化には至っていない、 本発１！／］は、このような従来技術の課題を解決する
ことを目的とず也 課題を解決するためυ１．十段 本発明（瓜 絶縁体基板の表面に形成さ１また対をなす
−７−組の電極から構成されるプレーナ型冷陰極！、ｍ
、 ！、ｉ ｔ、・７、凸状部を有する冷陰極および前
記冷陰極にナイ向（、またゲー ｈｉ：極を形成抵 前
記Ｗ・縁体基板表面を等方性−Ｌ−ｙブ”ｙ′、” Ｌ
’４” ＩＥ状のん陰極を形成す、包 さらに前記冷
陰極の庇状部分を冷陰極１部！、？ Ｐｉ、； ％１体
基板１ご沿ってＪ’、、Ｑ コ〕’、、 ２？’＜によ
り折る力＼ ある１・れ、等方性ブ・・チ：／グ技術等
を利Ｊｆｌ Ｉ−て除去−Ａ？、、、 ｊ、；： （□
”、、） −？、’ ｉ’ｉろ、さ、”、、、 ｊ、；
：、、、 、ｆＺｌ・−・°、が、九製造六達′また
微小曲率半径（￥Ｌ、プ５−、’７．’ ！、−十型玲
陰極・７）凸状部下部の絶縁体基板σ・−ＥＪにπ、等
士性丁・・ヂシグ技術を用いて除去よ７、′トロ５″よ
り、１１ＴＪｌｊ（ｌｉり先端財状苓右する冷陰極本１
（成才゛、″７． ｉ、のであろ１作用 一１゛（パの製造方法において１、冷陰極下部の絶縁体
基板（よ 冷陰極の凸状部の両側からエツチングされる
たべ エツチング後に冷陰極下部に残った絶縁体基板の
先端部分は 非常に微小な曲率半径となる。従って、冷
陰極の庇状部分を冷陰極下部の絶縁体基板に沿って除去
すれ＋１ＦＩＢ等のザブミクロンオーダの微細加工技術
を用いなくとに従来のホトエツチング技術を用いて、
０．１μｍ以下の非常に微小な先端曲率半径の凸状部を
有する冷陰極が形成され観 ごのようにして形成された
冷陰極とゲート電極間に電圧４１−Ｉ＋加すると、前記
冷陰極先端部には強電Ｗが発生し 低電圧での動作が可
能なプレーナ型冷陰極が得られも実施例 以下に 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
実施例１
第１図に実施例１のプレーナ型冷陰極の製造プロセスを
示す。Ｓ１ウエハー基板５の表面に絶縁層として熱酸化
により厚さ１μｍのＳｉＯ２膜６を形成後、この５ｉＯ
＝膜６の表面に厚さ０．１μｍのＷＳｉ、ａ膜７を形成
すム このＷＳｉｔ膜７をホトエツチング技術によっ゛
Ｃ凸状部８を有する冷陰極９とゲート電極１０を同時に
形成すも 冷陰極凸状部８．！、ゲート電極１０の間隔
は１〜４μへ 冷陰極凸状部８の先端曲率半径は１μｍ
程度である（ｎ１１図（ａ））。次にこの基板５をバッ
ファエッチ溶液（ＨＦＲ容とＮ８４Ｆ’６容の混合液）
に浸漬して３ｉＱ＊膜６を等方性エツチングし、冷陰極
先端部十部に凹部１１を形成し 冷陰極先端部を庇状に
すると同時に、冷陰極下部に先端曲率半径か０ 、 ｆ
７ｊｒｌ’ｌ以丁の凸状部１２を有する絶縁体基板を
形成−・φる（第１図（１・））。このようにして形成
し！、庇状の先端形状を有する冷陰極先端部１３を超音
波を用いて冷陰極下部の絶縁体基板に沿って折ることに
より、 ０．１μｍ以下の先端曲率半径の凸状部Ｉ４苓
有する冷陰極が形成される（第１図（Ｃ））。
示す。Ｓ１ウエハー基板５の表面に絶縁層として熱酸化
により厚さ１μｍのＳｉＯ２膜６を形成後、この５ｉＯ
＝膜６の表面に厚さ０．１μｍのＷＳｉ、ａ膜７を形成
すム このＷＳｉｔ膜７をホトエツチング技術によっ゛
Ｃ凸状部８を有する冷陰極９とゲート電極１０を同時に
形成すも 冷陰極凸状部８．！、ゲート電極１０の間隔
は１〜４μへ 冷陰極凸状部８の先端曲率半径は１μｍ
程度である（ｎ１１図（ａ））。次にこの基板５をバッ
ファエッチ溶液（ＨＦＲ容とＮ８４Ｆ’６容の混合液）
に浸漬して３ｉＱ＊膜６を等方性エツチングし、冷陰極
先端部十部に凹部１１を形成し 冷陰極先端部を庇状に
すると同時に、冷陰極下部に先端曲率半径か０ 、 ｆ
７ｊｒｌ’ｌ以丁の凸状部１２を有する絶縁体基板を
形成−・φる（第１図（１・））。このようにして形成
し！、庇状の先端形状を有する冷陰極先端部１３を超音
波を用いて冷陰極下部の絶縁体基板に沿って折ることに
より、 ０．１μｍ以下の先端曲率半径の凸状部Ｉ４苓
有する冷陰極が形成される（第１図（Ｃ））。
なお、冷陰極の膜厚＋、ｔ、０．１μｍに限られるもの
ではなｌ、％ 膜厚が厚い場合に（Ｌ 超音波により
庇状部分を折る両番へ この基板をフッ硝酸に浸漬して
、冷陰極の庇状部分１３を適度な厚さまで上下方向から
エツチングした後く 超音波で折れば均一な冷陰極先端
部の形成が可能となａまた 電極材料と絶縁材料の組合
せ（Ｌ ＷＳｉｅと５ｉＯａに限られるものではなく
１．電極材料としてＷ、 ＭＱ Ｗ＊Ｃ，ＮｂＣ，
ＨｆＣ等高融瓜 低仕事関数でかつバッフ７エ・ソチ溶
液に難溶の材料および絶縁体基板材料としてガラス板等
バッファエッチ溶液に溶解する材料を組合せることが可
能であム 実施例２ 第２図に実施例２の製造方法により形成したプレーナ型
冷陰極を示も 本実施例（よ 絶縁体基板上のＷＳｉｅ膜の膜厚を０．
２μｍにし 実施例１と同様の方法により冷陰極先端部
に庇状部分を形成す４ 次く この基板をフッ硝酸に浸
漬して、冷陰極の庇状部分が完全に除去されるまで上下
方向から等方エツチングす４ 下方向からのエツチング
＜！０．１μｍ以下の先端曲率半径の凸状部を有する冷
陰極下部の絶縁体基板１５に沿って起こるたべ 庇状部
分が除去されれ４；Ｃ０，１μｍ以下の先端曲率半径の
凸状部Ｉ６を有する冷陰極１７が形成されも この場合
、絶縁体基板上に残った冷陰極１７およびゲート電極１
８の膜厚は０．１μｍ程度であも 実施例３ 第３図に実施例３の製造方法により形成したプレーナ型
冷陰極を示す。
ではなｌ、％ 膜厚が厚い場合に（Ｌ 超音波により
庇状部分を折る両番へ この基板をフッ硝酸に浸漬して
、冷陰極の庇状部分１３を適度な厚さまで上下方向から
エツチングした後く 超音波で折れば均一な冷陰極先端
部の形成が可能となａまた 電極材料と絶縁材料の組合
せ（Ｌ ＷＳｉｅと５ｉＯａに限られるものではなく
１．電極材料としてＷ、 ＭＱ Ｗ＊Ｃ，ＮｂＣ，
ＨｆＣ等高融瓜 低仕事関数でかつバッフ７エ・ソチ溶
液に難溶の材料および絶縁体基板材料としてガラス板等
バッファエッチ溶液に溶解する材料を組合せることが可
能であム 実施例２ 第２図に実施例２の製造方法により形成したプレーナ型
冷陰極を示も 本実施例（よ 絶縁体基板上のＷＳｉｅ膜の膜厚を０．
２μｍにし 実施例１と同様の方法により冷陰極先端部
に庇状部分を形成す４ 次く この基板をフッ硝酸に浸
漬して、冷陰極の庇状部分が完全に除去されるまで上下
方向から等方エツチングす４ 下方向からのエツチング
＜！０．１μｍ以下の先端曲率半径の凸状部を有する冷
陰極下部の絶縁体基板１５に沿って起こるたべ 庇状部
分が除去されれ４；Ｃ０，１μｍ以下の先端曲率半径の
凸状部Ｉ６を有する冷陰極１７が形成されも この場合
、絶縁体基板上に残った冷陰極１７およびゲート電極１
８の膜厚は０．１μｍ程度であも 実施例３ 第３図に実施例３の製造方法により形成したプレーナ型
冷陰極を示す。
実施例１または２の方法によって製造された先端曲率半
径が０．１μｍ以下の冷陰極を、バッファエッチ溶液（
ＨＦＩ容とＮＨａＦ６容の混合液）に浸漬して５ｉｄｅ
膜１９を等方性エツチングすることによって、冷陰極先
端部に庇状部分２０を形成すも このように構成した冷陰極とゲート電極間に５０〜７０
Ｖの電圧を印加すると、冷陰極先端部には１０’Ｖ／ｃ
ｍ以上の強電界が発生し、先端部から電界電子放出が起
こも 発明の効果 本発明によれば サブミクロンオーダの微細加工技術を
用いなくとＬ ０９１μｍ以下の曲率半径を有する冷陰
極先端部を形成することが可能となり、 ＩＱＯＶ以下
の低電圧で電界電子放出を起こす電子源が得られるた八
大面積の画像表示装置の電子源として１友 非常に有
利な製造方法とな翫
径が０．１μｍ以下の冷陰極を、バッファエッチ溶液（
ＨＦＩ容とＮＨａＦ６容の混合液）に浸漬して５ｉｄｅ
膜１９を等方性エツチングすることによって、冷陰極先
端部に庇状部分２０を形成すも このように構成した冷陰極とゲート電極間に５０〜７０
Ｖの電圧を印加すると、冷陰極先端部には１０’Ｖ／ｃ
ｍ以上の強電界が発生し、先端部から電界電子放出が起
こも 発明の効果 本発明によれば サブミクロンオーダの微細加工技術を
用いなくとＬ ０９１μｍ以下の曲率半径を有する冷陰
極先端部を形成することが可能となり、 ＩＱＯＶ以下
の低電圧で電界電子放出を起こす電子源が得られるた八
大面積の画像表示装置の電子源として１友 非常に有
利な製造方法とな翫
第１図は 本発明の一実施例におけるプレーナ型冷陰極
の製造プロセスを説明するための工程阻′Ｍ２図（瓜
本発明の他の実施例におけるプレーナ型冷陰極の斜視は
第３図番上 本発明の更に他の実施例におけるプレー
ナ型冷陰極の斜視医 第４図（よ 従来のプレーナ型冷
陰極の斜視図であ也ｌ・・・絶縁体基板２，９．ＩＴ・
・・冷陰極 ３，１０，１８・・・ゲート電極 ４．８
．１４、１６・・・冷陰極先端部 ５・・・Ｓｉウェハ
ー基楓 ６．１９・・・絶縁層 １ｉ・・・絶縁層間服
１２、１５・・・絶縁体基板上２０・・・冷陰極庇状部
外
の製造プロセスを説明するための工程阻′Ｍ２図（瓜
本発明の他の実施例におけるプレーナ型冷陰極の斜視は
第３図番上 本発明の更に他の実施例におけるプレー
ナ型冷陰極の斜視医 第４図（よ 従来のプレーナ型冷
陰極の斜視図であ也ｌ・・・絶縁体基板２，９．ＩＴ・
・・冷陰極 ３，１０，１８・・・ゲート電極 ４．８
．１４、１６・・・冷陰極先端部 ５・・・Ｓｉウェハ
ー基楓 ６．１９・・・絶縁層 １ｉ・・・絶縁層間服
１２、１５・・・絶縁体基板上２０・・・冷陰極庇状部
外
Claims (4)
- （１）絶縁体基板表面に冷陰極材料を成膜し、凸状部を
有する冷陰極と、前記冷陰極に対向したゲート電極を形
成後、等方性エッチング方法により前記冷陰極凸状部下
部の絶縁体基板の一部を除去し庇状の先端形状を有する
冷陰極を形成し、さらに前記冷陰極の庇状部分を冷陰極
下部の絶縁体基板に沿って除去することにより、微小曲
率半径の先端部分を形成することを特徴とするプレーナ
型冷陰極の製造方法。 - （２）冷陰極の庇状部分を、超音波を用いて、冷陰極下
部の絶縁体基板に沿って折ることにより除去することを
特徴とする請求項１記載のプレーナ型冷陰極の製造方法
。 - （３）冷陰極の庇状部分を、等方性エッチング技術を用
いて、上下方向より除去することを特徴とする請求項１
記載のプレーナ型冷陰極の製造方法。 - （４）請求項１〜３のいずれかの方法により製造された
プレーナ型冷陰極について、更に、等方性エッチング技
術を用いて、冷陰極凸状部下部の絶縁体基板の一部を除
去することにより、庇状で、かつ微小曲率半径の先端部
分を形成することを特徴とするプレーナ型冷陰極の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18409589A JPH07114109B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | プレーナ型冷陰極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18409589A JPH07114109B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | プレーナ型冷陰極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0349129A true JPH0349129A (ja) | 1991-03-01 |
| JPH07114109B2 JPH07114109B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=16147307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18409589A Expired - Fee Related JPH07114109B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | プレーナ型冷陰極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07114109B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574327A (ja) * | 1991-02-22 | 1993-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出素子 |
| US5343110A (en) * | 1991-06-04 | 1994-08-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electron emission element |
| US5760536A (en) * | 1993-11-24 | 1998-06-02 | Tdk Corporation | Cold cathode electron source element with conductive particles embedded in a base |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP18409589A patent/JPH07114109B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574327A (ja) * | 1991-02-22 | 1993-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出素子 |
| US5343110A (en) * | 1991-06-04 | 1994-08-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electron emission element |
| US5760536A (en) * | 1993-11-24 | 1998-06-02 | Tdk Corporation | Cold cathode electron source element with conductive particles embedded in a base |
| US5860844A (en) * | 1993-11-24 | 1999-01-19 | Tdk Corporation | Cold cathode electron source element and method for making |
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| Publication number | Publication date |
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| JPH07114109B2 (ja) | 1995-12-06 |
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