JPH0347584B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体ウエハを用いる集積回路の製
造工程中における半導体ウエハの表面保護方法に
関するものである。

〔従来の技術〕

集積回路の製造工程中において、半導体ウエハ
の表面にトランジスタ、ダイオードなどの回路を
構成したのち、各素子に切断するが、その切断工
程の前に第３図のように中抜き円板状のリングフ
レーム１と、回路３を構成した半導体ウエハ２と
を粘着フイルム４に貼り付ける作業が近年多くな
つてきている。

この作業を行なう装置の一例として第４図に示
すようなものが公知である。

この装置は、固定台５の円形開口６内に図示省
略してあるバネで支承したフローテイング式の吸
着台７を設け、吸着台７上にウエハ２を載せて真
空吸引により吸着固定し、固定台５上にウエハ２
を囲むリングフレーム１を載せる。

粘着フイルム４は図示省略してある巻軸から繰
出され、ガイドローラ８，９を経て移動枠１１に
取付けたガイドローラ１２と押えローラ１３間を
通り、貼着ローラ１４に達している。

貼着ローラ１４は揺動片１５に取付けられ、こ
の揺動片１５の下部には、ローラ１４から突出し
たフイルム４の先端を真空により吸着するフイル
ム保持台１６を取付けてある。

１８はフレーム１９上に軸２０で取付けた揺動
枠で、円形の開口２１と、この開口と同心のリン
グ状ガイドレール２２を有し、このガイドレール
には移動部材２３を取付け、その下部に丸刃状の
切抜きカツタ２４を設け、上部にハンドル２５を
設ける。

また、揺動枠１８の一部の横方向のガイド孔に
は移動体２８上の縦軸２９を摺動および昇降自在
に設け、これをバネにより上方に押すとともに上
端にハンドル３０を設け、移動体２８の下部には
カツタ３１を固定する。

いま、揺動枠１８を第４図の鎖線のように上向
きにした状態で、図示省略してある装置で移動枠
１１を若干上昇させ、移動枠１１を第４図に向つ
て左方へ移動させると、巻軸から引出されたフイ
ルム４がリングフレーム１およびウエハ２上に若
干浮き上つた状態で張り渡される。

つぎに移動枠１１を下降させ、粘着フイルム４
をリングフレーム１とウエハ２上に接触させ、つ
いで、保持台１６によるフイルム４の吸着を解
き、移動枠１１を元の位置へ移動させると、貼着
ローラ１４がフイルム４をリング１やウエハ２に
圧着しつつ移動する。

フイルム４を貼着した貼着ローラ１４が元の位
置で停止したのち、前記揺動枠１８を第３図の実
線のように下げ、ハンドル２５を押下すると、リ
ング１上のフイルム４にカツタ２４が押し付けら
れるので、この状態で移動部材２３をガイドレー
ル２２に沿つて移動させると、カツタ２４は回転
しつつフイルム４を円形に切つていく。こうして
移動部材２３をガイドレール２２に沿つて約２周
させるとフイルム４はリング１上において円形に
切り抜かれる。

その後、ハンドル３０を押し下げてカツタ３１
をフイルム４の一端に切り込み、移動体２８をガ
イド孔の一端から他端へ移動させるとフイルム４
が切り離される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記で明らかなように、従来の装置ではその吸
着台７が直接ウエハ２の回路３に密着するので、
ウエハ２の表面にあるシリコンくずなどの異物、
あるいは空気中の異物が吸着台７の上面に溜り、
この異物がウエハ２に圧接して回路３を損傷させ
るおそれがあるという問題がある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の問題点を解決するために、この発明は、
多孔質プラスチツクフイルムを、固定台の下方か
ら固定台と吸着台の一方の間の間隙を経て吸着台
とウエハ間を通し、吸着台の他方と固定台間の間
隙を経て固定台の下方へ導き、上記ウエハ回路形
成面を上記真空吸着台によつて吸着する際に、上
記多孔質プラスチツクフイルムの未使用の部分を
上記ウエハの回路形成面と上記真空吸着台の間に
介在させ、上記ウエハとリングに上記粘着フイル
ムを貼り付けて上記ウエハを上記多孔質プラスチ
ツクから離したのち、上記多孔質プラスチツクフ
イルムを一ピツチ移動させて同多孔質プラスチツ
クフイルムの未使用の部分を真空吸着台上に位置
させることにより半導体ウエハの回路形成面に直
接吸着台が触れないようにしたものである。

〔実施例〕

第１図はこの発明方法を実施する装置の一例
で、上方には第４図に示すようなフイルム貼着装
置を設けるが図示は省略してある。

この第１図において、３５は吸着台７を浮動状
に支えるフローテイング装置で、エアシリンダ３
４で昇降する支持台３６に昇降自在にはめた昇降
軸３７の上端に吸着台７を固定し、昇降軸３７を
バネ３８で支承し、かつストツパにより台３６の
上面が固定台５の上面より僅かに高くなるように
支持され、その位置からバネ３８を圧縮して下降
し得るようになつている。

吸着台７の下部の筒体３９の外側には複数の縦
向きガイド片４０を設け、支持台３６上に設けた
筒壁４１の内面のガイド溝４２と前記ガイド片４
０を摺動自在に係合させて吸着台７の回止めとす
る。４３は多孔質プラスチツクフイルム４４の巻
軸、４５は同フイルムの巻取軸である。

巻軸４３、巻取軸４５はフレーム４６に取付け
られ、同フレーム４６には巻軸４３から繰り出さ
れたフイルム４４の上下を挾んで吸着台７上と固
定台５間の間隙から吸着台７上へ導く上下一対の
挾着ローラ４７と吸着台７上のフイルム４４を吸
着台７と固定台５間の間隙から巻取軸４５へ導く
上下一対の挾着ローラ４８を設ける。

また、上記各挾着ローラ４７，４８と吸着台７
間には昇降枠４９，５０を設けてこの枠４９，５
０の上端にフイルム操作ローラ５１，５２を設け
てある。なお、固定台５の開口６は下部が拡大し
たテーパ面とする。

上記の実施例の場合、第１図のように吸着台７
上に多孔質のプラスチツクフイルム４４を重ね、
その上にウエハ２を載せ、固定台５上にリングフ
レーム１を載せ、第４図に示した装着などを利用
してフイルム４を張る。

こうしてフイルム４を張つたのち、フイルム４
を切抜いたり、切断したのち、リング１とウエハ
２を吸着台７や固定台５上から取外し、前記巻軸
４３側の昇降枠４９を下降させて第１図の鎖線ａ
のようにフイルム４４を下方へ引張つて巻軸４３
からフイルム４４を引出したのち、昇降枠４９を
上昇させて、吸着台７上のフイルム４４を弛め、
ついで巻取軸４５を回してフイルム４４を巻取る
と吸着台７上のフイルム４４を容易に移動させる
ことができ、新しいフイルム４４が吸着台７上に
移動してくる。

上記の第１図に示す実施例はフイルム４４が比
較的硬質の場合であるが、フイルム４４が比較的
軟質の場合は昇降枠４９，５０を省略して第２図
のように定位置にあるガイドローラ５３，５４で
フイルム４４を誘導すればよい。しかし他の構造
は第１図のものと同じである。

なお、多孔質プラスチツクフイルム４４はリン
グフレーム１とウエハ２を貼付けるための粘着フ
イルム４の粘着面に接着するのでシリコン塗布な
どの非粘着処理を施したものか、四弗化エチレン
系フイルムが望ましい。また、フイルム４４の孔
は1μｍの大きさから数mmまでの範囲で許容され
るが、各孔は独立していることが望ましい。

〔効果〕

この発明は上記のように真空吸着台とウエハの
回路構成面間に多孔質のプラスチツクフイルムを
介在させたから半導体ウエハの回路構成面に直接
吸着台が触れることがなく、しかも吸着効果は損
なわれないものであり、かつ、このプラスチツク
フイルムを毎回あるいは複数回毎に一ピツチ移動
させて同フイルムの未使用の部分を吸着台上に位
置させることにより吸着台の吸着面は常に清潔に
保たれるから、異物による回路面の損傷のおそれ
がなくなりウエハの表面に構成されている複雑微
細な回路の損傷を防止することができるものであ
るが、特にこの発明の場合、ウエハを載せる吸着
台がフローテイング式の場合に適用したもので、
多孔質プラスチツクフイルムを、フローテイング
式の固定台の下方から固定台と吸着台の一方の間
の間隙を経て吸着台とウエハ間を通し、吸着台の
他方と固定台間の間隙を経て固定台の下方へ導く
ものであるから、多孔質フイルムで吸着台上を覆
つても吸着台のフローテイング作用は損なわれな
い。

従つてウエハとリングフレームに粘着フイルム
を貼着ける装置にこの発明の方法を実施しても粘
着フイルムの貼付けが支障なく行なえるという特
有の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図はこの発明方法の各実施例を示
す縦断正面図、第３図はリングフレームとウエハ
の貼り合せ状態を示す斜視図、第４図はこの発明
を実施するリングフレームとウエハの貼着装置の
一例を示す一部切欠縦断面図である。 １……リングフレーム、２……半導体ウエハ、
４……粘着フイルム、５……固定台、７……吸着
台、４４……多孔質プラスチツクフイルム。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 半導体ウエハを回路形成面を下にしてフロー
   テイング式の真空吸着台上に載せ、その外側のリ
   ングフレームを、上記吸着台の外側の固定台上に
   載せて、ウエハとリングフレーム上に粘着フイル
   ムを貼り付ける方法において、多孔質プラスチツ
   クフイルムを、固定台の下方から固定台と吸着台
   の一方の間の間隙を経て吸着台とウエハ間を通
   し、吸着台の他方と固定台間の間隙を経て固定台
   の下方へ導き、上記ウエハの回路形成面を上記真
   空吸着台によつて吸着する際に、上記多孔質プラ
   スチツクフイルムの未使用の部分を上記ウエハの
   回路形成面と上記真空吸着台の間に介在させ、上
   記ウエハとリングに上記粘着フイルムを貼り付け
   て上記ウエハを上記多孔質プラスチツクから離し
   たのち、上記多孔質プラスチツクフイルムを一ピ
   ツチ移動させて同多孔質プラスチツクフイルムの
   未使用の部分を真空吸着台上に位置させることを
   特徴とする半導体ウエハの表面保護方法。