JPH034535A - 配線パターンの形成方法 - Google Patents
配線パターンの形成方法Info
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- JPH034535A JPH034535A JP13749689A JP13749689A JPH034535A JP H034535 A JPH034535 A JP H034535A JP 13749689 A JP13749689 A JP 13749689A JP 13749689 A JP13749689 A JP 13749689A JP H034535 A JPH034535 A JP H034535A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 3
- JNCMHMUGTWEVOZ-UHFFFAOYSA-N F[CH]F Chemical compound F[CH]F JNCMHMUGTWEVOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 108010081348 HRT1 protein Hairy Proteins 0.000 abstract 1
- 102100021881 Hairy/enhancer-of-split related with YRPW motif protein 1 Human genes 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は配線パターンの形成方法に係り、詳しくは、
電子部品特に半導体集積回路やプリント基板に使用され
る配線を微細に形成する方法に関するものである。
電子部品特に半導体集積回路やプリント基板に使用され
る配線を微細に形成する方法に関するものである。
（従来の技術）
半導体集積回路等の微細配線パターン形成方法は敗多く
の提案がなされているが、特に露光装置や感光剤レジス
トで定められる以上の微細な配線パターン形成について
は、特開昭６２−９２４３３号公報に開示される方法が
あり、また特開昭６２−１１８５２３号公報に開示され
る方法を利用する技術が考えられる。
の提案がなされているが、特に露光装置や感光剤レジス
トで定められる以上の微細な配線パターン形成について
は、特開昭６２−９２４３３号公報に開示される方法が
あり、また特開昭６２−１１８５２３号公報に開示され
る方法を利用する技術が考えられる。
特開昭６２−９２４３３号公報に開示される方法は、第
３図＋ａｌ、（ｂｌに示すように、ホトレジスト膜１の
ひさし部の加熱軟化付着を利用して半導体基板２の露出
領域を狭め、その狭められ、た露出領域に同図ｔｃ＋、
（ｄｌに示すようにリフトオフ法で配線金属３を残す
方法である。
３図＋ａｌ、（ｂｌに示すように、ホトレジスト膜１の
ひさし部の加熱軟化付着を利用して半導体基板２の露出
領域を狭め、その狭められ、た露出領域に同図ｔｃ＋、
（ｄｌに示すようにリフトオフ法で配線金属３を残す
方法である。
また、特開昭６２−１１８５２３号公報に開示される方
法は、第４図に示すように、露光装置性能でレジストパ
ターン１１を形成した後、それより微細な絶縁膜パター
ン１２を等方性エツチングで形成する方法であり、以後
公報記載の工程とは異なるが、前記絶縁膜パターン１２
をマスクとして下地（配線材料）をエツチングすること
により、通常技術の約１／２程度の微細配線パターンを
形成することができる。
法は、第４図に示すように、露光装置性能でレジストパ
ターン１１を形成した後、それより微細な絶縁膜パター
ン１２を等方性エツチングで形成する方法であり、以後
公報記載の工程とは異なるが、前記絶縁膜パターン１２
をマスクとして下地（配線材料）をエツチングすること
により、通常技術の約１／２程度の微細配線パターンを
形成することができる。
（発明が解決しようとする課題）
しかるに、特開昭６２−９２４３３号公報の第１の方法
は、製造方法上安定性に欠ける欠点があった。
は、製造方法上安定性に欠ける欠点があった。
また、特開昭６２−１１８５２３号公報記載の技術を利
用する第２の方法は、最小寸法が通常技術の約１７２程
度に留まる欠点があった。
用する第２の方法は、最小寸法が通常技術の約１７２程
度に留まる欠点があった。
この発明は上記の欠点に鑑みなされたもので、最小寸法
を通常技術の約１７４以下にすることができ、かつ安定
してこのような微細配線パターンを製造できる配線パタ
ーンの形成方法を提供することを目的とする。
を通常技術の約１７４以下にすることができ、かつ安定
してこのような微細配線パターンを製造できる配線パタ
ーンの形成方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明では、基体上に配線材料を均一の厚さに堆積さ
せ、その配線材料をパターニングすることにより配線パ
ターンを形成した後、その配線パターン上を含む基体上
の全面に、配線パターンの異方性エツチングに対してマ
スクとなる材料を形成し、この材料を異方性エツチング
することにより、この材料を配線パターンの側面にのみ
残し、その側面の残存マスク材料をマスクとして前記配
線パターンの異方性エツチングを行う。
せ、その配線材料をパターニングすることにより配線パ
ターンを形成した後、その配線パターン上を含む基体上
の全面に、配線パターンの異方性エツチングに対してマ
スクとなる材料を形成し、この材料を異方性エツチング
することにより、この材料を配線パターンの側面にのみ
残し、その側面の残存マスク材料をマスクとして前記配
線パターンの異方性エツチングを行う。
（作 用）
この発明においては、配線パターンの側面に残したマス
ク材料をマスクとして配線パターンの異方性エツチング
を行い不要部分を除去することにより、露光装置などで
規定される以上の微細な幅を有する配線パターンを形成
することができる。
ク材料をマスクとして配線パターンの異方性エツチング
を行い不要部分を除去することにより、露光装置などで
規定される以上の微細な幅を有する配線パターンを形成
することができる。
いま、０．８μ厚の配線材料をパターニングして、底辺
の幅が１ｎ、側面の角度が７０゛の断面台形状に配線パ
ターンを形成し、その側面にマスク材料として絶縁膜を
形成して配線パターンを異方性エツチングした場合、 ０．８＋１ａａ７５°＝ ０．８ ＋ ３．７５−０．
２１ｕの微細パターン幅を得ることができる。これば、
露光装置などで規定される通常技術における最小寸法１
１ｐａに比較して１７４以下である。
の幅が１ｎ、側面の角度が７０゛の断面台形状に配線パ
ターンを形成し、その側面にマスク材料として絶縁膜を
形成して配線パターンを異方性エツチングした場合、 ０．８＋１ａａ７５°＝ ０．８ ＋ ３．７５−０．
２１ｕの微細パターン幅を得ることができる。これば、
露光装置などで規定される通常技術における最小寸法１
１ｐａに比較して１７４以下である。
また、この発明に用いる上述異方性エツチングなどすべ
ての工程は、確立された安定な方法である。
ての工程は、確立された安定な方法である。
（実施例）
以下この発明の一実施例を第１図＋ａｌ〜（ｅ）を参照
して説明する。
して説明する。
まず第１図（ａｌに示すように、基体２１上の全面に配
線材料２２を所定の厚さに堆積させ、その上にレジスト
パターン２３を形成する。ここで、基体２１は半導体Ｓ
ｔウェハやプリントｉ板層ガラスエポキシ板などであり
、その上に堆積される配線材料２２はＡＩ系のメタルと
する。また、レジストパターン２３は、露光装置の性能
により安定に形成できる最小幅は約１−なので、ここで
もｌｎ幅で形成するものとする。
線材料２２を所定の厚さに堆積させ、その上にレジスト
パターン２３を形成する。ここで、基体２１は半導体Ｓ
ｔウェハやプリントｉ板層ガラスエポキシ板などであり
、その上に堆積される配線材料２２はＡＩ系のメタルと
する。また、レジストパターン２３は、露光装置の性能
により安定に形成できる最小幅は約１−なので、ここで
もｌｎ幅で形成するものとする。
次に、レジストパターン２３をマスクとして配線材料２
２をエツチングすることにより、第１図（ｂｌに示すよ
うに配線パターン２４を形成する。ここで配線パターン
２４の縁部分が、最終所望の配線パターン部である。こ
の時、配線パターン２４は、側面の角度θが４５°〜８
５°の断面台形状に形成されるようにする。このような
形状は、例えば硝酸と弗酸の混合液を用いたウェットエ
ツチング、あるいは、ＢＣ！３＋ＣＦ、ガスを用い９．
電極間電圧を小さくし、かつ低真空としたドライエツチ
ング（いずれも等方性エツチング）により容易に得るこ
とができる。
２をエツチングすることにより、第１図（ｂｌに示すよ
うに配線パターン２４を形成する。ここで配線パターン
２４の縁部分が、最終所望の配線パターン部である。こ
の時、配線パターン２４は、側面の角度θが４５°〜８
５°の断面台形状に形成されるようにする。このような
形状は、例えば硝酸と弗酸の混合液を用いたウェットエ
ツチング、あるいは、ＢＣ！３＋ＣＦ、ガスを用い９．
電極間電圧を小さくし、かつ低真空としたドライエツチ
ング（いずれも等方性エツチング）により容易に得るこ
とができる。
次にレジストパターン２３を除去した後、配線パターン
２４上を含む基体２１上の全面に第１図（ｃ）に示すよ
うに絶縁膜２５を形成する０、−こで、絶縁膜２５とし
ては、Ｓｉｈｉランと酸素を気相反応させて作る酸化膜
Ｓｉｎｇや、これにリンをドープさせたＰＳＧなどが適
している。また、このような絶縁膜２５は極＜一般的な
方法で形成され、そこで形成法の詳細は記さないが、膜
厚は配線パターン２４とほぼ同程度になるようにする０
例えば配線パターン２４がｌ／１ｍの厚さなら２．絶縁
膜２５も１ｎ程度堆積させる。
２４上を含む基体２１上の全面に第１図（ｃ）に示すよ
うに絶縁膜２５を形成する０、−こで、絶縁膜２５とし
ては、Ｓｉｈｉランと酸素を気相反応させて作る酸化膜
Ｓｉｎｇや、これにリンをドープさせたＰＳＧなどが適
している。また、このような絶縁膜２５は極＜一般的な
方法で形成され、そこで形成法の詳細は記さないが、膜
厚は配線パターン２４とほぼ同程度になるようにする０
例えば配線パターン２４がｌ／１ｍの厚さなら２．絶縁
膜２５も１ｎ程度堆積させる。
次に、ガスとしてＣＨＦ３やＣ，Ｆ、を用いて酸素プラ
ズマ中でプラズマエツチングを行うことにより、上記絶
縁膜２５を異方性エツチングし、その結果として第１図
ｆｄ＋に示すように配線パターン２４の側面上だけに絶
縁膜２５を残すようにする。このように絶縁膜２５が残
るのは、配線パターン２４の側面上の絶縁膜２５が他の
領域に比べて厚いためである。この方法も所謂サイドウ
オール形成方法として広く実用化されている。
ズマ中でプラズマエツチングを行うことにより、上記絶
縁膜２５を異方性エツチングし、その結果として第１図
ｆｄ＋に示すように配線パターン２４の側面上だけに絶
縁膜２５を残すようにする。このように絶縁膜２５が残
るのは、配線パターン２４の側面上の絶縁膜２５が他の
領域に比べて厚いためである。この方法も所謂サイドウ
オール形成方法として広く実用化されている。
その後、極めて異方性の強いＡＩドライエツチング条件
を用いて配線パターン２４をエツチングする。すると、
エツチングが垂直方向に行われるから、第１図（ａｌに
示すように配線パターン２４の中央部が除去され、絶縁
膜２５で覆われた両側部のみが残り、この両側部で微細
寸法（微細幅）の２本の配線２６ａ、２６ｂが得られる
ことになる。
を用いて配線パターン２４をエツチングする。すると、
エツチングが垂直方向に行われるから、第１図（ａｌに
示すように配線パターン２４の中央部が除去され、絶縁
膜２５で覆われた両側部のみが残り、この両側部で微細
寸法（微細幅）の２本の配線２６ａ、２６ｂが得られる
ことになる。
なお、極めて異方性の強いＡＩドライエツチング条件は
、ＢＣ７３＋ＣＺ１＋ＣＨＦ５ガスを用いて、電極間電
圧を太き（し、かつ高真空とすることにより容易に得ら
れる。しかる後、図示しないが絶縁膜２５を除去し、全
工程を終了する。
、ＢＣ７３＋ＣＺ１＋ＣＨＦ５ガスを用いて、電極間電
圧を太き（し、かつ高真空とすることにより容易に得ら
れる。しかる後、図示しないが絶縁膜２５を除去し、全
工程を終了する。
以上のようにして微細寸法の配線２６ａ、２６ｂが得ら
れるが、どの程度の微細かを次に数値でもって示す。い
ま、厚さが１．ｒｅ、底面の幅も１ｐｍ、側面の角度が
６０°で第１図（ｂｌの配線パターン２４を形成した場
合、最終的に得られる配線２６ａ、２６ｂの幅は １ ÷−６０’−０．５８．ｌ！− となる。また、厚みが０．８ｚ−の時は、０．８十ｍ６
０°−０．４６μ となり、同じ厚みで側面の角度θが７５°の場合は、０
．８＋ｍ７５°−０，８＋ ３．７３ ＝ ０．２１１
ｔＬｓの微細パターン幅が得られる。この幅０．２１ｚ
−は、露光装置などで規定される通常技術における最小
寸法１μの１７４以下である。
れるが、どの程度の微細かを次に数値でもって示す。い
ま、厚さが１．ｒｅ、底面の幅も１ｐｍ、側面の角度が
６０°で第１図（ｂｌの配線パターン２４を形成した場
合、最終的に得られる配線２６ａ、２６ｂの幅は １ ÷−６０’−０．５８．ｌ！− となる。また、厚みが０．８ｚ−の時は、０．８十ｍ６
０°−０．４６μ となり、同じ厚みで側面の角度θが７５°の場合は、０
．８＋ｍ７５°−０，８＋ ３．７３ ＝ ０．２１１
ｔＬｓの微細パターン幅が得られる。この幅０．２１ｚ
−は、露光装置などで規定される通常技術における最小
寸法１μの１７４以下である。
なお、配線パターン２４を断面台形状に形成した場合の
側面の角度θの最小値を４５°に設定したのは、もし４
５°未溝の場合は、マスクとなる絶縁膜２５を充分な厚
さに配線パターン２４の側面に残置させることが困難と
なるからである。
側面の角度θの最小値を４５°に設定したのは、もし４
５°未溝の場合は、マスクとなる絶縁膜２５を充分な厚
さに配線パターン２４の側面に残置させることが困難と
なるからである。
また、配線パターン２４を台形状に形成したのは、異方
性エツチングが通常垂直に行われるからであり、もし、
この異方性エツチングを角度をつけて行うのであれば配
線パターンは断面矩形であってもよい、第２図（ａｌ、
（ｂｌはその場合であって、配線パターン２４は断面矩
形に形成され、その側面にマスクとしての絶縁膜２５が
形成されている。
性エツチングが通常垂直に行われるからであり、もし、
この異方性エツチングを角度をつけて行うのであれば配
線パターンは断面矩形であってもよい、第２図（ａｌ、
（ｂｌはその場合であって、配線パターン２４は断面矩
形に形成され、その側面にマスクとしての絶縁膜２５が
形成されている。
そして、この配線パターン２４に対して矢印で示すよう
に斜めに異方性エツチングを行えば、絶縁膜２５で死角
となる配線パターン２４の一方側の偏部が残り、上記一
実施例と同様に微細な配線２６ （ただし、１本）が形
成されることになる。
に斜めに異方性エツチングを行えば、絶縁膜２５で死角
となる配線パターン２４の一方側の偏部が残り、上記一
実施例と同様に微細な配線２６ （ただし、１本）が形
成されることになる。
また、この説明から分るように、絶縁膜２５は配線パタ
ーンの異方性エツチングに対してマスク作用を有するも
のなら必ずしもＳｉＯ□やＰＳＧなどでなくてもよく、
他の絶縁膜を使用することができ、さらにマスク作用を
すれば絶縁膜２５に代えて他の性質の膜をマスク部材と
して使用することもできる。
ーンの異方性エツチングに対してマスク作用を有するも
のなら必ずしもＳｉＯ□やＰＳＧなどでなくてもよく、
他の絶縁膜を使用することができ、さらにマスク作用を
すれば絶縁膜２５に代えて他の性質の膜をマスク部材と
して使用することもできる。
さらに、上記実施例では、配線材料としてＡＩ系のメタ
ルを使用したが、多結晶３４層やポリサイド層を使用す
ることもできる。これらの場合も、エツチングガスなど
を適当に選択することにより、全く同じ手順によって同
等の効果が得られる。
ルを使用したが、多結晶３４層やポリサイド層を使用す
ることもできる。これらの場合も、エツチングガスなど
を適当に選択することにより、全く同じ手順によって同
等の効果が得られる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、この発明の製造方法によれ
ば、配線材料をバターニングして配線パターンを形成し
た後、その配線パターンの側面にマスク材料を形成し、
このマスク材をマスクとして配線パターンを異方性エツ
チングするようにしたので、最小寸法を通常技術の１／
４以下にもすることができる。しかも、工程はすべて確
立された安定なものであり、したがつて上記のような極
微細幅の配線を安定して得ることができる。
ば、配線材料をバターニングして配線パターンを形成し
た後、その配線パターンの側面にマスク材料を形成し、
このマスク材をマスクとして配線パターンを異方性エツ
チングするようにしたので、最小寸法を通常技術の１／
４以下にもすることができる。しかも、工程はすべて確
立された安定なものであり、したがつて上記のような極
微細幅の配線を安定して得ることができる。
第１図はこの発明の配線パターンの形成方法の一実施例
を示す工程断面図、第２図はこの発明の他の実施例の工
程断面図、第３図は特開昭６２９２４３３号公報に開示
される方法の一部を示す工程断面図、第３図は特開昭６
２−１１８５２３号公報に開示される方法の一部を示す
断面図である。 ２１・・・基体、ｚ２・・・配線材料、２４・・・配線
パターン、２５ ・・・絶縁膜、２６．２６ａ、２６ｂ
・・・配線。 本発明の一芙施イｙ’１ 第１図 不平６日月の４Ｅの実力ｔｈ（刈 第２図 第３ 手続補正書（方式） 平成元年１０月２３
を示す工程断面図、第２図はこの発明の他の実施例の工
程断面図、第３図は特開昭６２９２４３３号公報に開示
される方法の一部を示す工程断面図、第３図は特開昭６
２−１１８５２３号公報に開示される方法の一部を示す
断面図である。 ２１・・・基体、ｚ２・・・配線材料、２４・・・配線
パターン、２５ ・・・絶縁膜、２６．２６ａ、２６ｂ
・・・配線。 本発明の一芙施イｙ’１ 第１図 不平６日月の４Ｅの実力ｔｈ（刈 第２図 第３ 手続補正書（方式） 平成元年１０月２３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）基体上に配線材料を均一の厚さに堆積させる工程
と、 （ｂ）その配線材料をパターニングすることにより配線
パターンを形成する工程と、 （ｃ）その配線パターン上を含む基体上の全面に、配線
パターンの異方性エッチングに対してマスクとなる材料
を形成した後、この材料を異方性エッチングすることに
より、この材料を配線パターンの側面にのみ残す工程と
、 （ｄ）配線パターンの側面に残された前記材料をマスク
として前記配線パターンの異方性エッチングを行い、配
線パターン幅の微細化を図る工程とを具備してなる配線
パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137496A JP2695919B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 配線パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137496A JP2695919B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 配線パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034535A true JPH034535A (ja) | 1991-01-10 |
| JP2695919B2 JP2695919B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=15200020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1137496A Expired - Fee Related JP2695919B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 配線パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2695919B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04315433A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR101339426B1 (ko) * | 2011-11-07 | 2013-12-10 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 나노-리본, 그래핀 나노-리본의 제조 방법, 및 그래핀 나노-리본을 이용한 전자 소자 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6336546A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-17 | Nec Corp | 半導体装置の配線構造体およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1137496A patent/JP2695919B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6336546A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-17 | Nec Corp | 半導体装置の配線構造体およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH04315433A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR101339426B1 (ko) * | 2011-11-07 | 2013-12-10 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 나노-리본, 그래핀 나노-리본의 제조 방법, 및 그래핀 나노-리본을 이용한 전자 소자 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP2695919B2 (ja) | 1998-01-14 |
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