JPH0344748A - メモリデータ読出制御方式 - Google Patents

メモリデータ読出制御方式

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JPH0344748A
JPH0344748A JP1179975A JP17997589A JPH0344748A JP H0344748 A JPH0344748 A JP H0344748A JP 1179975 A JP1179975 A JP 1179975A JP 17997589 A JP17997589 A JP 17997589A JP H0344748 A JPH0344748 A JP H0344748A
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JP
Japan
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address
memory
word
data storage
memory data
Prior art date
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Pending
Application number
JP1179975A
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English (en)
Inventor
Toshinao Ide
井手 敏直
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPH0344748A publication Critical patent/JPH0344748A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はメモリデータ読出制御方式に関し、特にワード
にまたがるデータを連続したデータとして読出すメモリ
データ読出制御方式に関する。
従来技術 従来、2バイトバスを採用したメモリデータ読出制御方
式では、ワード内の連続データは、1同のメモリアクセ
スで読出されアライメントされ連続データとしてバスに
送出される。しかし、連続データがワードにまたがる場
合、1回のメモリアクセスで全てのデータを読出すこと
ができない。
そこで、2回のメモリアクセスを行ないアクセスにより
読出された各データをCPUで処理し連続データとして
使用しなければならなかった。すなわち、最初のメモリ
アクセスであるワードの最終バイトを読出し、2回目の
メモリアクセスで次のワードの最初のバイトを取出し、
先に読出したバイトと連続するようにレジスタ等にセッ
トしなければならなかった。または、1回1」のアクセ
スであるワードの先頭バイトを読出し、次に前のワード
の最終バイトを読出し連続させてレジスタ等にセットす
る必要があった。
発明の目的 本発明の目的はワードにまたがる連続データの読出しが
1回のメモリアクセスで行なえるようにしたメモリデー
タ読出制御方式を提供することである。
発明の構成 本発明によるメモリデータ読出制御方式は、ワード内の
前半のバイトを格納する第1のメモリデータ格納手段(
以下メモリデータ格納部)と、ワード内の後半のバイト
を格納する第2のメモリデータ格納手段(以下メモリデ
ータ格納部)と、メモリデータ読出方向を指示する方向
指示手段(以下フリップフロップ)と、このフリップフ
ロップが増加方向を示し外部から与えられるメモリアド
レスがワード内の最終アドレスを示さないときは該メモ
リアドレスをそのまま使用し前記メモリアドレスがワー
ド内の最終アドレスを示すときは前記メモリアドレスを
前記メモリアドレスの次のワードを示すアドレスに変換
して第1のメモリデータ格納部をアクセスする第1のア
ドレス変換手段と、前記フリップフロップが減少方向を
示すときメモリアドレスがワード内の最初のアドレスを
示さないときは外部から与えられるメモリアドレスをそ
のまま使用し前記メモリアドレスがワード内の最初のア
ドレスを示すときは外部から与えられるメモリアドレス
の前のワードを示すアドレスに変換して前記第2のメモ
リデータ格納部をアクセスする第2のアドレス変換手段
と、前記第1および第2のアドレス変換手段からのアド
レスに応答して前記第1および第2のメモリデータ格納
部から読出されたデータを前記フリップフロップおよび
前記メモリアドレスの少なくとも1部により所望の連続
したデータに整列する手段とを含む構成となっている。
実施例 次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第3図を参照すると、本発明の前掲となるメモリ上のデ
ータは、8ビツトで1バイト、また4バイトで1ワード
を構成する。このような構成のデータを従来の2バイト
バス方式のシステムで読出す場合、ワード内の連続デー
タ(A−4,A−3)(A−3,A−2)、(A−2,
A−1)。
(A、A+1)、(A+1.A+2)、(A+2゜A+
3)、(A+4.A+5)、(A+5.A十6)、(A
+6.A+7)は1回のメモリアクセスでデータ読出が
可能である。しかし、連続データ(A−1,A)、(A
+3.A+4)または(A、A−1)、(A+4.A+
3)の同峙読出はできず、2回のメモリアクセスで読出
し合成する必要がある。
第1図を参照すると、本発明の一実施例は、ワード内の
前半の2バイトを格納するiiのメモリデータ格納部5
.ワード内の後半の2バイトを格納する第2のメモリデ
ータ格納部6.メモリデータ読出方向を指示するブリッ
プフロップ1.このフリッププロップ1の出力が“0”
でメモリアドレスの下位2ビツトA。、A、が“1.1
”か否かを検出するアンドゲート7、処理装置(図示せ
ず〉から線2を介して与えられるアドレスの次のワード
を取り出すため前記第1のメモリデータ格納部5をアク
セスするためのアドレスを生成するアドレス加算器12
、前記アンドゲート7が上述の条件を検出したとき前記
アドレス加算器12からのアドレスを選択し前記アンド
ゲート7が上述の条件を検出しないとき前記処理装置(
図示せず)からのアドレスを選択する選択回路8、前記
処理装置(図示せず)からのアドレスの前のワードを取
り出すための前記第2のメモリデータ格納部6をアクセ
スするための前のワードを取り出すため前記第2のメモ
リデータ格納部6をアクセスするためのアドレスを生成
するアドレス減算器13゜前記フリップフロップ1の出
力が“1”でメモリアドレスの下位2ビツトA。、A1
が“0.0”であるか否かを検出するアンドゲート3.
このアンドゲート3で該条件を検出したとき前記アドレ
ス減算器13からのアドレスを選択し前記アンドゲート
3が上述の条件を検出しないとき前記処理装置(図示せ
ず)からのアドレスを選択する選択回路4、前記第1お
よび第2のメモリデータ格納部5および6から読出され
た各バイトのデータを前記処理装置(図示せず)に送出
する際前記フリップフロップ1の出力および前記メモリ
アドレスの下位2ビツトA。およびA、に基づいて所望
の連続したデータに整列し線10に出力するアラインメ
ント回路9および線10に接続されたパスライン11を
含む。
前記アラインメント回路9に人力される前記フリップフ
ロップ1の出力pおよびメモリアドレス下位2ビツトA
。およびA、と回路9から出力される値との関係は第2
図に示すとおりである。
次に本発明の一実施例の動作を説明する第1図を参照す
ると、本発明の実施例において、前記処理装置(図示せ
ず)から指示される読出方向ブリップフロップ1の値が
論理“0“の場合のメモリ読出方向は増加方向であり、
メモリアドレスがm A l+の場合衣のバイトはアド
レス“A+12が指定される。
いま、フリップフロップ1の値が、論理“0゜で処理装
置からアドレス“2”、すなわちAのみ“1”が送られ
た場合、ブリップフロップ1の値が論理“0”のための
アンドゲート3の出力は“0”となる。このアンドゲー
ト3からの出力“0”に応答して選択回路4はアドレス
“2“を選択し第2のメモリデータ格納部6に供給する
アドレスの下位ビットA1およびA。は“〔〕、O”で
あるため、アンドゲート7は“0”を出力する。
この“0゛により選択回路8はアドレス“2”を選択し
第1のメモリデータ格納部5に送出する。
この結果、第1および第2のメモリデータ格納部5およ
び6からの出力データ線a、b、cおよびdには、A、
A+1.A+2.およびA+3番地の内容が出力されア
ライメント回路9に与えられる。アラインメント回路9
には選択信号り、A、。
An−論理“0.0,0”が与えられるため、線10に
は線aの値(A)および線すの値(A+1)が出力され
パスライン11に与えられる。
次にアドレス下位ビットA。およびA1が論理“1,1
“、すな・わち処理装置からのアドレスが1A+3”で
、フリップフロップ1が論理″0”を出力するとき、選
択回路4はアドレス“2”を選択する。アンドゲート7
は“1”を出力し選択回路8は次にワードを示すアドレ
ス加算回路12の出力を選択し第1のメモリデータ格納
部5に送る。従って、この時11a、b、cおよびdに
値(A+4)、(A+5)、(A+2)、(A+3)が
出力され、アラインメント回路9の出力線10には、第
2図に従い線dの値(A+3)および線aの値(A+4
)が整列出力される。
読出方向フリップフロップ1の値が論理“1”である減
少方向を示し、アドレス下位A。およびA、が“0,0
”の場合、選択回路4はアドレス減算回路13からのア
ドレスを選択し第2のメモリデータ格納部6に送出する
。このときのアラインメント回路9は線aの値および線
dの値を選択する。
この結果、読出方向フリップフロップ1およびメモリア
ドレス下位2ビツトの状態と出力データとの関係は第4
図に示す通りである。
第4図を参照すると、読出方向フリップフロップ1が“
O”を出力し、アドレス下位ビットA。
およびA、が“1,1”以外の場合はワードにまたがら
ないため従来と同様である。しかし、アドレス下位ビッ
トA。およびA1が“1,1”の場合、左2バイトのワ
ードアドレスは次のワードアドレスが必要となる。
読出方向ブリップフロップ1が“1”の場合、アドレス
下位ビットA。およびA、が“0.0”の場合、右2バ
イトのワードアドレスは前のワードアドレスが必要とさ
れる。本発明はこのメモリアドレス制御を1回のメモリ
アクセスにて実現できる。
発明の詳細 な説明したよに、本発明によれば、メモリ読出方向が増
加の場合メモリアドレスの1位2ビツトA。およびA1
が“1,1″の場合、第1のメモリデータ格納部へのア
ドレスとして次のワードをアクセスする様にし、メモリ
読出方向が減少の場合、メモリアドレスの下位2ビツト
A。およびA1が“0,0“の場合、第2のメモリデー
タ格納部へのアドレスとして前のワードをアクセスする
様にし、読出方向およびメモリアドレストα2ビツトA
。およびA、によりメモリデータ格納部より読出される
各バイトを整列することによりワードにまたがる連続し
たメモリデータを1回のアクセスで読出すことができる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図は下位アド
レスとアラインメント回路9の出力との関係を示す図、
第3図はメモリ上のビット、バイト及びワードの構成を
示す図、第4図は第1図の一実施例の人力値と出力との
関係を示す図である。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・読出方向フリップフロップ2・・・・・
・アドレス線 3.7・・・・・・アンドゲート 4.8・・・・・・選択回路 5.6・・・・・・メモリデータ格納部9・・・・・・
アラインメント回路 11・・・・・・パスライン 12・・・・・・アドレス加算器 13・・・・・・アドレス減算器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ワード内の前半のバイトを格納する第1のメモリ
    データ格納手段と、該ワード内の後半のバイトを格納す
    る第2のメモリデータ格納手段と、メモリデータ読出方
    向を指示する方向指示手段と、この方向指示手段が増加
    方向を示し外部から与えられるメモリアドレスがワード
    内の最終アドレスを示すときは前記メモリアドレスを前
    記メモリアドレスの次のワードを示すアドレスに変換し
    て前記第1のメモリデータ格納手段をアクセスする第1
    のアドレス変換手段と、前記方向手段が減少方向を示す
    とき前記メモリアドレスがワード内の最初のアドレスを
    示すときは外部から与えられるメモリアドレスの前のワ
    ードを示すアドレスに変換して前記第2のメモリデータ
    格納手段をアクセスする第2のアドレス変換手段と、前
    記第1および第2のアドレス変換手段からのアドレスに
    応答して前記第1および第2のメモリデータ格納手段か
    ら読出されたデータを前記方向指示手段からの指示およ
    び前記メモリアドレスの少なくとも一部により所望の連
    続したデータに整列する手段とを含むことを特徴とする
    メモリデータ読出制御方式。
JP1179975A 1989-07-12 1989-07-12 メモリデータ読出制御方式 Pending JPH0344748A (ja)

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JP1179975A JPH0344748A (ja) 1989-07-12 1989-07-12 メモリデータ読出制御方式

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JP1179975A JPH0344748A (ja) 1989-07-12 1989-07-12 メモリデータ読出制御方式

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JP (1) JPH0344748A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5463528A (en) * 1992-01-22 1995-10-31 Nec Corporation Cooling structure for integrated circuits
US8539173B2 (en) 2010-03-29 2013-09-17 Renesas Electronics Corporation Memory device, memory system and microcontroller including memory device, and memory control device
WO2024203217A1 (ja) * 2023-03-30 2024-10-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 メモリ装置、イメージセンサ及び電子機器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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