JPH0342424B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0342424B2
JPH0342424B2 JP58016395A JP1639583A JPH0342424B2 JP H0342424 B2 JPH0342424 B2 JP H0342424B2 JP 58016395 A JP58016395 A JP 58016395A JP 1639583 A JP1639583 A JP 1639583A JP H0342424 B2 JPH0342424 B2 JP H0342424B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion
ion sensor
sensor according
nitrogen
hydroxy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58016395A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59142451A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP58016395A priority Critical patent/JPS59142451A/ja
Publication of JPS59142451A publication Critical patent/JPS59142451A/ja
Publication of JPH0342424B2 publication Critical patent/JPH0342424B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/28Electrolytic cell components
    • G01N27/30Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
    • G01N27/333Ion-selective electrodes or membranes
    • G01N27/3335Ion-selective electrodes or membranes the membrane containing at least one organic component

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 〔技術分野〕 この発明はイオンセンサーに係り、特に、体液
中の水素イオン濃度を電極電位応答で測定するに
適したイオンセンサーに関する。
〔先行技術および問題点〕
体液(血液、胃液、脳間液、リンパ液)中のイ
オン濃度特に水素イオン濃度を測定し生体内情報
を得ることが望まれている。現在、水素イオン濃
度(PH)を直接的に測定するためにガラス電極が
広く用いられている。しかし、ガラス電極は、基
準液室を必要とするため、形状が大きく微小化が
困難であること、ガラス膜が破損する恐れがある
こと、長時間の使用に当つて生体内物質がガラス
膜に付着してゆき、応答性が悪くなることなどの
理由から、イオビボ(invivo(動物等の生体内))
でPHを測定するには適していない。
これらの問題点を解決するために、高分子固体
膜等を電極表面に直接被着したセンサーが研究さ
れてきている。このタイプのセンターは、電極表
面と膜との密着性、膜の緻密性、ピンホールの有
無などがセンサーの機能に大きな影響を与え、こ
れらが劣ると、狭雑イオン、低分子化合物(例え
ば、アミノ酸その他の酸類、糖類)、蛋白質など
を含む体液中ではイオンセンサーとしての特性を
充分に発揮できない。
発明の目的 この発明の目的は、体液ことに細胞外液質のイ
オン濃度、特に水素イオン濃度をインビボで電極
電位応答で測定することのできるイオンセンサー
を提供することにある。
この発明によれば、導電性基体と、該導電性基
体の表面に被覆されたヒドロキシ芳香族化合物お
よび窒素含有芳香族化合物よりなる群の中から選
ばれた少なくとも1種の芳香族化合物から電解酸
化重合によつて誘導された重合体で形成されたイ
オン感応膜と、該イオン感応膜の表面に被覆され
たスチレン系化合物、シラン化合物、ヒドロキシ
芳香族化合物、および窒素含有芳香族化合物より
なる群の中から選ばれた少なくとも1種の有機単
量体のプラズマ重合によつて誘導された重合体で
形成されたイオン選択分離性保護膜を備えたこと
を特徴とするイオンセンサーが提供される。
また、この発明によれば、導電性基体と、該導
電性基体の表面に被覆されたヒドロキシ芳香族化
合物および窒素含有芳香族化合物よりなる群の中
から選ばれた少なくとも1種の芳香族化合物から
電解酸化重物によつて誘導された重合体で形成さ
れたイオン感応膜と、該イオン感応膜の表面に被
覆されたスチレン系化合物、シラン化合物、ヒド
ロキシ芳香族化合物、および窒素含有芳香族化合
物よりなる群の中から選ばれた少なくとも1種の
有機単量体のプラズマ重合によつて誘導された重
合体で形成されたイオン選択分離性保護膜とを備
えてなり、該イオン選択分離性膜が無機材料を担
持したことを特徴とするイオンセンサーが提供さ
れる。
導電性基体の表面は白金、イリジウム、ロジウ
ム、ルテニウム、パラジウム、オスミウム等の白
金族金属で形成されていることが好ましい。
ヒドロキシ芳香族化合物としては一般式 (HO−)lAr−(R)n (ここで、Arは芳香核、Rは水素または置換基、
lおよびmはそれぞれ1以上の整数であつてl+
mはArの有効原子価数を越えない)で示される
ものがある。このようなヒドロキシ芳香族化合物
の例を挙げると、フエノール、ジメチルフエノー
ル、2−、3−および4−ヒドロキシピリジン、
o−およびm−ベンジルアルコール、o−、m−
およびp−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−、
m−およびp−ヒドロキシアセトフエノン、o
−、m−およびp−ヒドロキシプロピオフエノ
ン、o−、m−およびp−ベンゾフエノール、o
−、m−およびp−ヒドロキシベンゾフエノン、
o−、m−およびp−カルボキシフエノール、ジ
フエニルフエノール(例えば、2,6−および
3,5−ジフエニルフエノール)、2−メチル−
8−ヒドロキノリン、5−ヒドロキシ−1,4−
ナフトキノン、4−(p−ヒドロキシフエニル)−
2−ブタノン、1,5−ジヒドロキシ−1,2,
3,4−テトラヒドロナフタレン、ビスフエノー
ルA、または2,2−ビス−(4′−ヒドロキシフ
エニル)ヘキサフルオロプロパンである。
窒素含有芳香族化合物としては一般式 (H2N−)pAr−(R)q () (ここで、Arは芳香核、Rは水素または置換基、
pおよびqはそれぞれ1以上の整数であつてp+
qはArの有効原子価数を越えない。ただし、Ar
が窒素原子を含む場合pは0であつてもよい)で
示されるものがある。このような窒素含有芳香族
化合物の例を挙げると、1,2−ジアミノベンゼ
ン、アニリン、2−アミノベンゾトリフルオリ
ド、2−アミノピリジン、2,3−ジアミノピリ
ジン、4,4′−ジアミノジフエニルエーテル、
4,4′−メチレンジアニリン、チラミン、N−
(o=ヒドロキシベンジル)アニリンまたはピロ
ールである。
有機単量体の例を挙げると、スチレン系化合
物、シラン系化合物、ヒドロキシ芳香族化合物ま
たは窒素含有芳香族化合物である。無機材料の例
を挙げると、白金族金属またはカーボンである。
また、無機材料はイオン選択分離性保護膜上に
被着された膜の形態にあるか、またはイオン選択
分離性保護膜内に含浸された形態にある。
発明の具体的説明 以下、この発明を添付の図面に沿つて詳しく説
明する。
第1図に示すように、この発明に従うイオンセ
ンサーは任意形状特に線状の導電性基体11の表
面11aにイオン感応膜12を被着し、このイオ
ン感応膜12を覆つてイオン選択分離性保護膜1
3を形成してなるものである。導電性基体11の
周囲はテフロン(登録商標)等の絶縁体14で被
覆されている。
導電性基体11はその表面11a部分が白金で
形成されていることが好ましい。したがつて導電
性基体11を全体を白金で形成するか、または他
の金属(鉄、ステンレス鋼等)で本体を形成し、
その所要表面部分に白金属を蒸着、スパツタ等で
被着するとよい。
導電性基体11の表面11a上に形成されてい
るイオン感応膜12はヒドロキシ芳香族化合物お
よび(または)窒素含有芳香族化合物から電解酸
化重合によつて誘導された重合体で形成されてい
る。(この明細書で用いている「重合体」という
語は、単独重合体および相互重合体(例えば、二
次および三元共重合体)の双方を含む。) ヒドロキシ芳香族化合物としては次の一般式
() (HO−)lAr−(R)n () (ここで、Arは芳香核、Rは水素または置換基、
lおよびmはそれぞれ1以上の整数であつてl+
mはArの有効原子価数を越えない)で示される
ものがある。芳香核Arは単環式(ベンゼン核、
ピリジン核等)であつても多環式であつてもよ
い。多環式芳香核には縮合環(ナフタリン核、キ
ノリン核、ナフトキノン核等)および架橋環(ビ
フエニル核、メチレン鎖架橋ビスフエニル核、−
0−架橋ビスフエニル核等)が含まれる。水素を
除く置換基Rは、アルキル基、ハロアルキル基、
アリール基、ヒドロキシアルキル基、カルボニル
基、カルボキシル基、ヒドロキシル基等である。
一般式()で示されるヒドロキシ芳香族化合
物の例を挙げると、フエノール、ジメチルフエノ
ール、(例えば、2,6−および3,5−ジメチ
ルフエノール)、2−、3−および4−ヒドロキ
シピリジン、o−およびm−ベンジルアルコー
ル、o−、m−およびp−ヒドロキシベンズアル
デヒド、o−、m−およびp−ヒドロキシアセト
フエノン、o−、m−およびp−ヒドロキシプロ
ピオフエノン、o−、m−およびp−ベンゾフエ
ノール、o−、m−およびp−ヒドロキシベンゾ
フエノン、o−、m−およびp−カルボキシフエ
ノール、ジフエニルフエノール(例えば、2,6
−および3,5−ジフエニルフエノール)、2−
メチル−8−ヒドロキノリン、5−ヒドロキシ−
1,4−ナフトキノン、4−(p−ヒドロキシフ
エニル)−2−ブタノン、1,5−ジヒドロキシ
−1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン、ビ
スフエノールA、2,2−ビス−(4′−ヒドロキ
シフエニル)ヘキサフルオロプロパン等である。
また窒素含有芳香族化合物としては次の一般式
() (H2N−)pAr−(R)q () (ここで、ArおよびRは一般式()に関して
述べたものと同義、pおよびqはそれぞれ以上の
整数であつてp+qはArの有効原子価数を越え
ない。ただし、Arが窒素原子を含む場合(例え
ば、ピリジン核)、pは0であつてもよい)で示
されるものがある。
一般式()で示される窒素含有芳香族化合物
の例を挙げると、1,2−ジアミノベンゼン、ア
ニリン、2−アミノベンゾトリフルオリド、2−
アミノピリジン、2,3−ジアミノピリジン、
4,4′−ジアミノフエニルエーテル、4,4′−メ
チレンジアニリン、チラミン、N−(o−ヒドロ
キシベンジル)アニリンまたはピロール等であ
る。
以上述べたヒドロキシ芳香族化合物および(ま
たは)窒素含有芳香族化合物から電解酸化重合に
よつて導電性基体11の表面11aにイオン感応
膜12としての重合体膜を被着するためには、適
当な溶媒中でヒドロキシ芳香族化合物および(ま
たは)窒素含有芳香族化合物を電解酸化重合さ
せ、動作電極としての所望の導電性基体表面に重
合体として形成する。例えば、1,2−ジアミノ
ベンゼン、2−アミノベンゾトリフルオリドおよ
び4,4′−ジアミノジフエニルメタンの電解酸化
重合はPH7のリン酸緩衝溶液中で、アニリンの重
合はピリジンおよび過塩素酸ナトリウムを含むア
セトニトリル溶液中で、4,4′−ジアミノジフエ
ニルエーテルの重合は過塩素酸ナトリウムを含む
アセトニトリル溶液または水酸化ナトリウムを含
むメタノール溶液中で、また、ピロールの重合は
支持電解質としてヘキサフルオロリン酸テトラブ
チルアンモニウム(Bu4N(PF6)と略す)を含む
アセトニトリル溶液中でおこなう。ヒドロキシ芳
香族化合物の電解酸化重合はアルカリ性のメタノ
ール等の溶媒中でおこなう。
電解酸化重合によつて被着した重合体膜は被安
定性が極めてよく、また膜表面も滑らかである。
重合体膜の厚さに特に制限はないが0.01μmな
いし1μm程度が適当である。
この重合体膜は、溶液中の特定イオン特に水素
イオンに感応し、その濃度に応答した電位を発生
させるのでイオン感応膜ということにする。
イオン感応膜12を覆つて形成されたイオン選
択分離性保護膜13は少なくとも1種の有機単量
体のプラズマ重合から誘導された重合体で形成さ
れている。この有機単量体の例を挙げると、スチ
レン系化合物(例えばスチレン)、シラン系化合
物(例えば、シラン、メチルメトキシシラン)、
一般式()で示されているヒドロキシ芳香族化
合物および一般式()で示される窒素含有化合
物である。
プラズマ重合は第2図に示す装置を用いておこ
なうことができる。この装置は下端21aが閉
じ、上端21bが真空系(図示せず)に接続した
管体21を有し、この管体21の途中から分枝連
通して、イオン感応膜を具えた導電性基体Cの保
持部となる、先端の閉じた分枝管22が形成され
ている。この分枝管22下側であつて下端21a
より上方において管体21を中心として対称的な
アノード電極23および接地電極24が配設され
ている。アノード電極23はリード線L1を介し
て高周波発生装置25に接続している。一方、接
地電極24はリード線L2を介して高周波発生装
置25に接続し、そして分枝リード線L3を介し
て高周波発生装置25のケースとともに接地
(GND)されている。イオン感応膜を具えた導電
性基体Cはイオン感応膜が管体21に臨むように
分枝管22内に保持され、リード線L4を介して
可動接点S1に接続している。可動接点S1近傍には
開放の固定接点S2並びにそれぞれリード線L5
よびL6を介してリード線L1およびL2に接続した
固定接点S3およびS4が配設される。可動接点S1
固定接点S2〜S4間で適宜切換えられる。
このようなプラズマ重合装置を用いて、導電性
基体Cのイオン感応膜上に所望の有機単量体のプ
ラズマ重合膜を形成するためには、まず、管体2
1の底部に有機単量体を入れ、管体21を真空系
で約10-4torrまで減圧して管体21内の空気もし
くは酸素を除去する。次に、管体21内の有機単
量体の蒸気圧を約1torrに調整し、高周波電力
10Wないし100Wで3〜120秒間プラズマを照射す
る。こうして、プラズマにより励起された有機単
量体は基体Cのイオン感応膜上で重合し膜とな
る。このとき、励起された有機単量体が静電的な
相互作用による拆力を受けないように、また積極
的に加速されてイオン感応膜上で重合するあるい
はイオン感応膜と化学結合するように、可動接点
S1を固定接点S3またはS4に接続して基体Cの電位
を規制するとよい。
このようなプラズマ重合で得た膜はイオン感応
膜12(第1図)と強固に密着し、それ自体非常
に緻密な膜であり、ピンホールもなく、イオン感
応膜の保護膜となるとともに生体の体液中の狭雑
イオン、タンパク質、尿素、酸(アスパラギン
酸、乳酸、尿酸等)、クレアチニン、アミノ酸等
の透過を阻止し、特定イオン特に水素イオンのみ
を選択的に透過させる機能を持つ。この意味で、
このプラズマ重合膜をイオン選択分離性保護膜と
いうこととする。なお、この保護膜のイオン選択
分離性は、プラズマ重合条件の選定および例えば
有機単量体を2種以上用いた場合にはその組成比
の選定によつて制御することができる。
さらに、本発明者らは、上記イオン選択分離性
保護膜12に無機材料を担持させることによつて
特定イオンに対する選択透過性をさらに向上させ
ることができることを見出した。このような無機
材料としては白金、金、銀等の白金族金属やカー
ボン(カーボンブラツク、グラツシーカーボン
等)、ケイ素、アルミニウム、炭化ケイ素、アル
ミナ等があり。これら材料は膜31としてイオン
選択分離性保護膜12上に例えばスパツタ法で形
成することができる(第3図参照)。この無機材
料膜31を覆つてポリカーボネート等適当な保護
膜32を被着してもよい。あるいは、これら、無
機材料はイオン選択分離性保護膜に微粒子として
分散させてもよい。
上記無機材料はイオン選択分離性保護膜12の
微細孔の孔径を制御でき、例えば孔径を10-4μm
から0.1μmの範囲にわたつて調節することができ
る。例えば、保護膜12の孔径を10-4μmに調節
すれば、水素イオンのみを選択的に透過させるこ
とができる。
発明の具体的作用 以上述べたこの発明のイオンセンサーは体液中
の特定イオンことに水素イオンの濃度を電極電位
応答で測定できる。この場合、この発明のイオン
センサーを適当な基準電極例えば塩化ナトリウム
飽和カロメル電極(SSCE)とともに体液中に浸
漬し、基準電極に対する起電力を電位差計で測定
する。そして、予め作製しておいた起電力とPHと
の相関図から体液のPHを読み取る。
特に、この発明のイオンセンサーはインビボで
体液のPHを測定するのに適している。このこと
は、第4図に示すような体液循環装置を用いて、
以下の実施例に示されているように証明されてい
る。第4図に示す体液循環装置(フローセル)
は、体液流通路42を横方向に具えた本体41を
有し、この本体41の上表面から流通路42に達
して複数個の電極挿入孔43が設けられている。
各電極挿入孔43にはこの発明のイオンセンサー
と基準電極とを挿入し、流通路42内に体液を循
環させる。
以下、この発明の実施例に記す。
実施例 1 導電性基体本体としてのステンレス鋼線
(SUS304、直径1mm)の周囲をテフロン(登録
商標)で絶縁し、その露出先端面をシリコンカー
バイド(粒径約8.0μm)紙およびアルミナ粒末
(粒径0.3μm)で研磨、平滑化し、水およびメタ
ノールで洗浄し乾燥した。この基体本体の露出先
端面に白金を高速二極式スパツタ法(200W×15
秒間)により0.056μmの厚さに被着して基体を作
製した。
次に、通常の三電極式セルを用いて所望の電解
酸化重合を以下の条件の下でおこなつた。
電解液:フエノール10mMおよび水酸化ナトリウ
ム30mMを含むメタノール溶液 対極:白金網 基準電極:市販の塩化ナトリウム飽和カロメル電
極(SSCE) 動作電極:上記導電体基体 (電極は、蒸留水で洗浄し乾燥してから用いた) 電解電圧を掃引し、酸化重合反応が基体の白金
膜上で生起していることを確認した後、印加電圧
1V(対SSCE)で3分間定電位電解をおこなつた。
こうして基体の白金膜上にフエノールの電解酸化
重合体(ポリフエニレンオキシド、以下PPOと
いう)膜が0.01μm〜0.02μmの厚さに形成され
た。
次に、第2図に示したプラズマ重合装置を用い
てPPO膜上にスチレンのプラズマ重合体膜を形
成し所望のイオンセンサーを得た。プラズマ重合
条件は次の通りであつた。
スチレン単量体蒸気圧:約1torr 高周波電力:100W プラズマ照射時間:6秒 このプラズマ重合中可動接点S1は固定接点S4
接続させた。
このプラズマ重合したポリスチレン膜は赤紫色
で非常に緻密でありPPO膜と強固に密着してい
た。
実験例 1 実施例1で作製したイオンセンサーを用いて、
第4図に示すフローセル中において循環させたウ
シ血漿のPHを測定した。基準電極としてSSCEを
用いた。上記イオンセンサーを作製後直ちに測定
された当該イオンセンサーの起電力値の経時変化
を第5図に示す。この場合、起電力値がほぼ一定
になる(平衡電位値の±2mV以内の電位に達す
る)までの時間(応答時間)は約15分であつた。
連続4時間フローセル中で測定した時、起電力値
は150mV±2mV(対SSCE)に平衡値を示し
た。なお。ウシ血漿のPH、炭酸ガス分圧PCO2
よび酸素分圧PO2を測定開始後0分、50分、150
分および240分経過時に血液分析計(ラジオメー
ター社BMS−MK−8型)を用いて測定し、以
下の値を得た。
■■■ 亀の甲 [0008] ■■■ 次に、同じイオンセンサーを用いて再び新鮮な
ウシ血漿中で同様にイオンセンサーの起電力の測
定をおこなつたところ、応答時間は1分以内と大
幅に短縮された。
実験例 2 ウシ血漿のPHを6.6から8.4まで変化させ、実施
例1のイオンセンサーの電位応答を調べた(温度
37°±0.1℃)。ウシ血漿のPHは7.4から6.6までは
0.1M乳酸溶液を加えることによつて、また7.4か
ら8.4までは新たなウシ血漿に0.1M水酸化ナトリ
ウムを加えることによつて変化させた。結果を第
6図に線aとして示す。PHを酸性側に変化させた
場合とアルカリ側に変化させたときの平衡電位は
同一直線上にあり、その傾きは56(mV/PH)で
あつた。また、応答時間は約5分であつた。な
お。このイオンセンサーのリン酸緩衝液における
特性は第6図の線bで示された通りであつた。
実験例1における平衡電位値は150mVであつ
たが、この値から第6図の直線aを用いてPHを求
めるとPHは約7.3となる。このPH値は、実験例1
の実験最終時におけるウシ血漿のPH値7.26(表1
参照)とよく一致している。したがつて、このイ
オンセンサーは循環している血漿のPHを測定する
ことができる。
実験例 3 ウサギの動脈と静脈とを第4図に示したフロー
セルの流通路42の両端に接続し、実施例1のイ
オンセンサーを用いてウサギ動脈血の水素イオン
濃度を13.5時間連続して測定した。平衡電位値は
150±4mVであり、結果を第7図に示す。なお。
ウサギ動脈のPH、PCO2およびPO2は以下の通りあ
つた。
PH:7.37〜7.47 PCO2:26.5〜34.8mmHg PO2:111.9〜159.2mmHg この実験から、このイオンセンサーは長時間に
わたりPHの測定をおこなえることがわかる。
実験例 4 実験例1のイオンセンサーを用い、フローセル
中でCO2ガスを30ml/分の速度で牛血漿中に添加
した時のウシ血漿のPH変化に対する平衡電位値を
測定した。結果を第6図の直線Cとして示す。こ
の結果からわかるように、PH6.4から7.3までの間
で直線は52mV/PHの勾配を持ち、これはCO2
スの添加しないウシ血漿のときのそれと近似して
おり、また電位値の差も10mV程度と小さかつ
た。したがつて、このイオンセンサーは溶存CO2
ガスの影響を受けずにPHの測定ができる。
実験例1〜4の結果を下記表2にまとめて示
す。
■■■ 亀の甲 [0009] ■■■ 実施例 2〜3 スチレンのプラズマ重合において第2図に示す
可動接点S1をそれぞれ固定接点S2およびS3と接続
させ、プラズマ照射時間を変えた以外は実施例1
と同様にしてイオンセンサーを作製し、その特性
を調べた。結果を表3にまとめて示す。
■■■ 亀の甲 [0010] ■■■ この結果、実施例2および3のイオンセンサー
は実施例1のイオンセンサーとほぼ同等に作用す
るがプラズマ重合膜の状態は実施例1のイオンセ
ンサーよりも劣ることがわかつた。したがつて、
プラズマ重合に当り、試料を接地側に接続するこ
とがより好ましい。
実施例 4〜6 プラズマ重合膜の種類およびプラズマ条件を表
4に示すように変えた以外は実施例1と同様にし
て各イオンセンサーを作製した。
■■■ 亀の甲 [0011] ■■■ こうして得たイオンセンサーの特性を調べた結
果を表5にまとめて示す。
■■■ 亀の甲 [0012] ■■■ 表5から、ビスフエノールAとメチルメトキシ
シランとの共重合膜を有するイオンセンサーの方
がそれぞれの単量体単味の重合膜を有するイオン
センサーよりもセンサーとしての特性が優れてい
ることがわかる。
実施例 7〜8 プラズマ重合膜の種類を変えた以外は実施例1
と同様にしてイオンセンサーを作製しその特性を
調べた。結果を表6にまとめて示す。
■■■ 亀の甲 [0013] ■■■ 実施例 9〜10 イオン感応膜の種類を変えた以外は実施例1と
同様にしてイオンセンサーを作製しそのリン酸緩
衝液中における特性を調べた。結果を表7にまと
めて示す。
■■■ 亀の甲 [0014] ■■■ 実施例 11〜14 それぞれ実施例1、6、7および8と全く同様
にして得た各イオンセンサーのプラズマ重合膜上
に白金を、ついでにその上にポリカーボネートを
それぞれスパツタ法で被着し、所望のイオンセン
サーを作製し、その特性を調べた。結果を表8に
まとめて示す。
■■■ 亀の甲 [0015] ■■■ 実施例11と実施例1、実施例12と実施例6、実
施例13と実施例7、並びに実施例14と実施例8を
それぞれ比較してわかるようにプラズマ重合膜に
白金薄膜を担持させることによつて、平衡電位値
が増大しており、測定液特に血漿中の妨害イオン
の影響により受け難くなつていることがわかる。
なお、上記実施例において、ポリカーボネートを
設けない場合でも、同様の効果が得られた。
実施例 15〜17 それぞれ実施例1および8と全く同様にして作
製した各イオンセンサーのプラズマ重合膜上に、
それぞれアルミナ(Al2O3)または炭化ケイ素
(SiC)のターゲツトを用いて高周波スパツタ法
で各薄膜を10〜100nmの厚さに形成し、所望の
イオンセンサーを作製した。高周波スパツタ法
は、スパツタガスとしてアルゴンガスを用い、ア
ルミナについては高周波出力20W、スパツタ時間
20分の条件で、炭化ケイ素については高周波出力
100W、スパツタ時間10分の条件で行つた。
各イオンセンサーの特性をリン酸塩緩衝溶液中
で測定した。結果を表9に示す。
■■■ 亀の甲 [0016] ■■■ 発明の具体的効果 以上述べたように、この発明のイオンセンサー
は体液(血液、胃液、リンパ液)用のイオンセン
サーとして長時間にわたつて機能する。特に、こ
の発明のイオンセンサーを血液のPHセンサーとし
て用いる場合、血液中にはCl-、Mg2+、Ca2+
Zn2+、Na+、K+等のイオンやアルブミン、グル
コース、ビリルビン、尿素、尿酸等の化合物が共
存しているが、これらイオンの化合物の影響を受
けることなく、PHの測定が可能である。特にイオ
ン選択分離性保護膜に無機材料を担持させた形態
のイオンセンサーは特定イオンに対する選択透過
性に優れている。さらに、この発明のイオンセン
サーは基体の加工限度まで微細化が可能であり、
インビボでのイオン濃度測定に適している。
【図面の簡単な説明】
第1図および第3図は、この発明のそれぞれ別
の態様に従うイオンセンサーの断面図、第2図は
この発明のイオンセンサーの作製に用いられるプ
ラズマ重合装置を示す概略図、第4図はこの発明
のイオンセンサーの特性を測定する際に用いられ
るフローセルの概略断面図、第5図ないし第7図
はこの発明のイオンセンサーの特性を示すグラフ
図。 11……導電性基体、12……イオン感応膜、
13……イオン選択分離性保護膜、31……無機
材料膜。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 導電性基体と該導電性基体の表面に被覆され
    たヒドロキシ芳香族化合物および窒素含有芳香族
    化合物よりなる群の中から選ばれた少なくとも1
    種の芳香族化合物から電解酸化重合によつて誘導
    された重合体で形成されたイオン感応膜と、該イ
    オン感応膜の表面に被覆されたスチレン系化合
    物、シラン化合物、ヒドロキシ芳香族化合物、お
    よび窒素含有芳香族化合物よりなる群の中から選
    ばれた少なくとも1種の有機単量体のプラズマ重
    合によつて誘導された重合体で形成されたイオン
    選択分離性保護膜を備えたことを特徴とするイオ
    ンセンサー。 2 導電性基体の表面が白金族金属で形成されて
    いる特許請求の範囲第1項のイオンセンサー。 3 ヒドロキシ芳香族化合物が一般式 (HO−)lAr−(R)n (ここで、Arは芳香該、Rは水素または置換基、
    lおよびmはそれぞれ1以上の整数であつてl+
    mはArの有効原子価を越えない)で示される特
    許請求の範囲第1項または第2項記載のイオンセ
    ンサー。 4 ヒドロキシ芳香族化合物がフエノール、ジメ
    チルフエノール、2−、3−または4−ヒドロキ
    シピリジン、o−またはm−ベンジルアルコー
    ル、o−、m−またはp−ヒドロキシベンズアル
    デヒド、o−、m−またはp−ヒドロキシアセト
    フエノン、o−、m−またはp−ヒドロキシプロ
    ピオフエノン、o−、m−またはp−ベンゾフエ
    ノール、o−、m−またはp−ヒドロキシベンゾ
    フエノン、o−、m−またはp−カルボキシフエ
    ノール、ジフエニルフエノール、2−メチル−8
    −ヒドロキノリン、5−ヒドロキシ1,4−ナフ
    トキノン4−(p−ヒドロキシフエニル)−2−ブ
    タノン、1,5−ジヒドロキシ−1,2,3,4
    −テトラヒドロナフタレン、ビスフエノールA、
    または2,2−ビス−(4′−ヒドロキシフエニル)
    ヘキサフルオロプロパンである特許請求の範囲第
    3項記載のイオンセンサー。 5 窒素含有芳香族化合物が一般式 (H2N−)pAr−(R)q (ここで、Arは芳香核、Rは水素または置換基、
    pおよびqはそれぞれ1以上の整数であつてp+
    qはArの有効原子価を越えない。ただし、Arが
    窒素原子を含む場合pは0であつてもよい)で示
    される特許請求の範囲第1項または第2項記載の
    イオンセンサー。 6 窒素含有芳香族化合物が1,2−ジアミノベ
    ンゼン、アニリン、2−アミノベンゾトリフルオ
    リド、2−アミノピリジン、2,3−ジアミノピ
    リジン、4,4′−メチレンジアニリン、チラミ
    ン、N−(o−ヒドロキシベンジル)アニリンま
    たはピロールである特許請求の範囲第5項記載の
    イオンセンサー。 7 導電性基体と、該導電性基体の表面に被覆さ
    れたヒドロキシ芳香族化合物および窒素含有芳香
    族化合物よりなる群の中から選ばれた少なくとも
    1種の芳香族化合物から電解酸化重合によつて誘
    導された重合体で形成されたイオン感応膜と、該
    イオン感応膜の表面に被覆されたスチレン系化合
    物、シラン化合物、ヒドロキシ芳香族化合物、お
    よび窒素含有芳香族化合物よりなる群の中から選
    ばれた少なくとも1種の有機単量体のプラズマ重
    合によつて誘導された重合体で形成されたイオン
    選択分離性保護膜を備えてなり、該イオン選択分
    離性保護膜が白金族金属、カーボン、ケイ素、ア
    ルミニウム、炭化ケイ素およびアルミナからなる
    群の中から選ばれた無機材料を担持したことを特
    徴とするイオンセンサー。 8 導電性基体の表面が白金族金属で形成されて
    いる特許請求の範囲第7項記載のイオンセンサ
    ー。 9 ヒドロキシ芳香族化合物が一般式 (HO−)lAr−(R)n (ここで、Arは芳香核、Rは水素または置換基、
    lおよびmはそれぞれ1以上の整数であつてl+
    mはArの有効原子価を越えない)で示される特
    許請求の範囲第7項または第8項記載のイオンセ
    ンサー。 10 ヒドロキシ芳香族化合物がフエノール、ジ
    メチルフエノール、2−、3−または4−ヒドロ
    キシピリジン、o−またはm−ベンジルアルコー
    ル、o−、m−またはp−ヒドロキシベンズアル
    デヒド、o−、m−またはp−ヒドロキシアセト
    フエノン、o−、m−またはp−ヒドロキシプロ
    ピオフエノン、o−、m−またはp−ベンゾフエ
    ノール、o−、m−またはp−ヒドロキシベンゾ
    フエノン、o−、m−またはp−カルボキシフエ
    ノール、ジフエニルフエノール、2−メチル−8
    −ヒドロキノリン、5−ヒドロキシ1,4−ナフ
    トキノン、4−(p−ヒドロキシフエニル)−2−
    ブタノン、1,5−ジヒドロキシ−1,2,3,
    4−テトラヒドロナフタレン、ビスフエノール
    A、または2,2−ビス−(4′−ヒドロキシフエ
    ニル)ヘキサフルオロプロパンである特許請求の
    範囲第9項記載のイオンセンサー。 11 窒素含有芳香族化合物が一般式 (H2N−)pAr−(R)q (ここで、Arは芳香核、Rは水素または置換基、
    pおよびqはそれぞれ1以上の整数であつてp+
    qはArの有効原子価を越えない。ただし、Arが
    窒素原子を含む場合pは0であつてもよい)で示
    される特許請求の範囲第7項または第8項記載の
    イオンセンサー。 12 窒素含有芳香族化合物が1,2−ジアミノ
    ベンゼン、アニリン、2−アミノベンゾトリフル
    オリド、2−アミノピリジン、2,3−ジアミノ
    ピリジン、4,4′−メチレンジアニリン、チラミ
    ン、N−(o−ヒドロキシベンジル)アニリンま
    たはピロールである特許請求の範囲第11項記載
    のイオンセンサー。 13 無機材料がイオン選択分離性保護膜上に被
    着された膜の形態にある特許請求の範囲第7項な
    いし第12項のいずれか1項に記載のイオンセン
    サー。 14 無機材料がイオン選択分離性保護膜内に含
    浸された形態にある特許請求の範囲第7項ないし
    第12項のいずれか1項に記載のイオンセンサ
    ー。
JP58016395A 1983-02-03 1983-02-03 イオンセンサ− Granted JPS59142451A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58016395A JPS59142451A (ja) 1983-02-03 1983-02-03 イオンセンサ−

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58016395A JPS59142451A (ja) 1983-02-03 1983-02-03 イオンセンサ−

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59142451A JPS59142451A (ja) 1984-08-15
JPH0342424B2 true JPH0342424B2 (ja) 1991-06-27

Family

ID=11915052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58016395A Granted JPS59142451A (ja) 1983-02-03 1983-02-03 イオンセンサ−

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59142451A (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61213662A (ja) * 1985-03-19 1986-09-22 Terumo Corp pHセンサ−
JPS61251764A (ja) * 1985-04-30 1986-11-08 Terumo Corp ↓pHセンサ−
JPS61155949A (ja) * 1984-12-28 1986-07-15 Terumo Corp pHセンサ−
JPS61213660A (ja) * 1985-03-19 1986-09-22 Terumo Corp pHセンサーの製造方法
JPS61194343A (ja) * 1985-02-25 1986-08-28 Terumo Corp Phセンサ−
JPS6279345A (ja) * 1985-10-02 1987-04-11 Terumo Corp イオン濃度測定方法
JPS62150150A (ja) * 1985-12-25 1987-07-04 Terumo Corp Phセンサ−
DK626986A (da) * 1985-12-25 1987-06-26 Terumo Corp Ionsensor
JPH0795060B2 (ja) * 1986-01-24 1995-10-11 テルモ株式会社 イオン選択性fetセンサ−
US4871442A (en) * 1986-05-01 1989-10-03 Terumo Corporation Ion sensor
JPS62277547A (ja) * 1986-05-26 1987-12-02 Terumo Corp ガスセンサ−
JPH0416215Y2 (ja) * 1986-12-04 1992-04-10
JPS63290954A (ja) * 1987-05-22 1988-11-28 Terumo Corp ガスセンサ
JP2672561B2 (ja) * 1988-01-29 1997-11-05 テルモ株式会社 膜被履センサ

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59142451A (ja) 1984-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0431545B2 (ja)
JPH0342424B2 (ja)
EP0100988B1 (en) Reference electrode
US4563263A (en) Selectively permeable film and ion sensor
JPS62277547A (ja) ガスセンサ−
JPS6114562A (ja) pH測定装置
JPH0370782B2 (ja)
JPS61251764A (ja) ↓pHセンサ−
JPS58172541A (ja) イオン電極用基体およびイオン電極
JPH0339586B2 (ja)
JPH0446378B2 (ja)
JPH01272957A (ja) イオン感応膜、その製造方法及びイオンセンサ
JPH0370781B2 (ja)
US5192417A (en) Lithium ion sensor
JPH0376863B2 (ja)
JPS5832155A (ja) イオン選択透過膜およびイオンセンサー
JPS6262261A (ja) 炭酸水素イオンセンサ−
JPH0743342B2 (ja) リチウムイオンセンサ
WO1988004424A1 (en) Ion-selective fet sensor
JPS5852556A (ja) イオン選択透過膜およびイオンセンサ−
JPH0375065B2 (ja)
JPH0668481B2 (ja) イオン選択性fetセンサ
JPH02221851A (ja) 化学的センサ素子および生化学的分析用素子
JPS61213661A (ja) pHセンサ−
JPH0237986B2 (ja)