JPS61213661A - pHセンサ− - Google Patents
pHセンサ−Info
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- JPS61213661A JPS61213661A JP60055176A JP5517685A JPS61213661A JP S61213661 A JPS61213661 A JP S61213661A JP 60055176 A JP60055176 A JP 60055176A JP 5517685 A JP5517685 A JP 5517685A JP S61213661 A JPS61213661 A JP S61213661A
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- Japan
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- sensor
- polymer film
- hydrogen ions
- formula
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/28—Electrolytic cell components
- G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
- G01N27/333—Ion-selective electrodes or membranes
- G01N27/3335—Ion-selective electrodes or membranes the membrane containing at least one organic component
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はpHセンサー、更に詳細には、溶液の市を導電
性基体の表面に機能性高分子膜を被覆した電極の電位応
答で測定するpHセンサーに関する。
性基体の表面に機能性高分子膜を被覆した電極の電位応
答で測定するpHセンサーに関する。
■、発明の目的
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕従来
、■センサーとしてはガラス電極が広く用いられている
。しかし、ガラス電極は、■ガラス膜が破損あるいは汚
染しやすい、■アルカリ溶液中での使用に限界がある、
■粘度の高い溶液や吸着性物質を含む溶液中では測定精
度が短時間で低下する、■内部基準液を保有するため小
型化が困難であるなどの問題点があった。
、■センサーとしてはガラス電極が広く用いられている
。しかし、ガラス電極は、■ガラス膜が破損あるいは汚
染しやすい、■アルカリ溶液中での使用に限界がある、
■粘度の高い溶液や吸着性物質を含む溶液中では測定精
度が短時間で低下する、■内部基準液を保有するため小
型化が困難であるなどの問題点があった。
そこで、ガラス電極に代るものとして、機能性高分子膜
を被覆した電極の開発が行なわれるよう重合して水素イ
オン選択透過膜を被着したpHセンサーが開示されてい
る(%開昭57−118153号および同58−657
75号)。このpHセンサーは、基体が白金線で小さく
、かつ内部基準液を必要としないため小型化が容易であ
シ、生体外のみならず生体内での使用の可能性も有する
。しかしながら、このpHセンサーは、■95%応答速
度が5〜10分間と遅く、■測定水溶液中に溶存酸素、
微量の活性イオン種、蛋白質が存在するとこれらの影響
を受は易いという欠点を有し、十分満足のゆくものでは
なかった。
を被覆した電極の開発が行なわれるよう重合して水素イ
オン選択透過膜を被着したpHセンサーが開示されてい
る(%開昭57−118153号および同58−657
75号)。このpHセンサーは、基体が白金線で小さく
、かつ内部基準液を必要としないため小型化が容易であ
シ、生体外のみならず生体内での使用の可能性も有する
。しかしながら、このpHセンサーは、■95%応答速
度が5〜10分間と遅く、■測定水溶液中に溶存酸素、
微量の活性イオン種、蛋白質が存在するとこれらの影響
を受は易いという欠点を有し、十分満足のゆくものでは
なかった。
而して、斯かる欠点を克服する方法として、例えば基体
として比較的酸素の影響を受けにくい炭素材料を用いる
ことが考えられたが、水素イオン選択透過膜を被着する
方法では水素イオンに対する基体の反応の不可逆性が犬
きく、pHセンサーの作製は困難であった。従って、更
に高い機能性を有する被覆膜の開発が望まれていた。
として比較的酸素の影響を受けにくい炭素材料を用いる
ことが考えられたが、水素イオン選択透過膜を被着する
方法では水素イオンに対する基体の反応の不可逆性が犬
きく、pHセンサーの作製は困難であった。従って、更
に高い機能性を有する被覆膜の開発が望まれていた。
本発明者は、斯かる実状において、溶液中の酸素の影響
を受けず、かつ応答速度の速いpHセンサーを開発すべ
く鋭意検討したところ、導電性基体の表面に、水素イオ
ンの関与する酸化還元反応を行なうことができる重合体
膜(以下、「酸化還元反応膜」という)を実質的に水素
イオンを透過しないc以下、「水素イオン不透過性」と
いう)ように被覆した電極が叱センサーとして利用でき
ること、しかもこのセンサーは従来の水素イオン選択透
過膜を被着したものと比べて優れた特性を有することを
見出し、本発明を完成した。
を受けず、かつ応答速度の速いpHセンサーを開発すべ
く鋭意検討したところ、導電性基体の表面に、水素イオ
ンの関与する酸化還元反応を行なうことができる重合体
膜(以下、「酸化還元反応膜」という)を実質的に水素
イオンを透過しないc以下、「水素イオン不透過性」と
いう)ように被覆した電極が叱センサーとして利用でき
ること、しかもこのセンサーは従来の水素イオン選択透
過膜を被着したものと比べて優れた特性を有することを
見出し、本発明を完成した。
すなわち本発明は、溶液のpHを電極電位応答で測定す
る田センサーであって、導電性基体の表面に、水素イオ
ンの関与する酸化還元反応を行なうことができる重合体
膜を、実質的に水素イオンを透過しないように被着して
なる田センサーを提供するものである。
る田センサーであって、導電性基体の表面に、水素イオ
ンの関与する酸化還元反応を行なうことができる重合体
膜を、実質的に水素イオンを透過しないように被着して
なる田センサーを提供するものである。
本発明は更に、重合体膜がアミン芳香族化合物から誘導
されるアミン−キノイド型酸化還元反応を行なうことが
できるpHセンサー。
されるアミン−キノイド型酸化還元反応を行なうことが
できるpHセンサー。
重合体膜がヒドロキシ芳香族化合物から誘導されるキノ
ン−ヒドロキノン型酸化還元反応を行なうことができる
pHセンサー。
ン−ヒドロキノン型酸化還元反応を行なうことができる
pHセンサー。
アミノ芳香族化合物が次式
%式%)
(式中、krは芳香核、各Rは置換基、mlは1ないし
Atの有効原子価数、niはOないしArの有効原子価
数−1を示す) で表わされるpHセンサー。
Atの有効原子価数、niはOないしArの有効原子価
数−1を示す) で表わされるpHセンサー。
ヒドロキシ芳香族化合物が次式
%式%)
(式中、Arは芳香核、各Rはf換基、mlは1ないし
Arの有効原子価数、nlは0ないしArの有効原子価
数−1を示す) で表わされるpHセンサー。
Arの有効原子価数、nlは0ないしArの有効原子価
数−1を示す) で表わされるpHセンサー。
重合体膜が電解酸化重合法により形成されるpi(セン
サーを提供する。
サーを提供する。
■6発明の具体的構成
以下、本発明pHセンサーの一例を示す第1図と共に説
明する。
明する。
第1図に示すように、本発明のpHセンサーは任意形状
の導電性基体11の周囲に絶縁体13を被覆し、先端表
面に所定の重合体膜12を被着・固定してなるものであ
る。
の導電性基体11の周囲に絶縁体13を被覆し、先端表
面に所定の重合体膜12を被着・固定してなるものであ
る。
導電性基体としては、例えば4亀、性炭素、および白金
、金、銀等の貴金属を挙げることができる。
、金、銀等の貴金属を挙げることができる。
また、これらの基体は、その表面に酸化インジウム、酸
化スズ等の半導体材料を被着して使用することができる
。導電性基体の形状は、特に制限はないが、細線形状と
することが小型化の点で好ましい。
化スズ等の半導体材料を被着して使用することができる
。導電性基体の形状は、特に制限はないが、細線形状と
することが小型化の点で好ましい。
導電性基体11の表面に被着される重合体膜は、水素イ
オン不透過性の酸化還元反応膜である。
オン不透過性の酸化還元反応膜である。
酸化還元反応膜としては、例えば次のアミン−キノイド
型酸化還元反応 −H,e +NH−R凰+、NH−□ 4N=FLz%N−(式中
、R1は例えば芳香核、R1はR1に対応する環構造を
示す) または次のキノン−ヒドロキノン型酸化還元反応−H+
e− 0* Ra *q O’ 0H−4−RsqOH□ (式中、R3は例えば芳香核、R4はR1に対応する環
構造を示す) を行なうことができる重合体膜が挙げられる。
型酸化還元反応 −H,e +NH−R凰+、NH−□ 4N=FLz%N−(式中
、R1は例えば芳香核、R1はR1に対応する環構造を
示す) または次のキノン−ヒドロキノン型酸化還元反応−H+
e− 0* Ra *q O’ 0H−4−RsqOH□ (式中、R3は例えば芳香核、R4はR1に対応する環
構造を示す) を行なうことができる重合体膜が挙げられる。
このような機能性重合体膜を形成しうる化合物C以下、
「単量体」ということがある)としては、例えば次の(
a)〜(C)の化合物が挙げられる。
「単量体」ということがある)としては、例えば次の(
a)〜(C)の化合物が挙げられる。
(a) 次式
%式%)
(式中、Arは芳香核、各Rは置換基、mは工ないしA
rの有効原子価数、nはOないしArの有効原子価数−
1を示す) で表わされるアミノ芳香族化合物。
rの有効原子価数、nはOないしArの有効原子価数−
1を示す) で表わされるアミノ芳香族化合物。
Atの芳香核は、例えばベンゼン核のように単環のもの
であっても、アントラセン核、ピレン核、クリセン核、
ペリレン核、コロネン核等のように多環のものであって
もよい。置換基R1としては、例えばメチル基等のアル
キル基、フェニル基等のアリール基、およびハロゲン原
子等が挙げられる。アミノ芳香族化合物の具体例を挙げ
ると、アニリン、1,2−ジアミノベンゼン、1,6−
ジアミノピレン、1,8−ジアミノピレン、1−アミノ
クリセジ、1.4−ジアミノクリセン、1−アミノフェ
ナントレン、9−アミノフェナントレン、9.10−ジ
アミノフェナントレン、1−アミノアントラキノン、p
−フェノキシアニリン、o−フェニレンシアミン、p−
クロロアニリン、3,5−ジクロロアニリン%2,4.
6−ドリクロロアニリン、N−1fルアニリン、N−フ
ェニル−p−7二二レンジアミン等である。
であっても、アントラセン核、ピレン核、クリセン核、
ペリレン核、コロネン核等のように多環のものであって
もよい。置換基R1としては、例えばメチル基等のアル
キル基、フェニル基等のアリール基、およびハロゲン原
子等が挙げられる。アミノ芳香族化合物の具体例を挙げ
ると、アニリン、1,2−ジアミノベンゼン、1,6−
ジアミノピレン、1,8−ジアミノピレン、1−アミノ
クリセジ、1.4−ジアミノクリセン、1−アミノフェ
ナントレン、9−アミノフェナントレン、9.10−ジ
アミノフェナントレン、1−アミノアントラキノン、p
−フェノキシアニリン、o−フェニレンシアミン、p−
クロロアニリン、3,5−ジクロロアニリン%2,4.
6−ドリクロロアニリン、N−1fルアニリン、N−フ
ェニル−p−7二二レンジアミン等である。
Φ) 次式
%式%()
C式中、各Rは置換基を示し、Ar%mおよびnは前記
と同じ意味を有する) で表わされるヒドロキシ芳香族化合物。
と同じ意味を有する) で表わされるヒドロキシ芳香族化合物。
具体例としては、フェノール%1,6−dtシレノール
、2,6−キシレノール、3.4−中シレノール、アシ
ッドブラック、テトラヒドロキシアントラセンおよび次
の群から選ばれる化合物が挙げられる。
、2,6−キシレノール、3.4−中シレノール、アシ
ッドブラック、テトラヒドロキシアントラセンおよび次
の群から選ばれる化合物が挙げられる。
R’ OHR’
〔式中、Xlは低級アルキル基または−NHCOCH。
を示し、オルト位またはメタ位に置換する。XIおよび
Ylは同一もしくは異なって低級アルキルC2H3O−
、C2H5COO(CHx )acO−、CxH+tC
ONH(CHz )aNH−またはCHs (CH2)
2COONH−ニルキル基を示す);Ll、Mlおよび
Y2は各々同一もしくは異なる低級アルキル基を示す〕
(C)1.6−ピレンキノン、t t 21 s t
8−テトラヒドロキシナリザリン、フエナントレンキノ
ン、1−アミノアントラキノン、プルプリン、1−アミ
ノ−4−ヒドロキシアントラキノン、アントラルフィン
等のキノン類。
Ylは同一もしくは異なって低級アルキルC2H3O−
、C2H5COO(CHx )acO−、CxH+tC
ONH(CHz )aNH−またはCHs (CH2)
2COONH−ニルキル基を示す);Ll、Mlおよび
Y2は各々同一もしくは異なる低級アルキル基を示す〕
(C)1.6−ピレンキノン、t t 21 s t
8−テトラヒドロキシナリザリン、フエナントレンキノ
ン、1−アミノアントラキノン、プルプリン、1−アミ
ノ−4−ヒドロキシアントラキノン、アントラルフィン
等のキノン類。
本発明に係る酸化還元反応膜としては、例えばポリ(N
−メチルアニリン)〔大賞、松田、小山、日本化学会誌
、1801−1809(1984))、rPIJ(2,
6−シメチルー1.4−)ユニしンエーテル)、ポIJ
(o−7二二レンジアミン)、ポリ(フェノール)、ポ
リオキシレノール;ピラゾロキノン系ビニルモノマーの
重合体、インアロキサジン系ビニルモノマーの重合体等
のキノン系ビニルポリマー縮重合化合物のような(a)
〜(C)の化合物を含有する有機化合物、(a)〜(C
)の化合物の低重合度高分子化合物(オリゴマー)、お
るいは(a)〜(C)をポリビニル化合物、ポリアミド
化合物等の高分子化合物に固定したもの等が挙げられる
。なお、本明細書において、重合体という語は単独重合
体及び共重合体等の相互重合体の双方を含む。
−メチルアニリン)〔大賞、松田、小山、日本化学会誌
、1801−1809(1984))、rPIJ(2,
6−シメチルー1.4−)ユニしンエーテル)、ポIJ
(o−7二二レンジアミン)、ポリ(フェノール)、ポ
リオキシレノール;ピラゾロキノン系ビニルモノマーの
重合体、インアロキサジン系ビニルモノマーの重合体等
のキノン系ビニルポリマー縮重合化合物のような(a)
〜(C)の化合物を含有する有機化合物、(a)〜(C
)の化合物の低重合度高分子化合物(オリゴマー)、お
るいは(a)〜(C)をポリビニル化合物、ポリアミド
化合物等の高分子化合物に固定したもの等が挙げられる
。なお、本明細書において、重合体という語は単独重合
体及び共重合体等の相互重合体の双方を含む。
本発明において、上記単量体から得られる酸化還元反応
膜を実質的に水素イオンを透過しないように導電性基体
に被着する方法としては、膜自体を緻密に形成するか、
あるいは膜厚を大きくする方法によってなし得る。膜厚
は、使用する高分子化合物によっても異なるが、0.1
μm〜1.0u程度が好ましい。
膜を実質的に水素イオンを透過しないように導電性基体
に被着する方法としては、膜自体を緻密に形成するか、
あるいは膜厚を大きくする方法によってなし得る。膜厚
は、使用する高分子化合物によっても異なるが、0.1
μm〜1.0u程度が好ましい。
叙上の如く、酸化還元反応膜を導電性基体11表面上に
被着するためには、(a)〜(C)の化合物を電解酸化
重合法または電解析出法によって基体表面上で直接重合
させる方法、あるいは電子線照射、光、熱などの適用に
よって、予め合成された重合体を溶媒に溶かし、この溶
液を浸漬・塗布および乾燥により基体表面に固定する方
法、更には重合体膜を化学的処理、物理的処理もしくは
照射処理によって基体表面に直接固定する方法を採るこ
とができる。これらの方法の中では、特に電解酸化重合
法によるのが好ましい。
被着するためには、(a)〜(C)の化合物を電解酸化
重合法または電解析出法によって基体表面上で直接重合
させる方法、あるいは電子線照射、光、熱などの適用に
よって、予め合成された重合体を溶媒に溶かし、この溶
液を浸漬・塗布および乾燥により基体表面に固定する方
法、更には重合体膜を化学的処理、物理的処理もしくは
照射処理によって基体表面に直接固定する方法を採るこ
とができる。これらの方法の中では、特に電解酸化重合
法によるのが好ましい。
本発明において、電解酸化重合法は、適当な支持電解質
溶液中で前記(a)〜(C)の化合物を電解酸化重合さ
せ、導電性基体の表面に重合体膜を被着することにより
実施される。溶媒としては、例えばアセトニトリル、水
、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、プロ
ピレンカーボネートナどが、また支持電解質としては、
例えば過塩素酸ナトリウム、硫酸、硫酸二ナトリウム、
リン酸、ホウ酸、テトラブルオロリン酸カリウム、4級
アンモニレム塩などが好適なものとして挙げられる。
溶液中で前記(a)〜(C)の化合物を電解酸化重合さ
せ、導電性基体の表面に重合体膜を被着することにより
実施される。溶媒としては、例えばアセトニトリル、水
、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、プロ
ピレンカーボネートナどが、また支持電解質としては、
例えば過塩素酸ナトリウム、硫酸、硫酸二ナトリウム、
リン酸、ホウ酸、テトラブルオロリン酸カリウム、4級
アンモニレム塩などが好適なものとして挙げられる。
斯くして被着される重合体膜は極めて緻密であり、薄膜
であっても溶液中の溶存酸素の透過を阻止することがで
きる。
であっても溶液中の溶存酸素の透過を阻止することがで
きる。
本発明のpHセンサーを用いて試料溶液のpHを測定す
るには、第2図に示すように、槽21中にpHを測定す
べき試料溶液22を入れ、この溶液に本発明のpHセン
サー23および基準電極24としての銀−塩化銀電極、
カロメル電極等を浸漬する。
るには、第2図に示すように、槽21中にpHを測定す
べき試料溶液22を入れ、この溶液に本発明のpHセン
サー23および基準電極24としての銀−塩化銀電極、
カロメル電極等を浸漬する。
そして基準電極24に対するpHセンサー23の電位差
(起電力)を電位差計26で測定する。このとき試料溶
液22を攪拌機25で攪拌するとよい。
(起電力)を電位差計26で測定する。このとき試料溶
液22を攪拌機25で攪拌するとよい。
そして、予め作成しておいた起電力とpHとの相関図か
ら試料溶液の咀を読み取る。
ら試料溶液の咀を読み取る。
■6発明の具体的作用・効果
〔作用〕
本発明のpHセンサーによる起電力とpHとの関係は広
範囲のpH領域で一53〜s 7 mV/pHの傾きを
持つ直線関係を示す。従って、次式 %式% 1式中、Eは起電力(mV)、EOは一定電位(mV)
、Rは気体定数、Tは熱力学温度、Fはファラデ一定数
、〔H+〕は水素イオン濃度を示す)で表わされるネル
ンスト式をほぼ満足する。
範囲のpH領域で一53〜s 7 mV/pHの傾きを
持つ直線関係を示す。従って、次式 %式% 1式中、Eは起電力(mV)、EOは一定電位(mV)
、Rは気体定数、Tは熱力学温度、Fはファラデ一定数
、〔H+〕は水素イオン濃度を示す)で表わされるネル
ンスト式をほぼ満足する。
本発明のpHセンサーは、叙上の如く構成されるもので
、これを溶液に浸漬することによシミ極電位応答でpH
を測定することができる。したがって、内部基準液を必
要としないため導電性基体の加工限定範囲まで小型化で
き、測定試料液が少量でよい。また、測定試料液中の溶
存酸素等の影響を受けにくく、かつ電位応答速度も早い
。本発明の困センサーは体内挿入可能なように形成する
こともできる。史に、本発明のpHセンサーの導′亀性
基体は、膜として水素イオン選択膜を用いた場合と異な
)、その表面で電極反応が起こらないため種々の導電体
を使用することができる。
、これを溶液に浸漬することによシミ極電位応答でpH
を測定することができる。したがって、内部基準液を必
要としないため導電性基体の加工限定範囲まで小型化で
き、測定試料液が少量でよい。また、測定試料液中の溶
存酸素等の影響を受けにくく、かつ電位応答速度も早い
。本発明の困センサーは体内挿入可能なように形成する
こともできる。史に、本発明のpHセンサーの導′亀性
基体は、膜として水素イオン選択膜を用いた場合と異な
)、その表面で電極反応が起こらないため種々の導電体
を使用することができる。
■1発明の実施例
次の実施例を挙げて本発明を説明する。
実施例1
(1) pHセンサーの作製
基体としてベーサル・プレーン・ピロリティック拳グラ
ファイト(BPG)のディスク(直径5ag、長さ5j
u+)の円板表面に下記電解酸化重合法を用いて2,6
−キシレノールの酸化還元反応膜を被覆した。
ファイト(BPG)のディスク(直径5ag、長さ5j
u+)の円板表面に下記電解酸化重合法を用いて2,6
−キシレノールの酸化還元反応膜を被覆した。
(を解セル)
電解は三極式電解セルを用いて行った。
BPGのディスクに導電性接着剤(アミコンープで絶縁
して作用電極とした。基準電極としては飽和塩化ナトリ
ウムカロメル電極(880K)、対極としては白金網を
用いた。
して作用電極とした。基準電極としては飽和塩化ナトリ
ウムカロメル電極(880K)、対極としては白金網を
用いた。
電解液は、0.2M2.6−キシレノールおよび0.2
M過塩素酸ナトリウムを含むアセ)ニトリル溶液を用
いた。
M過塩素酸ナトリウムを含むアセ)ニトリル溶液を用
いた。
(1解方法)
作用電極の電位をOVから+1.5 V (対5SCE
、以下において同じ)の間で5 Q mV/秒の掃引速
度で3回掃引した。このとき電解重合6酸化反応に基く
電流ピークは+0.8v、還元反応の電流ピークは+0
.65VK観測され九。
、以下において同じ)の間で5 Q mV/秒の掃引速
度で3回掃引した。このとき電解重合6酸化反応に基く
電流ピークは+0.8v、還元反応の電流ピークは+0
.65VK観測され九。
次いで、+ 1.5 Vで10分間定電位電解を行なっ
た。水洗後、淡褐色の膜が形成されていることが確認で
きた。
た。水洗後、淡褐色の膜が形成されていることが確認で
きた。
■ pH測定試験
■で作製したpHセンサーおよび5SCEを用いて二極
式セルを構成し、該センサーの標準緩衝液中での平衡電
位とpHとの関係を調べた。標準緩衝液には5QmMリ
ン酸ナトリウム溶液を用い、あらかじめガラス電極を用
いてpH値を測定しておいた。起電力は高入力抵抗のミ
リボルトメーターで測定した。なお、測定はすべて25
℃で行なった。結果を第3図に示す。
式セルを構成し、該センサーの標準緩衝液中での平衡電
位とpHとの関係を調べた。標準緩衝液には5QmMリ
ン酸ナトリウム溶液を用い、あらかじめガラス電極を用
いてpH値を測定しておいた。起電力は高入力抵抗のミ
リボルトメーターで測定した。なお、測定はすべて25
℃で行なった。結果を第3図に示す。
第3図に示す如く、測定した起電力のpHに対するプロ
ットC以下、「ネルンストプロット」ということがある
)は、pH2゜6〜9.3と広いpH値域にわたって極
めてよい直線性があり、その直線の傾きは−55mV/
pHであり、前記ネルンスト式から予測される傾き−5
9mV/pHに近い値を示した。また、応答速度は1分
以内と速く、しかも48時間以上標準緩衝液に浸漬して
おいても膜の剥離は認められなかった。
ットC以下、「ネルンストプロット」ということがある
)は、pH2゜6〜9.3と広いpH値域にわたって極
めてよい直線性があり、その直線の傾きは−55mV/
pHであり、前記ネルンスト式から予測される傾き−5
9mV/pHに近い値を示した。また、応答速度は1分
以内と速く、しかも48時間以上標準緩衝液に浸漬して
おいても膜の剥離は認められなかった。
実施例2
■ pHセンサーの作製
基体としてBPGのディスク(直径5&w、高さ5 a
xr )の円板表面に下記電解酸化重合法を用いてフェ
ノールの酸化還元反応膜を被覆した。
xr )の円板表面に下記電解酸化重合法を用いてフェ
ノールの酸化還元反応膜を被覆した。
(電解セル)
電解は実施例1と同じ三電極式電解セルを用いて行なっ
た。
た。
を消液は、0.1M フェノールおよび0.2M過塩
素酸ナトリウムを含むアセトニトリル溶液を用いた。
素酸ナトリウムを含むアセトニトリル溶液を用いた。
(電解方法)
作用電極の電位をOvから+2.070間で5 Q m
V/秒の掃引速度で3回掃引し九。このとき電解重合の
酸化反応に基く電流ピークが+1.3VK観測されたが
還元反応の電流ピークは確認できず、重合反応が非可逆
的に進行していることが分った。次いで、+ 1.75
Vで10分間定電位電解を行なった。電解酸化重合が
進行するにつれて被膜の色が灰色から淡黒色に変色した
。水洗後、乾燥して次の試験に供した。
V/秒の掃引速度で3回掃引し九。このとき電解重合の
酸化反応に基く電流ピークが+1.3VK観測されたが
還元反応の電流ピークは確認できず、重合反応が非可逆
的に進行していることが分った。次いで、+ 1.75
Vで10分間定電位電解を行なった。電解酸化重合が
進行するにつれて被膜の色が灰色から淡黒色に変色した
。水洗後、乾燥して次の試験に供した。
■ pH測定試験
実施例1の■と同様にして、上記■で作製し九声センサ
ーの標準緩衝液中での平衡電位とpHとの関係を調べた
。結果を第3図に示す。
ーの標準緩衝液中での平衡電位とpHとの関係を調べた
。結果を第3図に示す。
第3図に示す如く、平衡電位とpHの間には、pH2,
6〜7.0のpH領域にわたって極めてよい直線性があ
り、その直線の傾きは−56mV/pHであり、前記ネ
ルンスト式から予測される傾き−59mV/pHに近い
値を示した。また、応答速度は5〜15分程度であつ九
。上記(1)で作製したpHセンサーは膜の耐久性に優
れていた。
6〜7.0のpH領域にわたって極めてよい直線性があ
り、その直線の傾きは−56mV/pHであり、前記ネ
ルンスト式から予測される傾き−59mV/pHに近い
値を示した。また、応答速度は5〜15分程度であつ九
。上記(1)で作製したpHセンサーは膜の耐久性に優
れていた。
実施例3
■ pHセンサーの作製
基体としてBPGのディスク(直径11 ax )の円
板表面に下記電解酸化重合法を用いてフェノールの酸化
還元反応膜を被覆した。
板表面に下記電解酸化重合法を用いてフェノールの酸化
還元反応膜を被覆した。
(電解セル)
電解は実施例1と同じ三電極式電解セルを用いて行なっ
た。
た。
電解液は、Q、 l M フェノールを含む5M硫酸水
溶液を用いた。
溶液を用いた。
(電解方法)
作用電極の電位を+〇、 8 Vで10分間定電位電解
を行なった。
を行なった。
■ 酸化還元反応応答試験
0.2M過塩酸ナトリウムでpHを調整し、pHが1.
0.2.75および5.32の溶液を調製した。
0.2.75および5.32の溶液を調製した。
ωで作製したpHセンサーを作用電極として三電極式電
解セルを構成し、これに先に調製した溶it−入れ、各
々のpHにおいてサイクリックポルタモグラムを得た(
掃引速度29mV/秒)。その結果を第4図〜第6図に
示す。また、酊センサーの代りに裸のBPGを作用電極
として得たサイクリックポルタモグラムを第7図〜第9
図に示す。
解セルを構成し、これに先に調製した溶it−入れ、各
々のpHにおいてサイクリックポルタモグラムを得た(
掃引速度29mV/秒)。その結果を第4図〜第6図に
示す。また、酊センサーの代りに裸のBPGを作用電極
として得たサイクリックポルタモグラムを第7図〜第9
図に示す。
第4図〜第9図より、BPG基体上のフェノール重合体
膜は、酸化還元反応を行なうことが明らかとなった。こ
の膜は非常に強固で、かつ、ひび割れ等も生起しなかっ
た。また、2,6−キシレノール重合体膜等のキノン−
ヒドロキノン型酸化還元反応膜についても同様の知見を
得た。更にまた、白金基体を用いて同様の測定を行なっ
たところ、裸の白金およびフェノール重合体膜を被覆し
た電極のいずれにおいても、水素イオンの関与する酸化
還元波が観測された。
膜は、酸化還元反応を行なうことが明らかとなった。こ
の膜は非常に強固で、かつ、ひび割れ等も生起しなかっ
た。また、2,6−キシレノール重合体膜等のキノン−
ヒドロキノン型酸化還元反応膜についても同様の知見を
得た。更にまた、白金基体を用いて同様の測定を行なっ
たところ、裸の白金およびフェノール重合体膜を被覆し
た電極のいずれにおいても、水素イオンの関与する酸化
還元波が観測された。
しかしながら、裸の白金の場合には溶液中に酸素が存在
すると観測波形に乱れを生じ酸素の影響が認められた。
すると観測波形に乱れを生じ酸素の影響が認められた。
実施例4〜8
実施例1と同様に基体としてBPGのディスクを用い、
第1表に示す電解重合用の電解液を用いて直センサーを
作製した。この胆センサーを用いて艇測定試験を行なっ
た結果も第1表に示す。なお、呉センサーの作製および
旭測定試験は、いずれも25±0.1℃で行なった。
第1表に示す電解重合用の電解液を用いて直センサーを
作製した。この胆センサーを用いて艇測定試験を行なっ
た結果も第1表に示す。なお、呉センサーの作製および
旭測定試験は、いずれも25±0.1℃で行なった。
以下余白
第1図は本発明のpHセンサーの一部の拡大断面図、第
2図は本発明の雨センサーによる呉測定方法を示す概略
図、第3図は本発明の田センサーの起電力と呉の関係を
示すグラフである。第4図〜第9図は、いずれもサイク
リックポルタモグラムを示す図面で、第4図〜第6図は
作用電極としてフェノール重合体膜を被着したBPG電
極を用いた場合のもの、第7図〜第9図は作用電極とし
て裸のBPG電極を用いた場合のものを示す。 11・・・導電性基体、12・・・重合体膜、23・・
・pHセンサー、24・・・基準電極、26・・・電位
差計以上 第1図 第2図 第 3 図
2図は本発明の雨センサーによる呉測定方法を示す概略
図、第3図は本発明の田センサーの起電力と呉の関係を
示すグラフである。第4図〜第9図は、いずれもサイク
リックポルタモグラムを示す図面で、第4図〜第6図は
作用電極としてフェノール重合体膜を被着したBPG電
極を用いた場合のもの、第7図〜第9図は作用電極とし
て裸のBPG電極を用いた場合のものを示す。 11・・・導電性基体、12・・・重合体膜、23・・
・pHセンサー、24・・・基準電極、26・・・電位
差計以上 第1図 第2図 第 3 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、溶液のpHを電極電位応答で測定するpHセンサー
であつて、導電性基体の表面に、水素イオンの関与する
酸化還元反応を行なうことができる重合体膜を、実質的
に水素イオンを透過しないように被着したことを特徴と
するpHセンサー。 2、重合体膜がアミノ芳香族化合物から誘導されるアミ
ン−キノイド型酸化還元反応を行なうことができるもの
である特許請求の範囲第1項記載のpHセンサー。 3、重合体膜がヒドロキシ芳香族化合物から誘導される
キノン−ヒドロキノン型酸化還元反応を行なうことがで
きるものである特許請求の範囲第1項記載のpHセンサ
ー。 4、アミノ芳香族化合物が次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Arは芳香核、各Rは置換基、m_1は1ない
しArの有効原子価数、n_1は0ないしArの有効原
子価数−1を示す) で表わされるものである特許請求の範囲第2項記載のp
Hセンサー。 5、ヒドロキシ芳香族化合物が次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Arは芳香核、各Rは置換基、m_1は1ない
しArの有効原子価数、n_1は0ないしArの有効原
子価数−1を示す) で表わされるものである特許請求の範囲第3項記載のp
Hセンサー。 6、重合体膜が電解酸化重合法により形成されるもので
ある特許請求の範囲第1項記載のpHセンサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60055176A JPS61213661A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | pHセンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60055176A JPS61213661A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | pHセンサ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61213661A true JPS61213661A (ja) | 1986-09-22 |
Family
ID=12991411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60055176A Pending JPS61213661A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | pHセンサ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61213661A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63144244A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Terumo Corp | イオンセンサ |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57118153A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-22 | Terumo Corp | Ph sensor |
JPS5832155A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-25 | Terumo Corp | イオン選択透過膜およびイオンセンサー |
JPS5852556A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-28 | Terumo Corp | イオン選択透過膜およびイオンセンサ− |
JPS58172541A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-11 | Terumo Corp | イオン電極用基体およびイオン電極 |
JPS58223054A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-24 | Terumo Corp | イオン電極用基体およびイオン電極 |
JPS6114560A (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-22 | Terumo Corp | Phセンサ− |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP60055176A patent/JPS61213661A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57118153A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-22 | Terumo Corp | Ph sensor |
JPS5832155A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-25 | Terumo Corp | イオン選択透過膜およびイオンセンサー |
JPS5852556A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-28 | Terumo Corp | イオン選択透過膜およびイオンセンサ− |
JPS58172541A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-11 | Terumo Corp | イオン電極用基体およびイオン電極 |
JPS58223054A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-24 | Terumo Corp | イオン電極用基体およびイオン電極 |
JPS6114560A (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-22 | Terumo Corp | Phセンサ− |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63144244A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Terumo Corp | イオンセンサ |
JPH0445106B2 (ja) * | 1986-12-08 | 1992-07-23 | Terumo Corp |
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