JPS5865775A - イオン接触防止膜 - Google Patents
イオン接触防止膜Info
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- JPS5865775A JPS5865775A JP56164682A JP16468281A JPS5865775A JP S5865775 A JPS5865775 A JP S5865775A JP 56164682 A JP56164682 A JP 56164682A JP 16468281 A JP16468281 A JP 16468281A JP S5865775 A JPS5865775 A JP S5865775A
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- electrode
- membrane
- ion
- polymer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
技術分野
涜１；先行技術および問題点
近時、導電体に膜を＠、蛭して導電体に種々の機能を持
たせることがおこなわれるようになった。この膜が被覆
された電極は一般に修飾電極ト呼ばれ、触媒、トランス
ジューサー、センサーなどの用途に対する新しい機能性
を持つ電極として期待されている。その機能を発揮させ
るためには導電体表面に直接被着された電極被覆膜の電
気伝導性やイオン透過性等の性質が考慮されなければな
らない。例えば、イオンセンサー、−センサー等の電極
類にあっては検出すべきイオン種以外の応答を妨害する
イオン種が電極表面に接触しないことが要求される。し
かしながら、従来、このようなイオン接触防止性を持ち
しかも電極の被覆膜として用いて好適な腹材質としては
適当なものが見い出されていなかった。
たせることがおこなわれるようになった。この膜が被覆
された電極は一般に修飾電極ト呼ばれ、触媒、トランス
ジューサー、センサーなどの用途に対する新しい機能性
を持つ電極として期待されている。その機能を発揮させ
るためには導電体表面に直接被着された電極被覆膜の電
気伝導性やイオン透過性等の性質が考慮されなければな
らない。例えば、イオンセンサー、−センサー等の電極
類にあっては検出すべきイオン種以外の応答を妨害する
イオン種が電極表面に接触しないことが要求される。し
かしながら、従来、このようなイオン接触防止性を持ち
しかも電極の被覆膜として用いて好適な腹材質としては
適当なものが見い出されていなかった。
■ 発明の目的
したがって、この発明の目的は導電体表面に直接被着す
ることができ、しかもイオン伝導性を持ち、導電体表面
への特定イーオンの接触を防止する機能を有する膜を提
供することにある。
ることができ、しかもイオン伝導性を持ち、導電体表面
への特定イーオンの接触を防止する機能を有する膜を提
供することにある。
この目的を達成するために１この発明では、従来のガラ
ス電極の考え方とは全く異なり、導電体表面を重合体で
化学修飾するという従来はとんどおこなわれていなかっ
た技術を利用している。この化学修飾の技術によって導
電体は溶存イオン種に対し選択的なイオン接触防止性を
持ち、また表面の腐食や溶解が防止され、溶液中のイオ
ン濃度に対して電極電位またはｍ流変化で応答するとｈ
う全く新しい機能を発揮する。
ス電極の考え方とは全く異なり、導電体表面を重合体で
化学修飾するという従来はとんどおこなわれていなかっ
た技術を利用している。この化学修飾の技術によって導
電体は溶存イオン種に対し選択的なイオン接触防止性を
持ち、また表面の腐食や溶解が防止され、溶液中のイオ
ン濃度に対して電極電位またはｍ流変化で応答するとｈ
う全く新しい機能を発揮する。
この発明は１合体で化学修飾し良導電体の機能のうち特
定イオンに対する接触防止性を利用したものである。
定イオンに対する接触防止性を利用したものである。
すなわち、この発明は、アニリン、２−アミノベンゾト
リフルオリド、２−アミノピリジン、２．３−シアミノ
ビリジ、４ 、４’−ジアミノジフェニルエーテル、４
．４’−メチレンジアニリン、チラミン、Ｎ −（ｏ−
ヒドロキシベンジル）アニリンおよびジアミノベンゼン
（す々わち、１．２−１１．３−１および１，４−シア
ミノ４ンゼン）から選ばれる少なくとも１種の窒素含有
芳香族化合物から誘導された重合体膜からなり、導電体
表面に直接被着された形態にあり、該導電、体表面への
特定イオンの接触を防止するイオン接触防止膜を提供す
るものである。
リフルオリド、２−アミノピリジン、２．３−シアミノ
ビリジ、４ 、４’−ジアミノジフェニルエーテル、４
．４’−メチレンジアニリン、チラミン、Ｎ −（ｏ−
ヒドロキシベンジル）アニリンおよびジアミノベンゼン
（す々わち、１．２−１１．３−１および１，４−シア
ミノ４ンゼン）から選ばれる少なくとも１種の窒素含有
芳香族化合物から誘導された重合体膜からなり、導電体
表面に直接被着された形態にあり、該導電、体表面への
特定イオンの接触を防止するイオン接触防止膜を提供す
るものである。
上記重合体膜は低インピーダンス化されている。また、
この重合体膜は１！解酸化によって導電体表面上で重合
された電解酸化重合膜であっても、あるいは予め重合し
た重合体を溶媒に溶解し導電体表面に塗布乾燥したもの
であってもよいが、性能の点で前者の方が好ましい。
この重合体膜は１！解酸化によって導電体表面上で重合
された電解酸化重合膜であっても、あるいは予め重合し
た重合体を溶媒に溶解し導電体表面に塗布乾燥したもの
であってもよいが、性能の点で前者の方が好ましい。
なお、この明細書で用いられている重合体という飴は単
独重合体および相互重合体（例えば、共重合体、三元共
重合体等）の双方を含む。
独重合体および相互重合体（例えば、共重合体、三元共
重合体等）の双方を含む。
■° 発明の詳細な説明
以下、この発明を添付の図面に沿って詳しく説明する。
第１図に示すようにこの発明の重合体膜よりなるイオン
接触防止膜１２は任意形状例えば棒状の導電体１１の周
囲をＩリオレフインやテフロン等の絶縁体１３で被優し
、先端の揮出表ｍ）に直接被着・固定してなるものであ
る。導１′体１１は導電性材料で構成される。
接触防止膜１２は任意形状例えば棒状の導電体１１の周
囲をＩリオレフインやテフロン等の絶縁体１３で被優し
、先端の揮出表ｍ）に直接被着・固定してなるものであ
る。導１′体１１は導電性材料で構成される。
導電体１１の先端表面に直接被着されている重合体膜１
２は窒素含有芳香族化合物の重合体よりなる。このよう
な窒素含有芳香族化合物はアニリン、２−アミノペンゾ
トリフルオリド、２−アミノピリジン、２，３−シアミ
ノビリジン、４．４’−ジアミノジフェニルエーテル、
４゜４′−メチレンジアニリン、チラミン、Ｎ−（。
２は窒素含有芳香族化合物の重合体よりなる。このよう
な窒素含有芳香族化合物はアニリン、２−アミノペンゾ
トリフルオリド、２−アミノピリジン、２，３−シアミ
ノビリジン、４．４’−ジアミノジフェニルエーテル、
４゜４′−メチレンジアニリン、チラミン、Ｎ−（。
−ヒドロキシベンジル）アニリンおよびジアミノベンゼ
ンから選ばれる少なくとも１穐である。
ンから選ばれる少なくとも１穐である。
以上述べた窒素含有芳香族化合物の重合体膜を導電体１
１表面上に直接被着するためには、窒素含有芳香族化合
物を電解酸化重合法によって導電体１１表面上で重合さ
せる方法、予め合成された重合体を溶媒に溶かし、この
溶液を浸漬・塗布および乾燥により尋物′、体表面に固
定する方法、さらには重合体膜を化学的処理、物理的処
理もしくは照射処理によって導電体表面に直接固定する
方法を採ることができる。
１表面上に直接被着するためには、窒素含有芳香族化合
物を電解酸化重合法によって導電体１１表面上で重合さ
せる方法、予め合成された重合体を溶媒に溶かし、この
溶液を浸漬・塗布および乾燥により尋物′、体表面に固
定する方法、さらには重合体膜を化学的処理、物理的処
理もしくは照射処理によって導電体表面に直接固定する
方法を採ることができる。
上記被着方法のうち最も好都合な方法は！解酸化重合法
による方法である。この電解酸化１４合は適当な溶媒中
で窒素含有芳香族化合物を電解酸化重合させ、動作電極
としての所望導電体の表面に重合体膜を被着するもので
ある・例えばジアミノベンゼン、２−アミノペンゾトリ
フルオリドおよび４，４′−ノアξノジフェユルメタン
の電解酸化重合は−７のリン酸緩衝溶液中で、アニリン
の電解酸化重合はピリジンおよび過塩素酸ナトリウムを
含むアセトニトリル溶液中で、４゜４′−ノアミノジフ
ェニルエーテルの電解酸化１１合は過塩素酸ナトリウム
を含むアセトニトリル溶液または水酸化ナトリウムを含
むメタノ−ル溶液中でおこなう。
による方法である。この電解酸化１４合は適当な溶媒中
で窒素含有芳香族化合物を電解酸化重合させ、動作電極
としての所望導電体の表面に重合体膜を被着するもので
ある・例えばジアミノベンゼン、２−アミノペンゾトリ
フルオリドおよび４，４′−ノアξノジフェユルメタン
の電解酸化重合は−７のリン酸緩衝溶液中で、アニリン
の電解酸化重合はピリジンおよび過塩素酸ナトリウムを
含むアセトニトリル溶液中で、４゜４′−ノアミノジフ
ェニルエーテルの電解酸化１１合は過塩素酸ナトリウム
を含むアセトニトリル溶液または水酸化ナトリウムを含
むメタノ−ル溶液中でおこなう。
電解酸化重合によって被着した重合体膜は被着安定性が
極めてよく、また膜表面も滑らかである。
極めてよく、また膜表面も滑らかである。
重合体膜の厚さに特に制限はないが０．０１μないし１
μ程度が適当である。
μ程度が適当である。
■ 発明の具体的作用
以上の構成の被覆電極の機能について以下眸しく説明す
る。
る。
イオン種の選択的接触防止と制御
電極を直接被覆する前記重合体膜は、溶液中のイオン種
の膜透過に対して選択性を示す、その測定には、回転円
板電極を使用した、対流がルタンメトリー法が有効であ
る。なぜなら、電極上へのイオン種の物質輸送量は円板
電極の回転数によって制御できるので、被優重付体換を
持った電極と持たない電極で回転数に対する♂ルタモグ
ラムの限界電流値の依存性を調べると、各化学種に対す
る膜透過能を評価できるからである。この挙動は被株重
合体膜の種類および溶存イオン種によって異なるが、一
般に被り重合体膜の厚さが厚い程、イオン種の導電体表
面への接触は妨げられ、また溶存イオン種の容積が大き
い維ど膜透過は抑制される。
の膜透過に対して選択性を示す、その測定には、回転円
板電極を使用した、対流がルタンメトリー法が有効であ
る。なぜなら、電極上へのイオン種の物質輸送量は円板
電極の回転数によって制御できるので、被優重付体換を
持った電極と持たない電極で回転数に対する♂ルタモグ
ラムの限界電流値の依存性を調べると、各化学種に対す
る膜透過能を評価できるからである。この挙動は被株重
合体膜の種類および溶存イオン種によって異なるが、一
般に被り重合体膜の厚さが厚い程、イオン種の導電体表
面への接触は妨げられ、また溶存イオン種の容積が大き
い維ど膜透過は抑制される。
その他の機能性として、′ＦＭ、極表面に直接被覆した
重合体膜により、電極表面の改質が可能であり、電極触
媒能の向上や表面の腐食と溶解の防止などにも寄与でき
る可能性を持つ・また松榎重合体膜は導電体表面へ適切
な置換基を導入するためのアンカーとしての機能性を持
っ。市。
重合体膜により、電極表面の改質が可能であり、電極触
媒能の向上や表面の腐食と溶解の防止などにも寄与でき
る可能性を持つ・また松榎重合体膜は導電体表面へ適切
な置換基を導入するためのアンカーとしての機能性を持
っ。市。
極表面が有機物等で化合物化するための適切な置換基を
持たない場合、まず電極表面をアルデヒド、アきン等の
置換基を持った重合体で被接する・そして被秒重合体膜
をグラフト重合反応等の反応活性置換基として利用し、
目的とする化合物の固定基質として使用できるし、核種
重合体膜の改質にも使用できる。被柵重合体膜の置換基
がピリジン等の配位子であれば、ｆｉｌｌｉ＋合体膜は
配位結合能力を持ち、また置換基がスルホン酸や四級化
されたピリジン等のように荷電を持つ場合当核重合体膜
は高分子電解室の性質を持ち、反対に荷電したイオン種
の集積、固定の能力を持つ。よって、これらの重合体膜
で直接被覆された電極は微量の溶存イオン種に対して前
濃縮の作用を持ち次に１電極で酸化あるいけ還元を行な
い電流によって検知することができ、微量イオン種検出
用電極としての可能性を持っている。また、絶縁体とな
っている畿櫟１合体膜に第３の化学種を挿入することに
よって電導性膜に改良改質できる。さらにまた、電極電
位を変えることによって膜中反応活性種の酸化還元状態
を変え、換の色の変化、着色脱色が可能である。
持たない場合、まず電極表面をアルデヒド、アきン等の
置換基を持った重合体で被接する・そして被秒重合体膜
をグラフト重合反応等の反応活性置換基として利用し、
目的とする化合物の固定基質として使用できるし、核種
重合体膜の改質にも使用できる。被柵重合体膜の置換基
がピリジン等の配位子であれば、ｆｉｌｌｉ＋合体膜は
配位結合能力を持ち、また置換基がスルホン酸や四級化
されたピリジン等のように荷電を持つ場合当核重合体膜
は高分子電解室の性質を持ち、反対に荷電したイオン種
の集積、固定の能力を持つ。よって、これらの重合体膜
で直接被覆された電極は微量の溶存イオン種に対して前
濃縮の作用を持ち次に１電極で酸化あるいけ還元を行な
い電流によって検知することができ、微量イオン種検出
用電極としての可能性を持っている。また、絶縁体とな
っている畿櫟１合体膜に第３の化学種を挿入することに
よって電導性膜に改良改質できる。さらにまた、電極電
位を変えることによって膜中反応活性種の酸化還元状態
を変え、換の色の変化、着色脱色が可能である。
以下、この発明の実施例を示す、なお、全実施例中回転
白金円板電極については面積が４４×１Ｏ−３ｃＲ２の
ものを用いている。
白金円板電極については面積が４４×１Ｏ−３ｃＲ２の
ものを用いている。
実施例１
まず、白金円板電極を電解前に次の方法で前処理し九、
マず、シリコンカーバイト紙およびアルミナ粉末（０３
μｍ）で研磨して平滑にし、希王水−で洗滌した抜き溜
水で水洗いし００５Ｍの酢酸溶液に浸す。次にこの電極
を動作電極とし、対極として白金網、基準′ｗＬ極とし
て食塩飽和カロメル電極を用いた通常の３電極式Ｈ型セ
ルを使用して、′ｗＬ極への印加電圧を一〇、６ｖから
＋１．ＯＶの間で約１０回はど往復させ電極表面を活性
化した後熟溜水で洗浄し、次にメタノールで洗浄し乾燥
する。
マず、シリコンカーバイト紙およびアルミナ粉末（０３
μｍ）で研磨して平滑にし、希王水−で洗滌した抜き溜
水で水洗いし００５Ｍの酢酸溶液に浸す。次にこの電極
を動作電極とし、対極として白金網、基準′ｗＬ極とし
て食塩飽和カロメル電極を用いた通常の３電極式Ｈ型セ
ルを使用して、′ｗＬ極への印加電圧を一〇、６ｖから
＋１．ＯＶの間で約１０回はど往復させ電極表面を活性
化した後熟溜水で洗浄し、次にメタノールで洗浄し乾燥
する。
電合体膜被榎電極の作成は、上述の前処理の済んだ動作
電極を上述と同様の電解セル中に浸漬し、白金円板電極
表面への１１Ｍ酸化重合反応ｔ−１０ｍＭ４ 、４’−
ノア建ノゾフェニルエーテルおよび０．１ Ｍ過塩素酸
ナトリウムを含むアセトニトリル溶媒（を層液）中でお
こなった。電解液は電解前にアルコ０ンガスで十分に脱
酸素した。
電極を上述と同様の電解セル中に浸漬し、白金円板電極
表面への１１Ｍ酸化重合反応ｔ−１０ｍＭ４ 、４’−
ノア建ノゾフェニルエーテルおよび０．１ Ｍ過塩素酸
ナトリウムを含むアセトニトリル溶媒（を層液）中でお
こなった。電解液は電解前にアルコ０ンガスで十分に脱
酸素した。
４．４′−ジアミノジフェニルエーテル単量体の酸化反
応が白金電極で生起していることを確餡したのち、印加
電圧ｔ＋１．２０ボルト（対食地飽和カロメル電極）で
静止させ、１０分間定電解し１！他の露出端面に酸化重
合物を被覆させた。
応が白金電極で生起していることを確餡したのち、印加
電圧ｔ＋１．２０ボルト（対食地飽和カロメル電極）で
静止させ、１０分間定電解し１！他の露出端面に酸化重
合物を被覆させた。
その後、電極表面を蒸溜水で３回以上洗滌し所望の電解
酸化重合体（以下これをポリ（巣１体）の形で示す）膜
で被覆された電極を作製した。
酸化重合体（以下これをポリ（巣１体）の形で示す）膜
で被覆された電極を作製した。
実施例２，３．４
実施例１と同様にして、ジアミノベンゼン（１，２−１
１，３−または１．４−／アきノベンゼン）の電解酸化
重合を、Ｉ ＱｍＭ ジアミノベンゼンを含む５０ｍ
Ｍリン酸緩衝液（ｐＨ＝７．０）中で印加電圧を１．０
カルト（対食塩飽和カロメル１！極）で３分間定電解し
、それぞれ所望のＩす（ジアミノベンゼン）膜で被覆さ
れた白金円板１１極を作製した。
１，３−または１．４−／アきノベンゼン）の電解酸化
重合を、Ｉ ＱｍＭ ジアミノベンゼンを含む５０ｍ
Ｍリン酸緩衝液（ｐＨ＝７．０）中で印加電圧を１．０
カルト（対食塩飽和カロメル１！極）で３分間定電解し
、それぞれ所望のＩす（ジアミノベンゼン）膜で被覆さ
れた白金円板１１極を作製した。
対流がルタンメトリー法によると、重合体膜で被覆され
ていない回転白金円板電極上での水素イオンの電解還元
反応は１電子反応で進み、その拡散限界電流は次のレビ
ツチ式 ％式％ （ここで、ｎは反応に関与する電子数、Ｆは）７２７”
一定数（Ｆ）、Ａは電極の面積〔ｃＷＬ２〕、νは溶液
の動粘度係数［ｅｘ”／秒］、Ｄは還元体の拡散係数〔
ｃＴＩＬ２／秒〕、ωは！極の回転数〔ラジアン／秒〕
、およびＣＨ＋は溶液中の水素イオン濃度〔モル／傭５
〕）を満足する。従って、限界電流の逆数（１／ｚｚｉ
ｍ ）を回転数の平方根の逆数（１／Ｖτ−）に対して
プロットすると、原点を通る直線が得られる。
ていない回転白金円板電極上での水素イオンの電解還元
反応は１電子反応で進み、その拡散限界電流は次のレビ
ツチ式 ％式％ （ここで、ｎは反応に関与する電子数、Ｆは）７２７”
一定数（Ｆ）、Ａは電極の面積〔ｃＷＬ２〕、νは溶液
の動粘度係数［ｅｘ”／秒］、Ｄは還元体の拡散係数〔
ｃＴＩＬ２／秒〕、ωは！極の回転数〔ラジアン／秒〕
、およびＣＨ＋は溶液中の水素イオン濃度〔モル／傭５
〕）を満足する。従って、限界電流の逆数（１／ｚｚｉ
ｍ ）を回転数の平方根の逆数（１／Ｖτ−）に対して
プロットすると、原点を通る直線が得られる。
一方、重合体膜被覆白金円板電極を使用すると、水素イ
オン還元反応の対流ボルタモダラムから得られた限界電
流値について１／’ｊｚｉｍ−１斥τのプロットをおこ
なうと、切片を持つ１自線が得られる。全電極反応過程
に表面律速過程が含まれることがわかる。この場合、ク
ーテッキー−レピッチによれば、次の関係式 １式％ （ここで、ｔｌ＋ｒｎは限界電流値、ｊｄｉｆは拡散律
速限界電流値、および１／ｆｋｉｎは表面律速限界電流
値）が満足される。
オン還元反応の対流ボルタモダラムから得られた限界電
流値について１／’ｊｚｉｍ−１斥τのプロットをおこ
なうと、切片を持つ１自線が得られる。全電極反応過程
に表面律速過程が含まれることがわかる。この場合、ク
ーテッキー−レピッチによれば、次の関係式 １式％ （ここで、ｔｌ＋ｒｎは限界電流値、ｊｄｉｆは拡散律
速限界電流値、および１／ｆｋｉｎは表面律速限界電流
値）が満足される。
次に、いくつかの溶存酸化還元化学種について、前記実
施例１および２の重合体膜被ａ寛極を使用して対流がル
タンメトリー法（円板電極゛ の回転数４ｓ９ｒ、ｐｍ
）Ｋよりその重合体膜のイオン接触防止性を検討したｅ
／す（４、４′−ノアミノジフェニルエーテル）被覆
電極について得られたがルタモグラムを第２図に、そし
てポリ（１，２−ジアミノベンゼン）被覆電極について
得られたがルタモグラムを第４図に示す。
施例１および２の重合体膜被ａ寛極を使用して対流がル
タンメトリー法（円板電極゛ の回転数４ｓ９ｒ、ｐｍ
）Ｋよりその重合体膜のイオン接触防止性を検討したｅ
／す（４、４′−ノアミノジフェニルエーテル）被覆
電極について得られたがルタモグラムを第２図に、そし
てポリ（１，２−ジアミノベンゼン）被覆電極について
得られたがルタモグラムを第４図に示す。
それぞれの対流ボルタモダラムから得られた限界電流値
（’Ａｋｍ ）を回転数の平方根（〆；）に対してプロ
ットしたグラフをそれぞれ第３図および第５図に示す、
第２図ないし第５図において、線すおよびｇは各重合体
膜て被覆された電極についてのもの、そして線＆ 、ｅ
Ｔ ｄｌ ’ １およびｆは非被覆電極についてのも
のである。
（’Ａｋｍ ）を回転数の平方根（〆；）に対してプロ
ットしたグラフをそれぞれ第３図および第５図に示す、
第２図ないし第５図において、線すおよびｇは各重合体
膜て被覆された電極についてのもの、そして線＆ 、ｅ
Ｔ ｄｌ ’ １およびｆは非被覆電極についてのも
のである。
また、各試料はいずれも２５℃で０．２ Ｍ ＣＦ３Ｃ
Ｏ０Ｎａ ｆ支持電解質として含み、かつアルコ°ンを
吹き込ンテ脱気し、ＷＡａとｂは２）ｒ＋＋２８−→Ｈ
２の反応を−３，０５で測定した本のを線ＣはＦｅ（ｅ
ｄｔａ） ＋ ｅ −＋Ｆｅ（ｅｄｔａ）’−の反応
（ＮａＦｅ（ｅｄｔａ） ２．０ｍＭ ） ｋ ｐＨ３
，０で測定したもの金、線ｄはｒｅ（ｃＮ）ｉ−＋ｅ−
→Ｆｅ（ＣＮ）ｉ の反応（ｘ Ｓ Ｆ ｅ（ＣＮ）
ｂ ２．Ｏｍ Ｍ ）ｋ Ｐｌ（７，Ｏで測定したもの
を、線ｅはｌｌ’ｅ＋２−＊ Ｆ ｅ”−１−ｅ−の反
応（ＦｅＳＯ４２ｍＭ ） ｔ ｐＨえ ３．０で測定したものをそしてｉｆとｇは４Ｂｙ７−ｅ
Ｂｒ＋２ｅ−の反応（Ｎａｉｒ２．ｏｍＭ）をｐｉ−１
３，０で測定したものを示す、−の調整はＣＦ 、Ｃ０
ＯＨを用いておこなった。
Ｏ０Ｎａ ｆ支持電解質として含み、かつアルコ°ンを
吹き込ンテ脱気し、ＷＡａとｂは２）ｒ＋＋２８−→Ｈ
２の反応を−３，０５で測定した本のを線ＣはＦｅ（ｅ
ｄｔａ） ＋ ｅ −＋Ｆｅ（ｅｄｔａ）’−の反応
（ＮａＦｅ（ｅｄｔａ） ２．０ｍＭ ） ｋ ｐＨ３
，０で測定したもの金、線ｄはｒｅ（ｃＮ）ｉ−＋ｅ−
→Ｆｅ（ＣＮ）ｉ の反応（ｘ Ｓ Ｆ ｅ（ＣＮ）
ｂ ２．Ｏｍ Ｍ ）ｋ Ｐｌ（７，Ｏで測定したもの
を、線ｅはｌｌ’ｅ＋２−＊ Ｆ ｅ”−１−ｅ−の反
応（ＦｅＳＯ４２ｍＭ ） ｔ ｐＨえ ３．０で測定したものをそしてｉｆとｇは４Ｂｙ７−ｅ
Ｂｒ＋２ｅ−の反応（Ｎａｉｒ２．ｏｍＭ）をｐｉ−１
３，０で測定したものを示す、−の調整はＣＦ 、Ｃ０
ＯＨを用いておこなった。
以−トの結果かられかるように、水素イオンや臭素イオ
ンに比べて鉄アコイオンは重合体膜をほとんど透過せず
、限界電流値は観測されない。
ンに比べて鉄アコイオンは重合体膜をほとんど透過せず
、限界電流値は観測されない。
Ｆｅ２ゼ３＋アコイオン、Ｆｅ（ｅｄｔａ）’−／２ス
Ｆｅ（ＣＮ）”＋および他の遷移金属イオン等の比較的
大きな金属イオンはこれらの膜を透過できず、これらイ
オン鴇に対する酸化還元波は観測されなかった。
Ｆｅ（ＣＮ）”＋および他の遷移金属イオン等の比較的
大きな金属イオンはこれらの膜を透過できず、これらイ
オン鴇に対する酸化還元波は観測されなかった。
以上の結果を表１にまとめて示す。遷移全域イオンはポ
リ（４、４’−ジアミノジフェニルエーテル）膜を透過
できないことがわかり、この膜で被覆された白金電極を
使用した場合、平衡電位に対する遷移金属イオンの影響
はみられず、溶液中の水素イオンのみの平衡電位を観測
することができた。
リ（４、４’−ジアミノジフェニルエーテル）膜を透過
できないことがわかり、この膜で被覆された白金電極を
使用した場合、平衡電位に対する遷移金属イオンの影響
はみられず、溶液中の水素イオンのみの平衡電位を観測
することができた。
実施例５
また、実施例２で得九重合体膜被覆電極の交流インピー
ダンス測定結果を表２に示す、？す（１，２−ジアミノ
ベンゼン）重合体膜をコートする前後での抵抗成分、容
置成分の変化が少なく極めて低インピーダンスの膜被徨
電極が提供されていることが認められる。なお測定条件
は−＝７．０の５０ｍＭリン酸緩衝溶液中で白金を電極
として用いた。
ダンス測定結果を表２に示す、？す（１，２−ジアミノ
ベンゼン）重合体膜をコートする前後での抵抗成分、容
置成分の変化が少なく極めて低インピーダンスの膜被徨
電極が提供されていることが認められる。なお測定条件
は−＝７．０の５０ｍＭリン酸緩衝溶液中で白金を電極
として用いた。
表２ 交流インピーダンス測定結果
■ 発明の具体的効果
以下、この発明のイオン接触防止膜の効果を列挙する。
（１） この発明のイオン接触防止膜はイオン伝導性
を持ち、しかも導電体表面に対するイオンの接触を選択
的に防止できるので、試料浴液中に電極を挿入した場合
、これらの防止膜で＠櫟することによって溶存酸化還元
化学種による平衡電位応答を制御できる。すなわち、例
えば、基準電極としてこれらのイオン接触防止膜で被覆
されたものを用いた場合、その電位を一定に保持できる
か、あるいはイオンセンサーとしての応答におけるよう
に、特定イオン種のみｔ選択的に電極に接触させること
ができる。
を持ち、しかも導電体表面に対するイオンの接触を選択
的に防止できるので、試料浴液中に電極を挿入した場合
、これらの防止膜で＠櫟することによって溶存酸化還元
化学種による平衡電位応答を制御できる。すなわち、例
えば、基準電極としてこれらのイオン接触防止膜で被覆
されたものを用いた場合、その電位を一定に保持できる
か、あるいはイオンセンサーとしての応答におけるよう
に、特定イオン種のみｔ選択的に電極に接触させること
ができる。
（２）電極を腐食させるよう表溶存イオン種の直接接触
を防止することができ、電極表面の腐食および溶解防止
に寄与できる。
を防止することができ、電極表面の腐食および溶解防止
に寄与できる。
（３） また電極表面に直接強固に被着されているの
で、電極表面における化学糧の均一性に寄与すると考え
られる。
で、電極表面における化学糧の均一性に寄与すると考え
られる。
（４）粘着性溶存物質および気泡の表面被着を防止でき
る。
る。
（５）電極表面の保護膜として使用できる。
（６）電極の加工限界まで微小化できる。
第１図はこの発明のイオン接触防止膜を導電体表面に直
接被着した形態で示す図、第２図および第４図祉それぞ
れ刈株の重合体膜で被覆された回転円板白金電極につい
て得られた対流〆ルタモダラム、第３図および第５図は
それぞれ第２図および第４図の対流ゾルタモグラムから
得られた限界電流値（ｉｔｌｍ ）を電極の回転数の平
方根に対してグロットしたグラフ。 １１・・・導電体、１２・・・イオン接触防止膜１１３
・・・絶縁体。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１ 因 １２ １１２！！！１１ １３ 図 １４ 図 箇５！！Ｉ
接被着した形態で示す図、第２図および第４図祉それぞ
れ刈株の重合体膜で被覆された回転円板白金電極につい
て得られた対流〆ルタモダラム、第３図および第５図は
それぞれ第２図および第４図の対流ゾルタモグラムから
得られた限界電流値（ｉｔｌｍ ）を電極の回転数の平
方根に対してグロットしたグラフ。 １１・・・導電体、１２・・・イオン接触防止膜１１３
・・・絶縁体。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１ 因 １２ １１２！！！１１ １３ 図 １４ 図 箇５！！Ｉ
Claims (3)
- （１）アニリン、２−アミノペンゾトリフルオリト１．
２−アミノピリジン、２，３−ジアミノピリジン、４．
４’−ジアミノジフェニルエーテル、４ 、４’−メチ
レンジアニリン、チラミン、Ｎ−（０−ヒドロキシベン
ジル）アニリン、およびゾアンノベンゼンから選ばれる
少なくともｌａｉの窒素含有芳香族化合物から誘導され
た重合体膜からなり、導電体表面ＫＩＬ接被着された形
態にあり、該導電体表面への特定イオンの接触を防止す
るイオン接触防止膜。 - （２）重合体膜が低インピーダンス化されている特許請
求の範囲第１項記載のイオン接触防止膜・ - （３） 重合体膜が電解酸化によって導電体表面上で
重合された電解酸化重合膜である特許請求の範囲ｍ１項
記載のイオン接触防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56164682A JPS5865775A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | イオン接触防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56164682A JPS5865775A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | イオン接触防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5865775A true JPS5865775A (ja) | 1983-04-19 |
Family
ID=15797844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56164682A Pending JPS5865775A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | イオン接触防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5865775A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60501262A (ja) * | 1983-05-06 | 1985-08-08 | コミツサレ・ア・レナジイ・アトミツク | ポリアニリンの製法、この方法により得たポリアニン及び電気化学的発電機の製造における用途 |
| GB2262524A (en) * | 1991-12-18 | 1993-06-23 | Sandoz Ltd | Pharmaceutically active 2-hydroxy-benzylamines |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832155A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-25 | Terumo Corp | イオン選択透過膜およびイオンセンサー |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP56164682A patent/JPS5865775A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832155A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-25 | Terumo Corp | イオン選択透過膜およびイオンセンサー |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60501262A (ja) * | 1983-05-06 | 1985-08-08 | コミツサレ・ア・レナジイ・アトミツク | ポリアニリンの製法、この方法により得たポリアニン及び電気化学的発電機の製造における用途 |
| GB2262524A (en) * | 1991-12-18 | 1993-06-23 | Sandoz Ltd | Pharmaceutically active 2-hydroxy-benzylamines |
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