JPS58223054A - イオン電極用基体およびイオン電極 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■１発明の背景 〔技術分野〕 この発明はイオン電極用基体およびイオン電極に係り、
特に、溶液中のイオン濃度を電極電位応答または電流応
答で測定するイオン電極用の基体およびこのような電極
基体を用いたイオン電極に関する。

〔先行技術および問題点〕

ｍ液中のイオン例えば水素イオンの濃度を測定するイオ
ン成極（イオンセンサー）として現在知られているもの
は、その感応膜が固体電解質であるか、イオン交換液を
主体とするかによって固体膜型電極と液体模型電極とに
大別される。溶液中のイオン濃度の測定は、これら電極
および基準電極（参照電極）を当該溶液に浸漬し、両送
極間の電位差を求めることからなる。

しかしながら、上記従来のイオン電極はいずれも、ガラ
ス電極と同様、内部基準液室を必要とする。したがって
、これら電極には、内部基準液が漏れたシ、測定温度の
影響を受けやすい等の欠点があった。また、内部基準液
室を設ける必要があるため、その微小化には限度があっ
た。

このような従来のイオン電極の欠点を解決するものとし
て、本出願人は、導電体（特に白金）表面に窒素含有芳
香族化合物あるいはヒドロギシ芳香族化合物から誘導さ
れた重合体膜を直接被着してなるイオンセンサーあるい
はＰＨセンサーを先に出願した（％願昭５６−４２９５
号、同５６−１２９７５０号および同５６−１５０８９
５号）。これら特許出願に開示したイオンセンサーある
いはＰＨセンサーは、従来のイオン電極の考え方とは全
く異なり、導電体表面を重合体で化学修飾するというこ
れまでほとんどおこなわれていなかった技術を利用して
いる。この化学修飾の技術によって導電体被覆膜は溶存
イオ、ン種罠対し選択的な透過性を持ち、また表面の腐
食や溶解を防止し、導電体は溶液中のイオン濃度に対し
て選択的に電極電位または電流変化で応答するという全
く新しい機能を発揮する。このイオンセンサーは重合体
で化学修飾した導電体の機能のうち特に、イオン濃度に
対する応答性を利用したものである。これらイオンセン
サーは、内部基準液室を設ける必要がないので、導電体
の加工限度まで微小化できζ広範囲のｐ）（領域でネル
ンストの式を満足する等積々の利点を有する。

しかしながら、上記イオンセンサーあるいは一センサー
は、平衡電位に達するまでの速度（応答速度）、再現性
等においてなお改善の余地があることが判明した。

１０発明の目的 したがって、この発明の第１の目的は、応答速度、再現
性および平衡電位値の安定性をさらに高めたイオン電極
を提供することができるイオン′成極用基体を提供する
ことにある。

また、この発明の第２の目的は上記のようなイオン電極
用基体を用いたイオン電極であって、応答速度、再現性
および平衡電位値の安定性がさらに向上したイオン電極
を提供することにある。

この発明によれば、溶液中のイオン濃度を電極電位応答
または電流応答で測定するイオン電極用の基体であって
、白金系金属材料で形成された電極基板に金属材料で形
成された応答特性改善部側を溶接してなるイオン電極用
基体が提供される。

また、この発明によれば、溶液中のイオン濃度を電極電
位応答または電流応答で測定するイオン電極であって、
白金系金属材料で形成された電極基板に金属材料で形成
された応答特性改善部材を溶接してなる基体の該電極基
板表面にヒドロキシ芳香族化合物もしくは窒素含有芳香
族化合物から誘導された重合体膜を直接的に被着してな
るイオン電極が提供される。

これらイオン電極用基体およびイオン電極・にお−いて
金属材料は、通常、白金、鉄、銅、ニッケル、クロム、
コバルト、アルミニウム、チタン、アンチモン、タング
ステン、モリブデン、ツヤラジウム、インジウム、ロジ
ウム、ルテニウムおよびこれら金属を少なくとも一成分
とす不合金よシなる群の中から選ばれる。

また、上記イオン電極において、重合体膜は電解酸化重
合膜であることが好ましい。

ヒドロキシ芳香族化合物は式 ％式％） （） （ここで、Ａｒは芳香核、各Ｒは１綻換基、ｎは１以上
の整数、ｍはＯまたは１以上の整数でろってｎ＋ｍはＡ
ｒの有効原子価数越えない）で示すことができる。その
具体例を挙げると、７エノール、２，６−および３．５
−キシレノール、Ｏｒｍ−およびｐ−ヒドロキシベンゾ
フェノン、０−およびｍ−ヒドロキシベンジルアルコー
ル、２．２’、４．４’−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、ｏ−、ｍ−およびｐ−ヒドロキシアセトフェノン
、ｏ−、ｍ−およびｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、
Ｏ−＊　ｍ−およヒｐ　−ヘンシフエノール、ｏ−、ｍ
−およびｐ−ヒドロキシアセトフェノン、４−（ｐ−ヒ
ドロフェニル）−２−ブタノン、ビスフェノールＡ等で
ある。

また、予め重合したものであって溶媒に溶解し、′ｌｌ
極基板表面に塗布乾燥した重合体膜としては、ポリ（フ
ェニレンオキシド）、ポリ（ジフェニルフェニレンオキ
シド）、ポリ（ジメチルフェニレンオキシド）、ｉｆｆ
リカー？ネート等がアル。

窒素含有芳香族化合物は式 ％式％（） （ここで、Ａｒは芳香核、Ｒは置換基、ｐはＯまたは１
以上の整数およびｑは１以上の整数であってＰ＋（１は
Ａｒの有効原子価数を越えない。

ただし、Ａｒが含窒素複素環の場合ｑは０であってもよ
い）で示すことができる。その具体例ヲ挙ケると、１，
２−シアミノベンゼン、アニリン、２−アミノペンゾト
リフルオリド、２−アミノピリジン、２．３−ノアミノ
ピリジン、４．４’−ジアミノジフェニルエーテル、４
．４’−メチレンジアニリン、チラミン、Ｎ−（ｏ−ヒ
ドロギシペンジル）アニリンおよびカル／？　ソールヨ
シなる群の中から選ばれた少なくとも１種である。

また、あらかじめ重合して得たものであって、溶媒に溶
解し、電極基板表面に塗布乾燥した重合体膜としてはポ
リ芳香族アミドまたは号？す芳香族イミドがある。

これら重合体膜は低インピーダンス化されている。また
、この発明のイオン電極は、特に、ＰＨ電極として好適
である。

なお、この明細■゛で用いられている重合体という語は
単独重合体および相互重合体（例えば、■０発明の詳細
な説明 本発明者らは重合体膜化学修飾イオン電極の応答性、再
現性、平衡電位値の安定性等を改善すべく基体の改質に
着目し、白金系金属材料で形成された電極基板に金属材
料で形成された応答性改善部材を溶接することによって
所期の目的を達成できることを見い出した。

以下、この発明を添付の図面に沿って詳しく説明する。

まず、第１図を参照してこの発明のイオン電極用基体に
ついて説明する。図示のように、このイオン電極用基体
１０は白金系金属材料で形成された線状、棒状、ディス
ク状等任意形状の電極基板１１に金属材料で形成された
応答性改善部材１２を溶接してなるものである。白金系
金属とは白金族金属およびその合金＜＊に、白金以外の
白金族金属例えばロジウムとの合金）のことをいう。こ
の構造のイオン電極用基体１０の周囲はポリオレフィン
やテフロン等の電気絶縁体１３で被覆されており、電極
基板１１の先端表面は露出している。

電極基板１１に溶接される金属材料はその種類を特に問
わない。このような金属材料の例、を挙−げると、白金
、鉄、銅、ニッケル、クロム、コ／Ｊルト、アルミニウ
ム、チタン、アンチモン、タングステン、モリｆｆン、
パラジウム、インジウム、ロジウム、ルテニウムおよび
これら金属を少なくとも一成分とする合金（例えば、ス
テンレス鋼、ニッケル鋼）である。好ましくは、この金
属材料は電極基板１１を形成する白金系金属とは異なる
ものである。

この発明で用いられる溶接はアーク溶接、電気抵抗溶接
等公知の溶接技術によって達成でき、また、スポット溶
接、バット溶接が含まれる。

次に、第２図を参照してこの発明のイオン電極について
説明する。図示のように、このイオン電極２０は第１図
に示す基体の白金系金属基板１ノの露出表面上にヒドロ
キシ芳香族化合物または窒素含有芳香族化合物から誘導
された重合体膜２１を直接被着してなるものである。

ヒドロキシ芳香族化合物は芳香核に直接結合したヒドロ
キシル基を少なくとも１つ有する芳香族化合物であり、
例えば式 （） ％式％（） （ここで、Ａｒは芳香核、各Ｒは置換基、ｎは１以上の
整数、ｍは０または１以上の整数であってｎ＋ｍはＡｒ
の有効原子価数越えない）で示すことができる。芳香核
Ａｒはベンゼン核、ピリ・シン核等の単環式のものであ
っても、多核式のものであってもよい。多核式芳香核に
はナフタレン核、アントラセン核等の縮合環タイプのも
の、および芳香核同志がアルキレン、タイプのものが含
まれる。置換基凡の例を挙げると、アルキル基例えばメ
チル基、アリール基例えばフェニル基、アルキルカルブ
ニル基およびアリールカルブニル基（４ａ／　）　、ヒ
ドロキシアルキル基（−Ｒ″ＯＨ）等である。

このようなヒドロキシ芳香族化合物の具体例を挙げると
、フェノール、２，６−およヒ３．ｓ−キシレノール、
ｏ−、ｍ−およびｐ−ヒドロキシベンゾフェノン、０−
およびｍ−ヒドロキシペンノルアルコール、２．２’　
、４．４’　−ｆ　）　ラヒドロキシペンゾフェノン、
ｏ−、ｍ−およびｐ−ヒドロキシベンゾフェノン、ｏ−
ｌｍ−およ０：ｐ−、ヒドロキシベンズアルデヒド、０
−９ｍ−およびｐ−ベンゾフェノール、ｏ　−、ｍ　−
およびｐ−ヒドロキシアセトフｉノン、４−（ｐ−ヒド
ロフェニル）−２−シタノン、ビスフェノールＡおよび
こ１１ら２種以上の混合物である。

あらかじめ重合して得た重合体としてはポリ（フェニレ
ンオキシド）、ポリ（フェニレンオキ７ド）誘導体、ポ
リ（ジフェニルフェニレンオキシド）１．ｔ９す（ジメ
チルフェニレンオキシド）、ポリカーパーネート等があ
る。

素原子を含有する芳香族化合物であり、例えば、一般式 ％式％（） （ここで、Ａｒは芳香核、Ｒは置換基、ｐは０または１
以上の整数およびｑは１以上の整数であってｐ＋ｑはＡ
ｒの有効原子価数を越えない。

ただし、Ａｒが含窒素複素環の場合ｑは０であってもよ
い）で示すことができる。芳香核Ａｒおよび置換基Ｒは
ヒドロキシ芳香族化合物に関して述べたものと同じであ
る。これら化合物のＮ−置換誘導体も用いられる。

このような窒素含有芳香族化合物の具体例を挙げると、
ｌ、２−ジアミノベンゼン、アニリン、２−アミノペン
ゾトリフルオリド、２−アミノピリジン、２，３−ジア
ミノピリジン１，４．４’　−ノアミノジフェニルエー
テル、４．４’−メチレンジアニリン、チラミン、Ｎ−
（、−ヒドロキシペンノル）アニリンおよびカルバゾー
ル等である。

あらかじめ重合して得た重合体としてはポリ芳香族アミ
ドおよびイミドがある。

以上述べたヒドロキシ芳香族化合物または、窒素−含有
芳香族化合物から誘導された重合体膜を白金系金属基板
１１表面上に被着するためＫは、窒素含有芳香族化合物
またはヒドロキシ芳香族化合物を電解酸化重合法によっ
て白金系金属基板１１表面上で重合させる方法、予め合
成された重合体を溶媒に溶かし、この溶液を浸漬・塗布
および乾燥により白金系金属基板１１表面に固定する方
法、さらには重合体膜を化学的処理、物理的処理もしく
は照射処理によって白金系金属基板１１表面に直接固定
する方法を採ることができる。

上記被着方法のうち最も好都合な方法は電解酸化重合法
による方法である。この電解酸化重合は適当な溶媒中で
窒素含有芳香族化合物またはヒドロキシ芳香族化合物を
電解酸化重合させ、動作電極としての所望基体の表面に
重合体膜を被着するものである。例えば、１，２−ノア
ミノベンゼン、２−アミノペンゾトリフルオリドおよび
４，４′−ジアミノジフェニルメタンの電解酸化重合は
ｐＨ７のリン酸緩衝溶液中で、アニリンの重合はピリジ
ンおよび過塩素酸ナトリウムを含むアセトニトリル溶液
中で、４．４’−ジアミ２ノジフェニルエーテルの重合
は過塩素酸ナトリウムを含むアセトニトリル溶液または
水酸化ナトリウムを含むメタノール溶液中でおこなう。

ヒドロキシ芳香族化合物の電解酸化重合はアルカリ性の
メタノール等の溶媒中でおこなう。

電解酸化重合によって被着した重合体膜は被着安定性が
極めてよく、また膜表面も滑らかである。

重合体膜の厚さに特に制限はないが００１μないし１μ
程度が適当である。

上記重合体膜は溶液中のイオンを選択的に透過させるが
、透過イオン種の中で導電性基体の平衡電位に悪影９を
及ぼすものが当該溶液中に存在すると、イオン濃度測定
に悪影響がある。

このような場合、ヒドロキシ芳香族化合物または窒素含
有化合物から誘導された重合体膜を他の、第２の膜で被
覆するとよい。この第２の膜は平衡電位値に影響を与え
ない不活性溶存イ、オンー棹全選択的に透過させるよう
な孔を多数有するもめであり、ポリアクリルアミド、ポ
リウレタン、Ｉり塩化ビニル、ポリアミノ酸、ポリアミ
ド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（フッ化化合
物）、ポリシリコーンゴム、ポリ２−ヒドロキシエチル
メタクリレート、セルロースおよびその誘導体、合成ゴ
ム、天然高分子（コラ−ｒ）、ゼラチン、天然ゴム等）
等積々の高分子材料から形成することができる。

第２、第３の被覆膜として、四級化した高重合度のポリ
ビニルピリジンやナフィオンなどのようなスルホン基を
持った高分子−など、陽イオン性および陰イオン性高分
子電解質被覆膜を使用し、溶存中の多価電荷イオン棟の
基板電極表面への直接接触を防止することもできる。

■１発明の具体的作用 この発明のイオン電極用基体は溶液中のイオン濃度を電
極電位応答または′ｉｔ流応答で測定するイオン電極用
の基体として有用であり、これまでに述べた重合体膜化
学修飾イオン電極の基体としてはもとよシその他のイオ
ン電極の基体として用いて応答速度、再現性、平衡電位
値の安定性等の、より改善されたイオン電極全提供する
ことができるとともに電極自体としても使用できる。

また、第２図に示すイオン電極２０を用いて溶液の例え
ば水素イオン濃度（ｐｔｌ　）を測定するには、第３図
に示すように、槽３１中にＰＨを測定すべき試料溶液３
２金入れ、この溶液にこの発明のイオン電極２０および
参照電極３３とし　−ての銀−塩化銀電極、あるいは食
塩飽和カロメルｔ　極（５ＳＣＥ　）等を浸漬する。そ
して参照電極３３に対するイオン電極２０の電位差（起
電力）　　　　゛を電位差計３５で測定する。このとき
、試料溶液３２を攪拌機３６で攪拌するとよい。そして
あらかじめ作製しておいた起電力とｐｉ（との相関図か
ら試料溶液のｐｔｌ　’に読みとる。。なお、気体を吹
き込む場合、気体吹き込み管３７を用いる。

この発明のイオン電極による起電力と−との関係は広範
囲のＰＨ領領域ほぼ５９　ｍＶ　／Ｐ）ｉの勾、配を持
つ直線関係を示し、式 （ここで、Ｅは起電力（ｍＶ　）、Ｋｏは一定電位（ｍ
Ｖ）、Ｒはがス定数、Ｔは絶対温度、Ｆはフ゛アラデ一
定数、〔Ｈ＋〕は水素イオン濃度）で示されるネルンス
トの式を満足する。

以下、この発明の実施例を記す。

実施例１ 直径１ｍ＋、長さ約２０ｍｍの白金線の両端面をシリコ
ンカーバイド（粒径約０．８μｍ）紙およびアルミナ粉
末（粒径０．３μｍ）で研暦・平滑化し、水洗し、メタ
ノールで洗浄後乾燥した。

Ｍ、Ｅｆｌ＋　１　ｔａｎ、長さ８０咽のタングステン
線を同様に処理した。− これら白金線およびタングステン線をバット溶接し、イ
オン電極用基体を準備した。この線状基体の周囲をテフ
ロンで絶縁した。

こうして得た基体の白金線の露出先端面にフェノールの
電解酸化重合膜を被着した。この電解酸化重合は、通常
の３電極式セルを使用し、対極として白金網、基準電極
として市販の飽和カロメル電極（ＳＳＣＥ）、そして動
作電極として上記基体を用いた。基体の白金線露出端面
は蒸留水で洗浄した。電解液として１０ｍＭフェノール
および３０　ｍＭ水酸化ナトリウムを含むメタノール溶
液を用い、電解前にこれをアルデンがスで十分に脱酸素
した。印加電圧を走査し、フェノール単量体の酸化反応
が白金表面で生起していることを確認した後、印加電圧
を１．０テルト（対５ＳＣＥ　）で止め、３分間定電解
した。

こうして、基体の白金線露出先端面にフェノールの電解
酸化重合膜（ｐｐｏ膜）が被着され、これを蒸留水で洗
浄し、イオン電極とした。

このイオン電極を動作電極とし、５ＳＣＥを基準電極と
し、種々の一値を持つ試料溶液（００５Ｍ　ＩＪン酸緩
衝溶液、ＰＨ値は水酸化ナトリウムおよび過塩素酸で調
節）中で平衡電位値到達時間（応答速度ンを測定した。

なお、試料溶液のｐＦＩ値は市販の声メーター（オリオ
ンリサーチ社製７０−、／Ａ型）で測定しておいた。結
果を第４図に示す。この￥４閣１・１・＼）７、曲線ａ
はＰＨが６．８６の場合を、曲線すは−■が４．００の
場合を、曲線ＣはＰｎが２．３０の場合を、および曲線
ｄは−が１０、０１の場合をそれぞれ示す。なお、第４
図から得た応答速度、および−４に対する起電力値（ｍ
Ｖ　）を下記の表１にまとめて示す。

表　１ 比較として、溶接をおこなうことなく白金線だけを用い
て上記と同様にｐｐｏ膜を被着し、イオン゛１述極を作
製した。このイオン電極を用いて上記と同様に平衡電位
応答速度を６１１１定した結果を表２にまとめて示す。

表　　２ 以上の結果から、この発明のイオン電極は庖答速度が有
意に改善されていることがわかる。

また、この発明のイオン電極の平衡′電位値の変動範囲
は±０．２　ｍＶと非常に小さかった。

実施例２ 直径０．５園、各長さ２．５鰭と７．５簡の二本の白金
線の端部側面同志を接触させてスポ、トア一り溶接した
。こうして得た基体の先端面に実施例１と同様にＰＰＯ
膜を被着し、イオン電極を得た。このイオン電極の平衡
電位到達時間（０，０５ｍＭリン酸緩衝溶液中、Ｐｏ６
．ｓ６）を測定−したところ１０分であった。

こめ結果、白金線同志を溶接しても応答速度が向上する
ことがわかった。

実施例３ ｊα径０．３　叫、長さ２０咽の白金線と直径０．２調
、長さ８０間のタングステン線とを実施例２と同様にア
ークスポット溶接した。その白金線の先端面に実施例１
と同様にｐｐｏ膜を被着しイオン電極を作輿した。この
イオン電極について実施例１と同様に平衡電位到達時間
を測定した。

結果を表３にまとめて示す。

表　　３ 実施例４〜７ 表４に示すような種々の長さの白金線（直径０、５　ｍ
ｍ　）とタングステン線（直径１．　Ｏｒｔｍ　）とを
スポットアーク溶接し、実施例１と同様に白金線の先端
面にｐｐｏ膜を被着しイオン電極を作製した。これらイ
オン電極の平衡電位応答速度をｐ）（６，８６のリン酸
緩衝溶液中で測定した。結果を表４に併記する。

表　　４ 実施例８〜１５ 種々の直径を持つ白金＃ｉ！（長さ２．５　ｃｒｎ　）
と種々の直径を持つ異種金属線（長さ７．５　ｃｍ　）
とをバット溶接またはスポット溶接し、実施例１と同様
にして白金線の先端面にｐｐｏ膜を被着し、イオン電極
を作製した。表５に示す各−の試料溶液中でこれらイオ
ン電極の応答速度を測定、した。結果を表５に併記する
。なお、ＰＦ１当シのｍｖ値も併せ示した。

実施例１６〜１８ 溶接すべき金属線の長さを変えてアークスポット溶接し
、実施例１と同様にしてイオン電極を作製し、ｐＨ６，
８６のリン酸緩衝溶液中で平衡電位到達速度を測定した
。結果を表６に示す。

表　　６ 以上述べた実施例から、応答特性改善部材を構成する金
属線の長さを大きくすると、電気抵抗が大きくなり導電
性が低下し、したがって応答速度が遅くなる傾向にある
ことがわかる。しかし溶接をおこなうことなく一本の白
金線にｐｐｏ膜を直接被着した場合よシも、平衡電位到
達速度は早い（表２参照）ａ ■１発明の具体的効果 以上述べたこの発明のイオン電極あるいはイオン電極用
基体は以下に列挙する効果を秦する。

（１）　　この発明のイオン電極はｐｌ（２，０から１
０．０の広範囲にわたって平衡電位到達速度（９８チ到
達）が早く、また平衡電位値の変動も非常に小さく、安
定している。

（２）　　また、このイオン電極は、試料溶液のＰｌｆ
を変えて次々にそのｐｌ（を測定しても、いわゆるメモ
リー効果がないので、再現性がよい。

（３）　　このイオン電極は窒素含有芳香族化合物また
はヒドロキシ芳爵族化合物から誘導された重合体膜を被
着してなる導電性基体を溶液に浸漬し、その電極電位応
答でＰ１＋を測定できる。したがって、基準液室を設け
る必要がなく、基体本体の加工限度近くまで微小化でき
、測定試料液が少量でよい。

（４）重合体膜の導電性は極めて良く、抵抗は非常に小
さく、低インピーダンス化されているので、？Ｉ！’Ｉ
定に高入力インピーダンスの増幅器を必要としない。

（５）　　この発明のイオンＦＪｊｔ用基体は以上述べ
た優れたイオン電極を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明のイオン電極用基体の断面図、第２図
はこの発明のイオン電極の断面図、第３図はこの発明の
イオン電極を用いたイオン濃度測定装置を示す概略図、
第４図はこの発明のイオン電極の特性を示すグラフ。 １１・・・電極基板、１２・・・応答特性改善部材、２
ノ・・・重合体膜。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦牙１　図　　
　　　　　士２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【１）　　溶液中のイオン濃度を電極電位応答または電
   流応答で測定するイオン電極用の基体であって、白金系
   金属材料で形成された電極基板に金属材料で形成された
   応答特性改善部材を溶接してなるイオン電極用基体。 （２）金属材料が白金、鉄、銅、ニッケル、クロム、コ
   バルト、アルミニウム、チタン、アンチモン、タングス
   テン、モリブデン、パラジウム、インジウム、ロジウム
   、ルテニウムおよびこれら金属を少なくとも一成分とす
   る合金よりなる群の中から選ばれたものである特許請求
   の範囲第１項記載の基体。 （３）　　溶液中のイオン濃度をｔ極電位応答または電
   流応答で測定するイオン電極であって、白金系金属材料
   で形成された電極基板に金属材料で形成された応答特性
   改善部材を溶接してなる基体の該電極基板表面にヒドロ
   キシ芳香族化合物もしくは窒素含有芳香族化金物から誘
   導された重合体膜を直接的に被着してなるイメン醒極。 （４）金属材料が白金、鉄、銅、ニッケル、クロム、コ
   バルト、アルミニウム、チタン、アンチモン、タングス
   テン、モリブデン、ノ９ラジウム、インジウム、ロジウ
   ム、ルテニウムおよびこれら金属を少なくとも一成分と
   する合金よりなる群の中から選ばれた金属系材料である
   特許請求の範囲第３項記載のイオン電極。 （５）重合体膜が電解酸化重合膜である特許請求の範囲
   第３項または第４項記載のイオン電極。 （６）　　ヒドロキシ芳香族化合物が式（） ％式％（） （ここで、Ａｒは芳香核、各Ｒは置換基、ｎは１以上の
   整数、ｍはＯまたは１以上の整数であってｎ＋ｍはＡｒ
   の有効原子価数越えない）で示される特許請求の範囲第
   ３項ないし第５項のいずれかに記載のイオン電極。 （７）ヒトｏキシ芳爵族化合物がフェノール、２．６−
   および３．５−ギシレノール、ｏ−、ｍ−およびｐ−ヒ
   ドロキシベンゾフェノン、０−〉よびｍ−ヒドロキシペ
   ン・ゾルアルコール、２１２’１４．４′ニテトラヒド
   ロキシペンゾフエノン、０−ｌｍ−およびｐ−と５．ド
   ロキシグロピオフエノン、０−　＋　ｍ−およびｐ−ヒ
   ドロキシベンズアルデヒド、Ｏ−ｇ　ｍ−およびｐ−ベ
   ンゾフェノール、０−・ｍ−およびｐ−ヒドロキシアセ
   トフェノン、４−（ｐ−ヒドロフェニル）−２−ブタノ
   ン、並びにビスフェノールＡよりなる群の中から選ばれ
   たものである特許請求の範囲第６項記載のイオン電極。 （８）重合体膜がポリ（フェニレンオキシド）、ポリ（
   ジフェニルフェニレンオキシド）、ポリ（ツメチルフェ
   ニレンオキシド）またはポリカー？ネートである特許請
   求の範囲第３項または第４項記載のイオン成極。 （９）窒素含有芳香族化合物が式 ％式％） （ここで、Ａｒは芳香核、Ｒは置換基、ｐは０または１
   以上の整数およびｑは１以上の整数でＦ”！ あって聯十量はＡｒの有効原子価数を越えない。 ただし、Ａｒが含窒素複素環の場合零はＯであってもよ
   い）で示される特許請求の範囲第３項ないし第５項のい
   ずれかに記載のイオン電極。 ＯＩ　　窒素含有芳香族化合物が１，２−ジアミノベン
   ゼン、アニリン、２−アミノペンシトリフル３オリド、
   ２−アミノピリジン、２．３−ジアミノピリジン、４．
   ４’−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’−メチレ
   ンジアニリン、チラミン、Ｎ−（０−ヒドロキシペンシ
   ル）アニリンおよびカルバゾールよシなる群の中から選
   ばれた少なくとも１種である特許請求の範囲第９項記載
   のイオン成極。 ０９　重合体膜が溶媒に溶解し、白金系金属層表面に塗
   布乾燥したＩり芳香族アミドまたはポリ芳香族イミドで
   ある特許請求の範囲第３項または第４項記載のイオン電
   極。 ０オ　重合体膜が低インピーダンス化されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第３項な、いし第１１項のい
   ずれかに記載のイオン電極。 ０３　’　ｐａｌ電極である特許請求の範囲第３項ない
   し第１２項のいずれかに記載のイオン電極。