JPH041302B2 - - Google Patents

Description

〔技術分野〕

この発明はイオン電極用基体およびイオン電極
に係り、特に、溶液中のイオン濃度を電極電位応
答または電流応答で測定するイオン電極用の基体
およびこのような電極基体を用いたイオン電極に
関する。 〔先行技術および問題点〕 溶液中のイオン例えば水素イオンの濃度を測定
するイオン電極（イオンセンサー）として現在知
られているものは、その感応膜が固体電解質であ
るか、イオン交換液を主体とするかによつて固体
膜型電極と液体膜型電極とに大別される。溶液中
のイオン濃度の測定は、これら電極および基準電
極（参照電極）を当該溶液に浸漬し、両電極間の
電位差を求めることからなる。 しかしながら、上記従来にイオン電極はいずれ
も、ガラス電極と同様、内部基準液室を必要とす
る。したがつて、これら電極には、内部基準液が
漏れたり、測定温度の影響を受けやすい等の欠点
があつた。また、内部基準液室を設ける必要があ
るため、その微小化には限度があつた。 このような従来のイオン電極に欠点を解決する
ものとして、本出願人は、導電体（特に白金）表
面に窒素含有芳香族化合物あるいはヒドロキシ芳
香族化合物から誘導された重合体膜を直接被着し
てなるイオンセンサーあるいはpHセンサーを先
に出願した（特願昭56−4295号（特公昭63−
13148号）、同56−129750号（特公昭63−64740号）
および同56−150895号（特開昭58−52556号））。
これら特許出願に開示したイオンセンサーあるい
はPHセンサーは、従来のイオン電極の考え方とは
全く異なり、導電体表面を重合体で化学修飾する
というこれまでほとんどおこなわれていなかつた
技術を利用している。この化学修飾の技術によつ
て導電体被覆膜は溶存イオン種に対し選択的な透
過性を持ち、また表面の腐食や溶解を防止し、導
電体は溶液中のイオン濃度に対して選択的に電極
電位または電流変化で応答するという全く新しい
機能を発揮する。このイオンセンサーは重合体で
化学修飾した導電体の機能のうち特に、イオン濃
度に対する応答性を利用したものである。これら
イオンセンサーは、内部基準液室を設ける必要が
ないので、導電体の加工限度まで微小化でき、広
範囲のPH領域でネルンストの式を満足する等種々
の利点を有する。 しかしながら、上記イオンセンサーあるいはPH
センサーは、平衡電位に達するまでの速度（応答
速度）、再現性等においてなお改善の余地がある
ことが判明した。 発明の目的 したがつて、この発明の第１の目的は、応答速
度、再現性および平衡電位値の安定性をさらに高
めたイオン電極を提供することができるイオン電
極用基体を提供することにある。 また、この発明の第２の目的は上記のようなイ
オン電極用基体を用いたイオン電極であつて、応
答速度、再現性および平衡電位値の安定性がさら
に向上したイオン電極を提供することにある。 この発明によれば、溶液中のイオン濃度を電極
電位応答または電流応答で測定するための、リー
ド線を有するイオン電極用基体であつて、リード
線と白金系金属材料で形成された電極基板とが、
白金、鉄、銅、ニツケル、クロム、コバルト、ア
ルミニウム、チタン、アンチモン、タングステ
ン、モリブテン、パラジウム、インジウム、ロジ
ウム、ルテニウム、およびこれら金属を少なくと
も一成分とする合金よりなる群の中から選ばれた
金属材料で形成されかつ溶接によつて該電極基板
に直接接合された応答特性改善部材を介して電気
的に接続されていることを特徴とする、リード線
を有するイオン電極用基体が提供される。 また、この発明によれば、溶液中のイオン濃度
を電極電位応答または電流応答で測定するため
の、リード線を有するイオン電極であつて、リー
ド線と白金系金属材料で形成された電極基板と
が、白金、鉄、銅、ニツケル、クロム、コバル
ト、アルミニウム、チタン、アンチモン、タング
ステン、モリブデン、パラジウム、インジウム、
ロジウム、ルテニウム、およびこれら金属を少な
くとも一成分とする合金よりなる群の中から選ば
れた金属材料で形成されかつ溶接によつて該電極
基板の一方の面に直接接合された応答特性改善部
材を介して電気的に接続されおり、該電極基板の
他方の面には、ヒドロキシ芳香族化合物もしくは
窒素含有芳香族化合物から誘導された重合体膜が
直接被着されていることを特徴とする、リード線
を有するイオン電極が提供される。 これらイオン電極用基体およびイオン電極にお
いて金属材料は、白金、鉄、銅、ニツケル、クロ
ム、コバルト、アルミニウム、チタン、アンチモ
ン、タングステン、モリブデン、パラジウム、イ
ンジウム、ロジウム、ルテニウムおよびこれら金
属を少なくとも一成分とする合金よりなる群の中
から選ばれる。 また、上記イオン電極において、重合体膜は電
解酸化重合膜であることが好ましい。 ヒドロキシ芳香族化合物は式 （ここで、Arは芳香核、各Ｒは置換基、ｎは
１以上の整数、ｍは０または１以上の整数であつ
てｎ＋ｍはArの有効原子価数越えない）で示す
ことができる。その具体例を挙げると、フエノー
ル、２，６−および３，５−キシレノ−ル、ｏ
−、ｍ−およびｐ−ヒドロキシベンゾフエノン、
ｏ−およびｍ−ヒドロキシベンジルアルコール、
２，2′，４，4′−テトラヒドロキシベンゾフエノ
ン、ｏ−、ｍ−およびｐ−ヒドロキシプロピオフ
エノン、ｏ−、ｍ−およびｐ−ヒドロキシベンズ
アルデヒド、ｏ−、ｍ−およびｐ−ベンゾフエノ
ール、ｏ−、ｍ−およびｐ−ヒドロキシアセトフ
エノン、４−（ｐ−ヒドロフエニル）−２−ブタノ
ン、ビスフエノールＡ等である。また予め重合し
たものであつて溶媒に溶解し、電極基板表面に塗
布乾燥した重合体膜としては、ポリ（フエニレン
オキシド）、ポリ（ジフエニルフエニレンオキシ
ド）、ポリ（ジメチルフエニレンオキシド）、ポリ
カーボネート等である。 窒素含有芳香族化合物は式 （ここで、Arは芳香核、Ｒは置換基、ｐは０
または１以上の整数およびｑは１以上の整数であ
つてｐ＋ｑはArの有効原子価数を越えない。た
だし、Arが含窒素複素環の場合ｑは０であつて
もよい）で示すことができる。その具体例を挙げ
ると、１，２−ジアミノベンゼン、アニリン、２
−アミノベンゾトリフルオリド、２−アミノピリ
ジン、２，３−ジアミノピリジン、４，4′−ジア
ミノジフエニルエーテル、４，4′−メチレンジア
ニリン、チラミン、Ｎ−（ｏ−ホドロキシベンジ
ル）アニリンおよびカルバゾールよりなる群の中
から選ばれた少なくとも１種である。また、あら
かじめ重合して得たものであつて、溶媒に溶解
し、電極基板表面に塗布乾燥した重合体膜として
はポリ芳香族アミドまたはポリ芳香族イミドがあ
る。 これら重合体膜は低インピーダンス化されてい
る。また、この発明のイオン電極は、特に、PH電
極として好適である。 なお、この明細書で用いられている重合体とい
う語は単独重合体および相互重合体（例えば、共
重合体、三元共重合体等）の双方を含む。 発明の具体的説明 本発明者らは重合体膜化学修飾イオン電極の反
応性、再現性、平衡電位値の安定性等を改善すべ
く基体の改質に着目し、白金系金属材料で形成さ
れた電極基板に金属材料で形成された応答性改善
部材を溶接することによつて所期の目的を達成で
きることを見い出した。 以下、この発明を添付の図面に沿つて詳しく説
明する。 まず、第１図を参照してこの発明のイオン電極
用基体について説明する。図示のように、このイ
オン電極用基体１０は白金系金属材料で形成され
た線状、棒状、デイスク状等任意形状の電極基板
１１に金属材料で形成された応答性改善部材１２
を溶接してなるものである。白金系金属とは白金
族金属およびその合金（特に、白金以外の白金族
金属例えばロジウムとの合金）のことをいう。こ
の構造のイオン電極用基体１０の周囲はポリオレ
フインやテフロン等の電気絶縁体１３で被覆され
ており、電極基板１１の先端表面は露出してい
る。 電極基板１１に溶接される金属材料はその種類
を特に問わない。このような金属材料の例を挙げ
ると、白金、鉄、銅、ニツケル、クロム、コバル
ト、アルミニウム、チタン、アンチモン、タング
ステン、モリブテン、パラジウム、インジウム、
ロジウム、ルテニウムおよびこれら金属を少なく
とも一成分とする合金（例えば、ステンレス銅、
ニツケル鋼）である。好ましくは、この金属材料
は電極基板１１を形成する白金系金属とは異なる
ものである。 この発明で用いられる溶接はアーク溶接、電気
抵抗溶接等公知の溶接技術によつて達成でき、ま
た、スポツト溶接、バツド溶接が含まれる。 次に、第２図を参照してこのイオン電極につい
て説明する。図示のように、このイオン電極２０
は第１図に示す基体の白金系金属基体１１の露出
表面上にヒドロキシ芳香族化合物または窒素含有
芳香族化合物から誘導された重合体膜２１を直接
被着してなるものである。 ヒドロキシ芳香族化合物は芳香核に直接結合し
たヒドロキシル基を少なくとも１つ有する芳香族
化合物であり、例えば式 （ここで、Arは芳香核、各Ｒは置換基、ｎは
１以上の整数、ｍは０または１以上の整数であつ
て、ｎ＋ｍはArの有効原子価数越えない）で示
すことができる。芳香核Arはベンゼン核、ピリ
ジン核等の単環式のものであつても、多核式のも
のであつてもよい。多核式芳香核にはナフタレン
核、アントラセン核等の縮合環タイプのもの、お
よび芳香核同志がアルキレン、

【式】−Ｏ− 等の架橋基によつて結合した架橋タイプのものが
含まれる。置換基Ｒの例を挙げると、アルキル基
例えばメチル基、アリール基例えばフエニル基、
アルキルカルボニル基およびアリールカルボニル
基

【式】ヒドロキシアルキル基（− R″OH）等である。 このようなヒドロキシ芳香族化合物の具体例を
挙げると、フエノール、２，６−および３，５−
キシレノ−ル、ｏ−、ｍ−、およびｐ−ヒドロキ
シベンゾフエノン、ｏ−およびｍ−ヒドロキシベ
ンジルアルコール、２，2′，４，4′−テトラヒド
ロキシベンゾフエノン、ｏ−、ｍ−およびｐ−ヒ
ドロキシプロピオフエノン、ｏ−、ｍ−およびｐ
−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−、ｍ−およ
びｐ−ベンゾフエノール、ｏ−、ｍ−およびｐ−
ヒドロキシアセトフエノン、４−（ｐ−ヒドロキ
シフエニル）−２−ブタノン、ビスフエノールＡ
およびこれら２種以上の混合物である。あらかじ
め重合して得た重合体としてはポリ（フエニレン
オキシド）、ポリ（フエニレンオキシド）誘導体、
ポリ（ジフエニルフエニレンオキシド）、ポリ
（ジメチルフエニレンオキシド）、ポリカーボネー
ト等がある。 窒素含有芳香族化合物は少なくとも１つの窒素
原子を含有する芳香族化合物であり、例えば、 一般式 （ここで、Arは芳香核、Ｒは置換基、ｐは０
または１以上の整数およびｑは１以上の整数であ
つてｐ＋ｑはArの有効原子価数を越えない。た
だし、Arがａ含窒素複素環の場合ｑは０であつ
てもよい）で示すことができる。芳香核Arおよ
び置換基Ｒはヒドロキシ芳香族化合物に関して述
べたものと同じである。これら化合物のＮ−置換
誘導体も用いられる。 このような窒素含有芳香族化合物の具体例を挙
げると、１，２−ジアミノベンゼン、アニリン、
２−アミノベンゾトリフルオリド、２−アミノピ
リジン、２，３−ジアミノピリジン、４，4′−ジ
アミノジフエニルエーテル、４，4′−メチレンジ
アニリン、チラミン、Ｎ−（ｏ−ヒドロキシベン
ジル）アニリンおよびカルバゾール等である。あ
らかじめ重合して得た重合体としてはポリ芳香族
アミドおよびイミドがある。 以上述べたヒドロキシ芳香族化合物または窒素
含有芳香族化合物から誘導された重合体膜を白金
系金属基板１１表面上に被着するためには、窒素
含有芳香族化合物またはヒドロキシ芳香族化合物
を電解酸化重合法によつては白金系金属基板１１
表面上で重合させる方法、予め合成された重合体
を溶媒に溶かし、この溶液を浸漬・塗布および乾
燥により白金系金属基板１１表面に固定する方
法、さらには重合体膜を化学的処理、物理的処理
もしくは照射処理によつて白金系金属基板１１表
面に直接固定する方法を採ることができる。 上記被着方法のうち最も好都合な方法は電解酸
化重合法による方法である。この電解酸化重合は
適当な溶媒中で窒素含有芳香族化合物またはヒド
ロキシ芳香族化合物を電解酸化重合させ、動作電
極としての所望基体の表面に重合体膜を被着する
ものである。例えば、１，２−ジアミノベンゼ
ン、２−アミノベンゾトリフルオリド、および
４，4′−ジアミノジフエニルメタンの電解酸化重
合はPH７のリン酸緩衝溶液中で、アニリンの重合
はピリジンおよび過塩素酸ナトリウムを含むアセ
トニトリル溶液中で、４、4′−ジアミノジフエニ
ルエーテルの重合は過塩素酸ナトリウムを含むア
セトニトリル溶液または水酸化ナトリウムを含む
メタノール溶液中でおこなう。ヒドロキシ芳香族
化合物の電解酸化重合はアルカリ性のメタノール
等の溶媒中でおこなう。 電解酸化重合によつて被着した重合体膜は被着
安定性がよく、また膜表面も滑らかである。 重合体膜の厚さに特に制限はないが０・01μな
いし1μ程度が適当である。 上記重合体膜は溶液中のイオンを選択的に透過
させるが、透過イオン種の中で導電性基体の平衡
電位に悪影響を及ぼすものが当該溶液中に存在す
ると、イオン濃度測定に悪影響がある。このよう
な場合、ヒドロキシ芳香族化合物または窒素含有
化合物から誘導された重合体膜を他の、第２の膜
で被覆するとよい。この第２の膜は平衡電位値に
影響を与えない不活性溶存イオン種を選択的に透
過させるような孔を多数有するものであり、ポリ
アクリルアミド、ポリウレタン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリアミド酸、ポリアミド、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリ（フツ化合物）、ポリシリ
コーンゴム、ポリ２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート、セルロースおよびその誘導体、合成ゴ
ム、天然高分子（コラーゲン、ゼラチン、天然ゴ
ム等）等種々の高分子材料から形成することがで
きる。 第２、第３の被覆膜として、四級化した高重合
度のポリビニルルピリジンやナフイオンなどのよ
うなスルホン基を持つた高分子など、陽イオン性
および陰イオン性高分子電解質被覆膜を使用し、
溶存中の多価電荷イオン種の基板電極表面への直
接接触を防止することもできる。 発明の具体的作用 この発明のイオン電極用基体は溶液中のイオン
濃度を電極電位応答または電流応答で測定するイ
オン電極用の基体として有用であり、これまでに
述べた重合体膜化学修飾イオン電極の基体として
はもとよりその他のイオン電極の基体として用い
て応答速度、再現性、平衡電位値の安定性等の、
より改善されたイオン電極を提供することができ
るとともに電極自体としても使用できる。 また、この発明のイオン電極２０は、第３図に
示すように、測定機器への接続のためのリード線
３８を有し、このリード線３８は、応答特性改善
部材１２においてイオン電極２０（またはその基
体１０）に接続している。このようなイオン電極
２０を用いて溶液の例えば水素イオン濃度（PH）
を測定するには、第３図に示すように、槽３１中
にPHを測定すべき試料溶液３２を入れ、この溶液
にこの発明のイオン電極２０および参照電極３３
としての銀−塩化銀電極、あるいは食塩飽和カロ
メル電極（SSCE）等を浸漬し、イオン電極２０
および参照電極３３をそれぞれリード線３８およ
び３９で電位差計３５に接続する。そして参照電
極３３に対するイオン電極２０の電位差（超電
力）を電位差計３５で測定する。このとき、試料
溶液３２を攪拌機３６で攪拌するとよい。そして
あらかじめ作製しておいた超電力とPHとの相関図
から試料溶液のPHを読みとる。なお、気体を吹き
込む場合、気体吹き込み管３７を用いる。 この発明のイオン電極による起電力とPHとの関
係は広範囲のPH領域でほぼ59mV／PHの勾配を持
つ直線関係を示し、式 Ｅ＝E₀＋RT／Ｆln〔H⁺〕 （ここで、Ｅは起電力（mV）、E₀は一定電位
（mV）、Ｒはガス定数、Ｔは絶対温度、Ｆはフア
ラデ一定数、〔H⁺〕は水素イオン濃度）で示され
るネルンスト式を満足する。 以下、この発明の実施例を記す。以下の全ての
実施例において、イオン電極の応答速度の測定に
当り、測定機器への接続は、リード線を用いて行
なつた。 実施例 １ 直径１mm、長さ約20mmの白金線の両端面をシリ
コンカーバイト（粒径約０・8μm）紙およびアル
ミナ粉末（粒径約０・3μm）で研磨・平滑化し、
水洗いし、メタノールで洗浄後乾燥した。一方、
直径１mm、長さ約80mmのタングステン線を同様に
処理した。 これら白金線およびタングステン線をバツト溶
接し、イオン電極用基体を基準した。この線状基
体の周囲をテフロンで絶縁した。 こうして、得た基体の白金線の露出先端面にフ
エノールの電解酸化重合膜を被着した。この電解
酸化重合は、通常の３電極式セルを使用し、対極
として白金網、基準電極として市販の飽和カロメ
ル電極 （SSCE）、そして動作電極として上記
基体を用いた。基体の白金線露出端面は蒸留水で
洗浄した。電解液として10mMフエノールおよび
30mM水酸化ナトリウムを含むメタノール溶液を
用い、電解前にこれをアルゴンガスで十分に脱酸
素した。印加電圧を走査し、フエノール単量体の
酸化反応が白金表面で生起していることを確認し
た後、印化電圧を１・０ボルト（対SSCE）で止
め。３分間定電解した。こうして、基体の白金線
露出先端面にフエノールに電解酸化重合膜
（PPO膜）が被着され、これを蒸留水で洗浄し、
イオン電極とした。 このイオン電極を動作電極とし、SSCEを基準
電極とし、種々のPH値を持つ試料溶液（０・05M
リン酸緩衝溶液、PH値は水酸化ナトリウムおよび
過塩素酸で調節）中で平衡電位値到達時間（応答
速度）を測定した。なお、試料溶液のPH値は市販
のPHメーター（オリオンリサーチ社製70／Ａ型）
で測定しておいた。結果を第４図に示す。この第
４図において、曲線ａはPHが６・86の場合を、曲
線ｂはPHが４・00の場合を、曲線ｃはPHが２・30
の場合を、および曲線ｄはPHが10・01の場合をそ
れぞれ示す。なお、第４図から得た応答速度、お
よびPHに対する起電力値（mV）を下記の表１に
まとめて示す。

【表】 比較として溶接をおこなうことなく白金線だけ
を用いて上記と同様にPPO膜を被着し、イオン
電極を作製した。このイオン電極を用いて上記と
同様に平衡電位応答速度を測定した結果を表２に
まとめて示す。

【表】 以上の結果から、この発明のイオン電極は応答
速度が有意に改善されていることがわかる。ま
た、この発明にイオン電極に平衡電位値の変動範
囲は±０・2mVと非常に小さかつた。 実施例 ２ 直径０・５mm、各長さ２・５mmと７・５mmの二
本の白金線の端部側面同志を接触させてスポツト
アーク溶接した。こうして得た基体の先端面に実
施例１と同様にPPO膜を被着し、イオン電極を
得た。このイオン電極の平衡電位到達時間（０・
05mMリン酸緩衝溶液中、PH６・86）を測定した
ところ10分であつた。 この結果、白金線同志を溶接しても応答速度が
向上することがわかつた。 実施例 ３ 直径０・３mm、長さ20mmの白金線と直径０・２
mm、長さ80mmのタングステン線とを実施例２と同
様にスポツト溶接した。その白金線の先端面に実
施例１と同様にPPO膜を被着しイオン電極を作
製した。このイオン電極について実施例１と同様
に平衡電位到達時間を測定した。結果を表３にま
とめて示す。

【表】 実施例 ４〜７ 表４に示すような種々の長さの白金線（直径
０・５mm）とタングステン線（直径１・０mm）と
をスポツト溶接し、実施例１と同様に白金線の先
端面にPPO膜を被着しイオン電極を作製した。
これらイオン電極の平衡電位応答速度をPH６・86
のリン酸緩衝溶液中で測定した。結果を表４に併
記する。

【表】 実施例 ８〜15 種々の直径を持つ白金線（長さ２・５cm）と
種々の直径を持つ異種金属線（長さ７・５cm）と
をバツト溶接またはスポツト溶接し、実施例１と
同様にして白金線の先端面にPPO膜を被着し、
イオン電極を作製した。表５に示す各PHの試料溶
液中でこれらイオン電極の応答速度を測定した。
結果を表５に併記する。なお，PH当りのmV値も
併せ示した。

【表】 実施例 16 直径０・５mm、長さ０・５mmの白金線を、直径
１・０mm、長さ９・５mmの白金線とスポツト溶接
し、実施例１と同様にしてイオン電極を作成し、
PH６・86のリン酸緩衝溶液中で平衡電位到達時間
を測定したところ、３分であつた。 以上述べた実施例から、応答特性改善部材を構
成する金属線の長さを大きくすると、電気抵抗が
大きくなり導電性が低下し、したがつて応答速度
が遅くなる傾向にあることがわかる。しかし溶接
をおこなうことなく一本の白金線にPPO膜を直
接被着した場合よりも、平衡電位到達速度は早い
（表２参照）。 発明の具体的効果 以上述べたこの発明のイオン電極あるいはイオ
ン電極用基体以下に列挙する効果を奏する。 (1) この発明のイオン電極はPH２・０から10・０
の広範囲にわたつて平衡電位到達速度（98％到
達）が早く、また平衡電位値の変動も非常に小
さく、安定している。 (2) また、このイオン電極は、試料溶液のPHを変
えて次々にそのPHを測定しても、いわゆるメモ
リー効果がないので、再現性がよい。 (3) このイオン電極は窒素含有芳香族化合物また
はヒドロキシ芳香族化合物から誘導された重合
体膜を被着してなる導電性基体を溶液に浸漬
し、その電極電位応答でPHを測定できる。した
がつて、基準液室を設ける必要がなく、基体本
体の加工限度近くまで微小化でき、測定試料液
が少量でよい。 (4) 重合体膜の導電性は極めて良く、抵抗は非常
に小さく、低インピーダンス化されているの
で、測定に高入力インピーダンスの増幅器を必
要としない。 (5) この発明にイオン電極用基体は以上述べた優
れたイオン電極を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明のイオン電極用基体の断面
図、第２図はこの発明のイオン電極の断面図、第
３図はこの発明のイオン電極を用いたイオン濃度
測定装置を示す概略図、第４図はこの発明のイオ
ン電極の特性を示すグラフ。 １１……電極基板、１２……応答特性改善部
材、２１……重合体膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 溶液中のイオン濃度を電極電位応答または電
   流応答で測定するための、リード線を有するイオ
   ン電極用基体であつて、リード線と白金系金属材
   料で形成された電極基板とが、白金、鉄、銅、ニ
   ツケル、クロム、コバルト、アルミニウム、チタ
   ン、アンチモン、タングステン、モリブテン、パ
   ラジウム、インジウム、ロジウム、ルテニウム、
   およびこれら金属を少なくとも一成分とする合金
   よりなる群の中から選ばれた金属材料で形成され
   かつ溶接によつて該電極基板に直接接合された応
   答特性改善部材を介して電気的に接続されている
   ことを特徴とする、リード線を有するイオン電極
   用基体。 ２ 溶液中のイオン濃度を電極電位応答または電
   流応答で測定するための、リード線を有するイオ
   ン電極であつて、リード線と白金系金属材料で形
   成された電極基板とが、白金、鉄、銅、ニツケ
   ル、クロム、コバルト、アルミニウム、チタン、
   アンチモン、タングステン、モリブテン、パラジ
   ウム、インジウム、ロジウム、ルテニウム、およ
   びこれら金属を少なくとも一成分とする合金より
   なる群の中から選ばれた金属材料で形成されかつ
   溶接によつて該電極基板の一方の面に直接接合さ
   れた応答特性改善部材を介して電気的に接続され
   ており、該電極基板の他方の面には、ヒドロキシ
   芳香族化合物もしくは窒素含有芳香族化合物から
   誘導された重合体膜が直接被着されていることを
   特徴とする、リード線を有するイオン電極。 ３ 重合体膜が、電解酸化重合膜である特許請求
   の範囲第２項記載のリード線を有するイオン電
   極。 ４ ヒドロキシ芳香族化合物が式 （ここで、Arは芳香核、各Ｒは置換基、ｎは
   １以上の整数、ｍは０または１以上の整数であつ
   て、ｎ＋ｍはArの有効原子価数を越えない）で
   示される特許請求の範囲第２項または第３項記載
   のリード線を有するイオン電極。 ５ ヒドロキシ芳香族化合物が、フエノール、
   ２，６−および３，５−キシレノ−ル、ｏ−、ｍ
   −、およびｐ−ヒドロキシベンゾフエノン、ｏ−
   およびｍ−ヒドロキシベンジルアルコール、２，
   2′，４，4′−テトラヒドロキシベンゾフエノン、
   ｏ−、ｍ−およびｐ−ヒドロキシプロピオフエノ
   ン、ｏ−、ｍ−およびｐ−ヒドロキシベンズアル
   デヒド、ｏ−、ｍ−およびｐ−ベンゾフエノー
   ル、ｏ−、ｍ−およびｐ−ヒドロキシアセトフエ
   ノン、４−（ｐ−ヒドロキシフエニル）−２−ブタ
   ノン、並びにビスフエノールＡよりなる群の中か
   ら選ばれたものである特許請求の範囲第４項記載
   のリード線を有するイオン電極。 ６ 重合体膜がポリ（フエニレンオキシド）、ポ
   リ（ジフエニルフエニレンオキシド）、ポリ（ジ
   メチルフエニレンオキシド）またはポリカーボネ
   ートである特許請求の範囲第２項記載のリード線
   を有するイオン電極。 ７ 窒素含有芳香族化合物が式 （ここで、Arは芳香核、各Ｒは置換基、ｑは
   １以上の整数、ｐは０または１以上の整数であつ
   て、ｐ＋ｑはArの有効原子価数を越えない。但
   し、Arが含窒素複素環の場合ｑは０であつても
   よい）で示される特許請求の範囲第２項または第
   ３項記載のリード線を有するイオン電極。 ８ 窒素含有芳香族化合物が、１，２−ジアミノ
   ベンゼン、アニリン、２−アミノベンゾトリフル
   オリド、２−アミノピリジン、２，３−ジアミノ
   ピリジン、４，4′−ジアミノジフエニルエーテ
   ル、４，4′−メチレンジアニリン、チラミン、Ｎ
   −（ｏ−ヒドロキシベンジル）アニリンおよびカ
   ルバゾールよりなる群の中から選ばれた少なくと
   も１種である特許請求の範囲第７項記載のリード
   線を有するイオン電極。 ９ 重合体膜が、溶媒に溶解し、白金系金属層表
   面に塗布乾燥したポリ芳香族アミドまたはポリ芳
   香族イミドである特許請求の範囲第２項記載のリ
   ード線を有するイオン電極。 １０ 重合体膜が、低インピーダンズ化されてい
   る特許請求の範囲第２項ないし第９項のいずれか
   １項記載のリード線を有するイオン電極。 １１ PH電極である特許請求の範囲第２項ないし
   第１０項のいずれか１項記載のリード線を有する
   イオン電極。