JPH0341782A - 酸化物超電導体膜の電極形成方法 - Google Patents
酸化物超電導体膜の電極形成方法Info
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- JPH0341782A JPH0341782A JP1177452A JP17745289A JPH0341782A JP H0341782 A JPH0341782 A JP H0341782A JP 1177452 A JP1177452 A JP 1177452A JP 17745289 A JP17745289 A JP 17745289A JP H0341782 A JPH0341782 A JP H0341782A
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は酸化物超電導体膜の電極形成方法に関する。
（ロ）従来の技術
高臨界温度を有する酸化物超電導体の発見以来、超電導
膜を備えた超電導デバイスの開発が進められている。
膜を備えた超電導デバイスの開発が進められている。
超電導体の特徴を利用するには、超電導体と電極リード
との接合部における接合抵抗率を可及的に小さくするこ
とが望まれる。従来、酸化物超電導体バルクの電極形成
についての研究報告［“Ｃ０ＮＴＡＣＴ ＦＯＲＭＡ
ＴＩＯＮ Ｔｏ Ｙ、Ｂａ、Ｃｕｊｏｌ−ｔ Ｃ
ＥＲＡＭＩＣ５” （ＦＥＤＨｉＴｃ’５ｃ−ＥＤ
ＷＯＲＫＳＨＯＰ、Ｊｕｎｅ２−４．１９８８、ＰＰ
２０５〜２０８コがなされているが、超電導膜のｔ極形
成については、研究途上にある。
との接合部における接合抵抗率を可及的に小さくするこ
とが望まれる。従来、酸化物超電導体バルクの電極形成
についての研究報告［“Ｃ０ＮＴＡＣＴ ＦＯＲＭＡ
ＴＩＯＮ Ｔｏ Ｙ、Ｂａ、Ｃｕｊｏｌ−ｔ Ｃ
ＥＲＡＭＩＣ５” （ＦＥＤＨｉＴｃ’５ｃ−ＥＤ
ＷＯＲＫＳＨＯＰ、Ｊｕｎｅ２−４．１９８８、ＰＰ
２０５〜２０８コがなされているが、超電導膜のｔ極形
成については、研究途上にある。
上記研究報告等により、超電導体バルクに金属蒸着膜を
形成し、この蒸着膜に金ａ線をハンダ接合する方法や、
超電導体バルクに金属線を直接超音波溶着するものが知
られている。
形成し、この蒸着膜に金ａ線をハンダ接合する方法や、
超電導体バルクに金属線を直接超音波溶着するものが知
られている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
従来の超電導体への金属線の超音波溶着法においても、
接合抵抗率は高々１０−’Ω・ｃｍ’程度であり、実用
上これより低い抵抗率で超電導体嘆に電極を設けること
が望まれる。
接合抵抗率は高々１０−’Ω・ｃｍ’程度であり、実用
上これより低い抵抗率で超電導体嘆に電極を設けること
が望まれる。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明による酸化物超電導体膜の電極形成方法は、基板
上に酸化物超電導体ペーストを塗布し、乾燥する工程と
、乾燥した前記超電導体塗布膜の電極形成部位に銀酸化
物よりなる常電導金属粉末のペーストを塗布し、乾燥す
る工程と、前記超電導体塗布膜と常電導金属塗布膜を、
前記常電導金属の融点近傍の温度で焼成する工程と、よ
りなるものである。
上に酸化物超電導体ペーストを塗布し、乾燥する工程と
、乾燥した前記超電導体塗布膜の電極形成部位に銀酸化
物よりなる常電導金属粉末のペーストを塗布し、乾燥す
る工程と、前記超電導体塗布膜と常電導金属塗布膜を、
前記常電導金属の融点近傍の温度で焼成する工程と、よ
りなるものである。
（ホ）作用
酸化物超電導体ペーストを基板上に塗布して乾燥した超
電導体塗布膜上の電極形成部位に常電導金属粉末ペース
トを塗布・乾燥させることにより、常電導金属粉末が１
を極形成部位に均一に分散させることになる。
電導体塗布膜上の電極形成部位に常電導金属粉末ペース
トを塗布・乾燥させることにより、常電導金属粉末が１
を極形成部位に均一に分散させることになる。
ついで、内塗布膜を常電導金属の融点近傍の温度で焼成
することにより、超電導体塗布膜内ではＭｉ電導粒子が
結晶成長すると共に常電導金属粉末塗布膜内では銀酸化
物粉末の焼結が生ずると共に超電導体膜との界面で一部
の銀が超電導体内に拡散じていき、’−Ｍ ＋ｆｉにお
ける接合抵抗率が小さくなる。
することにより、超電導体塗布膜内ではＭｉ電導粒子が
結晶成長すると共に常電導金属粉末塗布膜内では銀酸化
物粉末の焼結が生ずると共に超電導体膜との界面で一部
の銀が超電導体内に拡散じていき、’−Ｍ ＋ｆｉにお
ける接合抵抗率が小さくなる。
（へ）実施例
本発明の一実施例を図面に基いて説明する。
第１図は電極形成工程図である。同図（Ａ）は基板１上
に酸化物超電導体ペーストを塗布して乾燥して超電導体
塗布膜２を形成した状態を示す。基板１としてｙｓｚ
＜イツトリアで安定化したジルコニア）基板を用いたが
、ジルコニア、アルミナ、ＭｇＯ，Ｓ ｒＴ ｉｏ＊基
板等を用いてもよい。
に酸化物超電導体ペーストを塗布して乾燥して超電導体
塗布膜２を形成した状態を示す。基板１としてｙｓｚ
＜イツトリアで安定化したジルコニア）基板を用いたが
、ジルコニア、アルミナ、ＭｇＯ，Ｓ ｒＴ ｉｏ＊基
板等を用いてもよい。
酸化物超電導体ペーストに用いる超電導体粉末として、
実施例では酸化物超電導体の代表であるＹＢａＣｕＯ系
のものを用い、共沈法で作製した超電導体を粉砕したも
のを用いた。
実施例では酸化物超電導体の代表であるＹＢａＣｕＯ系
のものを用い、共沈法で作製した超電導体を粉砕したも
のを用いた。
即ち、硝酸イツト「ノウムＹ （ＮＯＩ） ３・３．５
Ｆ（。
Ｆ（。
０と、硝酸バリウムＢａ （ＮＯり２と、硝酸銅Ｃｕ
（ＮＯり １・３Ｈ！Ｏを夫々水に溶かしてＹ、Ｂａ
％Ｃｕがモル比で１ ：２：３になるように混合する。
（ＮＯり １・３Ｈ！Ｏを夫々水に溶かしてＹ、Ｂａ
％Ｃｕがモル比で１ ：２：３になるように混合する。
ついで、蓚酸Ｈ，Ｃ，０，−２８ｆＯをＢａ元素２モル
に対し７モル加えてアンモニア水でｐＨ調整を行ないｐ
Ｈ＝４〜７とし、蓚酸塩として共沈させる。
に対し７モル加えてアンモニア水でｐＨ調整を行ないｐ
Ｈ＝４〜７とし、蓚酸塩として共沈させる。
沈殿物をろ過し水洗した後、十分乾燥し、空気中におい
て９３０℃で３時間仮焼成する。
て９３０℃で３時間仮焼成する。
このようにして得たＹ Ｂ ａ ＩＣｕ ｓｏ ｔ−ａ
の超電導塊をＩし鉢で粉砕後、さらにボールミルで粉砕
した。粉砕後の超電導本粉末の平均粒径は１μｍであっ
た。
の超電導塊をＩし鉢で粉砕後、さらにボールミルで粉砕
した。粉砕後の超電導本粉末の平均粒径は１μｍであっ
た。
この超電導体粉末１００部に対し、有機溶剤としてのト
ルエン３０部を添加し、ペイントシェーカーで０．３時
間部合し、超電導体ペーストを作製した。このペースト
の粘度は１０００ｃｐｓであった。
ルエン３０部を添加し、ペイントシェーカーで０．３時
間部合し、超電導体ペーストを作製した。このペースト
の粘度は１０００ｃｐｓであった。
この超電導体ペーストを２５■角Ｘ Ｑ、５ｍｍ厚の基
板ｌ上にスクリーン印刷により長さ１５国×幅５ ｍｍ
ｘ厚み５０μｍの形状に塗布した。尚、塗布厚は１Ｉ
ｎｆｉ１以下が望ましい。
板ｌ上にスクリーン印刷により長さ１５国×幅５ ｍｍ
ｘ厚み５０μｍの形状に塗布した。尚、塗布厚は１Ｉ
ｎｆｉ１以下が望ましい。
超電導体ペーストを塗布した基板１を電気炉に入れ、２
００℃で２時間乾燥して、超電導体塗布膜２を形成した
。
００℃で２時間乾燥して、超電導体塗布膜２を形成した
。
次（こ、この超電導体塗布膜１の電極形成部位に、銀酸
化物よりなる常電導金属粉末のペーストを塗布・乾燥し
て第１図（Ｂ）に示す如く、常電導金属塗布膜３を形成
した。
化物よりなる常電導金属粉末のペーストを塗布・乾燥し
て第１図（Ｂ）に示す如く、常電導金属塗布膜３を形成
した。
常電導金属粉末のペーストを、平均粒径ｌｏ。
μｍの、Ａ ｇ Ｏ粉末１００部にトルエン３０部を添
加し、ペイントシェーカーで０．３時間部合してＡｇｏ
粉木の平均粒径が１０μｍ以下のものからなるように作
製した。
加し、ペイントシェーカーで０．３時間部合してＡｇｏ
粉木の平均粒径が１０μｍ以下のものからなるように作
製した。
このようにして得たペーストを超電導体塗布膜２のＸ極
形成部位に８０μｍ厚となるように塗布し、基板１を電
気炉に入れ、２００”Ｃで２時間乾燥して常電導金属塗
布膜３を形成した。
形成部位に８０μｍ厚となるように塗布し、基板１を電
気炉に入れ、２００”Ｃで２時間乾燥して常電導金属塗
布膜３を形成した。
続いて、電気炉を用いて、９３０ ’Ｃ１１０時間酸素
雰囲気中で焼成して、第１図（Ｃ）に示すように超電導
体膜４及び電極５を形成した。この１極に０．５ｍ１ｌ
ｌ径の銅線リード６をハンダ７付けした。
雰囲気中で焼成して、第１図（Ｃ）に示すように超電導
体膜４及び電極５を形成した。この１極に０．５ｍ１ｌ
ｌ径の銅線リード６をハンダ７付けした。
第２図は比較サンプルの！極形成工程図である。
この比較サンプルを次のように形成した。即ち、実施例
と同じ基板１上に、実施例と同じ条件でＭｉ電導体ペー
ストを塗布し、乾燥した後、電気炉を用いて、９３０℃
で１０時間、酸素雰囲気中で焼成して第２図（Ａ）に示
すように、超電導体膜８を予め形成する。
と同じ基板１上に、実施例と同じ条件でＭｉ電導体ペー
ストを塗布し、乾燥した後、電気炉を用いて、９３０℃
で１０時間、酸素雰囲気中で焼成して第２図（Ａ）に示
すように、超電導体膜８を予め形成する。
この超電導体膜８の１極形成部位に、真空蒸着装置を用
いて、同図（Ｂ）に示すように、純度９９．９％のＡｇ
層よりなる１を極９を蒸着により形成した。この電極の
蒸着厚は１μｍであり、この電極に０゜５ｍｍ径の銅線
リード６をハンダ７付けした。
いて、同図（Ｂ）に示すように、純度９９．９％のＡｇ
層よりなる１を極９を蒸着により形成した。この電極の
蒸着厚は１μｍであり、この電極に０゜５ｍｍ径の銅線
リード６をハンダ７付けした。
実施例で得たものと比較サンプルにおける超電導体膜と
電極との界面における接合抵抗率を３端子法で測定した
ところ、実施例では２．５Ｘ １０−’Ｑ−Ｃｍ！であ
るに村し、比較サンプルでは７．５Ｘ１０−４Ω・ｃｎ
’＋’であった。
電極との界面における接合抵抗率を３端子法で測定した
ところ、実施例では２．５Ｘ １０−’Ｑ−Ｃｍ！であ
るに村し、比較サンプルでは７．５Ｘ１０−４Ω・ｃｎ
’＋’であった。
この測定結果から、実施例による電極形成方法によると
、ＩＱ−’Ｑ−ａｍ″の極めて低い接合抵抗率を有する
電極接合が可能となる。
、ＩＱ−’Ｑ−ａｍ″の極めて低い接合抵抗率を有する
電極接合が可能となる。
尚、実施例では、超電導体としてＹＢａＣｕＯ系のもの
を用いたが、ＬｎＢａＣｕＯ系（Ｌｎは１種１′Ｊ、上
の希土類元素）、Ｂ１５ｒＣａＣｕＯ系、ＴＥＢａＣａ
ＣｕＯ系その他の系のものを使用することができる。
を用いたが、ＬｎＢａＣｕＯ系（Ｌｎは１種１′Ｊ、上
の希土類元素）、Ｂ１５ｒＣａＣｕＯ系、ＴＥＢａＣａ
ＣｕＯ系その他の系のものを使用することができる。
また、実施例では超電導体を共沈法により形成したが、
粉末同相法等の他の方法で得るようにしてもよい。
粉末同相法等の他の方法で得るようにしてもよい。
（ト）発明の効果
本発明によれば、酸化物超電導体膜の電極形成部位に、
銀酸化物よりなる常電導金属粉末のペーストを塗布・乾
燥した後、前記常電導金属の融点近傍の温度で焼成する
ため、常電導金属によｒ）電極を形成すると共に、この
電極をＦｌｉ戊する銀が超電導体膜との界面でＭｉ電導
体内に拡張し、超電導体膜と電極との間の接合抵抗率が
低い電極を形成することができ、その工業的価値は極ぬ
て大きい。
銀酸化物よりなる常電導金属粉末のペーストを塗布・乾
燥した後、前記常電導金属の融点近傍の温度で焼成する
ため、常電導金属によｒ）電極を形成すると共に、この
電極をＦｌｉ戊する銀が超電導体膜との界面でＭｉ電導
体内に拡張し、超電導体膜と電極との間の接合抵抗率が
低い電極を形成することができ、その工業的価値は極ぬ
て大きい。
第１図は本発明の一実施例における電極形成工程図であ
り、（Ａ）は超電導体塗布膜形成時、（Ｂ）は常電４金
属塗布膜形戊時、（Ｃ）は！極形成時を示す。第２図は
比較サンプルにおける電極形成工程図であり、（Ａ）は
超電導体膜形成時、（Ｂ）は電極形成時を示す。 ｌ・・・基板、２・・・超電導体塗布膜、３・・・常電
導音＠塗布嘆、１・・・超電導体、５・・・電極、６・
・・リード。
り、（Ａ）は超電導体塗布膜形成時、（Ｂ）は常電４金
属塗布膜形戊時、（Ｃ）は！極形成時を示す。第２図は
比較サンプルにおける電極形成工程図であり、（Ａ）は
超電導体膜形成時、（Ｂ）は電極形成時を示す。 ｌ・・・基板、２・・・超電導体塗布膜、３・・・常電
導音＠塗布嘆、１・・・超電導体、５・・・電極、６・
・・リード。
Claims (1)
- （１）基板上に酸化物超電導体ペーストを塗布し、乾燥
する工程と、 乾燥した前記超電導体塗布膜の電極形成部位に銀酸化物
よりなる常電導金属粉末のペーストを塗布し、乾燥する
工程と、 前記超電導体塗布膜と常電導金属塗布膜を、前記常電導
金属の融点近傍の温度で焼成する工程と、 よりなる酸化物超電導体膜の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177452A JP2889595B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 酸化物超電導体膜の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177452A JP2889595B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 酸化物超電導体膜の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341782A true JPH0341782A (ja) | 1991-02-22 |
| JP2889595B2 JP2889595B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=16031196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1177452A Expired - Fee Related JP2889595B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 酸化物超電導体膜の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2889595B2 (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN114121694A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-01 | 深圳市鼎华芯泰科技有限公司 | 一种改善ic封装密封性的封装方法 |
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1989
- 1989-07-10 JP JP1177452A patent/JP2889595B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JP2889595B2 (ja) | 1999-05-10 |
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